CN105979695B - 布线电路基板的制造方法以及检查方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种布线电路基板的制造方法以及检查方法。第一布线电路基板的基底绝缘层和覆盖绝缘层由第一绝缘材料形成，第二布线电路基板的基底绝缘层和覆盖绝缘层由第二绝缘材料形成。在对第一布线电路基板进行检查时，将在第一波长区域内具有峰值波长的第一光照射到第一布线电路基板，并基于从第一布线电路基板反射来的反射光来生成图像。在对第二布线电路基板进行检查时，将在与第一波长区域不同的第二波长区域内具有峰值波长的第二光照射到第二布线电路基板，并基于从第二布线电路基板反射来的反射光来生成图像。

Description

布线电路基板的制造方法以及检查方法
技术领域
本发明涉及一种布线电路基板的制造方法以及检查方法。
背景技术
带电路的悬挂基板(suspension substrate)等布线电路基板依次具备金属支承层、基底绝缘层、布线图案以及覆盖绝缘层。当在这样的布线电路基板的布线图案中存在不良时，连接可靠性降低。因此，检查布线图案是否良好。
在检查时，从检查装置的光源单元向布线电路基板照射光，并通过照相机单元生成布线电路基板的布线图案的图像(例如，参照日本特开2012-59756号公报)。
发明内容
在日本特开2012-59756号公报所记载的布线电路基板的制造方法中，使布线电路基板的基底绝缘层的表面粗糙化。另外，向导体图案(布线图案)入射的入射光的波长被调整为435nm～500nm，入射光包括相对于其光轴倾斜的倾斜光。由此，入射光在基底绝缘层的表面被散射。另外，透过基底绝缘层而由金属支承层的表面反射来的光也在基底绝缘层的表面被散射。另一方面，由导体图案的表面反射来的光不被散射。其结果，能够使导体图案与绝缘层之间的对比度提高。
然而，在上述的布线电路基板的制造方法中，需要使基底绝缘层的表面粗糙化的步骤。期望的是，不添加布线电路基板的制造步骤地判定布线图案是否良好。
本发明的目的在于，提供一种不添加布线电路基板的制造步骤就能够高精度地判定布线图案是否良好的布线电路基板的制造方法以及检查方法。
(1)按照本发明的一个局面的布线电路基板的制造方法包括以下步骤：制作布线电路基板，该布线电路基板依次包括金属支承基板、第一绝缘层、布线图案以及第二绝缘层；以及进行布线电路基板的检查，其中，在制作布线电路基板的步骤中包括以下步骤：制作由第一绝缘材料形成第一绝缘层和第二绝缘层的第一布线电路基板，或者制作由第二绝缘材料形成第一绝缘层和第二绝缘层的第二布线电路基板，在进行检查的步骤中包括以下步骤：在对第一布线电路基板进行检查时，将在第一波长区域内具有峰值波长的第一光照射到第一布线电路基板，在对第二布线电路基板进行检查时，将在与第一波长区域不同的第二波长区域内具有峰值波长的第二光照射到第二布线电路基板；在对第一布线电路基板进行检查时，基于从第一布线电路基板反射来的反射光来生成第一布线电路基板的图像，在对第二布线电路基板进行检查时，基于从第二布线电路基板反射来的反射光来生成第二布线电路基板的图像；以及在对第一布线电路基板进行检查时，基于第一布线电路基板的图像来判定布线图案是否良好，在对第二布线电路基板进行检查时，基于第二布线电路基板的图像来判定布线图案是否良好，其中，将被布线图案反射而从布线电路基板出射的光与入射到了布线电路基板的光之间的比例定义为布线反射率，将被金属支承基板反射而从布线电路基板出射的光与入射到了布线电路基板的光之间的比例定义为基板反射率，第一布线电路基板具有以下的特性：针对第一光的布线反射率与基板反射率之间的差大于针对第二光的布线反射率与基板反射率之间的差，第二布线电路基板具有以下的特性：针对第二光的布线反射率与基板反射率之间的差大于针对第一光的布线反射率与基板反射率之间的差。
如果利用该制造方法，则在制作出第一布线电路基板或第二布线电路基板之后进行所制作出的第一布线电路基板或第二布线电路基板的检查。在对第一布线电路基板进行检查时，照射在第一波长区域内具有峰值波长的第一光。在对第二布线电路基板进行检查时，照射在第二波长区域内具有峰值波长的第二光。
在此，第一光入射到了第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差大于第二光入射到了第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。在该情况下，基于被第一布线电路基板反射的第一光来生成图像，因此在该图像中布线图案与金属支承基板之间的对比度变高。由此，能够高精度地判定第一布线电路基板的布线图案是否良好。
另外，第二光入射到了第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差大于第一光入射到了第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。在该情况下，基于被第二布线电路基板反射的第二光来生成图像，因此在该图像中布线图案与金属支承基板之间的对比度变高。由此，能够高精度地判定第二布线电路基板的布线图案是否良好。
上述的结果是，不添加制造步骤就能够高精度地判定具有不同的光学特性的布线电路基板的布线图案是否良好。
(2)也可以是，第一波长区域为425nm以上且525nm以下，第二波长区域为630nm以上且850nm以下。
在该情况下，向第一布线电路基板照射了具有425nm以上且525nm以下的峰值波长的第一光的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差大于照射了具有630nm以上且850nm以下的峰值波长的第二光的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。能够高精度地判定具有这样的光学特性的第一布线电路基板的布线图案有无缺陷。
另外，向第二布线电路基板照射了具有630nm以上且850nm以下的峰值波长的第二光的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差大于照射了具有425nm以上且525nm以下的峰值波长的第一光的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。能够高精度地判定具有这样的光学特性的第二布线电路基板的布线图案是否良好。
(3)也可以是，通过产生紫色光或蓝色光的第一发光元件向第一布线电路基板照射第一光，通过产生红色光或红外光的第二发光元件向第二布线电路基板照射第二光。
在该情况下，能够容易地对第一布线电路基板照射具有425nm以上且525nm以下的峰值波长的第一光。另外，能够容易地对第二布线电路基板照射具有630nm以上且850nm以下的峰值波长的第二光。
(4)也可以是，关于在425nm以上且850nm以下的范围内的各波长，第一绝缘材料具有比第二绝缘材料高的光透射率。
在该情况下，第一布线电路基板的第一绝缘层的光透射率和第二绝缘层的光透射率比第二布线电路基板的第一绝缘层的光透射率和第二绝缘层的光透射率高。能够高精度地判定具有这样的不同的光学特性的布线电路基板的布线图案是否良好。
(5)也可以是，第一绝缘材料的光透射率和第二绝缘材料的光透射率随着光的波长在425nm以上且850nm以下的范围内增加而增加。
在该情况下，第一光入射到第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差大于第二光入射到第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。另外，第二光入射到第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差大于第一光入射到第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。能够高精度地判定具有这样的不同的光学特性的布线电路基板的布线图案是否良好。
(6)按照本发明的其它局面的检查方法是一种布线电路基板的检查方法，该布线电路基板依次包括金属支承基板、第一绝缘层、布线图案以及第二绝缘层，布线电路基板是由第一绝缘材料形成第一绝缘层和第二绝缘层的第一布线电路基板，或者是由第二绝缘材料形成第一绝缘层和第二绝缘层的第二布线电路基板，检查方法包括以下步骤：在对第一布线电路基板进行检查时，将在第一波长区域内具有峰值波长的第一光照射到第一布线电路基板，在对第二布线电路基板进行检查时，将在与第一波长区域不同的第二波长区域内具有峰值波长的第二光照射到第二布线电路基板；在对第一布线电路基板进行检查时，基于从第一布线电路基板反射来的反射光来生成第一布线电路基板的图像，在对第二布线电路基板进行检查时，基于从第二布线电路基板反射来的反射光来生成第二布线电路基板的图像；以及在对第一布线电路基板进行检查时，基于第一布线电路基板的图像来判定布线图案是否良好，在对第二布线电路基板进行检查时，基于第二布线电路基板的图像来判定布线图案是否良好，其中，将被布线图案反射而从布线电路基板出射的光与入射到了布线电路基板的光之间的比例定义为布线反射率，将被金属支承基板反射而从布线电路基板出射的光与入射到了布线电路基板的光之间的比例定义为基板反射率，第一布线电路基板具有以下的特性：针对第一光的布线反射率与基板反射率之间的差大于针对第二光的布线反射率与基板反射率之间的差，第二布线电路基板具有以下的特性：针对第二光的布线反射率与基板反射率之间的差大于针对第一光的布线反射率与基板反射率之间的差。
如果利用该检查方法，则在对第一布线电路基板进行检查时，照射在第一波长区域内具有峰值波长的第一光。在对第二布线电路基板进行检查时，照射在第二波长区域内具有峰值波长的第二光。
在此，第一光入射到第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差大于第二光入射到第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。在该情况下，基于被第一布线电路基板反射的第一光来生成图像，因此在该图像中布线图案与金属支承基板之间的对比度变高。由此，能够高精度地判定第一布线电路基板的布线图案是否良好。
另外，第二光入射到第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差大于第一光入射到第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。在该情况下，基于被第二布线电路基板反射的第二光来生成图像，因此在该图像中布线图案与金属支承基板之间的对比度变高。由此，能够高精度地判定第二布线电路基板的布线图案是否良好。
上述的结果是，不添加制造步骤就能够高精度地判定具有不同的光学特性的布线电路基板的布线图案是否良好。
附图说明
图1的(a)～(d)是示出本实施方式所涉及的布线电路基板的制造步骤的一例的截面图，
图2是示出第一聚酰亚胺和第二聚酰亚胺的光谱特性的图，
图3的(a)是用于对以卷对卷(roll to roll)方式输送的基板集合体片进行检查的检查装置的侧视图，
图3的(b)是图3的(a)的检查装置的光源装置的主视图，
图4的(a)是示出第一布线电路基板的检查步骤的图，
图4的(b)是示出第二布线电路基板的检查步骤的图，
图5是示出关于第一布线电路基板的光的反射率与光的波长之间的关系的图，
图6是示出关于第二布线电路基板的光的反射率与光的波长之间的关系的图，
图7的(a)和(b)是示出在向第一布线电路基板照射了第一光和第二光的情况下通过摄像装置得到的图像的例子的图，
图8的(a)和(b)是示出在向第二布线电路基板照射了第一光和第二光的情况下通过摄像装置得到的图像的例子的图，
图9的(a)～(c)是示出光源装置中的第一光源和第二光源的排列的其它例子的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的实施方式所涉及的布线电路基板的制造方法以及检查方法。布线电路基板的制造方法包括布线电路基板的制造步骤和布线电路基板的检查步骤。布线电路基板例如是带电路的悬挂基板。
(1)布线电路基板的制造步骤
图1是示出本实施方式所涉及的布线电路基板的制造步骤的一例的截面图。首先，如图1的(a)所示，准备由不锈钢形成的长条状的金属支承基板11。在图1中，示出一个布线电路基板的制造步骤，但是在本实施方式中，通过卷对卷方式在长条状的金属支承基板11形成有多个布线电路基板。金属支承基板11的厚度例如是5μm以上且50μm以下，优选是10μm以上且30μm以下。
接着，如图1的(b)所示，在金属支承基板11上形成由第一聚酰亚胺或第二聚酰亚胺形成的基底绝缘层12。关于第一聚酰亚胺和第二聚酰亚胺，在后文中说明。基底绝缘层12是第一绝缘层的一例。基底绝缘层12的厚度例如是1μm以上且30μm以下，优选是3μm以上且20μm以下。
接着，如图1的(c)所示，在基底绝缘层12上形成多个布线图案13。在本实施方式中，多个布线图案13包括由铜形成的导体图案14和由镍形成的金属覆盖层15。布线图案13的厚度例如是3μm以上且30μm以下，优选是5μm以上且20μm以下。各布线图案13例如包括线状的布线层、以及设置在该布线层的两端部的焊盘等端子部。布线图案13也可以是接地导体层。导体图案14例如既可以使用半添加法(semi-additive method)来形成，也可以使用减去法(subtractive method)等其它方法来形成。金属覆盖层15例如通过非电解镀以覆盖导体图案14的表面的方式形成。金属覆盖层15的厚度例如是2μm以下，优选是0.1μm以上且1μm以下。
如图1的(d)所示，以覆盖多个布线图案13的方式在基底绝缘层12上形成由第一聚酰亚胺或第二聚酰亚胺形成的覆盖绝缘层16。在该情况下，在覆盖绝缘层16设置开口以使得布线图案13的各端子部露出。覆盖绝缘层16是第二绝缘层的一例。覆盖绝缘层16的厚度例如是3μm以上且30μm以下，优选是5μm以上且20μm以下。
(2)第一聚酰亚胺和第二聚酰亚胺的特性
图2是示出第一聚酰亚胺和第二聚酰亚胺的光谱特性的图。图2的纵轴表示光透射率，横轴表示光的波长。在图2中，实线表示第一聚酰亚胺的光透射率，虚线表示第二聚酰亚胺的光透射率。第一聚酰亚胺和第二聚酰亚胺的厚度是15μm。另外，在表1中示出关于第一聚酰亚胺和第二聚酰亚胺的光的波长与光透射率之间的关系。
[表1]
Figure BDA0000939910310000081
如图2和表1所示，关于从波长400nm到波长950nm的范围内的各波长，第一聚酰亚胺的光透射率比第二聚酰亚胺的光透射率高。另外，第一聚酰亚胺的光透射率随着波长变大而单调增加。同样，第二聚酰亚胺的光透射率随着波长变大而单调增加。
在波长为425nm时，第一聚酰亚胺的光透射率是3.52％，第二聚酰亚胺的光透射率是0.19％。在波长为450nm时，第一聚酰亚胺的光透射率是9.77％，第二聚酰亚胺的光透射率是1.23％。在波长为500nm时，第一聚酰亚胺的光透射率是22.84％，第二聚酰亚胺的光透射率是5.43％。在波长为525nm时，第一聚酰亚胺的光透射率是29.69％，第二聚酰亚胺的光透射率是8.65％。在波长为630nm时，第一聚酰亚胺的光透射率是53.55％，第二聚酰亚胺的光透射率是27.31％。在波长为700nm时，第一聚酰亚胺的光透射率是63.80％，第二聚酰亚胺的光透射率是40.01％。在波长为850nm时，第一聚酰亚胺的光透射率是76.40％，第二聚酰亚胺的光透射率是60.97％。
以下，将由第一聚酰亚胺形成基底绝缘层12和覆盖绝缘层16的布线电路基板10称为第一布线电路基板10a，将由第二聚酰亚胺形成基底绝缘层12和覆盖绝缘层16的布线电路基板10称为第二布线电路基板10b。
(3)布线电路基板的检查装置和检查步骤
通过上述的图1的(a)～(d)的步骤，制作具有多个布线电路基板10的长条状的基板集合体片。接着，对基板集合体片的各布线电路基板10的布线图案13进行检查。
图3是表示布线电路基板的检查装置的示意图，图3的(a)示出用于对以卷对卷方式输送的基板集合体片进行检查的检查装置的侧视图，图3的(b)示出图3的(a)的检查装置的光源装置的主视图。
如图3的(a)所示，发送辊20和卷取辊30被配置为隔开间隔且能够沿箭头的方向旋转。从发送辊20送出的基板集合体片50被沿箭头的方向输送，并且通过卷取辊30被卷取。检查装置100具备光源装置110、摄像装置120、半透半反射镜130以及控制装置150。
半透半反射镜130被配置为在所输送的基板集合体片50的上方相对于基板集合体片50的表面形成约45度的角度。光源装置110被配置为与半透半反射镜130相对。摄像装置120被配置在半透半反射镜130的上方。
光源装置110使入射光31相对于基板集合体片50的表面平行地朝向半透半反射镜130射出。半透半反射镜130向下方反射入射光31。由此，入射光31入射到基板集合体片50的表面。从基板集合体片50反射的反射光32透过半透半反射镜130而入射到摄像装置120。由此，通过摄像装置120得到基板集合体片50的各布线电路基板10的图像。
如图3的(b)所示，光源装置110包括射出第一光的第一光源111和射出第二光的第二光源112。第一光在第一波长区域内具有峰值波长。在本实施方式中，第一波长区域是425nm～525nm。第二光在第二波长区域内具有峰值波长。在本实施方式中，第二波长区域是630nm～850nm。在本实施方式中，作为第一光源111，例如使用射出紫色光或蓝色光的多个发光二极管111a。作为第二光源112，例如使用射出红色光或红外光的多个发光二极管112a。多个发光二极管111a以沿水平方向排列的方式配置。多个发光二极管112a以沿水平方向排列的方式与多个发光二极管111a并排地配置。第一光源111和第二光源112被选择性地点亮和熄灭。
当第一光源111被点亮时，第一光作为入射光31被照射到基板集合体片50的布线电路基板10。在第一光源111被点亮时，第二光源112被熄灭。当第二光源112被点亮时，第二光作为入射光31被照射到基板集合体片50的布线电路基板10。在第二光源112被点亮时，第一光源111被熄灭。由此，切换向布线电路基板10照射的入射光31的波长区域。
控制装置150例如包括CPU(中央运算处理装置)和半导体存储器。该控制装置150对发送辊20、卷取辊30、光源装置110以及摄像装置120的动作进行控制，并且基于后述的图像来自动地进行光学检查。
在基板集合体片50包括多个第一布线电路基板10a作为多个布线电路基板10的情况下，第一光源111被点亮。在基板集合体片50包括多个第二布线电路基板10b作为多个布线电路基板10的情况下，第二光源112被点亮。第一光源111的点亮与第二光源112的点亮之间的切换既可以由操作者进行，也可以由控制装置150按照计算机程序自动地进行。
图4的(a)是示出第一布线电路基板10a的检查步骤的图，图4的(b)是示出第二布线电路基板10b的检查步骤的图。在对第一布线电路基板10a进行检查时，通过图3的检查装置100向第一布线电路基板10a照射第一光。在图4的(a)中，将向布线图案13入射的第一光称为布线入射光31iw，将被布线图案13反射来的第一光称为布线反射光31rw。另外，将向金属支承基板11入射的第一光称为基板入射光31is，将被金属支承基板11反射来的第一光称为基板反射光31rs。
布线入射光31iw透过覆盖绝缘层16而向布线图案13入射，布线反射光31rw透过覆盖绝缘层16而向摄像装置120入射。基板入射光31is透过覆盖绝缘层16和基底绝缘层12而向金属支承基板11入射，基板反射光31rs透过基底绝缘层12和覆盖绝缘层16而向摄像装置120入射。摄像装置120基于布线反射光31rw和基板反射光31rs来生成第一布线电路基板10a的图像。
在此，将布线反射光31rw与布线入射光31iw之间的强度比称为布线反射率R1w。另外，将基板反射光31rs与基板入射光31is之间的强度比称为基板反射率R1s。
在对第二布线电路基板10b进行检查时，通过图3的检查装置100向第二布线电路基板10b照射第二光。在图4的(b)中，将向布线图案13入射的第二光称为布线入射光32iw，将被布线图案13反射来的第二光称为布线反射光32rw。另外，将向金属支承基板11入射的第二光称为基板入射光32is，将被金属支承基板11反射来的第二光称为基板反射光32rs。
布线入射光32iw透过覆盖绝缘层16而向布线图案13入射，布线反射光32rw透过覆盖绝缘层16而向摄像装置120入射。基板入射光32is透过覆盖绝缘层16和基底绝缘层12而向金属支承基板11入射，基板反射光32rs透过基底绝缘层12和覆盖绝缘层16而向摄像装置120入射。摄像装置120基于布线反射光32rw和基板反射光32rs来生成第二布线电路基板10b的图像。
在此，将布线反射光32rw与布线入射光32iw之间的强度比称为布线反射率R2w。另外，将基板反射光32rs与基板入射光32is之间的强度比称为基板反射率R2s。
(4)第一布线电路基板和第二布线电路基板的光学特性
图5是示出关于第一布线电路基板10a的光的反射率与光的波长之间的关系的图。在图5中，由实线表示布线反射率，由点划线表示基板反射率。另外，图6是示出关于第二布线电路基板10b的光的反射率与光的波长之间的关系的图。在图6中，由实线表示布线反射率，由点划线表示基板反射率。
如图5所示，关于第一布线电路基板10a，在425nm～525nm的第一波长区域内，布线反射率与基板反射率之间的差被确保为约2％以上。与此相对，在630nm～850nm的第二波长区域内，布线反射率与基板反射率之间的差没有得到确保。
这样，第一布线电路基板10a具有以下的特性：针对第一光的布线反射率R1w与基板反射率R1s之间的差大于针对第二光的布线反射率R2w与基板反射率R2s之间的差。
因而，在对第一布线电路基板10a进行检查时，使用在425nm以上且525nm以下的第一波长区域内具有峰值波长的第一光。由此，在通过摄像装置120得到的图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度变高。特别地，优选使用在450nm以上且525nm以下的波长区域内具有峰值波长的第一光。由此，在通过摄像装置120得到的图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度进一步变高。
如图6所示，关于第二布线电路基板10b，在630nm～850nm的第二波长区域内，布线反射率与基板反射率之间的差被确保为约7％以上。与此相对，在425nm～525nm的第一波长区域内，与在630nm～850nm的第二波长区域内相比，布线反射率与基板反射率之间的差小。
这样，第二布线电路基板10b具有以下的特性：针对第二光的布线反射率R2w与基板反射率R2s之间的差大于针对第一光的布线反射率R1w与基板反射率R1s之间的差。
因而，在对第二布线电路基板10b进行检查时，使用在630nm以上且850nm以下的第二波长区域内具有峰值波长的第二光。由此，在通过摄像装置120得到的图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度变高。特别地，优选使用在630nm以上且680nm以下的波长区域内具有峰值波长的第二光。由此，在通过摄像装置120得到的图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度进一步变高。
图7的(a)和(b)是示出在向第一布线电路基板10a照射了第一光和第二光的情况下通过摄像装置120得到的图像的例子的图。图8的(a)和(b)是示出在向第二布线电路基板10b照射了第一光和第二光的情况下通过摄像装置120得到的图像的例子的图。
图7的(a)的例子是在向第一布线电路基板10a照射了峰值波长为450nm的第一光的情况下得到的图像。图7的(b)的例子是在向第一布线电路基板10a照射了峰值波长为730nm的第二光的情况下得到的图像。图8的(a)的例子是在向第二布线电路基板10b照射了峰值波长为450nm的第一光的情况下得到的图像。图8的(b)的例子是在向第二布线电路基板10b照射了峰值波长为730nm的第二光的情况下得到的图像。
在图7的(a)的第一布线电路基板10a的例子中，针对第一光的布线反射率与基板反射率之间的差大，因此在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度变高。由此，布线图案13被鲜明地表现出。在图7的(b)的第一布线电路基板10a的例子中，针对第二光的布线反射率与基板反射率之间的差小，因此在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度变低。由此，布线图案13变得不鲜明。
与此相对，在图8的(a)的第二布线电路基板10b的例子中，针对第一光的布线反射率与基板反射率之间的差小，因此在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度变低。由此，布线图案13变得不鲜明。在图8的(b)的第二布线电路基板10b的例子中，针对第二光的布线反射率与基板反射率之间的差大，因此在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度变高。由此，布线图案13被鲜明地表现出。
(5)实施方式的效果
如上述那样，在基板集合体片50包括多个第一布线电路基板10a的情况下，光源装置110的第一光源111被点亮，并通过摄像装置120生成各第一布线电路基板10a的图像。在该情况下，在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度提高。因而，不添加制造步骤就能够高精度地判定第一布线电路基板10a的布线图案13是否良好。例如，能够基于所生成的图像高精度地判定第一布线电路基板10a中是否存在布线图案13之间的短路、布线图案13的断开、细小物或异物的混入等缺陷。
另外，在基板集合体片50包括多个第二布线电路基板10b的情况下，光源装置110的第二光源112被点亮，并通过摄像装置120生成各第二布线电路基板10b的图像。在该情况下，在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度提高。因而，不添加制造步骤就能够高精度地判定第二布线电路基板10b的布线图案13是否良好。例如，能够基于所生成的图像高精度地判定第二布线电路基板10b是否存在布线图案13之间的短路、布线图案13的断开、细小物或异物的混入等缺陷。
(6)实施例
通过上述实施方式的图1的(a)～(d)的制造步骤制作出第一布线电路基板10a和第二布线电路基板10b，并利用图3的检查装置100进行检查。在检查中，选择性地使用各种发光元件作为光源装置110的光源，通过摄像装置120生成第一布线电路基板10a的图像和第二布线电路基板10b的图像。作为入射光，使用了具有450nm的峰值波长的蓝色光、在680nm～850nm的波长区域内具有峰值波长的红色光和近红外光、具有比850nm长的峰值波长的近红外光和远红外光、以及具有380nm～780nm的波长成分的白色光。向第一布线电路基板10a和第二布线电路基板10b入射的入射光的入射角度是0～15°的范围内。
在表2中示出图像是否良好的判定结果。
[表2]
Figure BDA0000939910310000141
在表2中，“○”表示在图像中布线图案13是鲜明的，“×”表示在图像中布线图案13不是鲜明的。
如表2所示，在第一布线电路基板10a的检查中使用了具有450nm的峰值波长的蓝色的入射光的情况下，在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的边界是鲜明的。在第一布线电路基板10a的检查中使用了在680nm～850nm的波长区域内具有峰值波长的红色的入射光和近红外的入射光的情况下，由于从金属支承基板11反射来的反射光而在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的边界变得不鲜明。在第一布线电路基板10a的检查中使用了具有大于850nm的峰值波长的近红外的入射光和远红外的入射光的情况下，由于从金属支承基板11反射来的反射光而在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的边界变得不鲜明。在第一布线电路基板10a的检查中使用了含有380nm～780nm的波长成分的白色的入射光的情况下，在图像中产生布线图案13的亮斑并且由于从金属支承基板11反射来的反射光而使布线图案13与金属支承基板11之间的边界变得不鲜明。
在第二布线电路基板10b的检查中使用了具有450nm的峰值波长的蓝色的入射光的情况下，由于亮度不足而在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的边界变得不鲜明。在第二布线电路基板10b的检查中使用了在680nm～850nm的波长区域内具有峰值波长的红色的入射光和近红外的入射光的情况下，在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的边界变得鲜明。在第二布线电路基板10b的检查中使用了具有大于850nm的峰值波长的近红外的入射光和远红外的入射光的情况下，由于从金属支承基板11反射来的反射光而在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的边界变得不鲜明。在第二布线电路基板10b的检查中使用了含有380nm～780nm的波长成分的白色的入射光的情况下，在图像中产生布线图案13的亮斑。
根据上述结果，在对第一布线电路基板10a进行检查时，通过使用在425nm～525nm的第一波长区域内具有峰值波长(在本例中为450nm)的紫色的入射光或蓝色的入射光，能够高精度地判定布线图案13是否良好。另一方面，在对第二布线电路基板10b进行检查时，通过使用在630nm～850nm的第二波长区域(在本例子中为650nm～850nm)内具有峰值波长的红色的入射光或近红外的入射光，能够高精度地判定布线图案13是否良好。
(7)其它实施方式
光源装置110中的第一光源111和第二光源112的排列并不限定于上述实施方式中的图3的(b)的排列。图9的(a)、(b)、(c)是示出光源装置110中的第一光源111和第二光源112的排列的其它例子的示意图。
在图9的(a)和(b)的例子中，在第一排沿水平方向交替地排列有多个发光二极管111a和多个发光二极管112a，在第二排沿水平方向交替地排列有多个发光二极管111a和多个发光二极管112a。在图9的(a)的例子中，第一排的各发光二极管111a和第二排的各发光二极管111a沿上下方向排列，第一排的各发光二极管112a和第二排的各发光二极管112a沿上下方向排列。在图9的(b)的例子中，第一排的各发光二极管111a和第二排的各发光二极管111a沿倾斜方向排列，第一排的各发光二极管112a和第二排的各发光二极管112a沿倾斜方向排列。在图9的(c)的例子中，多个发光二极管111a、112a被排列为4排。
在上述实施方式中，使用发光二极管作为第一光源111和第二光源112，但是也可以使用激光二极管等其它发光元件作为第一光源111和第二光源112。
作为金属支承基板11的材料，也可以代替不锈钢而使用42合金(alloy42)、铝、铜-铍、磷青铜等其它金属或合金等。作为基底绝缘层12的材料，也可以代替聚酰亚胺而使用聚酰胺酰亚胺、丙烯酸类、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、环氧树脂等其它合成树脂。
作为导体图案14的材料，也可以代替铜而使用金(Au)、铝等其它金属或者铜合金、铝合金等合金。作为金属覆盖层15的材料，也可以代替镍而使用锡等其它金属或合金。
作为覆盖绝缘层16的材料，也可以代替聚酰亚胺而使用聚酰胺酰亚胺、丙烯酸类、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、环氧树脂等其它合成树脂。
作为检查对象的布线电路基板并不限于带电路的悬挂基板，也可以是挠性布线电路基板、COF(Chip on film：覆晶薄膜)基板等其它布线电路基板。
产业上的可利用性
本发明能够使用于布线电路基板的制造或检查等。

Claims (3)

1.一种布线电路基板的制造方法，包括以下步骤：
制作布线电路基板，该布线电路基板依次包括金属支承基板、第一绝缘层、布线图案以及第二绝缘层；以及
进行所述布线电路基板的检查，
其中，在制作所述布线电路基板的步骤中包括以下步骤：制作由第一绝缘材料形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一布线电路基板，以及制作由第二绝缘材料形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二布线电路基板，
在进行所述检查的步骤中包括以下步骤：
在对所述第一布线电路基板进行检查时，将在第一波长区域内具有峰值波长的第一光照射到所述第一布线电路基板，在对所述第二布线电路基板进行检查时，将在与所述第一波长区域不同的第二波长区域内具有峰值波长的第二光照射到所述第二布线电路基板；
在对所述第一布线电路基板进行检查时，基于从所述第一布线电路基板反射来的反射光来生成所述第一布线电路基板的图像，在对所述第二布线电路基板进行检查时，基于从所述第二布线电路基板反射来的反射光来生成所述第二布线电路基板的图像；以及
在对所述第一布线电路基板进行检查时，基于所述第一布线电路基板的图像来判定所述布线图案是否良好，在对所述第二布线电路基板进行检查时，基于所述第二布线电路基板的图像来判定所述布线图案是否良好，
其中，将被所述布线图案反射而从所述布线电路基板出射的光与入射到了所述布线电路基板的光之间的比例定义为布线反射率，将被所述金属支承基板反射而从所述布线电路基板出射的光与入射到了所述布线电路基板的光之间的比例定义为基板反射率，
所述第一布线电路基板具有以下的特性：针对所述第一光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差大于针对所述第二光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差，
所述第二布线电路基板具有以下的特性：针对所述第二光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差大于针对所述第一光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差，
所述第一波长区域为425nm以上且525nm以下，所述第二波长区域为630nm以上且850nm以下，
通过产生紫色光或蓝色光的第一发光元件向所述第一布线电路基板照射所述第一光，通过产生红色光或红外光的第二发光元件向所述第二布线电路基板照射所述第二光，以及
关于在425nm以上且850nm以下的范围内的各波长，所述第一绝缘材料具有比所述第二绝缘材料高的光的透射率。
2.根据权利要求1所述的布线电路基板的制造方法，其特征在于，
所述第一绝缘材料的光透射率和所述第二绝缘材料的光的透射率随着光的波长在425nm以上且850nm以下的范围内增加而增加。
3.一种布线电路基板的检查方法，该布线电路基板依次包括金属支承基板、第一绝缘层、布线图案以及第二绝缘层，
所述布线电路基板包括由第一绝缘材料形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一布线电路基板，以及由第二绝缘材料形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二布线电路基板，
所述检查方法包括以下步骤：
在对所述第一布线电路基板进行检查时，将在第一波长区域内具有峰值波长的第一光照射到所述第一布线电路基板，在对所述第二布线电路基板进行检查时，将在与所述第一波长区域不同的第二波长区域内具有峰值波长的第二光照射到所述第二布线电路基板；
在对所述第一布线电路基板进行检查时，基于从所述第一布线电路基板反射来的反射光来生成所述第一布线电路基板的图像，在对所述第二布线电路基板进行检查时，基于从所述第二布线电路基板反射来的反射光来生成所述第二布线电路基板的图像；以及
在对所述第一布线电路基板进行检查时，基于所述第一布线电路基板的图像来判定所述布线图案是否良好，在对所述第二布线电路基板进行检查时，基于所述第二布线电路基板的图像来判定所述布线图案是否良好，
其中，将被所述布线图案反射而从所述布线电路基板出射的光与入射到了所述布线电路基板的光之间的比例定义为布线反射率，将被所述金属支承基板反射而从所述布线电路基板出射的光与入射到了所述布线电路基板的光之间的比例定义为基板反射率，
所述第一布线电路基板具有以下的特性：针对所述第一光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差大于针对所述第二光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差，
所述第二布线电路基板具有以下的特性：针对所述第二光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差大于针对所述第一光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差，
所述第一波长区域为425nm以上且525nm以下，所述第二波长区域为630nm以上且850nm以下，
通过产生紫色光或蓝色光的第一发光元件向所述第一布线电路基板照射所述第一光，通过产生红色光或红外光的第二发光元件向所述第二布线电路基板照射所述第二光，以及
关于在425nm以上且850nm以下的范围内的各波长，所述第一绝缘材料具有比所述第二绝缘材料高的光的透射率。
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