CN106006719B - 一种纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的制备方法 - Google Patents
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- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 title abstract description 11
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 69
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 14
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000012265 solid product Substances 0.000 claims description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 7
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 4
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000000349 field-emission scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/88—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by thermal analysis data, e.g. TGA, DTA, DSC
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/50—Agglomerated particles
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的制备方法。该制备方法具体包括：以氯化铟和乙酰胺为原料，以柠檬酸酸为表面活性剂，经水热反应、煅烧处理，得到由立方体组成的具有分级结构的氧化铟微球。本方法生产工艺简单，成本比较低，所得氧化铟可作为气敏材料，由于具有分级结构，材料可获得高灵敏度。
Description
技术领域
本发明涉及一种纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的制备方法，属于先进纳米功能材料制备工艺技术领域。
背景技术
随着人们环保意识的增强，对生活质量的要求不断提高,对有害气体的检测越发显得重要，急需科研工作者研制开发出检测各种气体的传感器。但目前市售的气体传感器还存在选择性偏低、稳定性差的缺点，严重限制了这一具有巨大市场价值的产品的推广应用。由于半导体气体传感器具有检测灵敏度高、响应恢复快、电路简单、操作简单、元件尺寸较小、价格低廉等特点，被广泛应用于各种气体检测领域。为了提高半导体气体传感器的灵敏度，人们常采用增大材料表面积的方法，纳米化就是常用的一种方法。纳米化通过增大材料的表面积，使粒子表面势垒的高度与厚度以及晶粒有效电阻发生显著变化，表面活性大大增加，使材料对气体的吸附、脱附以及氧化还原反应能在更低的温度下进行，降低了工作温度，缩短了响应时间，提高了气体检测的浓度范围。
分级结构不仅包含了单一纳米结构所具有的特点，而且还拥有其结构单元组装后引起的耦合效应和协同效应。因此，复杂的分等级结构不仅会保持其结构单元的优越性能，而且还可能大幅度增强其性能，甚至会产生低维纳米结构所不具备的独特性能。分等级结构半导体氧化物通过结构设计和可控合成，可以获得兼具优异识别功能、转化功能和敏感体利用效率的独特结构，因此，分等级结构半导体氧化物的设计、制备和气体传感特性的研究受到广泛关注。In2O3也是一种重要的半导体氧化物传感材料，它的突出优点是电导率较高，几乎是代表性半导体氧化物传感材料中最高的，这使得传感器处理电路变得简单和廉价。。作为重要的金属氧化物半导体，不同形态的In2O3 微/纳米结构这些年来也有发展，如S. J. Kim等（S. J. Kim, I. S. Hwang, J. K. Choi, Y. C. Kang, J. H. Lee,Enhanced C2H5OH sensing characteristics of nano-porous In2O3 hollow spheresprepared by sucrose-mediated hydrothermal reaction [J], Sensor. Actuat. B,155 (2011):512-518.）对纳米多孔结构氧化铟空心球进行了合成。近年来，三维分级结构已经成为气敏材料研究领域的热点，目前氧化铟的合成与研究相对于Ⅱ-Ⅵ族的半导体材料,如ZnO，CdS等要少的多。In2O3基纳米材料的研究主要集中在最近十年，还有许多问题需要研究。因此，探索高性能In2O3基功能材料是一个仍需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有技术的不足，提供一种纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的制备方法。具有成本低，生产工艺简单，产率高，无环境污染，易于工业化大规模生产的特点。所得纳米颗粒组成的分级结构氧化铟气敏材料的灵敏度得到大幅提高，可用于气体传感器等领域。实现本发明目的的技术方案是：一种纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的制备方法，其特征在于：以氯化铟和乙酰胺为原料，以柠檬酸酸为表面活性剂，经水热反应、煅烧处理，得到由立方体组成的具有分级结构的氧化铟微球。本方法生产工艺简单，成本比较低，所得氧化铟可作为气敏材料，由于具有分级结构，材料可获得高灵敏度。具体合成步骤如下：
（1）称取一定量的氯化铟、乙酰胺和柠檬酸，溶于去离子水中，其中氯化铟的浓度为0.02-0.05 mol/L，乙酰胺的浓度为0.02-0.08 mol/L，柠檬酸的浓度为0.02-0.05 mol/L，且控制氯化铟与乙酰胺的摩尔比为1:(1.5-2.5)，氯化铟和柠檬酸的摩尔比为1:(1-1.5)；
（2）将步骤（1）中所得混合溶液移至内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中，在170-200 ℃温度下，进行水热反应16-24小时，再将水热反应后的产物利用离心机进行固液分离，并用去离子水和乙醇对所得固体产物进行多次洗涤；
（3）将步骤（2）所得固体产物放置于干燥箱中，60℃干燥24小时，然后置于氧化铝坩埚放入马弗炉，在400-550℃下热处理3小时，得到具有分级结构的氧化铟粉体。
附图说明
图1为纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的XRD图谱。
图2为纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的SEM图。
图3为纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球FESEM图。
图4为纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的TG-DSC图谱。
图5为最佳工作电压下纳米颗粒组成的分级结构氧化铟气敏元件对10-500ppm的甲醛气体的灵敏度曲线图。
图6为最佳工作电压下纳米颗粒组成的分级结构氧化铟气敏元件的响应恢复曲线图。
具体实施方式
下面对本发明的实施例做详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
实施例1
（1）称取一定量的氯化铟、乙酰胺和柠檬酸，溶于去离子水中，其中氯化铟的浓度为0.02 mol/L，乙酰胺的浓度为0.02 mol/L，柠檬酸的浓度为0.02 mol/L，且控制氯化铟与乙酰胺的摩尔比为1:1，氯化铟和柠檬酸的摩尔比为1:1；
（2）将步骤（1）中所得混合溶液移至内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中，在170 ℃温度下，进行水热反应16小时，再将水热反应后的产物利用离心机进行固液分离，并用去离子水和乙醇对所得固体产物进行多次洗涤；
（3）将步骤（2）所得固体产物放置于干燥箱中，60℃干燥24小时，然后置于氧化铝坩埚放入马弗炉，在400℃下热处理3小时，得到具有分级结构的氧化铟粉体。
实施例2
（1）称取一定量的氯化铟、乙酰胺和柠檬酸，溶于去离子水中，其中氯化铟的浓度为0.025 mol/L，乙酰胺的浓度为0.05 mol/L，柠檬酸的浓度为0.025 mol/L，且控制氯化铟与乙酰胺的摩尔比为1:2，氯化铟和柠檬酸的摩尔比为1:1；
（2）将步骤（1）中所得混合溶液移至内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中，在180 ℃温度下，进行水热反应20小时，再将水热反应后的产物利用离心机进行固液分离，并用去离子水和乙醇对所得固体产物进行多次洗涤；
（3）将步骤（2）所得固体产物放置于干燥箱中，60℃干燥24小时，然后置于氧化铝坩埚放入马弗炉，在400℃下热处理3小时，得到具有分级结构的氧化铟粉体。
实施例3
（1）称取一定量的氯化铟、乙酰胺和柠檬酸，溶于去离子水中，其中氯化铟的浓度为0.025 mol/L，乙酰胺的浓度为0.05 mol/L，柠檬酸的浓度为0.025 mol/L，且控制氯化铟与乙酰胺的摩尔比为1:2，氯化铟和柠檬酸的摩尔比为1:1；
（2）将步骤（1）中所得混合溶液移至内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中，在180 ℃温度下，进行水热反应24小时，再将水热反应后的产物利用离心机进行固液分离，并用去离子水和乙醇对所得固体产物进行多次洗涤；
（3）将步骤（2）所得固体产物放置于干燥箱中，60℃干燥24小时，然后置于氧化铝坩埚放入马弗炉，在400℃下热处理3小时，得到具有分级结构的氧化铟粉体。
实施例4
（1）称取一定量的氯化铟、乙酰胺和柠檬酸，溶于去离子水中，其中氯化铟的浓度为0.05 mol/L，乙酰胺的浓度为0.05 mol/L，柠檬酸的浓度为0.025 mol/L，且控制氯化铟与乙酰胺的摩尔比为1:1，氯化铟和柠檬酸的摩尔比为2:1；
（2）将步骤（1）中所得混合溶液移至内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中，在2000℃温度下，进行水热反应20小时，再将水热反应后的产物利用离心机进行固液分离，并用去离子水和乙醇对所得固体产物进行多次洗涤；
（3）将步骤（2）所得固体产物放置于干燥箱中，60℃干燥24小时，然后置于氧化铝坩埚放入马弗炉，在400℃下热处理3小时，得到具有分级结构的氧化铟粉体。
实施例5
（1）称取一定量的氯化铟、乙酰胺和柠檬酸，溶于去离子水中，其中氯化铟的浓度为0.025 mol/L，乙酰胺的浓度为0.05 mol/L，柠檬酸的浓度为0.025 mol/L，且控制氯化铟与乙酰胺的摩尔比为1:2，氯化铟和柠檬酸的摩尔比为1:1；
（2）将步骤（1）中所得混合溶液移至内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中，在200 ℃温度下，进行水热反应24小时，再将水热反应后的产物利用离心机进行固液分离，并用去离子水和乙醇对所得固体产物进行多次洗涤；
（3）将步骤（2）所得固体产物放置于干燥箱中，60℃干燥24小时，然后置于氧化铝坩埚放入马弗炉，在400℃下热处理3小时，得到具有分级结构的氧化铟粉体。
Claims (1)
1.一种纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的制备方法，具体合成步骤如下：
（1）称取一定量的氯化铟、乙酰胺和柠檬酸，溶于去离子水中，其中氯化铟的浓度为0.02-0.05 mol/L，乙酰胺的浓度为0.02-0.08 mol/L，柠檬酸的浓度为0.02-0.05 mol/L，且控制氯化铟与乙酰胺的摩尔比为1:(1.5-2.5)，氯化铟和柠檬酸的摩尔比为1:(1-1.5)；
（2）将步骤（1）中所得混合溶液移至内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中，在170-200 ℃温度下，进行水热反应16-24小时，再将水热反应后的产物利用离心机进行固液分离，并用去离子水和乙醇对所得固体产物进行多次洗涤；
（3）将步骤（2）所得固体产物放置于干燥箱中，60℃干燥24小时，然后置于氧化铝坩埚放入马弗炉，在400-550℃下热处理3小时，得到具有分级结构的氧化铟粉体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610571731.0A CN106006719B (zh) | 2016-07-20 | 2016-07-20 | 一种纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610571731.0A CN106006719B (zh) | 2016-07-20 | 2016-07-20 | 一种纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106006719A CN106006719A (zh) | 2016-10-12 |
| CN106006719B true CN106006719B (zh) | 2017-08-04 |
Family
ID=57116038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610571731.0A Expired - Fee Related CN106006719B (zh) | 2016-07-20 | 2016-07-20 | 一种纳米颗粒组成的分级结构氧化铟微球的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106006719B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107215890A (zh) * | 2017-06-28 | 2017-09-29 | 济南大学 | 一种立方体纳米结构氧化铟气敏材料的制备方法 |
| CN107337231B (zh) * | 2017-06-28 | 2019-06-18 | 济南大学 | 一种纳米颗粒组成的空心分级结构氧化铟的制备方法 |
| CN112014438B (zh) * | 2020-08-17 | 2022-06-21 | 微纳感知(合肥)技术有限公司 | 一种In2O3基气敏材料的制备方法、制得的气敏材料及其应用 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102134092B (zh) * | 2011-02-17 | 2013-03-27 | 四川大学 | 具有次级结构的中空球和花状氧化铟的简易制备方法及应用 |
| CN102826593A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-19 | 电子科技大学 | 一种氧化铟纳米材料的制备方法 |
| CN103183374B (zh) * | 2013-03-13 | 2014-10-01 | 济南大学 | 一种单分散氧化铟纳米多孔微球的制备方法 |
| CN104229871A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-12-24 | 济南大学 | 一种分级结构的花状氧化铟气敏材料的制备方法 |
| CN105084308B (zh) * | 2015-07-17 | 2016-11-30 | 济南大学 | 一种负载金纳米颗粒的空心分级结构氧化铟气敏材料的制备方法 |
-
2016
- 2016-07-20 CN CN201610571731.0A patent/CN106006719B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106006719A (zh) | 2016-10-12 |
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| C06 | Publication | ||
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20170804 Termination date: 20200720 |
|
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