CN105993943A - 一种金铃花快速繁殖的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种金铃花快速繁殖的方法,所述的方法包括:1)外植体的选取,2)外植体消毒,3)初始诱导培养,4)愈伤组织诱导,5)增殖培养,6)生根培养,7)炼苗和移栽。采用本方法繁育金铃花,可以降低生产成本,提高繁殖速度和成活率。
Description
技术领域
本发明涉及植物快速繁殖技术领域,尤其是一种金铃花快速繁殖的方法技术领域。
背景技术
金铃花(学名:Abutilon striatum),又名灯笼花、网花苘麻、红脉商麻,属于常绿灌木,由于叶片常绿、花形独特、花期较长、易于繁殖,颇受喜爱。金铃花系丛生,茎直立,叶翠绿,质厚,卵状,亦有掌状,边缘有锯齿,花梗细长,小蕾期向上,随着蕾的膨大逐渐向下,开花特别下垂,花钟形,橙黄色,上有鲜艳的紫红色脉纹,花蕊和花柱较长,伸出花冠之外,整花如吊着的金色铃子而得名。
喜温暖及阳光充足,不耐寒,稍耐阴;宜肥沃、湿润而排水花的砂壤土。原产南美洲的巴西、乌拉圭等地,中国西南等地有栽培,供园林观赏用。金铃花的叶和花可活血祛瘀,舒筋通络。用于跌打损伤。
目前,金铃花多采用扦插来进行生产栽培,这种繁育技术提高了品种的纯度,保持了品种特性,但成活率较低及繁殖速度较慢,制约了金铃花产业的发展。而组织培养育苗技术既可以保持种的纯度和特性,也可以降低生产成本,提高繁殖速度和成活率。
现有技术中尚无经愈伤组织途径获得金铃花再生植株的报道。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种金铃花快速繁殖的方法,经愈伤组织途径获得金铃花丛生芽,诱导生根,可实现金铃花组培苗的大量快速繁殖。
为了解决上述技术问题,本发明提出下列技术方案:
一种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述的方法包括以下步骤:
1)外植体的选取:取当年生直径10-20mm的金铃花半木质化嫩枝枝条为外植体,剪去下部叶片后剪成5-12cm的茎段;
2)外植体消毒:将上述茎段放入盛有自来水的20KHz超声波清洗机中保持温度30-35℃处理30-45min,然后用自来水冲洗10-20min;随后在超净工作台上以70-75%的酒精消毒20-30秒,0.5%升汞溶液中处理5-7分钟,然后以无菌水冲洗6-8遍,置于无菌培养皿备用;
3)初始诱导培养:将灭菌后外植体茎段各剪去3-5mm,茎段按末端向下插入初始诱导培养基中培养,培养条件为光强2500-3500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;培养4-6d后将其中未污染的外植体茎段转接到新的初始诱导培养基中,并继续培养12-18d至新芽长出;所述的初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0.1-0.2mg/L+NAA0.01-0.02mg/L+PVP5-10mg/L;
4)愈伤组织诱导:取初始诱导培养中的芽,放入愈伤组织诱导培养基中培养15-20d,条件为暗培养,温度20℃±2℃;所述愈伤组织培养基为:WPM+6-BA0.5-2.0mg/L+NAA0.02-0.05mg/L+PVP5-10mg/L;
5)分化和增殖培养:将透明无色的愈伤组织块放入分化培养基中培养20-25d,增殖产生大量丛生苗,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;所述分化和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0.1-0.5mg/L+NAA0.1-0.5mg/L+PVP 5-10mg/L;
6)生根培养:将5)步骤中的丛生苗切割成单个,转移至生根培养基中培养15-20d后生根,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;所述生根用培养基为:1/2MS+IBA0.1-0.5mg/L+PVP5-10mg/L;
7)炼苗和移栽:将有生根的金铃花幼苗的培养基瓶盖打开,室温下炼苗3-5d后,取出幼苗,洗去根部培养基,移栽装有河沙基质的苗床上,保持温度20-25℃,湿度85%-95%,适当遮荫即可;
所述的WPM培养基配方为:大量元素:硝酸铵NH4NO3400mg/L,硫酸钾K2SO4900mg/L,磷酸二氢钾KH2PO3170mg/L,硫酸镁MgSO4·7H2O370mg/L;钙盐:氯化钙CaCl2·2H2O96mg/L;四水合硝酸钙Ca(NO3)2·4H2O556mg/L;微量元素:硼酸H3BO36.2mg/L,硫酸锰MnSO4·4H2O22.5mg/L,硫酸锌ZnSO4·7H2O8.6mg/L,钼酸钠Na2MoO4·2H2O0.25mg/L,硫酸铜CuSO4·5H2O0.25mg/L;铁盐:乙二胺四乙酸二钠Na2-EDTA37.3mg/L,硫酸亚铁FeSO4·7H2O27.8mg/L;有机酸:肌醇100mg/L,甘氨酸2mg/L,盐酸硫胺素1mg/L,盐酸吡哆醇0.5mg/L,烟酸0.5mg/L;
所述的MS培养基配方为:大量元素:硝酸钾KNO31900mg/L,硝酸铵NH4NO31650mg/L,磷酸二氢钾KH2PO3170mg/L,硫酸镁MgSO4·7H2O370mg/L;钙盐:氯化钙CaCl2·2H2O440mg/L;微量元素:碘化钾KI0.83mg/L,硼酸H3BO36.2mg/L,硫酸锰MnSO4·4H2O22.3mg/L,硫酸锌ZnSO4·7H2O8.6mg/L,钼酸钠Na2MoO4·2H2O0.25mg/L,硫酸铜CuSO4·5H2O0.025mg/L,氯化钴CoCl2·6H2O0.025mg/L;铁盐:乙二胺四乙酸二钠Na2-EDTA37.25mg/L,硫酸亚铁FeSO4·7H2O27.85mg/L;有机酸:肌醇100mg/L,甘氨酸2mg/L,盐酸硫胺素0.5mg/L,盐酸吡哆醇0.5mg/L,烟酸0.5mg/L;蔗糖30g/L,琼脂粉7g/L,pH为5.7;
所述的1/2MS培养基配方为:大量元素:硝酸钾KNO3950mg/L,硝酸铵NH4NO3825mg/L,磷酸二氢钾KH2PO385mg/L,硫酸镁MgSO4·7H2O185mg/L;余同上述MS培养基;
所述的6-BA为6-苄氨基嘌呤;
所述的NAA为α-萘乙酸;
所述的IBA为吲哚-3-丁酸;
所述的PVP为聚乙烯吡咯烷酮。
优选的,步骤3)中初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0.15mg/L+NAA0.015mg/L+PVP6mg/L。
优选的,步骤4)中愈伤组织培养基为:WPM+6-BA1.0mg/L+NAA0.04mg/L+PVP8mg/L。
优选的,步骤5)中分化和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0.3mg/L+NAA0.3mg/L+PVP8mg/L。
优选的,步骤6)中生根用培养基为:1/2MS+IBA0.3mg/L+PVP8mg/L。
采用本发明繁殖金铃花,可实现金铃花组培苗的大量快速繁殖,为金铃花生产栽培和品种改良奠定基础。
为了更好的阐述技术方案,下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明,但本发明所要求的保护范围不限于下列实施例。
具体实施方式
实施例1
1)外植体的选取:取当年生直径10-20mm的金铃花枝条为外植体,剪去叶片后剪成5-12cm的茎段;
2)外植体消毒:将上述茎段放入盛有自来水的20KHz超声波清洗中保持温度30℃处理30min,然后以自来水冲洗10min;随后在超净工作台上以70%的酒精消毒25秒,0.5%升汞溶液中处理5分钟,然后以无菌水冲洗6遍,置于无菌培养皿备用;
3)初始诱导培养:将灭菌后外植体茎段各剪去3-5mm,茎段按末端向下插入初始诱导培养基中培养,培养条件为光强2500-3500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;培养6d后将其中未污染的外植体茎段转接到新的初始诱导培养基中,并继续培养18d至新芽长出;所述的初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0.1mg/L+NAA0.01mg/L+PVP5mg/L;
4)愈伤组织诱导:取初始诱导培养中的芽,放入愈伤组织诱导培养基中培养20d,条件为暗培养,温度20℃±2℃;所述愈伤组织培养基为:WPM+6-BA0.5mg/L+NAA0.02mg/L+PVP5mg/L;
5)分化和增殖培养:将透明无色的愈伤组织块放入分化培养基中培养25d,增殖产生大量丛生苗,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;所述分化和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0.1mg/L+NAA0.1mg/L+PVP5mg/L;
6)生根培养:将5)步骤中的丛生苗切割成单个,转移至生根培养基中培养120d后生根,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;所述生根用培养基为:1/2MS+IBA0.1mg/L+PVP5mg/L;
7)炼苗和移栽:将有生根的金铃花幼苗的培养基瓶盖打开,室温下炼苗5d后,取出幼苗,洗去根部培养基,移栽装有河沙基质的苗床上,保持温度20-25℃,湿度85%-95%,适当遮荫即可。
经试验,采用本实施例所育试管苗的苗床移栽成活率为89.2%。
实施例2
1)外植体的选取:取当年生直径10-20mm的金铃花枝条为外植体,剪去叶片后剪成5-12cm的茎段;
2)外植体消毒:将上述茎段放入盛有自来水的25KHz超声波清洗中保持温度30-35℃处理45min,然后以自来水冲洗20min;随后在超净工作台上以75%的酒精消毒25-35秒,0.5%升汞溶液中处理7分钟,然后以无菌水冲洗8遍,置于无菌培养皿备用;
3)初始诱导培养:将灭菌后外植体茎段各剪去3-5mm,茎段按末端向下插入初始诱导培养基中培养,培养条件为光强2500-3500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;培养4d后将其中未污染的外植体茎段转接到新的初始诱导培养基中,并继续培养12d至新芽长出;所述的初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0.2mg/L+NAA0.02mg/L+PVP10mg/L;
4)愈伤组织诱导:取初始诱导培养中的芽,放入愈伤组织诱导培养基中培养15d,条件为暗培养,温度20℃±2℃;所述愈伤组织培养基为:WPM+6-BA2.0mg/L+NAA0.05mg/L+PVP10mg/L;
5)分化和增殖培养:将透明无色的愈伤组织块放入分化培养基中培养20d,增殖产生大量丛生苗,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;所述分化和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0.5mg/L+NAA0.5mg/L+PVP10mg/L;
6)生根培养:将5)步骤中的丛生苗切割成单个,转移至生根培养基中培养15d后生根,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;所述生根用培养基为:1/2MS+IBA0.5mg/L+PVP10mg/L;
7)炼苗和移栽:将有生根的金铃花幼苗的培养基瓶盖打开,室温下炼苗5d后,取出幼苗,洗去根部培养基,移栽装有河沙基质的苗床上,保持温度20-25℃,湿度85%-95%,适当遮荫即可。
经试验,采用本实施例所育试管苗的苗床移栽成活率为90.3%。
实施例3
1)外植体的选取:取当年生直径10-20mm的金铃花枝条为外植体,剪去叶片后剪成5-12cm的茎段;
2)外植体消毒:将上述茎段放入盛有自来水的25KHz超声波清洗中保持温度30-35℃处理45min,然后以自来水冲洗20min;随后在超净工作台上以75%的酒精消毒25-35秒,0.5%升汞溶液中处理7分钟,然后以无菌水冲洗8遍,置于无菌培养皿备用;
3)初始诱导培养:将灭菌后外植体茎段各剪去2-3mm,茎段按末端向下插入初始诱导培养基中培养,培养条件为光强2500-3500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;培养5d后将其中未污染的外植体茎段转接到新的初始诱导培养基中,并继续培养16d至新芽长出;所述的初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0.15mg/L+NAA0.015mg/L+PVP6mg/L;
4)愈伤组织诱导:取初始诱导培养中的芽,放入愈伤组织诱导培养基中培养18d,条件为暗培养,温度20℃±2℃;所述愈伤组织培养基为:WPM+6-BA1.0mg/L+NAA0.04mg/L+PVP8mg/L;
5)分化和增殖培养:将透明无色的愈伤组织块放入分化培养基中培养22d,增殖产生大量丛生苗,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;所述分化和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0.3mg/L+NAA0.3mg/L+PVP8mg/L;
6)生根培养:将5)步骤中的丛生苗切割成单个,转移至生根培养基中培养18d后生根,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;所述生根用培养基为:1/2MS+IBA0.3mg/L+PVP8mg/L;
7)炼苗和移栽:将有生根的金铃花幼苗的培养基瓶盖打开,室温下炼苗5d后,取出幼苗,洗去根部培养基,移栽装有河沙基质的苗床上,保持温度20-25℃,湿度85%-95%,适当遮荫即可。
经试验,采用本实施例所育试管苗的苗床移栽成活率为92.8%。
Claims (5)
1.一种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述的方法包括以下步骤:
1)外植体的选取:取当年生直径10-20mm的金铃花半木质化嫩枝枝条为外植体,剪去下部叶片后剪成5-12cm的茎段;
2)外植体消毒:将上述茎段放入盛有自来水的20KHz超声波清洗机中保持温度30-35℃处理30-45min,然后用自来水冲洗10-20min;随后在超净工作台上以70-75%的酒精消毒20-30秒,0.5%升汞溶液中处理5-7分钟,然后以无菌水冲洗6-8遍,置于无菌培养皿备用;
3)初始诱导培养:将灭菌后外植体茎段各剪去3-5mm,茎段按末端向下插入初始诱导培养基中培养,培养条件为光强2500-3500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;培养4-6d后将其中未污染的外植体茎段转接到新的初始诱导培养基中,并继续培养12-18d至新芽长出;所述的初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0.1-0.2mg/L+NAA0.01-0.02mg/L+PVP5-10mg/L;
4)愈伤组织诱导:取初始诱导培养中的芽,放入愈伤组织诱导培养基中培养15-20d,条件为暗培养,温度20℃±2℃;所述愈伤组织培养基为:WPM+6-BA0.5-2.0mg/L+NAA0.02-0.05mg/L+PVP5-10mg/L;
5)分化和增殖培养:将透明无色的愈伤组织块放入分化培养基中培养20-25d,增殖产生大量丛生苗,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;所述分化和增殖培养用培养基为:
1/2MS+6-BA0.1-0.5mg/L+NAA0.1-0.5mg/L+PVP 5-10mg/L;
6)生根培养:将5)步骤中的丛生苗切割成单个,转移至生根培养基中培养15-20d后生根,培养条件为光强1800-2500Lx、光周期10-14h/d,温度25℃±2℃;所述生根用培养基为:1/2MS+IBA0.1-0.5mg/L+PVP5-10mg/L;
7)炼苗和移栽:将有生根的金铃花幼苗的培养基瓶盖打开,室温下炼苗3-5d后,取出幼苗,洗去根部培养基,移栽装有河沙基质的苗床上,保持温度20-25℃,湿度85%-95%,适当遮荫即可;
所述的6-BA为6-苄氨基嘌呤;
所述的NAA为α-萘乙酸;
所述的IBA为吲哚-3-丁酸;
所述的PVP为聚乙烯吡咯烷酮。
2.根据权利要求1所述一种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述步骤3)中初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0.15mg/L+NAA0.015mg/L+PVP6mg/L。
3.根据权利要求1所述一种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述步骤4)中愈伤组织培养基为:WPM+6-BA1.0mg/L+NAA0.04mg/L+PVP8mg/L。
4.根据权利要求1所述一种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述步骤5)中分化和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0.3mg/L+NAA0.3mg/L+PVP8mg/L。
5.根据权利要求1所述一种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述步骤6)中生根用培养基为:1/2MS+IBA0.3mg/L+PVP8mg/L。
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