CN106019735A - 一种显示面板、显示装置及其控制方法 - Google Patents

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CN106019735A CN201610650079.1A CN201610650079A CN106019735A CN 106019735 A CN106019735 A CN 106019735A CN 201610650079 A CN201610650079 A CN 201610650079A CN 106019735 A CN106019735 A CN 106019735A
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Abstract

本发明实施例提供一种显示面板、显示装置及其控制方法，涉及显示技术领域，可解决LCD面板中直流残像的问题。该显示面板包括：阵列基板和对盒基板，阵列基板包括多根数据线，阵列基板或对盒基板包括公共电极；数据线由阵列基板的显示区延伸至非显示区，延伸至非显示区的数据线通过打开的第一晶体管与数据驱动电路电连接；阵列基板还包括位于非显示区的多个第二晶体管、多个第一导电结构、至少一个第三晶体管、以及多个第二导电结构；第一导电结构和第二导电结构接地；其中，第二晶体管打开时，将数据线和第一导电结构导通；第三晶体管打开时，将公共电极和第二导电结构导通。用于显示面板的制造。

Description

一种显示面板、显示装置及其控制方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及其控制方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)具有机身轻薄、耗电低、无辐射、使用寿命长等优点。
随着显示技术的快速发展，对LCD面板画面品质的需求越来越高，而残像作为画面品质评价的重要内容，长期以来得到广泛关注。
现有技术中的LCD面板，在制造过程中会引入一些带电离子，或者LCD面板的制造材料自身会带有一些带电离子，而在长期保持一个画面显示的情况下，因为长时间电场的影响，这些带电离子会在外部电场的作用下分离，形成内部电场。当切换画面时，由带电离子产生的内部电场使LCD面板仍然保持显示上一个画面，从而造成残像影像(即，当前显示的画面中残留的上一个画面)。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板、显示装置及其控制方法，可解决LCD面板中直流残像的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种显示面板，包括阵列基板和对盒基板，所述阵列基板包括多根数据线，所述阵列基板或所述对盒基板包括公共电极；所述数据线由所述阵列基板的显示区延伸至非显示区，延伸至所述非显示区的数据线通过打开的第一晶体管与数据驱动电路电连接；所述阵列基板还包括位于所述非显示区的多个第二晶体管、多个第一导电结构、至少一个第三晶体管、以及多个第二导电结构；所述第一导电结构和所述第二导电结构接地；其中，所述第二晶体管打开时，将所述数据线和所述第一导电结构导通；所述第三晶体管打开时，将所述公共电极和所述第二导电结构导通。
优选的，所述第二导电结构与所述第一导电结构交替且成对设置；所述第一导电结构设置在第一凸起结构的表面，所述第二导电结构设置在第二凸起结构的表面；所述对盒基板还包括多个第三凸起结构以及设置在所述第三凸起结构表面的第三导电结构，任一个所述第三导电结构与一对所述第一导电结构和所述第二导电结构均接触；其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构通过所述第三导电结构接地。
优选的，所述第一凸起结构、所述第二凸起结构以及所述第一导电结构、所述第二导电结构的形状均为半圆弧形，且任一对所述第一导电结构和所述第二导电结构的半圆弧形的开口相对设置；所述第三导电结构的与所述第一导电结构和所述第二导电结构之间的凹陷区域对应的部分，嵌入所述凹陷区域中。
优选的，所述数据线均沿第一方向和第二方向延伸至所述非显示区；每根所述数据线在其所延伸至的非显示区均与一个所述第二晶体管连接；其中，所述第一方向为所述数据线的一端到另一端的方向，所述第二方向与所述第一方向相反。
进一步优选的，所述第一晶体管设置在所述数据线沿第一方向延伸至的所述非显示区中，且在该非显示区，所有所述第二导电结构与一个所述第三晶体管的源极电连接；在所述数据线沿第二方向延伸至的所述非显示区中，每个所述第二导电结构分别与一个所述第三晶体管的源极电连接；所述第三晶体管的漏极与公共电极线电连接。
基于上述，优选的，所有所述第二晶体管和所有所述第三晶体管的栅极与第一控制线电连接；所有所述第一晶体管的栅极与第二控制线电连接；所述第一控制线和所述第二控制线绝缘。
优选的，所述显示面板还包括设置在所述阵列基板的显示区的薄膜晶体管、以及透明电极；所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管与所述薄膜晶体管同步形成；所述第一导电结构和所述第二导电结构与所述薄膜晶体管中的金属电极或所述透明电极同步形成；所述第一控制线和所述第二控制线与所述薄膜晶体管中的所述金属电极同步形成；所述第一凸起结构和所述第二凸起结构与所述阵列基板上的绝缘层同步形成。
进一步优选的，所述公共电极设置在所述对盒基板上，所述第三导电结构与所述公共电极同步形成；所述第三凸起结构与设置在所述对盒基板上的隔垫物同步形成。
第二方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。
第三方面，提供一种显示装置的控制方法，包括：在每帧的显示阶段，控制第一晶体管打开，第二晶体管和第三晶体管关闭，通过数据线向与其电连接的像素电极输入数据信号；在每帧的消影阶段，控制所述第一晶体管关闭，所述第二晶体管和所述第三晶体管打开，与所述数据线电连接的像素电极与所述第一导电结构连接，公共电极与所述第二导电结构连接。
本发明实施例提供一种显示面板、显示装置及其控制方法，通过在阵列基板的非显示区设置第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一导电结构、第二导电结构，并将数据线延伸至所述非显示区，使第一晶体管的源漏极分别与数据线和数据驱动电路电连接、第二晶体管的源漏极分别与数据线和第一导电结构电连接、第三晶体管的源漏极分别与公共电极和第二导电结构电连接，且使第一导电结构和第二导电结构接地，可以在每帧的显示阶段，将第一晶体管打开，第二晶体管和第三晶体管关闭，以使像素电极接收数据驱动电路输送的数据信号，而使显示面板正常显示；在每帧的消影阶段，将第二晶体管和第三晶体管打开，第一晶体管关闭，以使公共电极和与数据线电连接的像素电极分别通过第二导电结构和第一导电结构接地，从而中和积累在阵列基板上以及液晶层内的带电离子，消除带电离子形成的内部电场，达到消除残像的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图三；
图4为本发明实施例提供的一种第一凸起结构、第二凸起结构和第三凸起结构的结构示意图一；
图5为本发明实施例提供的一种第一凸起结构、第二凸起结构和第三凸起结构的结构示意图二；
图6为本发明实施例提供的一种显示装置的控制方法的流程示意图；
图7为本发明实施例提供的一种时序图。
附图标记
100-阵列基板；101-显示区；102-非显示区；200-对盒基板；01-数据线；02-数据驱动电路；03-薄膜晶体管；04-像素电极；05-栅线；06-供电结构；09-公共电极线；10-第一晶体管；20-第二晶体管；30-第三晶体管；40-第一导电结构；41-第一凸起结构；50-第二导电结构；51-第二凸起结构；60-第三导电结构；61-第三凸起结构；70-电压控制单元；71-第一控制线；72-第二控制线；80-扫描驱动电路；P1-显示阶段；P2-消影阶段。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示面板，包括阵列基板和对盒基板，如图1～图3所示，阵列基板100包括多根数据线01，阵列基板100或对盒基板包括公共电极(图1～图3中均未标识出)；数据线01由阵列基板100的显示区101延伸至非显示区102，延伸至非显示区102的数据线01通过打开的第一晶体管10与数据驱动电路02电连接。
阵列基板100还包括位于非显示区102的多个第二晶体管20、多个第一导电结构40、至少一个第三晶体管30、以及多个第二导电结构50；第一导电结构40和第二导电结构50接地；其中，第二晶体管20打开时，将数据线01和第一导电结构40导通；第三晶体管30打开时，将公共电极和第二导电结构50导通。
当然，如图1～图3所示，所述阵列基板100还包括设置在显示区101且位于每个子像素的薄膜晶体管03和像素电极04，薄膜晶体管03的源漏极分别与数据线01和像素电极04电连接，薄膜晶体管03的栅极与栅线05电连接，以通过扫描驱动电路80向栅极输入扫描信号。
其中，扫描驱动电路80可以采用GOA技术(Gate Driver onArray，阵列基板行驱动技术)，直接制作在阵列基板100上；也可集成在IC(Integrated Circuit，集成电路)中。其中图1～图3以IC贴合在阵列基板的非显示区102为例进行示意。
薄膜晶体管03可以是非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管等。可以是底栅型，也可以是顶栅型。
需要说明的是，第一，如图1所示，可以将全部数据线01沿第一方向延伸至非显示区102，其中，第一方向为数据线01的一端到另一端的方向。此时，第一晶体管10和第二晶体管20都设置在数据线01沿第一方向所延伸至的非显示区102内。
或者，如图2所示，可以将部分数据线01沿第一方向延伸至非显示区102，其余数据线01都沿第一方向和第二方向延伸至非显示区102，其中，第一方向和第二方向为相反方向。此时，为了方便第一晶体管10与数据驱动电路02电连接，可将第一晶体管10都设置在数据线01沿第一方向所延伸至的非显示区102内；第二晶体管20则可分设在数据线01沿第一方向和第二方向所延伸至的非显示区102内。
或者，如图3所示，可以将全部数据线01都沿第一方向和第二方向延伸至非显示区102。此时，为了方便第一晶体管10与数据驱动电路02电连接，可将第一晶体管10都设置在数据线01沿第一方向所延伸至的非显示区102内；第二晶体管20则可分设在数据线01沿第一方向和第二方向所延伸至的非显示区102内。
第二，如图1和图2所示，可以使每根数据线01分别连接一个第二晶体管20，即第二晶体管20的个数与数据线01的根数相同。
或者，如图3所示，可以使每根数据线01在其所延伸至的非显示区102均与一个第二晶体管20连接，即可以在数据线01沿第一方向和第二方向所延伸至的非显示区102中，均设置一组第二晶体管20，每组第二晶体管20的个数与数据线01的根数相同，每根数据线01在其所延伸至的非显示区102分别与一组第二晶体管20中的一个连接。
其中，优选第一导电结构40的个数与第二晶体管20的个数相同。
第三，不对第二导电结构50的个数进行限定，能与第一导电结构40配合，在预定时间内将积累在阵列基板100以及液晶层内的带电离子中和，即在预定时间内消除阵列基板100以及液晶层内的存储电荷即可。
在此基础上，不对与第二导电结构50电连接的第三晶体管30的个数进行限定。例如如图1所示，可以只设置一个；或者，如图2和图3所示，可以设置多个。
此外，由于通常在非显示区102都会设置用于向公共电极供电的供电结构，因此，如图1、图2所示，本发明实施例优选第三晶体管30通过该供电结构06与公共电极连接。其中，如图3所示，供电结构06例如可以为公共电极线09。
第四，不对第一导电结构40和第二导电结构50的接地方式进行限定，能在第二晶体管20和第三晶体管30打开时，使像素电极04和公共电极分别通过第一导电结构40和第二导电结构50接地即可。
第五，数据驱动电路02可以集成在IC中。或者，可以类似于GOA技术，将数据驱动电路02直接制作在阵列基板100上。
为了降低对非显示区102内的布线要求，本发明实施例优选数据驱动电路02集成在IC中，其中，图1～图3以该IC贴合在阵列基板的非显示区102进行示意。
第六，可以将阵列基板100的非显示区102划分出一个虚拟区域，该虚拟区域设置在数据线01延伸至的非显示区102，上述第一晶体管10、第二晶体管20、第一导电结构40、第三晶体管30、第二导电结构50均设置在该虚拟区域内。其中，对盒基板上与该虚拟区域对应的相应区域内设置有黑矩阵，用来遮挡该虚拟区域。
本发明实施例提供一种显示面板，通过在阵列基板100的非显示区102设置第一晶体管10、第二晶体管20、第三晶体管30、第一导电结构40、第二导电结构50，并将数据线01延伸至所述非显示区102，使第一晶体管10的源漏极分别与数据线01和数据驱动电路02电连接、第二晶体管20的源漏极分别与数据线01和第一导电结构40电连接、第三晶体管30的源漏极分别与公共电极和第二导电结构50电连接，且使第一导电结构40和第二导电结构50接地，可以在每帧的显示阶段，将第一晶体管10打开，第二晶体管20和第三晶体管30关闭，以使像素电极04接收数据驱动电路02输送的数据信号，而使显示面板正常显示；在每帧的消影阶段，将第二晶体管20和第三晶体管30打开，第一晶体管10关闭，以使公共电极和与数据线01电连接的像素电极04分别通过第二导电结构50和第一导电结构40接地，从而中和积累在阵列基板100上以及液晶层内的带电离子，消除带电离子形成的内部电场，达到消除残像的效果。
优选的，如图1～图3所示，第二导电结构50与第一导电结构40交替且成对设置。
在此基础上，如图4所示，第一导电结构40设置在第一凸起结构41的表面，第二导电结构50设置在第二凸起结构51的表面；对盒基板200还包括多个第三凸起结构61以及设置在第三凸起结构61表面的第三导电结构60，任一个第三导电结构60与一对第一导电结构40和第二导电结构50均接触。
其中，第一导电结构40和第二导电结构50通过第三导电结构60接地。
需要说明的是，第一，本领域技术人员应该明白，对于第一凸起结构41、第二凸起结构51和第三凸起结构61的高度，应在设置第一导电结构40、第二导电结构50和第三导电结构60之后，不影响阵列基板100和对盒基板200的对盒。
其中，不对第一凸起结构41、第二凸起结构51、第三凸起结构61的形状进行限定，能使任一个第三导电结构60与一对第一导电结构40和第二导电结构50均接触即可，图4只是示例性的给出第一凸起结构41、第二凸起结构51、第三凸起结构61的结构，并不进行限定。
此外，本领域技术人员应该明白，为使第三导电结构60与第一导电结构40和第二导电结构50直接接触，当导电结构表面形成其他膜层时，需将其刻蚀掉。
第二，不对第三导电结构60的接地方式进行限定，能使第三导电结构60的接地即可。
本发明实施例通过在对盒基板200上设置第三凸起结构61，并使位于第三凸起结构61表面的第三导电结构60与位于第一凸起结构41表面的第一导电结构40和位于第二凸起结构51表面的第二导电结构50均接触，可以使第一导结构40和第二导电结构50通过第三导电结构60接地，从而实现消除残像的目的。在此基础上，由于第一凸起结构41、第二凸起结构51、第三凸起结构61分布在显示面板的非显示区102，还可以起到隔垫物的支撑作用。
优选的，如图5所示，第一凸起结构41、第二凸起结构51以及第一导电结构40、第二导电结构50的形状均为半圆弧形，且任一对第一导电结构40和第二导电结构50的半圆弧形的开口相对设置；第三导电结构60的与第一导电结构40和第二导电结构50之间的凹陷区域对应的部分，嵌入凹陷区域中。
其中，第三导电结构60对应嵌入凹陷区域部分的横截面积可小于凹陷区域对应的横截面积。
本发明实施例通过将第一导电结构40和第二导电结构50的形状设置为半圆弧形，并将第三导电结构60与第一导电结构40和第二导电结构50的接触方式设置为嵌入式，一方面可以使第三导电结构60与第一导电结构40和第二导电结构50充分接触，加快带电离子的中和速度。另一方面可以提高对位精度，保持显示面板的液晶盒厚度，提高支撑效果。
优选的，如图3所示，所述数据线01均沿第一方向和第二方向延伸至所述非显示区102；每根数据线01在其所延伸至的非显示区102均与一个第二晶体管20连接。
本发明实施例通过在数据线01沿第一方向和第二方向延伸至的非显示区102，均设置第一导电结构40和第二导电结构50，使得带电离子可以从位于显示区101两侧的非显示区102同时进行中和，一方面可以提高对带电离子中和的效率，另一方面可以避免只在一侧非显示区102设置导电结构时，线路发生损坏后，无法消除带电离子。
进一步优选的，如图3所示，第一晶体管10设置在数据线01沿第一方向延伸至的非显示区102中，且在该非显示区102，所有第二导电结构50与一个第三晶体管30的源极电连接；在数据线01沿第二方向延伸至的非显示区102中，每个第二导电结构50分别与一个第三晶体管30的源极电连接；第三晶体管30的漏极与公共电极电连接。
此处，第三晶体管30可通过公共电极线09与公共电极电连接。
需要说明的是，本发明所有实施例中采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是没有区别的。基于此，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。
本发明实施例通过在数据线01沿第一方向延伸至的非显示区102内使所有第二导电结构50与一个第三晶体管30的源极电连接，并在该非显示区102内设置有第一晶体管10，可以简化第一晶体管10和第三晶体管30的排布方式，减小非显示区102的面积。
优选的，如图1～图3所示，所有第二晶体管20和所有第三晶体管30的栅极与第一控制线71电连接；所有第一晶体管10的栅极与第二控制线72电连接；第一控制线71和第二控制线72绝缘。
其中，第一控制线71用于控制第二晶体管20和第三晶体管30的打开或关闭，第二控制线72用于控制第一晶体管10的打开或关闭。
此外，第一控制线71和第二控制线72可以同层设置也可以不同层设置。
需要说明的是，第一控制线71和第二控制线72可以均与电压控制单元70电连接，电压控制单元70可以集成在IC中，该IC可以贴合在阵列基板上，也可设置在显示装置的线路板上。
本发明实施例通过一根第一控制线71控制所有第二晶体管20和第三晶体管30的开启或关闭，通过一根第二控制线72控制所有第一晶体管10的开启或关闭，可以减少阵列基板100上走线的用量，简化走线的排布。
优选的，第一晶体管10、第二晶体管20和第三晶体管30与薄膜晶体管03同步形成；第一导电结构40和第二导电结构50与薄膜晶体管03中的金属电极或透明电极同步形成；第一控制线71和第二控制线72与薄膜晶体管03中的金属电极同步形成；第一凸起结构41和第二凸起结构51与阵列基板100上的绝缘层同步形成。
其中，设置在阵列基板100显示区的透明电极可以只是像素电极04，也可以是像素电极04和公共电极。
本发明实施例通过将第一晶体管10、第二晶体管20、第三晶体管30与阵列基板100上的薄膜晶体管03同步形成，将第一导电结构40和第二导电结构50与阵列基板100上的金属电极或透明电极同步形成，将第一控制线71和第二控制线72与薄膜晶体管03中的金属电极同步形成，将第一凸起结构41和第二凸起结构51与阵列基板100上的绝缘层同步形成，可以减少构图工艺次数，提高生产效率，降低生产成本。
进一步优选的，公共电极06设置在对盒基板200上，第三导电结构60与公共电极同步形成；第三凸起结构61与设置在对盒基板200上的隔垫物同步形成。
本发明实施例通过将第三导电结构60与公共电极同步形成，将第三凸起结构61与对盒基板200上的隔垫物同步形成，可以减少构图工艺次数，提高生产效率，降低生产成本。
在此基础上，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
其中，上述显示装置具体可以是液晶显示装置，可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
本发明实施例提供一种显示装置，通过在显示面板中的阵列基板100的非显示区102设置第一晶体管10、第二晶体管20、第三晶体管30、第一导电结构40、第二导电结构50，并将数据线01延伸至所述非显示区102，使第一晶体管10的源漏极分别与数据线01和数据驱动电路02电连接、第二晶体管20的源漏极分别与数据线01和第一导电结构40电连接、第三晶体管30的源漏极分别与公共电极和第二导电结构50电连接，且使第一导电结构40和第二导电结构50接地，可以在每帧的显示阶段，将第一晶体管10打开，第二晶体管20和第三晶体管30关闭，以使像素电极04接收数据驱动电路02输送的数据信号，而使显示面板正常显示；在每帧的消影阶段，将第二晶体管20和第三晶体管30打开，第一晶体管10关闭，以使公共电极和与数据线01电连接的像素电极04分别通过第二导电结构50和第一导电结构40接地，从而中和积累在阵列基板100上以及液晶层内的带电离子，消除带电离子形成的内部电场，达到消除残像的效果。
本发明实施例提供一种上述显示装置的控制方法，如图6所示，所述方法包括：
S10、在每帧的显示阶段P1，控制第一晶体管10打开，第二晶体管20和第三晶体管30关闭，通过数据线01向与其电连接的像素电极04输入数据信号。
具体的，如图7所示，在P1阶段，电压控制单元70将第一控制线71置于低电平，以使第二晶体管20和第三晶体管30关闭，将第二控制线72置于高电平，以使第一晶体管10打开，与此同时，扫描驱动电路80通过栅线05向栅极依次输入扫描信号，使薄膜晶体管03打开，数据驱动电路02通过数据线01向像素电极04输入数据信号，显示面板正常显示。
S20、在每帧的消影阶段P2，控制第一晶体管10关闭，第二晶体管20和第三晶体管30打开，与数据线01电连接的像素电极04与第一导电结构40连接，公共电极与第二导电结构50连接。
具体的，如图7所示，在P2阶段，电压控制单元70将第一控制线71置于高电平，以使第二晶体管20和第三晶体管30打开，将第二控制线72置于低电平，以使第一晶体管10关闭，与此同时，扫描驱动电路80通过栅线05向栅极输入扫描信号，控制薄膜晶体管03全部打开，像素电极04通过第二晶体管20与第一导电结构40电连接，使像素电极04接地，公共电极通过第三晶体管30与第二导电结构50电连接，使公共电极接地，消除积累在阵列基板100上的带电离子，消除带电离子形成的内部电场，达到消除残像的效果。
本发明实施例提供一种显示装置的控制方法，通过在显示面板的阵列基板100的非显示区102设置第一晶体管10、第二晶体管20、第三晶体管30、第一导电结构40、第二导电结构50，并将数据线01延伸至所述非显示区102，使第一晶体管10的源漏极分别与数据线01和数据驱动电路02电连接、第二晶体管20的源漏极分别与数据线01和第一导电结构40电连接、第三晶体管30的源漏极分别与公共电极和第二导电结构50电连接，且使第一导电结构40和第二导电结构50接地，可以在每帧的显示阶段P1，将第一晶体管10打开，第二晶体管20和第三晶体管30关闭，以使像素电极04接收数据驱动电路02输送的数据信号，而使显示面板正常显示；在每帧的消影阶段P2，将第二晶体管20和第三晶体管30打开，第一晶体管10关闭，以使公共电极和与数据线01电连接的像素电极04分别通过第二导电结构50和第一导电结构40接地，从而中和积累在阵列基板100上以及液晶层内的带电离子，消除带电离子形成的内部电场，达到消除残像的效果。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括阵列基板和对盒基板，所述阵列基板包括多根数据线，所述阵列基板或所述对盒基板包括公共电极；其特征在于，
所述数据线由所述阵列基板的显示区延伸至非显示区，延伸至所述非显示区的数据线通过打开的第一晶体管与数据驱动电路电连接；
所述阵列基板还包括位于所述非显示区的多个第二晶体管、多个第一导电结构、至少一个第三晶体管、以及多个第二导电结构；所述第一导电结构和所述第二导电结构接地；
其中，所述第二晶体管打开时，将所述数据线和所述第一导电结构导通；所述第三晶体管打开时，将所述公共电极和所述第二导电结构导通。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二导电结构与所述第一导电结构交替且成对设置；
所述第一导电结构设置在第一凸起结构的表面，所述第二导电结构设置在第二凸起结构的表面；
所述对盒基板还包括多个第三凸起结构以及设置在所述第三凸起结构表面的第三导电结构，任一个所述第三导电结构与一对所述第一导电结构和所述第二导电结构均接触；
其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构通过所述第三导电结构接地。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一凸起结构、所述第二凸起结构以及所述第一导电结构、所述第二导电结构的形状均为半圆弧形，且任一对所述第一导电结构和所述第二导电结构的半圆弧形的开口相对设置；
所述第三导电结构的与所述第一导电结构和所述第二导电结构之间的凹陷区域对应的部分，嵌入所述凹陷区域中。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述数据线均沿第一方向和第二方向延伸至所述非显示区；
每根所述数据线在其所延伸至的非显示区均与一个所述第二晶体管连接；
其中，所述第一方向为所述数据线的一端到另一端的方向，所述第二方向与所述第一方向相反。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管设置在所述数据线沿第一方向延伸至的所述非显示区中，且在该非显示区，所有所述第二导电结构与一个所述第三晶体管的源极电连接；
在所述数据线沿第二方向延伸至的所述非显示区中，每个所述第二导电结构分别与一个所述第三晶体管的源极电连接；
所述第三晶体管的漏极与公共电极电连接。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，所有所述第二晶体管和所有所述第三晶体管的栅极与第一控制线电连接；
所有所述第一晶体管的栅极与第二控制线电连接；
所述第一控制线和所述第二控制线绝缘。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置在所述阵列基板的显示区的薄膜晶体管、以及透明电极；
所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管与所述薄膜晶体管同步形成；
所述第一导电结构和所述第二导电结构与所述薄膜晶体管中的金属电极或所述透明电极同步形成；
所述第一控制线和所述第二控制线与所述薄膜晶体管中的所述金属电极同步形成；
所述第一凸起结构和所述第二凸起结构与所述阵列基板上的绝缘层同步形成。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述公共电极设置在所述对盒基板上，所述第三导电结构与所述公共电极同步形成；所述第三凸起结构与设置在所述对盒基板上的隔垫物同步形成。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的显示面板。
10.一种如权利要求9所述显示装置的控制方法，其特征在于，包括：
在每帧的显示阶段，控制第一晶体管打开，第二晶体管和第三晶体管关闭，通过数据线向与其电连接的像素电极输入数据信号；
在每帧的消影阶段，控制所述第一晶体管关闭，所述第二晶体管和所述第三晶体管打开，与所述数据线电连接的像素电极与所述第一导电结构连接，公共电极与所述第二导电结构连接。
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