CN105989804A - 有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents

有机发光二极管显示器及其制造方法 Download PDF

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Abstract

公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器和一种制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法。一方面，所述OLED显示器包括形成在基底上方并被构造为提供扫描信号的扫描线。初始化电压线具有与扫描线基本相同的图案并与扫描线绝缘。数据线与扫描线交叉并被构造为提供数据电压。开关晶体管电连接到扫描线和数据线，驱动晶体管电连接到开关晶体管并包括驱动栅电极。存储电容器包括第一存储电极和与第一存储电极叠置的第二存储电极，其中，第一存储电极与驱动栅电极一体地形成。

Description

有机发光二极管显示器及其制造方法
本申请要求于2015年3月23日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0040042号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
所描述的技术总体上涉及一种有机发光二极管显示器和一种有机发光二极管显示器的制造方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)包括两个电极和在其之间的有机发光层。从阴极电极注入的电子和从阳极电极注入的空穴在有机发光层中彼此结合以形成激子，在激子放出能量时发射光。
OLED显示器包括像素矩阵，像素均包括由阴极、阳极和有机发光层形成的OLED。用于驱动OLED的多个晶体管和电容器共同形成像素电路。所述多个晶体管包括开关晶体管和驱动晶体管。
在OLED显示器中，晶体管、电容器和有机发射层的组合需要使用许多光刻掩模。每个掩模的生产是增加的成本，因此增加了总体的制造成本。
此外，当制造高分辨率OLED显示器时，可能不会有充足的空间用于所期望的电容器。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅是为了增强对本公开的背景的理解，因此以上信息可能包含不构成已经在本国被本领域的普通技术人员所知的现有技术的信息。
发明内容
所描述的技术总体上涉及一种可以通过减少至少一个掩模并同时实现足够的电容来减少制造成本的OLED显示器及其制造方法。
另一方面是一种OLED显示器，所述OLED显示器包括：基底，包括显示图像的像素区域和包围像素区域的外围区域；扫描线，形成在基底上并传输扫描信号；初始化电压线，以与扫描线基本相同的图案形成并与扫描线绝缘；数据线和驱动电压线，与扫描线交叉并分别传输数据电压和驱动电压；开关晶体管，连接到扫描线和数据线；驱动晶体管，连接到开关晶体管并包括驱动栅电极；第二存储电极，与作为驱动栅电极的第一存储电极叠置并从驱动电压线延伸；OLED，电连接到驱动晶体管，其中，初始化电压线传输使驱动晶体管初始化的初始化电压，初始化电压线暴露扫描线的在外围区域中的一部分。
所述OLED显示器还可以包括形成在基底上的第一栅极绝缘层和覆盖形成在第一栅极绝缘层上的扫描线的第二栅极绝缘层，初始化电压线可以形成在第二栅极绝缘层上。
所述OLED显示器还可以包括覆盖第二栅极绝缘层和初始化电压线的层间绝缘层，第二存储电极、驱动电压线和数据线可以形成在层间绝缘层上。
驱动电压线可以包括与数据线平行的第一驱动电压线和与数据线交叉的第二驱动电压线，第一驱动电压线可以用与数据线相同的层形成，第二驱动电压线可以用与数据线不同的层形成。
OLED可以包括电连接到驱动晶体管的像素电极、形成在像素电极上的有机发射层和形成在有机发射层上的共电极，第二驱动电压线可以用与像素电极相同的层形成。
所述OLED显示器还可以包括：前一条扫描线，用与扫描线相同的层形成并传输前一个扫描信号；以及浮置晶体管，形成在外围区域中并基于前一个扫描信号导通以传输初始化电压。
所述OLED显示器还可以包括将浮置晶体管的漏电极连接到初始化电压线的外围初始化连接构件，外围初始化连接构件可以用与数据线相同的层形成。
所述OLED显示器还可以包括半导体，所述半导体形成在基底上并包括开关晶体管的开关沟道与驱动晶体管的驱动沟道，开关沟道与驱动沟道彼此分隔开，驱动沟道可以与驱动栅电极叠置，驱动沟道可以是在平面上弯曲的。
另一方面是一种OLED显示器的制造方法，所述制造方法包括：在基底上顺序地沉积第一栅极绝缘层、第一栅极金属层、第二栅极绝缘层和第二栅极金属层；通过使用半色调掩模蚀刻第一栅极金属层和第二栅极金属层以同时形成扫描线、第一存储电极和初始化电压线；在初始化电压线和第二栅极绝缘层上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成数据线、第一驱动电压线和第二存储电极；形成覆盖数据线、第一驱动电压线和第二存储电极的钝化层；在钝化层上形成OLED，其中，初始化电压线以与扫描线相同的图案形成在扫描线上。
基底可以包括显示图像的像素区域和包围像素区域的外围区域，同时形成扫描线、第一存储电极和初始化电压线的步骤可以包括：通过使用半色调掩模在与像素区域的扫描线对应的区域和与所述外围区域的所述扫描线的一部分对应的区域中形成第一感光膜，并在与驱动栅电极对应的区域中和与外围区域的扫描线的剩余部分对应的区域中形成第二感光膜；通过使用第一感光膜和第二感光膜作为蚀刻掩模同时蚀刻第一栅极金属层和第二栅极金属层，以形成具有相同的图案的扫描线和初始化电压线；去除第二感光膜；通过使用第一感光膜作为蚀刻掩模蚀刻第二栅极金属层，以蚀刻形成在外围区域中的初始化电压线的一部分。
第一感光膜的厚度可以比第二感光膜的厚度大。
形成OLED的步骤可以包括：在钝化膜上形成像素电极，在像素电极上形成有机发射层，在有机发射层上形成共电极，可以在形成像素电极的步骤中形成与第一驱动电压线交叉的第二驱动电压线，并且第一驱动电压线和第二驱动电压线可以彼此电连接。
另一方面是一种有机发光二极管(OLED)显示器，其包括：基底，包括被构造为显示图像的像素区域和围绕像素区域的外围区域；扫描线，形成在基底上方并被构造为提供扫描信号；初始化电压线，具有与扫描线基本相同的图案并与扫描线绝缘；数据线，与扫描线交叉，并被构造为提供数据电压；驱动电压线，与扫描线交叉，并被构造为提供驱动电压；开关晶体管，电连接到扫描线和数据线；驱动晶体管，电连接到开关晶体管并包括驱动栅电极；存储电容器，包括第一存储电极和与第一存储电极叠置的第二存储电极，其中，第一存储电极与驱动栅电极一体地形成，其中，第二存储电极从驱动电压线延伸；OLED，电连接到驱动晶体管，其中，初始化电压线被构造为提供初始化电压以使驱动晶体管初始化，其中，初始化电压线暴露扫描线的在外围区域中的至少第一部分。
上述OLED显示器还包括：第一栅极绝缘层，形成在基底上方；以及第二栅极绝缘层，形成在扫描线的第二部分上方，描扫线形成在第一栅极绝缘层上方，其中，初始化电压线形成在第二栅极绝缘层上方。
上述OLED显示器还包括形成在第二栅极绝缘层和初始化电压线上方的层间绝缘层，其中，第二存储电极、驱动电压线和数据线形成在层间绝缘层上方。
在上述OLED显示器中，驱动电压线包括与数据线基本平行的第一驱动电压线和与数据线交叉的第二驱动电压线，其中，第一驱动电压线与数据线形成在同一层上，其中，第二驱动电压线与数据线形成在不同的层上。
在上述OLED显示器中，所述OLED包括：像素电极，电连接到驱动晶体管；有机发射层，形成在像素电极上方；以及共电极，形成在有机发射层上方，其中，第二驱动电压线与像素电极形成在同一层上。
上述OLED显示器还包括：前一条扫描线，与扫描线形成在同一层上并被构造为提供前一个扫描信号；以及浮置晶体管，形成在外围区域中并被构造为基于前一个扫描信号导通以提供初始化电压。
上述OLED显示器还包括将浮置晶体管的漏电极连接到初始化电压线的外围初始化连接构件，其中，外围初始化连接构件与数据线形成在同一层上。
上述OLED显示器还包括半导体，所述半导体形成在基底上方并包括开关晶体管的开关沟道与驱动晶体管的驱动沟道，开关沟道与驱动沟道彼此电隔离，其中，驱动沟道与驱动栅电极叠置，其中，驱动沟道是弯曲的。
另一方面是一种制造有机发光二极管显示器的方法，其包括：在基底上方顺序地沉积第一栅极绝缘层、第一栅极金属层、第二栅极绝缘层和第二栅极金属层；用第一半色调掩模蚀刻第一栅极金属层和第二栅极金属层以同时形成扫描线、第一存储电极和初始化电压线；在初始化电压线和第二栅极绝缘层上方形成层间绝缘层；在层间绝缘层上方形成数据线、第一驱动电压线和第二存储电极；在数据线、第一驱动电压线和第二存储电极上方形成钝化层；在钝化层上方形成OLED，其中，将形成在扫描线上方的初始化电压线形成为具有与扫描线基本相同的图案。
在上述方法中，基底包括被构造为显示图像的像素区域和围绕像素区域的外围区域，其中，蚀刻步骤包括：用第一半色调掩模在与像素区域的扫描线对应的区域和与所述外围区域的所述扫描线的一部分对应的区域中形成第一感光膜，并在与驱动栅电极对应的区域和与外围区域的扫描线的剩余部分对应的区域中形成第二感光膜；用第一感光膜和第二感光膜作为蚀刻掩模同时蚀刻第一栅极金属层和第二栅极金属层，以形成具有基本相同的图案的扫描线和初始化电压线；去除第二感光膜；以及用第一感光膜作为蚀刻掩模蚀刻第二栅极金属层，以蚀刻形成在外围区域中的初始化电压线的一部分。
在上述方法中，第一感光膜的厚度比第二感光膜的厚度大。
在上述方法中，形成OLED的步骤包括：在钝化层上方形成像素电极；在像素电极上方形成有机发射层；以及在有机发射层上方形成共电极，其中，在形成像素电极期间形成与第一驱动电压线交叉的第二驱动电压线，其中，第一驱动电压线和第二驱动电压线彼此电连接。
在上述方法中，第二驱动电压线和像素电极形成在同一层上。
在上述方法中，第二驱动电压线和扫描线形成在不同的层上。
另一方面是一种有机发光二极管(OLED)显示器，其包括：基底；驱动电压线，形成在基底上方并被构造为提供驱动电压；存储电容器，包括第一存储电极和与第一存储电极叠置的第二存储电极，其中，第二存储电极从驱动电压线延伸；驱动晶体管，电连接到数据线和驱动电压线，并包括驱动栅电极，其中，第一存储电极与驱动栅电极一体形成；以及OLED，电连接到驱动晶体管并包括像素电极，其中，驱动电压线包括第一驱动电压线和形成在第一驱动电压线上方的第二驱动电压线，其中，第二驱动电压线与像素电极形成在同一层上。
在上述OLED显示器中，基底包括像素区域和围绕像素区域的外围区域，其中，所述OLED显示器还包括：开关晶体管，电连接到数据线；扫描线，电连接到开关晶体管，并被构造为向开关晶体管提供扫描信号；初始化电压线，具有与扫描线基本相同的图案并与扫描线绝缘；其中，初始化电压线被构造为提供初始化电压以使驱动晶体管初始化，其中，初始化电压线暴露扫描线的在外围区域中的至少第一部分。
上述OLED显示器还包括：第一栅极绝缘层，形成在基底上方；第二栅极绝缘层，形成在扫描线的第二部分上方，扫描线形成在第一栅极绝缘层上方，其中，初始化电压线形成在第二栅极绝缘层上方。
在上述OLED显示器中，第一驱动电压线与数据线形成在同一层上，其中，第二驱动电压线与数据线形成在不同的层上。
上述OLED显示器还包括：前一条扫描线，与扫描线形成在同一层上并被构造为提供前一个扫描信号；浮置晶体管，形成在外围区域中并被构造为基于前一个扫描信号导通以提供初始化电压。
上述OLED显示器还包括将浮置晶体管的漏电极连接到初始化电压线的外围初始化连接构件，其中，外围初始化连接构件与数据线形成在同一层上。
根据公开的实施例中的至少一个，通过使用一个半色调掩模来同时形成扫描线和初始化电压线，从而通过减少使用的掩模的数量来减少制造成本。
此外，通过将第二驱动电压线形成为与像素电极同一层，第一存储电极可以是大的，从而提高电容。
附图说明
图1是根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的俯视平面图。
图2是根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的等效电路图。
图3是施加到根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的像素的信号的时序图。
图4是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的多个晶体管和电容器的示图。
图5是图4的具体的布局图。
图6是图5的OLED显示器沿着线VI-VI截取的剖视图。
图7是图5的OLED显示器沿着线VII-VII截取的剖视图。
图8是图5的OLED显示器沿着线VIII-VIII和线VIII'-VIII'截取的剖视图。
图9是根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的制造方法的一个步骤的布局图。
图10是图9的OLED显示器沿着线X-X截取的剖视图。
图11是图9的OLED显示器沿着线XI-XI截取的剖视图。
图12是图9的OLED显示器沿着线XII-XII和线XII'-XII'截取的剖视图。
图13是图9的下一步骤的布局图。
图14是图13的OLED显示器沿着线XIV-XIV截取的剖视图。
图15是图13的OLED显示器沿着线XV-XV截取的剖视图。
图16是图13的OLED显示器沿着线XVI-XVI和线XVI'-XVI'截取的剖视图。
具体实施方式
将在下文中参照附图更充分地描述本公开，在附图中示出本公开的示例性实施例。如本领域的技术人员将了解的是，在都不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
将省略与描述无关的部分，以清楚地描述本公开，在说明书中相同的元件将用相同的附图标记表示。
另外，在附图中示出的每个构造的尺寸和厚度是为了理解和易于描述而任意地示出的，本公开不限于此。在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好理解和易于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
另外，除非明确地给出相反的描述，否则词语“包括”及其变型将被理解为暗指包含所述元件但不排除任何其它元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”意指位于目标部分上面或下方，而基本上不意指位于目标部分的基于重力方向的上侧。
此外，在说明书中，短语“在平面上”意指当从上方观察目标部分时的情况，而短语“在剖面上”意指当从侧面观察通过竖直地切割目标部分获取的剖面时的情况。
此外，晶体管和电容器的数量不受限于附图中示出的数量，OLED显示器可以以各种结构来形成，其中，一个像素可以包括多个晶体管和至少一个电容器，并还设置有单独的布线或不包括现有的布线。这里，像素是显示图像的最小单元，有机发光装置通过多个像素显示图像。
在下文中，将参照附图描述根据本公开的示例性实施例的OLED显示器。在本公开中，术语“基本(上)”包括完全、几乎完全或在一些应用下依据本领域的技术人员所达到的任何有效程度的意思。此外，“形成在……上”也可以意指“形成在……上方”。术语“连接”可以包括电连接。
图1是根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的俯视平面图。
如图1所示，根据本公开的示例性实施例的OLED显示器包括像素区域P1和外围区域P2，其中，像素区域P1形成在基底110上并包括由显示图像的OLED OLD制成的多个像素PX，外围区域P2包围像素区域P1并包括驱动电路芯片IC和多个外围电路PC。
接下来，将描述根据本公开的示例性实施例的OLED显示器。
图2是根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的等效电路图。
如图2所示，根据本公开的示例性实施例的OLED显示器包括遍布像素区域P1和外围区域P2而形成的多条信号线151、152、153、154、158、171和172，以及连接到所述多条信号线并以大致矩阵形状布置的多个像素PX。所述多个像素PX形成在像素区域P1中。
一个像素PX包括连接到所述多条信号线151、152、153、154、158、171和172的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7，存储电容器Cst以及OLED OLD。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7。
信号线151、152、153、154、158、171和172包括传输扫描信号Sn的扫描线151、向初始化晶体管T4传输前一个扫描信号Sn-1的前一条扫描线152、向操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6传输发光控制信号EM的发光控制线153、传输使驱动晶体管T1初始化的初始化电压Vint的初始化电压线154、向旁路晶体管T7传输旁路信号BP的旁路控制线158、与扫描线151交叉并传输数据信号Dm的数据线171、以及传输驱动电压ELVDD并与数据线171大致平行地形成的驱动电压线172。
驱动晶体管T1的栅电极G1连接到存储电容器Cst的一个端子Cst1，驱动晶体管T1的源电极S1经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线172，驱动晶体管T1的漏电极D1经由发光控制晶体管T6电连接到OLED OLD的阳极。驱动晶体管T1根据开关晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，以向OLED OLD供应驱动电流Id。
开关晶体管T2的栅电极G2连接到扫描线151，开关晶体管T2的源电极S2连接到数据线171，开关晶体管T2的漏电极D2在连接到源电极S1的同时经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线172。开关晶体管T2根据通过扫描线151传输的扫描信号Sn而导通，以执行将传输到数据线171的数据信号Dm传输至驱动晶体管T1的源电极S1的开关操作。
补偿晶体管T3的栅电极G3连接到扫描线151，补偿晶体管T3的源电极S3在连接到漏电极D1的同时经由发光控制晶体管T6连接到OLED OLD的阳极。补偿晶体管T3的漏电极D3同时连接到初始化晶体管T4的漏电极D4、存储电容器Cst的一个端子Cst1和栅电极G1。补偿晶体管T3根据通过扫描线151传输的扫描信号Sn而导通，以在栅电极G1与漏电极D1之间连接以使驱动晶体管T1二极管连接。
初始化晶体管T4的栅电极G4连接到前一条扫描线152，源电极S4连接到初始化电压线154，漏电极D4同时经由漏电极D3和栅电极G1连接到存储电容器Cst的一个端子Cst1。初始化晶体管T4根据通过前一条扫描线152传输的前一个扫描信号Sn-1而导通，以向栅电极G1传输初始化电压Vint以执行使栅电极G1的栅极电压Vg初始化的初始化操作。
操作控制晶体管T5的栅电极G5连接到发光控制线153，源电极S5连接到驱动电压线172，漏电极D5连接到源电极S1和漏电极D2。
发光控制晶体管T6的栅电极G6连接到发光控制线153，发光控制晶体管T6的源电极S6连接到漏电极D1和源电极S3，发光控制晶体管T6的漏电极D6电连接到OLED OLD的阳极。操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6根据通过发光控制线153传输的发光控制信号EM基本同步(或同时)被导通，从而使驱动电压ELVDD被二极管连接的驱动晶体管T1补偿并随后被传输到OLED OLD。
旁路晶体管T7的栅电极G7连接到旁路控制线158，旁路晶体管T7的源电极S7同时连接到发光控制晶体管T6的漏电极D6和OLED OLD的阳极，旁路晶体管T7的漏电极D7同时连接到初始化电压线154和源电极S4。
存储电容器Cst的另一端子Cst2连接到驱动电压线172，OLED OLD的阴极连接到共电压ELVSS通过其传输的共电压线741。
另一方面，向初始化晶体管T4传输作为预定大小(magnitude)的DC电压的初始化电压Vint的浮置晶体管TF形成在外围区域P2中。浮置晶体管TF的栅电极GF连接到前一条扫描线152，浮置晶体管TF的源电极SF连接到传输初始化电压Vint的Vint线，浮置晶体管TF的漏电极DF通过初始化电压线154连接到源电极S4。浮置晶体管TF根据通过前一条扫描线152发送的前一个扫描信号Sn-1而导通，以将传输到Vint线的初始化电压Vint传输至源电极S4。因此，仅当浮置晶体管TF响应于前一个扫描信号Sn-1被导通时，初始化电压Vint才被传输到初始化晶体管T4。
在本公开的示例性实施例中，示出了包括旁路晶体管T7的一个电容器和七个晶体管结构，但本公开不限于此，可以以各种方式改变晶体管的数量和电容器的数量。
在下文中，将参照图3详细描述根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的一个像素的详细操作过程。
图3是被施加到根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的一个像素的信号的时序图。
如图3所示，通过前一条扫描线152将低电平的前一个扫描信号Sn-1供应初始化时间段那么久。然后，外围区域P2的浮置晶体管TF响应于低电平的前一个扫描信号Sn-1被导通，初始化电压Vint经过浮置晶体管TF从初始化电压线154传输到初始化晶体管T4的源电极S4。同时，初始化晶体管T4响应于低电平的前一个扫描信号Sn-1被导通，从初始化电压线154传输的初始化电压Vint经由初始化晶体管T4被传输到驱动晶体管T1的栅电极G1，驱动晶体管T1被初始化电压Vint初始化。
随后，在数据编程时间段期间，通过扫描线151供应低电平的扫描信号Sn。然后，开关晶体管T2和补偿晶体管T3响应于低电平的扫描信号Sn被导通。在这种情况下，驱动晶体管T1通过导通的补偿晶体管T3被二极管连接，并且是正向偏置的。
然后，向驱动晶体管T1的栅电极G1施加从供应自数据线171的数据信号Dm减去驱动晶体管T1的阈值电压Vth获得的补偿电压Dm+Vth(Vth是负值)。即，施加到驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压Vg是补偿电压Dm+Vth。
驱动电压ELVDD和补偿电压Dm+Vth施加到存储电容器Cst的各端并且与各端之间的电压差对应的电荷存储在存储电容器Cst中。
然后，在发光时间段期间供应自发光控制线153的发光控制信号EM从高电平改变至低电平。随后，操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6在发光时间段期间被低电平的发光控制信号EM导通。
然后，根据驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压Vg与驱动电压ELVDD之间的差产生驱动电流Id，并且驱动电流Id通过发光控制晶体管T6被供应到OLED OLD。驱动晶体管T1的驱动栅极-源极电压Vgs在发光时间段期间通过存储电容器Cst保持在“(Dm+Vth)-ELVDD”，并且根据驱动晶体管T1的电流-电压关系，驱动电流Id与通过从驱动栅极-源极电压Vgs减去阈值电压Vth而获得的值的平方(即，“(Dm-ELVDD)2”)是成比例的。因此，确定驱动电流Id而与驱动晶体管T1的阈值电压Vth无关。
在这种情况下，旁路晶体管T7从旁路控制线158接收旁路信号BP。因此，驱动电流Id的一部分作为旁路电流Ibp流过旁路晶体管T7。
如果即使在驱动晶体管T1的显示黑色图像的最小电流作为驱动电流而流动时OLED OLD也发光，则不会正确地显示黑色图像。因此，根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的旁路晶体管T7可以将驱动晶体管T1的最小电流的一部分作为旁路电流Ibp分散到除了OLED侧的电流通路之外的电流通路。在这里，驱动晶体管T1的最小电流意思是：在驱动晶体管T1的驱动栅极-源极电压Vgs比阈值电压Vth小，使得驱动晶体管T1被截止的条件下的电流。在驱动晶体管T1被截止的条件下的最小驱动电流(例如，约10pA或更小的电流)被传输到OLED OLD，以显示为黑色亮度的图像。当显示黑色图像的最小驱动电流流动时，旁路电流Ibp的旁路传输效应是大的，但当显示诸如普通图像或白色图像的图像的大驱动电流流动时，旁路电流Ibp的效应是小的。因此，当显示黑色图像的驱动电流流动时，OLED OLD的发光电流Iold具有在可清楚地显示黑色图像的水平的最小电流量，其中，所述发光电流Iold被减小了通过旁路晶体管T7从驱动电流Id释放的旁路电流Ibp的电流量那么多。因此，可以通过使用旁路晶体管T7实现精确的黑色亮度图像来提高对比度。在图3中，旁路信号BP与前一个扫描信号Sn-1相同，但不限于此。
在下文中，将参照图4、图5、图6、图7和图8详细地描述图1、图2和图3中示出的OLED显示器的详细的结构。
图4是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的多个晶体管和电容器的示图。图5是图4的具体布局图。图6是图5的OLED显示器沿着线VI-VI截取的剖视图。图7是图5的OLED显示器沿着线VII-VII截取的剖视图。图8是图5的OLED显示器沿着线VIII-VIII和线VIII'-VIII'截取的剖视图。
在下文中，将参照图4和图5详细地描述根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的详细的平面结构，然后，将参照图6、图7和图8详细地描述根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的详细的剖视结构。
如图4和图5所示，根据本公开的示例性实施例的OLED显示器包括分别施加扫描信号Sn、前一个扫描信号Sn-1、发光控制信号EM、初始化电压Vint和旁路信号BP并沿行方向形成的扫描线151、前一条扫描线152、发光控制线153、初始化电压线154和旁路控制线158。在像素区域P1中，初始化电压线154形成在扫描线151上，并且初始化电压线154形成为与扫描线151相同的图案。
此外，包括与扫描线151、前一条扫描线152、发光控制线153、初始化电压线154和旁路控制线158交叉并且分别向像素施加数据信号Dm和驱动电压ELVDD的数据线171和驱动电压线172。驱动电压线172包括与数据线171平行的第一驱动电压线172a和与第一驱动电压线172a交叉的第二驱动电压线172b。第二驱动电压线172b包括交替形成的直部和斜部。第一驱动电压线172a与第二驱动电压线172b通过接触孔82彼此连接。
此外，像素PX设置有驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6、旁路晶体管T7、存储电容器Cst和OLED OLD。
OLED OLD包括像素电极191、有机发射层370和共电极270。在这种情况下，由具有双栅极结构的晶体管来构造补偿晶体管T3和初始化晶体管T4以切断泄漏电流。
驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7的各沟道形成在可以以各种形状弯曲的一个连接的半导体130之内。半导体130可以由多晶硅或氧化物半导体形成。氧化物半导体可以由包括作为基体的钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铝(Al)、钽(Ta)、锗(Ge)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)或铟(In)的氧化物形成，或者可以由它们的复合氧化物形成，所述复合氧化物诸如氧化铟-镓-锌(InGaZnO4)、氧化铟-锌(In-Zn-O)、氧化锌-锡(Zn-Sn-O)、氧化铟-镓(In-Ga-O)、氧化铟-锡(In-Sn-O)、氧化铟-锆(In-Zr-O)、氧化铟-锆-锌(In-Zr-Zn-O)、氧化铟-锆-锡(In-Zr-Sn-O)、氧化铟-锆-镓(In-Zr-Ga-O)、氧化铟-铝(In-Al-O)、氧化铟-锌-铝(In-Zn-Al-O)、氧化铟-锡-铝(In-Sn-Al-O)、氧化铟-铝-镓(In-Al-Ga-O)、氧化铟-钽(In-Ta-O)、氧化铟-钽-锌(In-Ta-Zn-O)、氧化铟-钽-锡(In-Ta-Sn-O)、氧化铟-钽-镓(In-Ta-Ga-O)、氧化铟-锗(In-Ge-O)、氧化铟-锗-锌(In-Ge-Zn-O)、氧化铟-锗-锡(In-Ge-Sn-O)、氧化铟-锗-镓(In-Ge-Ga-O)、氧化钛-铟-锌(Ti-In-Zn-O)和氧化铪-铟-锌(Hf-In-Zn-O)。当半导体130由氧化物半导体形成时，可以添加单独的钝化层，以保护对于诸如高温环境的外部环境来说是脆弱的氧化物半导体。
半导体130包括掺杂有N型杂质或P型杂质的沟道，以及形成在沟道的各个侧处并且掺杂浓度比在沟道中掺杂的掺杂杂质的掺杂浓度高的源极掺杂区域和漏极掺杂区域。在本示例性实施例中，源极掺杂区域和漏极掺杂区域分别与源电极和漏电极对应。形成在半导体130中的源电极和漏电极可以通过仅掺杂对应区域来形成。此外，也对半导体130中的不同晶体管的源电极与漏电极之间的区域进行掺杂，使得源电极与漏电极可以彼此电连接。
如图5所示，沟道131包括形成在驱动晶体管T1中的驱动沟道131a、形成在开关晶体管T2中的开关沟道131b、形成在补偿晶体管T3中的补偿沟道131c、形成在初始化晶体管T4中的初始化沟道131d、形成在操作控制晶体管T5中的操作控制沟道131e、形成在发光控制晶体管T6中的发光控制沟道131f和形成在旁路晶体管T7中的旁路沟道131g。
驱动晶体管T1包括驱动沟道131a、驱动栅电极155a、驱动源电极136a和驱动漏电极137a。驱动沟道131a是弯曲的并可以具有曲折的形状或Z字型形状。如上所述，驱动沟道131a以弯曲的形状形成，使得可以在狭窄空间内延长驱动沟道131a。因此，驱动栅电极155a与驱动源电极136a之间的驱动栅极-源极电压Vgs的驱动范围被延长的驱动沟道131a拓宽了。因此，因为驱动栅极-源极电压Vgs的驱动范围被拓宽了，所以可以通过改变施加到驱动栅电极155a的栅极电压Vg的大小来更精细地控制从OLED OLD发射的光的灰度，结果，可以提高OLED显示器的分辨率并改善显示质量。可以通过以各种方式改变驱动沟道131a的形状来实现驱动沟道131a的诸如“倒S”形状、“S”形状、“M”形状和“W”形状的各种示例性实施例。
驱动栅电极155a与驱动沟道131a叠置，驱动源电极136a和驱动漏电极137a被形成并分别与驱动沟道131a的两侧相邻。驱动栅电极155a通过接触孔61与驱动连接构件174连接。
开关晶体管T2包括开关沟道131b、开关栅电极155b、开关源电极136b和开关漏电极137b。作为从扫描线151向下延伸的部分的开关栅电极155b与开关沟道131b叠置，开关源电极136b和开关漏电极137b被形成并分别与开关沟道131b的两侧相邻。开关源电极136b通过接触孔62与数据线171连接。
补偿晶体管T3包括补偿沟道131c、补偿栅电极155c、补偿源电极136c和补偿漏电极137c。作为扫描线151的一部分的补偿栅电极155c被形成为两个以防止泄漏电流，并与补偿沟道131c叠置。补偿源电极136c和补偿漏电极137c被形成为与补偿沟道131c的各个侧相邻。补偿漏电极137c通过接触孔63连接到驱动连接构件174。
初始化晶体管T4包括初始化沟道131d、初始化栅电极155d、初始化源电极136d和初始化漏电极137d。作为前一条扫描线152的一部分的初始化栅电极155d被形成为两个以防止泄漏电流，并与初始化沟道131d叠置。初始化源电极136d和初始化漏电极137d被形成为与初始化沟道131d的各个侧相邻。初始化源电极136d通过接触孔64连接到初始化连接构件175。
操作控制晶体管T5包括操作控制沟道131e、操作控制栅电极155e、操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e。作为发光控制线153的一部分的操作控制栅电极155e与操作控制沟道131e叠置，操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e被形成为与操作控制沟道131e的各个侧相邻。操作控制源电极136e通过接触孔65连接到从驱动电压线172延伸的部分。
发光控制晶体管T6包括发光控制沟道131f、发光控制栅电极155f、发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f。作为发光控制线153的一部分的发光控制栅电极155f与发光控制沟道131f叠置，发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f被形成为与发光控制沟道131f的各个侧相邻。发光控制漏电极137f通过接触孔66连接到发光控制连接构件179。
旁路晶体管T7包括旁路沟道131g、旁路栅电极155g、旁路源电极136g和旁路漏电极137g。作为旁路控制线158的一部分的旁路栅电极155g与旁路沟道131g叠置，旁路源电极136g和旁路漏电极137g被形成为与旁路沟道131g的各个侧相邻。
旁路源电极136g直接连接到发光控制漏电极137f，旁路漏电极137g直接连接到初始化源电极136d。
驱动晶体管T1的驱动沟道131a的一端连接到开关漏电极137b和操作控制漏电极137e，驱动沟道131a的另一端连接到补偿源电极136c和发光控制源电极136f。
存储电容器Cst包括形成在第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160上的第一存储电极155a和第二存储电极178，其中，第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160设置在第一存储电极155a与第二存储电极178之间。第一存储电极155a与驱动栅电极155a对应，第二存储电极178是第一驱动电压线172a的延伸区域并针对每个像素逐个形成。这里，第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160成为介电材料，通过充入存储电容器Cst的电荷和电极155a与178之间的电压来确定存储电容。如上所述，通过将驱动栅电极155a用作第一存储电极155a，可以在被驱动沟道131a(在像素中占据大面积)所减少的空间中获得用于形成存储电容器的空间。
作为驱动栅电极155a的第一存储电极155a通过接触孔61和存储槽51连接到驱动连接构件174的一端。存储槽51是在第二存储电极178中形成的槽。因此，使驱动连接构件174的一端和驱动栅电极155a连接的接触孔61形成在存储槽51之内。驱动连接构件174几乎与数据线171平行并由同一层形成，驱动连接构件174的另一端通过接触孔63连接到补偿晶体管T3的补偿漏电极137c和初始化晶体管T4的初始化漏电极137d。因此，驱动连接构件174将驱动栅电极155a与补偿晶体管T3的补偿漏电极137c和初始化晶体管T4的初始化漏电极137d彼此连接。驱动连接构件174与图2中的驱动栅极节点GN对应。
第二存储电极178是从第一驱动电压线172a延伸的扩展。因此，存储电容器Cst存储与通过驱动电压线172传输到第二存储电极178的驱动电压ELVDD与驱动栅电极155a的栅极电压Vg之间的差对应的存储电容。
数据线171与扫描线151交叉并沿列方向延伸，第一驱动电压线172a与数据线171分隔开并沿列方向延伸。
第二驱动电压线172b通过接触孔82连接到第一驱动电压线172a。如上所述，驱动电压线172可以通过将竖直方向的第一驱动电压线172a与水平方向的第二驱动电压线172b彼此连接而由网状结构形成，从而防止驱动电压ELVDD的电压降。
第二驱动电压线172b没有与第一存储电极155a形成在同一层上，而是与像素电极191形成在同一层上，使得可以大量地获得形成第一存储电极155a的空间，从而增大第一存储电极155a的面积。因此，可以提高存储电容器Cst的电容。
四边形的发光控制连接构件179通过接触孔81连接像素电极191，初始化连接构件175通过接触孔68连接到初始化电压线154。
同时，在外围区域P2中，初始化电压线154暴露扫描线151。被暴露的扫描线151通过接触孔CH1连接到外围扫描连接构件71，外围扫描连接构件71连接到供应扫描信号Sn的扫描驱动器(Sn驱动器)。初始化电压线154通过接触孔CH2连接到外围初始化连接构件72，外围初始化连接构件72连接到传输初始化电压Vint的浮置晶体管TF(参见图8)。浮置晶体管TF被供应前一个扫描信号Sn-1的前一个扫描驱动器(Sn-1驱动器)导通以向外围初始化连接构件72传输初始化电压Vint。
在此结构中，初始化电压Vint仅在浮置晶体管TF响应于前一个扫描信号Sn-1被导通时才被传输到初始化晶体管T4，使得即使初始化电压线154与扫描线151在像素区域P1中彼此叠置，也可以防止由于初始化电压线154与扫描线151之间的寄生电容引起的扫描信号Sn的改变。
在下文中，将参照图6、图7和图8详细地描述根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的剖视结构的堆叠顺序。
在这种情况下，因为操作控制晶体管T5的堆叠结构几乎与发光控制晶体管T6的堆叠结构相同，所以将省略其详细的描述。
缓冲层120形成在基底110上。基底110可以形成为由玻璃、石英、陶瓷和塑料等形成的绝缘基底。缓冲层120用于阻挡来自基底110的杂质以在用于形成多晶硅的结晶工艺时改善多晶硅的特性，并使基底110平坦化以减轻形成在缓冲层120上的半导体的应力。缓冲层120可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等制成。
包括驱动沟道131a、开关沟道131b、补偿沟道131c、初始化沟道131d、操作控制沟道131e、发光沟道131f和旁路沟道131g的半导体形成在缓冲层120上。驱动源电极136a和驱动漏电极137a形成在半导体130中的驱动沟道131a的各个侧处，开关源电极136b和开关漏电极137b形成在开关沟道131b的各个侧处。此外，补偿源电极136c和补偿漏电极137c形成在补偿沟道131c的各个侧处，初始化源电极136d和初始化漏电极137d形成在初始化沟道131d的各个侧处。此外，操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e形成在操作控制沟道131e的各个侧处，发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f形成在发光控制沟道131f的各个侧处。旁路源电极136g和旁路漏电极137g形成在旁路沟道131g的各个侧处。
覆盖半导体130的第一栅极绝缘层141形成在半导体130上。第一栅极绝缘层141可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。在第一栅极绝缘层141上，形成第一栅极布线151、152、153、158和155a，所述第一栅极布线包括：包含开关栅电极155b和补偿栅电极155c的扫描线151、包含初始化栅电极155d的前一条扫描线152、包含操作控制栅电极155e与发光控制栅电极155f的发光控制线153、包含旁路栅电极155g的旁路控制线158以及驱动栅电极(第一存储电极)155a。第一栅极布线151、152、153、158和155a可以形成为其中堆叠了由铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的任何一种形成的金属层的多层。
覆盖扫描线151和第一栅极绝缘层141的第二栅极绝缘层142形成在它们之上。第二栅极绝缘层142可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。
包括初始化电压线154的第二栅极布线154在与扫描线151叠置的位置处以与扫描线151相同的图案形成在第二栅极绝缘层142上。初始化电压线154在像素区域P1中以与扫描线151相同的图案形成，并在外围区域P2中被部分地去除以暴露扫描线151。
覆盖第二栅极绝缘层142和初始化电压线154的层间绝缘层160形成在它们之上。层间绝缘层160可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。
层间绝缘层160包括接触孔61、62、63、64、65、66、67、68、CH1和CH2。在层间绝缘层160上，形成数据布线171、172a、174、175、178、179、71和72，所述数据布线包括：数据线171、包含第二存储电极178的第一驱动电压线172a、驱动连接构件174、初始化连接构件175、发光控制连接构件179、外围扫描连接构件71和外围初始化连接构件72。数据布线171、172a、174、175、178、179、71和72可以形成为包括包含铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的任何一种的金属层的多层，例如，可以形成为钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)的三层、钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)的三层或钼/铜/钼(Mo/Cu/Mo)的三层。
数据线171通过形成在第一栅极绝缘层141和层间绝缘层160中的接触孔62连接到开关源电极136b，第一驱动电压线172a部分地延伸以形成第二存储电极178。
驱动连接构件174的一端通过形成在层间绝缘层160中的接触孔61连接到第一存储电极155a。驱动连接构件174的另一端通过形成在第一栅极绝缘层141和层间绝缘层160中的接触孔63连接到补偿漏电极137c和初始化漏电极137d。
初始化连接构件175的中心部分通过形成在第一栅极绝缘层141和层间绝缘层160中的接触孔64连接到初始化源电极136d。初始化连接构件175的一端通过形成在第一栅极绝缘层141和层间绝缘层160中的接触孔67连接到旁路漏电极137g。初始化连接构件175的另一端通过形成在层间绝缘层160中的接触孔68连接到初始化电压线154。
发光控制连接构件179通过形成在第一栅极绝缘层141和层间绝缘层160中的接触孔66连接到发光控制漏电极137f。
外围扫描连接构件71和外围初始化连接构件72形成在外围区域P2中，外围扫描连接构件71通过形成在层间绝缘层160中的接触孔CH1连接到扫描线151。外围初始化连接构件72通过形成在层间绝缘层160中的接触孔CH2连接到初始化电压线154。
覆盖数据布线171、172a、174、175、178和179以及层间绝缘层160的钝化层180形成在它们之上。钝化层180覆盖数据布线171、172a、174、175、178和179以使其平坦化，从而在钝化层180上无台阶地形成像素电极191。钝化层180可以由诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的有机材料或者有机材料和无机材料的层叠层制成。
像素电极191和第二驱动电压线172b形成在钝化层180上。发光控制连接构件179通过形成在钝化层180中的接触孔81连接到像素电极191，第二驱动电压线172b通过形成在钝化层180中的接触孔82连接到第一驱动电压线172a。
覆盖像素电极191的边缘、钝化层180和第二驱动电压线172b的像素限定层(PDL)350形成在它们之上。像素限定层350具有暴露像素电极191的像素开口351。像素限定层350可以由诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的有机材料或硅基无机材料形成。
有机发射层370形成在被像素开口351暴露的像素电极191上，共电极270形成在有机发射层370上。共电极270形成在像素限定层350上以形成在多个像素PX之上。按照这样，形成包括像素电极191、有机发射层370和共电极270的OLED。
这里，像素电极191是作为空穴注入电极的阳极，共电极270是作为电子注入电极的阴极。然而，本公开的示例性实施例不限于此，根据OLED显示器的驱动方法，像素电极191可以是阴极，而共电极270可以是阳极。空穴和电子分别从像素电极191和共电极270注入到有机发射层370中，并且通过注入的电子和空穴的耦合所产生的激子从激发态跃迁至基态以发光。
有机发射层370可以由低分子有机材料或诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)的高分子有机材料形成。此外，有机发射层370可以形成为包括发光层以及空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或更多个层的多层。在有机发射层包括所有层的情况下，阳极的HIL形成在作为阳极的像素电极191上，HTL、发光层、ETL和EIL顺序地在其上层叠。
有机发射层370可以包括发射红光的红有机发射层、发射绿光的绿有机发射层和发射蓝光的蓝有机发射层。红有机发射层、绿有机发射层和蓝有机发射层分别形成在红像素、绿像素和蓝像素中，从而实现彩色图像。
此外，在有机发射层370中，所有红有机发射层、绿有机发射层和蓝有机发射层一起层叠在红像素、绿像素和蓝像素上，并且针对每个像素形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，从而实现彩色图像。如另一示例，在所有红像素、绿像素和蓝像素上形成发射白光的白发光层；针对每个像素形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，从而实现彩色图像。在通过使用白有机发射层和滤色器来实现彩色图像的情况下，不需要使用用于在各个像素(即红像素、绿像素和蓝像素)上沉积红有机发射层、绿有机发射层和蓝有机发射层的沉积掩模。
如另一示例，白有机发射层可以通过一个有机发射层形成，并且还包括通过层叠多个有机发射层以发射白光而形成的构造。例如，白有机发射层包括通过组合至少一个黄有机发射层和至少一个蓝光发射层发射白光的构造、通过组合至少一个青有机发射层和至少一个红光发射层发射白光的构造、通过组合至少一个品红有机发射层和至少一个绿光发射层发射白光的构造等。
保护OLED OLD的包封构件(未示出)可以形成在共电极270上，包封构件可以通过密封剂密封在基底110上，并由包括玻璃、晶体、陶瓷、塑料和金属的各种材料形成。同时，薄膜包封层可以通过在共电极270上沉积无机层和有机层而不使用密封剂来形成。
现在，将参照附图描述根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的制造方法。
图9是根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的制造方法的一个步骤的布局图。图10是图9的OLED显示器沿着线X-X截取的剖视图。图11是图9的OLED显示器沿着线XI-XI截取的剖视图。图12是图9的OLED显示器沿着线XII-XII和线XII'-XII'截取的剖视图。图13是图9的下一步骤的布局图。图14是图13的OLED显示器沿着线XIV-XIV截取的剖视图。图15是图13的OLED显示器沿着线XV-XV截取的剖视图。图16是图13的OLED显示器沿着线XVI-XVI和线XVI'-XVI'截取的剖视图。
首先，如图9、图10、图11和图12所示，在基底110上形成缓冲层120。缓冲层120可以由氮化硅和氧化硅的单层或堆叠层形成，并可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等的方法沉积在基底110的前表面上。另外，在缓冲层120上形成半导体层。半导体层可以由多晶硅层或氧化物半导体层形成，多晶硅层可以通过形成非晶硅层然后使非晶硅层结晶的方法形成。可以应用各种已知的方法作为结晶方法，例如，通过使用热、激光、焦耳热、电场或催化剂金属等使非晶硅层结晶。此外，通过使用半导体层上的第一掩模执行光刻工艺来将半导体层图案化成具有图9中示出的形状的半导体130。在这种情况下，半导体130没有被掺杂，从而半导体130没有被划分为构成每个晶体管的沟道、源电极和漏电极。
此外，在上面形成覆盖缓冲层120和半导体130的第一栅极绝缘层141。接下来，在第一栅极绝缘层141上沉积第一栅极金属层。此外，在第一栅极金属层上形成第二栅极绝缘层142。通过借助等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等的方法在基底110的前表面上沉积氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)来形成第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142。在第二栅极绝缘层142上沉积第二栅极金属层。第一栅极金属层和第二栅极金属层可以由其中堆叠了包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)和铝合金中的任何一种的金属层以及包括钼(Mo)和钼合金中的任何一种的金属层的多层形成。
此外，使用作为半色调掩模的第二掩模通过蚀刻工艺对第一栅极金属层和第二栅极金属层同时图案化。
在第二栅极金属层上形成感光膜。通过使用作为半色调掩模的第二掩模使感光膜曝光，将感光膜形成为包括形成在与像素区域P1的扫描线151对应的区域和与外围区域P2的扫描线151的一部分对应的区域中的第一感光膜PR1和形成在与前一条扫描线152、发光控制线153、旁路控制线158和驱动栅电极155a对应的区域中以及与外围区域P2的扫描线151的剩余部分对应的区域中的第二感光膜PR2。第一感光膜PR1的厚度h1比第二感光膜PR2的厚度h2大。
通过使用第一感光膜PR1和第二感光膜PR2作为蚀刻掩模同时蚀刻第一栅极金属层和第二栅极金属层，以相同的图案形成扫描线151和初始化电压线154，以相同的图案形成前一条扫描线152和上前一条扫描线52，以相同的图案形成发光控制线153和上发光控制线53，以相同的图案形成旁路控制线158和上旁路控制线58，并且以相同的图案形成驱动栅电极155a和上驱动栅电极55a。
接下来，如图13、图14、图15和图16中所示，执行灰化工艺以去除第二感光膜PR2，从而暴露上前一条扫描线52、上发光控制线53、上旁路控制线58和上驱动栅电极55a。在这种情况下，形成在外围区域P2中的初始化电压线154的一部分被暴露。
此外，通过将被灰化工艺减小厚度的第一感光膜PR1用作蚀刻掩模，蚀刻形成在外围区域P2中的初始化电压线154的被暴露的部分并去除位于所述被暴露的部分下面的第二栅极绝缘层142以暴露扫描线151，并且蚀刻上前一条扫描线52、上发光控制线53、上旁路控制线58和上驱动栅电极55a并去除位于上前一条扫描线52、上发光控制线53、上旁路控制线58和上驱动栅电极55a下面的第二栅极绝缘层142。
结果，保留了包括扫描线151、前一条扫描线152、发光控制线153、旁路控制线158和驱动栅电极155a的第一栅极布线以及包括初始化电压线154的第二栅极布线。
如上所述，通过使用一个第二掩模同步或同时形成第一栅极布线和第二栅极布线，使得减少了制造成本。
此外，在去除第一感光膜PR1之后，用杂质掺杂半导体130。将杂质掺杂到半导体130的除了被开关栅电极155b、补偿栅电极155c、初始化栅电极155d、操作控制栅电极155e、发光控制栅电极155f、旁路栅电极155g和驱动栅电极155a覆盖的部分之外的暴露区域中。结果，形成每个晶体管的源电极和漏电极。在半导体130中，每个晶体管的沟道形成在被覆盖而没有被掺杂的区域中。即，同步或同时形成驱动沟道131a、开关沟道131b、补偿沟道131c、初始化沟道131d、操作控制沟道131e、发光控制沟道131f和旁路沟道131g。如上所述，当对半导体130执行源极和漏极掺杂时，不需要单独的掩模。
接下来，如在图4、图5、图6、图7和图8中所示，在上面形成覆盖第二栅极绝缘层142和初始化电压线154的层间绝缘层160。另外，通过使用第三掩模的光刻使第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160图案化，以形成多个接触孔61、62、63、64、65、66、67、68、CH1和CH2。
还在层间绝缘层160上形成数据金属层。数据金属层可以由其中堆叠了包括铜、铜合金、铝、铝合金、钼和钼合金中的任何一种的金属层的多层形成。例如，数据金属层可以由钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)、钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)或钼/铜/钼(Mo/Cu/Mo)的三层形成。
然后，通过使用第四掩模的光刻工艺对数据金属层图案化。因此，在层间绝缘层160上，形成数据布线，所述数据布线包括：数据线171、包含第二存储电极178的第一驱动电压线172a、驱动连接构件174、初始化连接构件175、发光控制连接构件179、外围扫描连接构件71和外围初始化连接构件72。如上所述，第二存储电极178由与第一驱动电压线172a和数据线171相同的材料形成在同一层，使得不需要将第二存储电极形成为单独的层，从而减少了在制造工艺中使用的掩模的数量。
此外，在层间绝缘层160上形成覆盖数据布线171、172a、174、175、178、179、71和72的钝化层180，并通过使用第五掩模的光刻工艺对钝化层180图案化以形成接触孔81和82。在钝化层180上形成像素电极层，并通过使用第六掩模的光刻工艺对像素电极层图案化。因此，在钝化层180上形成通过接触孔81连接到发光控制连接构件179的像素电极191和通过接触孔82连接到第一驱动电压线172a的第二驱动电压线172b。在钝化层180上形成覆盖像素电极191和第二驱动电压线172b的像素限定层350，并通过使用第七掩模在像素限定层350中形成暴露像素电极191的一部分的像素开口351。此外，在通过像素限定层350的像素开口351而暴露的像素电极191上形成有机发射层370。在有机发射层370上形成共电极270以使OLED OLD完整。遍布包括像素限定层350的整个区域形成共电极270，从而除去单独的掩模。
虽然已经结合目前被视为实用的示例性实施例描述了本公开，但是要理解的是，本公开不限于所公开的实施例，而是相反，其意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底，包括被构造为显示图像的像素区域和围绕所述像素区域的外围区域；
扫描线，形成在所述基底上方并被构造为提供扫描信号；
初始化电压线，具有与所述扫描线相同的图案并与所述扫描线绝缘；
数据线，与所述扫描线交叉并被构造为提供数据电压；
驱动电压线，与所述扫描线交叉并被构造为提供驱动电压；
开关晶体管，电连接到所述扫描线和所述数据线；
驱动晶体管，电连接到所述开关晶体管并包括驱动栅电极；
存储电容器，包括第一存储电极和与所述第一存储电极叠置的第二存储电极，其中，所述第一存储电极与所述驱动栅电极一体地形成，其中，所述第二存储电极从所述驱动电压线延伸；以及
有机发光二极管，电连接到所述驱动晶体管，
其中，所述初始化电压线被构造为提供初始化电压以使所述驱动晶体管初始化，其中，所述初始化电压线暴露所述扫描线在所述外围区域中的至少第一部分。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：
第一栅极绝缘层，形成在所述基底上；以及
第二栅极绝缘层，形成在所述扫描线的第二部分上方，所述扫描线形成在所述第一栅极绝缘层上方，
其中，所述初始化电压线形成在所述第二栅极绝缘层上方。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括形成在所述第二栅极绝缘层和所述初始化电压线上方的层间绝缘层，其中，所述第二存储电极、所述驱动电压线和所述数据线形成在所述层间绝缘层上方。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述驱动电压线包括与所述数据线平行的第一驱动电压线和与所述数据线交叉的第二驱动电压线，其中，所述第一驱动电压线与所述数据线形成在同一层上，其中，所述第二驱动电压线与所述数据线形成在不同的层上。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有机发光二极管包括：
像素电极，电连接到所述驱动晶体管；
有机发射层，形成在所述像素电极上方；以及
共电极，形成在所述有机发射层上方，
其中，所述第二驱动电压线与所述像素电极形成在同一层上。
6.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：
前一条扫描线，与所述扫描线形成在同一层上并被构造为提供前一个扫描信号；以及
浮置晶体管，形成在所述外围区域中并被构造为基于所述前一个扫描信号导通以提供所述初始化电压。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括将所述浮置晶体管的漏电极连接到所述初始化电压线的外围初始化连接构件，其中，所述外围初始化连接构件与所述数据线形成在同一层上。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括半导体，所述半导体形成在所述基底上方并包括所述开关晶体管的开关沟道和所述驱动晶体管的驱动沟道，所述开关沟道与所述驱动沟道彼此电隔离，其中，所述驱动沟道与所述驱动栅电极叠置，其中，所述驱动沟道是弯曲的。
9.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：
在基底上方顺序地沉积第一栅极绝缘层、第一栅极金属层、第二栅极绝缘层和第二栅极金属层；
用第一半色调掩模蚀刻所述第一栅极金属层和所述第二栅极金属层以同时形成扫描线、第一存储电极和初始化电压线；
在所述初始化电压线和所述第二栅极绝缘层上方形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上方形成数据线、第一驱动电压线和第二存储电极；
在所述数据线、所述第一驱动电压线和所述第二存储电极上方形成钝化层；以及
在所述钝化层上方形成有机发光二极管，
其中，将形成在所述扫描线上方的所述初始化电压线形成为具有与所述扫描线相同的图案。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述基底包括被构造为显示图像的像素区域和围绕所述像素区域的外围区域，
其中，所述蚀刻步骤包括：
用所述第一半色调掩模在与所述像素区域的所述扫描线对应的区域中形成第一感光膜并且在与所述驱动栅电极对应的区域和与所述外围区域的所述扫描线的部分对应的区域中形成第二感光膜；
用所述第一感光膜和所述第二感光膜作为蚀刻掩模同时蚀刻所述第一栅极金属层和所述第二栅极金属层，以形成具有相同的图案的所述扫描线和所述初始化电压线；
去除所述第二感光膜；以及
用所述第一感光膜作为蚀刻掩模蚀刻所述第二栅极金属层，以蚀刻形成在所述外围区域中的所述初始化电压线的一部分。
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