CN105957981A - 有机器件上的非共用盖帽层 - Google Patents
有机器件上的非共用盖帽层 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105957981A CN105957981A CN201610467166.3A CN201610467166A CN105957981A CN 105957981 A CN105957981 A CN 105957981A CN 201610467166 A CN201610467166 A CN 201610467166A CN 105957981 A CN105957981 A CN 105957981A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- oled
- cap
- optically coupled
- substrate
- certain embodiments
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 99
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 101
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 37
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 6
- 238000001931 thermography Methods 0.000 claims description 6
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 61
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 112
- 239000000463 material Substances 0.000 description 82
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 31
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 20
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 9
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 7
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 6
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 5
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004680 force modulation microscopy Methods 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 2
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 2
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 2
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010008190 Cerebrovascular accident Diseases 0.000 description 1
- 208000006011 Stroke Diseases 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004899 motility Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 125000002769 thiazolinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本公开涉及有机器件上的非共用盖帽层。具体涉及第一方法,其包括在第一衬底上提供多个有机发光器件(OLED)。每个OLED包括透光顶部电极。多个OLED包括第一部分OLED和与第一部分不同的第二部分OLED。第一方法进一步包括将第一盖帽层沉积在多个OLED中的至少第一部分上,以使得第一盖帽层光学耦合到多个OLED中的至少第一部分。将第二盖帽层沉积在多个OLED中的至少第二部分上,以使得第二盖帽层光学耦合到多个OLED中的第二部分,而不光学耦合到多个OLED中的第一部分。
Description
本申请是于2012年6月15日提交的,申请号为201210286949.3的题为“有机器件上的非共用盖帽层”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及有机器件上的非共用盖帽层。
背景技术
由于众多原因使得使用有机材料的光电子器件正变得日益需要。用于制造这样的器件的许多材料相对便宜,因而有机光电子器件潜在地比无机器件具有成本上的优势。此外,有机材料的固有特性,例如它们的挠性,可使得它们很适合于特殊用途,例如制造在挠性衬底上。有机光电子器件的例子包括有机发光器件(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池、以及有机光探测器。对于OLED,与传统材料相比有机材料可具有性能优势。例如,通常容易采用合适的掺杂剂来调整有机发光层发射光的波长。
OLED使用当跨器件施加电压时发射光的有机薄膜。OLED正变成一种用于以下用途的日益有吸引力的技术:例如平板显示器、照明、和背光。在美国专利Nos.5,844,363、6,303,238、以及5,707,745中描述了几种OLED材料和配置,其中在此引入其全部内容作为参考。
磷光发光分子的一种用途是全彩色显示器。这种显示器的工业标准要求适于发射特定颜色(称为“饱和”色)的像素。具体地讲,这些标准要求饱和红色、绿色、和蓝色像素。可以采用本领域公知的CIE坐标来测量颜色。
绿色发光分子的一个例子是三(2-苯基吡啶)铱,表示为Ir(ppy)3,具有下述分子式Ⅰ结构:
在此结构式以及下面的结构式中,我们将从氮至金属(在此为Ir)的配价键描绘为直线。
如在此使用的,术语“有机”包括聚合材料以及可以用于制造有机光电子器件的小分子有机材料。“小分子”涉及不是聚合物的任意有机材料,且“小分子”实际上可以非常大。在一些情形中,小分子可以包括重复单元。例如,使用长链烷基作为取代基不会将分子从“小分子”类中移除。小分子也可以并入到聚合体中,例如,作为聚合物骨架上的一个侧基或者作为骨架的一部分。小分子也可以用作树形化合物的核,该树形化合物由一组设置在核上的化学壳组成。树形化合物的核可以是荧光或磷光小分子发光体。树形化合物可以是“小分子”,且相信当前用在OLED领域直接的所有的树状聚合物都是小分子。
如在此使用的,“顶”意为距离衬底最远,而“底”意为距离衬底最近。若第一层被描述为“设置在第二层之上”,则第一层被设置成远离衬底。可以在第一和第二层之间存在其它层,除非指出第一层与第二层“接触”。例如,阴极可以被描述为“设置在阳极之上”,即使在其之间存在各种有机层。
如在此描述的,“溶液可加工”意为能够被溶解、分散、或者转移进液体媒介中和/或从液体媒介中沉淀,其中液体媒介可以为溶液或悬浮形式。
当认为是配合基直接贡献于发光材料的光敏性能时,配合基可被称为是“光敏的”。当认为配合基不贡献于发光材料的光敏性能时,配合基可被称为是“辅助的”,尽管辅助配合基可以改变光敏配合基的性能。
如在此使用的,且如本领域技术人员通常理解的,如果第一能级接近真空能级,则第一“最高己占分子轨道”(HOMO)或“最低未占分子轨道”(LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于电离电势(IP)被测量为与真空级相对的负能量,所以较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(负得较少的IP)。类似地,较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和势(EA)(负得较少的EA)。在传统的能级表中,真空能级位于顶部,材料 的LUMO能级高于相同材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级比“较低”HOMO或LUMO能级更接近图的顶部。
如在此使用的,且如本领域技术人员通常理解的,如果第一功函数具有较高绝对值,则第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。由于功函数通常被测量为相对于真空能级的负值,这意为“较高”功函数负得更多。在传统能级图上,真空能级位于顶部,“较高”功函数沿向下方向远离真空能级。因而,HOMO和LUMO能级的定义与功函数相比遵从不同的惯例。
美国专利No.7,279,704中可找到OLED的更多细节和上述定义,在此引入其全部内容作为参考。
发明内容
提供了一种用于制造具有非共用盖帽层的有机器件的方法。第一方法包括在第一衬底上提供多个有机发光器件(OLED)。每个OLED包括透明顶电极。多个OLED包括OLED的第一部分和OLED的不同于第一部分的第二部分。第一方法进一步包括:在多个OLED的至少第一部分上沉积第一盖帽层,以便第一盖帽层光学耦合到多个OLED的至少第一部分。第二盖帽层沉积到多个OLED的至少第二部分上,以便第二盖帽层光学耦合到多个OLED的第二部分,而不是多个OLED的第一部分。优选地,在上述的第一方法中,第二盖帽层不通过图案化掩模来沉积,或更优选地,不通过精细金属掩模(FMM)来沉积。在一些实施例中,第二盖帽层采用下述至少一个来沉积:激光诱导热成像(LITI)或激光诱导像素图形升华(LIPS)。下述参照”第一方法”的实施例可涉及包括通过FMM沉积的非共用盖帽层的实施例、以及其中非共用盖帽层不通过FMM来沉积的实施例两者。
在一些实施例中,上述的第一方法进一步包括在多个OLED的至少第二部分上沉积第一盖帽层,以便第一盖帽层光学耦合到多个OLED的第二部分。在一些实施例中,第一盖帽层可以包括覆盖层。在一些实施例中,第一盖帽层不沉积在多个OLED的第二部分上,以使第一盖帽层不光学耦合到多个OLED的第二部分。在一些实施例中,多个OLED是透明OLED和/或顶部发光OLED。
在一些实施例中,在上述第一方法中,第一盖帽层在多个OLED中的第一部分上具有恒定的第一总光程。第二盖帽层可以包含在多个OLED中的第二部分上恒定的第二总光程。第一总光程和第二总光程不同。
在一些实施例中,在上述第一方法中,沉积第二盖帽层包括在第二衬底的多个部分上沉积第二盖帽层且将第二盖帽层在多个OLED的至少第二部分上对准。第二盖帽层可以采用下述任意一个沉积到第二衬底上:光刻、LITI、LIPS、冲压、或喷墨印刷。在一些实施例中,将第二盖帽层在多个OLED的至少第二部分上对准包括:将第二盖帽层沉积到第二衬底的多个部分上,以便当第二衬底耦合到第一衬底时,第二盖帽层设置在多个OLED的至少第二部分上。当第一衬底耦合到第二衬底时,第二盖帽层可以光学耦合到第一盖帽层。在一些实施例中,第二衬底是显示盖。
在一些实施例中,在上述第一方法中,沉积第一盖帽层包括下述任一或一些的组合:精细金属掩模(FMM)和蒸汽热蒸镀(VTE)。在一些实施例中,盖帽层都不是通过FMM和VTE的任一或一些组合来沉积的。
在一些实施例中,在上述第一方法中,多个OLED可以包括多个红色OLED、多个绿色OLED、以及多个蓝色OLED。多个OLED的第一部分可以包括多个蓝色OLED。在一些实施例中,多个OLED的第二部分仅仅包括多个绿色OLED和多个红色OLED。在一些实施例中,多个OLED的第二部分仅仅包括多个红色OLED。在一些实施例中,多个OLED的第二部分仅仅包括多个绿色OLED。
在一些实施例中,在上述的第一方法中,其中多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、以及多个蓝色OLED,多个OLED也可以包括与第一和第二部分不同的OLED的第三部分。第一方法可以进一步包括在多个OLED的至少第三部分上沉积第三盖帽层以便第三盖帽层光学耦合至多个OLED的至少第三部分的步骤。在一些实施例中,第三盖帽层不光学耦合至多个OLED的第一部分和第二部分。在一些实施例中,第三盖帽层不光学耦合至多个OLED的第一部分或第二部分。在一些实施例中,第三盖帽层不经由图案化掩模来沉积,或优选地,不经由FMM来沉积。第三盖帽层可以利用下述至 少一个来沉积:激光诱导热成像(LITI)或激光诱导像素图形升华(LIPS)。
在一些实施例中,在上述第一方法中,其中多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、以及多个蓝色OLED,其中多个OLED也包括与第一和第二部分不同的OLED的第三部分,且第一方法进一步包括在多个OLED的至少第三部分上沉积第三盖帽层,以使得第三盖帽层与多个OLED的至少第三部分光学耦合的步骤,沉积第三盖帽层的步骤可以包括在第二衬底的多个部分上沉积第三盖帽层且将第三盖帽层在多个OLED的第三部分上对准。在一些实施例中,第三盖帽层可以采用下述至少一个沉积到第二衬底上:光刻、LITI、LIPS、冲压、或喷墨印刷。在一些实施例中,可以通过如下来对准第三盖帽层:将第三盖帽层沉积到第二衬底的多个部分上,以使得当第二衬底耦合到第一衬底时,第三盖帽层光学耦合到多个OLED的第三部分。当第一衬底耦合到第二衬底时,第三盖帽层也可以光学耦合到第一盖帽层。在一些实施例中,第二衬底是显示盖或发光面板。
在一些实施例中,在上述第一方法中,其中多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、以及多个蓝色OLED,其中多个OLED也包括与第一和第二部分不同的OLED的第三部分,且其中第一方法进一步包括在多个OLED的至少第三部分上沉积第三盖帽层,以使得第三盖帽层与多个OLED的至少第三部分光学耦合的步骤,多个OLED的第三部分可以仅仅包括多个红色OLED。多个OLED的第二部分可以仅仅包括多个绿色OLED。多个OLED的第一部分可以仅仅包括多个蓝色OLED。
在一些实施例中,在上述第一方法中,其中多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、以及多个蓝色OLED,其中多个OLED也包括与第一和第二部分不同的OLED的第三部分,且第一方法进一步包括在多个OLED的至少第三部分上沉积第三盖帽层,以使得第三盖帽层与多个OLED的至少第三部分光学耦合的步骤,多个OLED的第三部分可以仅仅包括多个绿色OLED。多个OLED的第二部分可以仅仅包括多个红色OLED。多个OLED的第一部分可以仅仅包括多个蓝色OLED。
在一些实施例中,在上述第一方法中,其中多个OLED包括多个红色 OLED、多个绿色OLED、以及多个蓝色OLED,第一盖帽层可以具有对于多个红色OLED、绿色OLED、和蓝色OLED中的至少一种最优化的厚度。优选地,第一盖帽层具有最适合于多个蓝色OLED的厚度。在一些实施例中,第一盖帽层具有小于约125nm的光学厚度。在一些实施例中,第一盖帽层具有在约90至130nm范围内的光学厚度。
在一些实施例中,在上述第一方法中,其中多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、以及多个蓝色OLED,第一盖帽层包括Alq3。在一些实施例中,第一盖帽层对于具有大约与由第一盖帽层所光学耦合的每个OLED发射的光的波长相同的波长的光是基本透明的。在一些实施例中,第一盖帽层具有在约1和2.5范围内的折射率。优选地,第一盖帽层具有约在1.5和2范围内的折射率。在一些实施例中,第一盖帽层具有的光学厚度使得对于多个绿色OLED的效率损失在约5至10%的范围内。在一些实施例中,第一盖帽层具有的光学厚度使得对于多个红色OLED的效率损失在约25至35%的范围内。
在一些实施例中,在上述第一方法中,其中多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、以及多个蓝色OLED,第二盖帽层可以具有对于多个红色OLED和/或多个绿色OLED最优化的厚度。在一些实施例中,第二盖帽层具有在约125至160nm范围内的光学厚度。在一些实施例中,第一盖帽层包括Alq3。在一些实施例中,第二盖帽层对于具有大约与由第二盖帽层所光学耦合的每个OLED发射的光的波长相等的波长的光是基本透明的。在一些实施例中,第二盖帽层具有约在1和2.5范围内的折射率。优选地,第二盖帽层具有约在1.5和2范围内的折射率。
在一些实施例中,在上述第一方法中,其中多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、以及多个蓝色OLED,其中多个OLED也包括与第一和第二部分不同的OLED的第三部分,且第一方法进一步包括在多个OLED的至少第三部分上沉积第三盖帽层,以使得第三盖帽层与多个OLED的至少第三部分光学耦合的步骤,第三盖帽层具有对于多个红色OLED和/或多个绿色OLED最优化的厚度。在一些实施例中,第三盖帽层具有约在160至200nm范围内的厚度。在一些实施例中,第一盖帽层包括Alq3。在一些实施例中,第三 盖帽层对于具有大约与由第三盖帽层所光学耦合的每个OLED发射的光的波长相等的波长的光是基本透明的。在一些实施例中,第三盖帽层具有在约1到2.5的范围内的折射率。优选地,第三盖帽层具有在约1.5到2的范围内的折射率。
在一些实施例中,在上述第一方法中,其中多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、以及多个蓝色OLED,其中多个OLED也包括与第一和第二部分不同的OLED的第三部分,且第一方法进一步包括在多个OLED的至少第三部分上沉积第三盖帽层,以使得第三盖帽层与多个OLED的至少第三部分光学耦合的步骤,第一盖帽层具有对于多个蓝色OLED最优化的厚度,第二盖帽层具有对于多个绿色OLED最优化的厚度,且第三盖帽层具有对于多个红色OLED最优化的厚度。在一些实施例中,第一盖帽层具有约在90至130nm范围内的光学厚度,第二盖帽层具有约在125至160nm范围内的光学厚度,且第三盖帽层具有约在160至200nm范围内的光学厚度。
还提供了一种包含具有非共用盖帽层的有机器件的装置。第一装置包括多个OLED,每个OLED具有第一电极,设置在第一电极之上的第二电极;以及设置在第一和第二电极之间的有机电致发光(EL)材料。第一装置进一步包括第一盖帽层,该第一盖帽层设置在多个OLED的至少第一部分的第二电极上以使得第一盖帽层光学耦合到多个OLED的至少第一部分。第一装置还包括第二盖帽层。第二盖帽层可以设置在多个OLED的至少第二部分的第二电极上,以使得第二盖帽层光学耦合到多个OLED的第二部分,而不是多个OLED的第一部分。在一些实施例中,第二盖帽层不通过FMM来沉积。在一些实施例中,多个OLED包括多个红色OLED、多个蓝色OLED、以及多个绿色OLED。
在一些实施例中,在上述第一装置中,多个OLED包括多个红色OLED、多个蓝色OLED、以及多个绿色OLED,第二盖帽层不设置在多个红色OLED、绿色OLED、和蓝色OLED中的至少一种上。在一些实施例中,第二盖帽层没有设置在多个蓝色OLED上。
在一些实施例中,在上述第一装置中,多个OLED包括多个红色OLED、多个蓝色OLED、以及多个绿色OLED,且多个OLED进一步包括与第一部分和第二部分不同的OLED的第三部分,第一装置进一步包括第三盖帽层,该第 三盖帽层设置在多个OLED的至少第三部分的第二电极上以使得第三盖帽层光学耦合到多个OLED的至少第三部分。在一些实施例中,第三盖帽层没有光学耦合到多个OLED的第一或第二部分。在一些实施例中,第三盖帽层不通过FMM或VTE来沉积。在一些实施例中,第二盖帽层没有光学耦合到多个蓝色OLED或多个绿色OLED,且第三盖帽层没有光学耦合到多个红色OLED或多个蓝色OLED。
通常增加的盖帽层增加了顶部发光有机发光器件的效率。盖帽层的最佳光学厚度依赖于发光颜色(即发射光的波长)。例如,对于红色、绿色、和蓝色发射光,盖帽层的最佳光学厚度是不同的。然而,部分地基于制造工艺的复杂性、以及执行多个沉积步骤增加的费用,迄今由制造商所开发的方案是为器件的盖帽层折衷或选择一个适于“最弱”颜色(通常为蓝色)的单一厚度。这导致对于其它颜色(通常为红色和绿色OLED)来说低于最佳效率的效率。因而,在此提供了一种器件,以及这种器件的制造方法,其通过利用对于每种颜色的OLED具有不同光学厚度的盖帽层来克服这些不足。这允许不管它们发射光的颜色,每种OLED具有最佳的效率。
在此提供的实施例还利用不需要使用精细金属掩模(FMM)或其它昂贵的沉积工艺的沉积技术,否则可能对于单一器件沉积多个盖帽层的成本贵的惊人。例如,实施例提供了使用LITI和/或LIPS沉积技术,其迄今还不被认为是用于沉积盖帽层的容易可行的技术。到此为止,这两个示例技术关于OLED仅仅应用在研究和发展水平,且进一步仅仅应用来尝试沉积OLED堆叠的电活性元件。然而,发明人已经认识到,部分地基于盖帽层不是电活性的事实,这种技术的许多不足被减到最少,使它们有效地用于沉积对于每种颜色的OLED具有不同光学厚度的盖帽层。
附图说明
图1示出了一种有机发光器件。
图2示出了一种不具有单独电子传输层的反向有机发光器件。
图3阐明了根据在此所述实施例的示例器件的侧视图。
图4阐明了根据在此所述实施例的示例器件的侧视图。
图5阐明了根据在此所述实施例的示例器件的侧视图。
图6阐明了根据在此所述实施例的示例器件的侧视图。
图7阐明了根据在此所述实施例的示例器件的侧视图。
图8阐明了根据在此所述实施例的示例方法和装置。
图9阐明了根据在此所述实施例的示例方法和装置。
具体实施方式
通常,OLED包括至少一个设置在阳极和阴极之间且电连接到它们的有机层。当施加电流时,阳极将空穴注入到有机层中,且阴极将电子注入到有机层中。被注入的空穴和电子分别朝向相反带电的电极移动。当电子和空穴停留在相同的分子上时,形成了“激子”,其是具有激发能态的定域电子空穴对。当激子通过光电机制弛豫时发射光。在一些情形中,激子可以停留在激基复合物或激发复合体上。非辐射机制,例如热弛豫也可能发生,但是通常被认为是不希望的。
例如在美国专利No.4,769,292中公开了最初的OLED使用从它们的单重态发射光(“荧光”)的发光分子,在此引入其全部内容作为参考。荧光发光通常发生在小于10纳秒的时帧中。
最近,已经证实了具有从三重态发光(“磷光”)的发光材料的OLED。Baldo等的“Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic ElectroluminescentDevices”,Nature,vol.395,151-154,1998;(“Baldo-Ⅰ”)和Baldo等的“Very high-efficiency green organic light-emtting devices based onelectrophosphorescence”,Appl.Phys.Lett.,vol.75,No.3,4-6(1999年)(“Baldo-Ⅱ”),在此引入其全部内容作为参考。在美国专利No.7,279,704第5-6栏中更详细地描述了磷光,引入其作为参考。
图1示出了有机发光器件100。图无需按比例绘制。器件100可以包括衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发光层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155和阴极160。 阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。器件100可以通过顺序沉积上述层来制造。这些不同层以及实例材料的的特性和功能在美国专利7,279,704第6-10栏中有更详细地描述,在此引入作为参考。
对于这些层的每一个可以采用更多的实例。例如,美国专利No.5,844,363中公开了一种挠性且透明的衬底-阳极组合物,在此引入其全部内容作为参考。美国专利申请公开No.2003/0230980中公开了一种P型掺杂空穴传输层的实例,其是以50:1的摩尔比率掺杂有F.sub.4-TCNQ的m-MTDATA,在此引入其全部内容作为参考。Thompson等的美国专利No.6,303,238中公开了发光和基质材料的实例,在此引入其全部内容作为参考。在美国专利申请公开No.2003/0230980中公开的一种n型掺杂电子传输层的实例是以1:1的摩尔比率掺杂有Li的BPhen,在此引入其全部内容作为参考。在此引入美国专利Nos.5,703,436和5,707,745的全部内容作为参考,其中公开了包含复合阴极的阴极的实例,上述复合阴极具有例如为Ma:Ag的金属薄层,金属薄层具有叠加的透明、导电、通过溅射沉积的ITO层。在美国专利No.6,097,147和美国专利申请公开No.2003/0230980中更详细地描述了阻挡层的原理和应用,在此引入其全部内容作为参考。在美国专利申请公开No.2004/0174116中提供了注入层的实例,在此引入其全部内容作为参考。可以在美国专利申请公开No.2004/0174116中找到关于保护层的描述,在此引入其全部内容作为参考。
图2示出了一种反向OLED 200。器件包括衬底210、阴极215、发光层220、空穴传输层225以及阳极230。器件200可以通过顺序沉积上述层来制造。由于最普通的OLED结构具有设置在阳极之上的阴极,且器件200具有设置在阳极230之下的阴极215,所以可以将器件200称为“反向”OLED。类似于关于器件100所描述那些材料可以应用在器件200的相应层中。图2提供了如何省略器件100的结构中的一些层的实例。
通过非限定性实例的方式提供了图1和2中示例的简单的层结构,且可以理解的是本发明的实施例可以用来与各种其它结构结合。所描述的具体的材料和结构是示范性的,且可以使用其它材料和结构。基于设计、性能、和成本因素,可以通过以不同的方式组合所述的各种层、或者可以完全省略多个层来获 得功能性OLED。也可以包含没有具体描述的其它层。可以使用除了那些已被具体描述的的材料之外的材料。虽然在此提供的许多实施例将各个层描述为仅包含单一的材料,但是可以理解的是可以采用材料的组合,例如基质和掺杂剂的混合物,或更通常的混合物。此外,多个层可以具有各种子层。在此所给予各个层的名字不意为严格地限定。例如,在器件200中,空穴传输层225传输空穴且将空穴注入到发光层220中,并且可以被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中,OLED可以被描述为具有设置在阴极和阳极之间的“有机层”。该有机层可以包括单个层,或者可以进一步包括不同有机材料的多个层,例如,如关于图1和2所述的。
也可以使用没有具体描述的结构和材料,例如OLED包括例如在Friend等的美国专利No.5,247,190中公开的聚合物材料(PLED),在此引入其全部内容作为参考。通过进一步的实例,可以使用具有单个有机层的OLED。例如,Forrest等的美国专利No.5,707,745中公开了可以堆叠OLED,在此引入其全部内容作为参考。OLED结构可以偏离图1和2中所述的简单的层结构。例如,衬底可以包括用于改善外耦合(out-coupling)的成角度的反射表面,例如在Forrest等的美国专利No.6,091,195中描述的台面结构,和/或在Bulovic等的美国专利No.5,834,893中描述的凹坑结构,在此引入其全部内容作为参考。
除非以其它方式具体指出,否则各个实施例的任意层可以采用任意合适的方法来沉积。对于有机层,优选的方法包括例如在美国专利No.6,013,982和6,087,196(在此引入其全部内容作为参考)中描述的热蒸镀、喷墨,例如在Forrest等的美国专利No.6,337,102(在此引入其全部内容作为参考)中描述的有机气相沉积(OVPD),以及在美国专利申请No.10/233,470(在此引入其全部内容作为参考)中描述的通过有机蒸汽喷射印刷(OVJP)的沉积。其它合适的沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的处理。基于溶液的处理优选在氮气或惰性气体中执行。对于其它层,优选方法包括热蒸镀。优选的图案化方法包括例如在美国专利No.6,294,398和6,468,819(在此引入其全部内容作为参考)中描述的通过掩模、冷焊的沉积,以及与一些例如为喷墨和OVJD的沉积方法有关的图案化。也可以使用其它方法。可以更改要被沉积的材料以使得它们与特殊的沉积方法 兼容。例如,如为烷基和芳基的、有支链或无支链的、且优选包括至少三个碳的取代基可以用在小分子中以加强它们的经受溶液处理的能力。可以使用具有20个或更多碳的取代基,且优选在3-20个碳的范围。具有非对称结构的材料可能比具有对称结构的那些具有更好的溶液可加工性,因为非对称材料可以具有更小的再结晶倾向。树形化合物取代基可以用来加强小分子经受溶液处理的能力。
根据本发明的实施例制造的器件可以与各种消费产品结合,包括平板显示器、计算机监控器、电视机、广告牌、用于室内或室外照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明显示器、挠性显示器、激光打印机、电话、移动电话、个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、数字照相机、摄录一体机、取景器、微显示器、车辆、大面积墙壁、剧场或运动场屏幕、照明器材、或标志。各种控制机制可以用来控制根据本发明制造的器件,包括无源矩阵和有源矩阵。许多器件旨在用在对于人类舒适的温度范围,例如18摄氏度至30摄氏度,且优选地在室温(20-25摄氏度)下。
在此所述的材料和结构可以应用于OLED之外的器件。例如,诸如有机太阳能电池和有机光电探测器的其它光电器件可以采用所述材料和结构。更具体地,诸如有机晶体管的有机器件可以采用所述材料和结构。
术语:卤、卤素、烷基、环烷基、烯基、炔基、芳烷基、杂环族、芳基、芳香族、以及杂芳基(heteroaryl)都是本领域公知的,且在US7,279,704的第31-32栏中有定义,在此引入作为参考。
下面提供了对于在本申请中使用的术语的另外的定义:
如在此使用的,术语“盖帽层”可以涉及一种沉积在OLED的顶部电极(通常为顶部发光器件的阴极)上的材料层。该层通常用于加强从OLED外耦合的光的量。层可以采用任何合适的材料(例如Alq3)制成,且优选是透明的、半透明的、或半透的。术语“全部盖帽层”可涉及所有的设置在(且光学耦合到)OLED上的盖帽层的组合。例如,如果第一和第二盖帽层设置在OLED上以使得它们全部光学耦合,则OLED的全部盖帽层是第一和第二盖帽层的组合。“总光学厚度”是全部盖帽层的光学厚度。
如在此使用的,术语“光学耦合”可涉及一种结构,其中基本上所有从第一表面发射或经由其传播的光还传播通过第二部件的基本平行的表面。“部件”可以包括有机器件(例如OLED、透明OLED、或顶部发光OLED)、有机器件的层(例如有机层、发光层等)、盖帽层(可以设置在有机器件上)、衬底、和/或有机器件的电极。例如,如果基本上所有的从OLED沿垂直于它的电极中的一个的方向发射的光也传播通过基本上平行于电极的盖帽层的表面,则OLED可以光学耦合到盖帽层。
如在此使用的,术语“沉积(deposit或depositing)”包括制造第一衬底上的有机器件的层(包括VTE、OVJP、OVJD、冲压、喷墨沉积、LITI、LIPS)、和在第二衬底上制造一个层(包括光刻),然后将第一和第二衬底对准的任何公知方法。美国专利No.6,294,398、No.6,895,667、以及No.7,964,439(在此结合其每一个作为参考)中详细描述了冲压(加(也即冷焊)和减二者)。
如在此使用的,盖帽层如果设置在(例如覆盖)多个OLED的每一个的实质部分上,则其对于多个有机器件来说可以是“共用的”。例如,如果盖帽层对于第一和第二OLED是共用的,但对于第三OLED不是共用的,则盖帽层将设置在第一和第二OLED二者的实质部分上,而不实质地设置在第三OLED上。
如在此使用的,术语“覆盖层”可以指代一种层,其对于衬底上的所有的、或基本所有的OLED是共用的。覆盖层可以通过防止材料沉积到衬底的边缘周围(例如,在需要封装的区域或在需要与外部功率源或视频信号电接触的区域)的掩模来沉积。然而,覆盖层的沉积通常不包括通过用来定义衬底上的特征(例如一种特定颜色的各像素)的掩模(例如FMM)将材料沉积到衬底上。在大多数情形中,所用的掩模不需要按完全匹配位于衬底上的具有子像素尺寸特征的沉积孔的精确度对准。
如在此使用的,“图案化掩模”或“精细金属掩模”(FMM)可以指代用来将材料沉积到衬底上的掩模。对于VTE,通常有机和金属层通过包含覆盖层和/或共用层的“图案化掩模”来沉积。因而,“图案化掩模”中的开口(也即“孔”)通常是大的,且覆盖显示器或发光面板区域的重要部分。相反,FMM可以用 来沉积具有小于衬底的整个有源(发光)区的图案分辨率的特征。通常,FMM的尺寸与设置在衬底上的子像素(通常为一种颜色)的一部分的尺寸为同一数量级。FMM因而通常用于沉积有机器件的发光层,其中显示器的不同颜色通过FMM而被分离地沉积,该FMM被设计成仅仅允许在存在于显示器中的一部分有源OLED上进行沉积(例如,红色发光层仅仅通过一个FMM进行沉积,绿色发光层仅仅通过另一个FMM进行沉积等)。
无论“图案化”(例如对于普通沉积具有大开口的那些)还是FMM的所有的掩模都需要一定对准度。然而,FMM要求更严格的对准公差(例如为子像素的一部分的尺寸的数量级)且因而通常需要较长时间对准,这会大大增加制造时间和成本。FMM也通常比大面积“图案化”掩模需要更经常的保养(即替换或常规清洁),因为当材料沉积到其上时,FMM中的较小的“孔”(经由其来沉积材料)的尺寸随沉积/制造时间可减小。当FMM的沉积区域减小到超过其原始设计时,这会在显示器区域中产生问题。此外,FMM上的材料的堆积还可产生涉及“剥落”(即材料从掩模上掉落进入到腔室中或到达衬底上)的问题,这会产生生产率问题。这些问题对于“图案化”的大面积掩模来说可以不重要,因为其上可以沉积材料的掩模的表面面积非常小(即具有更大的开口供材料沉积穿过)。
如在此使用的,术语“光学厚度”可以指代各向同性的光学元件的物理厚度和它的折射率的乘积。盖帽层的“物理厚度”指代盖帽层在基本垂直于其上设置OLED的衬底的表面的方向上的长度。
如在此使用的,术语“最优化”或“最佳”可指代使OLED的寿命或效率最大化,这可以通过减小效率损耗至小于约5%来实现。
通常在顶部发光(或透明)有机器件中,盖帽层设置在顶部电极上以增强来自器件的发射。即,盖帽层(通常包括高透明材料)用来限制从器件发射的光的衰减。如果适当地选择盖帽层,则盖帽层能够通过例如增加亮度来增强顶部发光器件的输出,其中通过减小由于诸如内部波导的工艺产生的器件的外耦合损耗来增加亮度。然而,由给定材料制造的盖帽层的最佳厚度(在效率方面)根据发光颜色(即光的波长)而不同。这是由于不同颜色的发射光的波长的不 同以及在OLED中产生的干涉图案(广角和多光束干涉二者)的相应效果所导致的。顶部发光OLED的盖帽层的厚度对于光透射的影响在下面参考文献中进行了详细描述,因此为了全部目的结合其全部内容:
H.Riel,S.Karg,T.Beierlein,B.Ruhstaller,and W.Rieβ的“PhosphorescentTop-Emitting Organic Light-Emitting Device With Inproved Light Outcoupling,”,Applied Physics Letters,Vol.82,No.3(January 20,2003)。
H.Riel,S.Karg,T.Beierlein,B.Ruhstaller,and W.Rieβ的“Tuning theEmission Characteristics of Top-Emitting Organic Light-Emitting Devices ByMeans of Dielectric Capping Layer:An Experimental and Theoretical Study,”,Journal of Applied Physics,Vol.94,No.8(Octorber 15,2003)。
发明人已认识到对于包含多个发射不同波长的光的OLED的器件的一种获得最大效率的方式是对于每个有机器件形成不同的盖帽层。例如,对于并列式红-绿-蓝(RGB)显示器,在此提供的实施例对于每个RGB像素可以采用具有不同光学厚度的盖帽层(例如,第一盖帽层光学厚度设置在蓝色像素上,第二盖帽层光学厚度设置在绿色像素上,以及第三盖帽层光学厚度设置在红色像素上)。在一些实施例中,除了改变盖帽层的物理厚度之外,或作为对其的补充,对于不同颜色的OLED的每一个可以将不同的材料应用到不同的盖帽层,以获得类似的最佳化(因而可以基于材料的折射率改变盖帽层的光学厚度)。虽然关于RGB显示器进行了描述,但是应当理解的是实施例并不限定至此,且对于任意给定的器件中每个颜色的OLED可以提供不同的盖帽层厚度(和/或材料)。
然而,对于每个OLED器件(即对于每个发射的颜色)提供不同的盖帽层物理厚度和/或材料可增加含有多种颜色的OLED器件的器件或装置(例如显示器)的制造工艺的成本和复杂性。此外,在制造工艺中,另外的制造步骤会产生更多的错误几率发生。因而,由制造商所开发的方案通常对于盖帽层折衷选择适于“最弱”颜色(通常为蓝色)的单一厚度和材料。“最弱”颜色意味着对于这种颜色,OLED具有最小效率或最短寿命。仅仅使用单一盖帽层导致发射具有与为其最佳化盖帽层厚度的波长不同的波长的光的OLED的性能小于最佳性能。通常,当盖帽层被选择为最佳化蓝色OLED时,其是红色和绿色有机器件。 例如,使用小于最佳的盖帽层(例如为蓝色发光最佳化的盖帽层)可导致潜在绿色效率约5-10%的损耗和/或潜在红色效率约30%的损耗。“潜在效率”是指盖帽层被选择成最佳化其效率时器件的效率。因而,器件作为一个整体不能尽可能有效地运转。
在此提供的实施例公开了具有通过对于各有机器件采用一个总盖帽层以最佳化每个OLED的光发射的器件(例如显示器),其中总盖帽层对于每个颜色发射光具有不同的光学厚度(例如,通过按照需要提供不同的厚度和/或材料)。由在这种顶部发光器件所产生的干涉图案的效应部分地由盖帽层的光学厚度和发射光的波长来支配,因而能够最小化。尽管本领域认识到盖帽层的厚度会影响OLED的光学效率,但是还没有对这种方案引起重视,这种方案对于具有发射多种颜色的多个OLED(例如红、绿、和蓝色显示器)的器件提供了一种新型途径。的确,在工业中由于认为其不切实际和/或对于制造器件不经济的观念的原因则教导远离这种方案。然而,如下所述,本发明人在此提供了可满足一些或全部这些顾虑的器件的实施例和这种实施例的制造方法。
如上所述,使用传统的工艺通过利用具有不同光学厚度的盖帽层对于器件中的每种颜色的OLED获得最佳的发光可大大增加制造这种器件的成本。即,提供不同的盖帽层厚度或材料可需要使用多个沉积工艺或步骤。例如,对于在每种OLED颜色上沉积不同材料的每一种和/或相同材料的不同厚度,使用传统的方法可能需要使用多个图案化掩模(例如,FMMs结合经由FMM的VTE沉积)。典型的RGB器件(即,包括具有三种不同颜色之一的OLED的器件)通常涉及两个另外的精细沉积工艺步骤,每一个都需要使用FMM。
然而,每次处理都需要使用另外的沉积步骤(尤其是经由FMM),增加了时间和制造成本。例如,每次重复可能需要在将另外的材料沉积到器件之前将图案化掩模(尤其是FMM)正确地对准。如上所述,FMMs通常需要严格的对准公差,因而通常花费较长时间来正确地对准。此外,FMMs通常具有与它们的持续使用(通常需要定期保养(即更换或定期清洁))相关的高成本,因为将材料沉积到掩模上时掩模中的小“孔”的尺寸会按照沉积和/或制造时间而减小。
此外,利用FMMs经常增加在制造工艺中出现某些缺陷的几率,例如与通过掩模沉积的面积的缩小(基于沉积在掩模的“孔”中的材料的增加)有关的问题,因而会在发光或显示区域中产生问题。FMM上的材料的堆积还可以产生由于“剥离”(即材料从掩模跌落到腔室中或到达衬底上)而导致的问题,这可导致生产率的问题。因而,本发明人进一步认识到更优地利用替换的沉积技术来沉积多个盖帽层。
在此提供的实施例允许对于每个像素和/或每个颜色OLED使用不同的盖帽层光学厚度(因而能够最佳化器件的每个OLED的输出效率),而不需要使用FMM执行沉积的另外的步骤。在示例实施例中,例如,红、绿、和蓝色OLED可以利用公知的技术来制造,包括共用盖帽层(例如对于不同颜色的多个像素可以共用)。可以设计该盖帽层使得其匹配(即,最佳化)蓝色像素,因为通常该像素可能也需要最小材料厚度。然后可以沉积最佳化红色和绿色像素所需的另外的盖帽层材料,以使得其与每个像素光学耦合。然而,另外的材料的施加可以不使用FMM和/或材料的VTE沉积来完成。替代地,在此提供的实施例可以采用例如在共用盖帽层上的激光诱导热成像(LITI)和/或激光诱导像素图形升华(LIPS)来沉积另外的材料。
简要且不具有限定意义地,LITI工艺的一些实例利用施体膜(施体)、高精度激光曝光系统、和衬底(受体)。施体膜可以采用任意公知的方法首先堆叠到衬底上以使得施体和受体密切接触。施体可以包括将激光能转换为热能的光热转换(LTHC)层。LTHC层包括吸收照射波长且将一部分入射辐射转化为足够的热能以使得热传输层(通常为有机材料)能够进行从施体到受体的传送的材料。然后利用来自高精度激光曝光系统的被LTHC层吸收的激光束来曝光(在影像图案中)施体。这导致热传输层从施体上脱离,且将热传输层粘结到受体。在所有的所需材料的传送完成后,从受体界面剥离施体。以这种方式,仅仅施体的曝光区域将材料传送到受体。然而,应理解的是可存在利用类似方法和原理的其它LITI工艺,且本说明书没有限定的含义。
以下参考文献中描述了LITI工艺的进一步的实施例和细节,且为了所有目的引入每个的全部内容作为参考:
ST Lee,JY Lee,MH Kim,MC Suh,TM Kang,YJ Choi,JY Park,JH Kwon,HK Chung的“A New Patterning Method for Full-Color Polymer Light-Emitting Devices:Laser Induced Thermal Imaging(LITI),”,Proceedings of the Society forInformation Display,Digest of Technical Papers 33:(suppl2),Boston,2002,pp784-787。
ST Lee,BD Chin,MH Kim,TM Kang,MW Song,JH Lee,HD Kim,HK Chung,MB Wolk,E Bellman,JP Baetzold,S Lamansky,V Savvateev,TR Hoffend,JS Staral,RR Roberts,Y Li.A novel patterning method for full-color organic light-emitting devices:laser induced thermal imaging(LITI).Proceedings of the Society forInformation Display,Digest of Technical Papers 35:(suppl2),Seattle,2004,pp1008-1011。
LIPS工艺可能类似于LITI工艺,除了施体和受体可以首先在真空中被放置在一起且采用夹持机构固定。施体、受体、和夹持机构然后从真空中移除(且通过施加到任一衬底的气压被保持在一起),同时可以通过像素定义层(PDL)的高度在像素之间保持一间隙。然后使用激光加热施体(例如,具有施体材料的玻璃衬底)的所需部分以便通过真空升华将施体材料传送到受体。LIPS工艺的一个实例在下述参考文献中进行了描述,且为了所有目的引入其全部内容作为参考:
T Hirano,K Matsuda,K Kohinata,K Hanawa,T Matsumi,E Matsuda,TIshibashi,A Yoshida,T Sasaoka,“Novel Laser Transfer Technology forManufacturing Large-SizedDisplays,”Proceedings of the Society for InformationDisplay,Digest of Technical Papers 38:(suppl2),Long Beach,2007,pp 1592-1595。
LITI和LIPS工艺具有某些通常使得它们不太理想的缺点,尤其是对于具有电活性特性的材料的沉积。例如,在LITI工艺中,施体膜和任意发射层之间的接触可使器件退化;通过堆叠工艺形成被传送层界面,这也会使器件退化;且工艺可能对颗粒污染特别敏感,这会破坏电接触(虽然这可以通过LIPS工艺通过在施体和衬底之间形成真空来减小)。两种沉积技术还需要应用非常高功率 密度的能量。这种应用可导致材料的热退化或需要对将要沉积的材料的热性能进行另外的约束(例如Tg,升华温度范围等)。这些约束限定了可以用于电活性部件的材料的选择。
然而,不同于LITI和LIPS工艺迄今已被用来执行沉积的有机层的沉积,盖帽层材料不是OLED器件中的电活性部件。因而本发明人已认识到当使用此工艺来沉积另外的盖帽层厚度和材料时,通常与LITI工艺有关的顾虑和复杂性以及其在寿命前景方面的有害效应减小。此外,在一些实施例中,LITI工艺还可以潜在地在手套箱或空气中进行。这种工艺对于每个OLED沉积最佳盖帽层很可能远比FMM/VTE便宜。例如,LITI和LIPS都不需要使用掩模,这使得其具有高适用性,因为若设计改变的话不需要重装设备。此外,激光沉积技术的使用可高度精确,且不需要对准掩模来沉积材料。此外,如下所述,如果盖帽层不通过VTE经由FMM来沉积,则可以被线下完成(即,与线上制造工艺分离),因而简化了制造工艺。这部分由于材料将不直接沉积在包含有机材料的衬底上,有机材料通常对于制造和沉积条件(例如热)容忍性较差。
例如,在一些实施例中,一个或多个盖帽层可不直接沉积在有机器件上。替代地,盖帽层材料可以沉积在第二衬底(例如显示器盖玻璃)上。在一些实施例中,对于RGB显示器,盖帽层材料可仅用来最佳化红色OLED。可以使用各种沉积方法来执行图案化,包括光刻、LITI、LIPS、冲压、或喷墨印刷,因为盖帽层不是器件中的电活性部件,由此减少了对沉积期间的损害的顾虑。继续RGB显示器实例,可以按这种方式来沉积红色盖帽层材料,以使得其与显示器底板上的相应红色子像素图案对准。当盖玻璃和底板随后被装配(即耦合)在一起时,红色盖帽层接着将光学耦合到红色子像素上的共用盖帽层(在一些实施例中可以被沉积作为覆盖层—例如不通过FMM),使得共用盖帽层和红色盖帽层光学耦合到红色子像素。
通常,由于蓝色像素是用于最佳化盖帽层的常见候选像素(即,当仅仅提供单一均匀盖帽层时),在一些实施例中,在效率方面红色像素通常是最差的颜色。因此,在一些实施例中,对于上述的制造方法,从最佳化前景来看红色像素可以是最重要的颜色(在蓝色之后)。因此,可仅仅将另外的盖帽层材料施加 到红色子像素(假设已经存在共用盖帽层—即盖帽层对被设计成最佳化蓝色OLED的多个OLED来说是共用的),以便简化制造工艺,同时提高器件的性能。因此,在这些实施例中,可以仅仅有两个不同的盖帽层:对于所有的OLED(即红色、蓝色、和绿色OLED)来说是共用的第一盖帽层、和仅仅光学耦合到红色OLED的第二盖帽层。然而,如下所述,实施例并不限于此且此仅仅是为了例证目的。
方法的示例实施例
下述是包括有机器件和不同盖帽层(即,非共用)的器件的示例实施例、及制造器件的示例方法。所描述的实施例仅仅是例证目的,因而不能意为具有限定意义。在阅读此公开后,对于普通技术人员来说很明显地在特定实施例中下述的各种部件可以组合或省略,同时仍然实施所述原理。
此外,应当理解的是,虽然在此提供的论述公开了器件的各种实施例,以及制造这些器件的方法,其中上述器件通常包括非共用盖帽层(或多个层)而不需要以特殊的方式来沉积该非共用盖帽层(或多个层),但是通常优选的是不通过FMM来沉积非共用盖帽层。这种优选的沉积技术可以包括利用其它的方法,例如LIPS、LITI,或沉积在第二衬底上且对准(如下所述)。因此,以下公开应当理解为不仅描述了包括利用任意公知方法设置的盖帽层的各种实施例,且还描述了与那些器件包含相同特征、但优选包含不通过使用FMM沉积的非共用盖帽层(或多个层)的实施例。
提供了一种用于制造具有非共用盖帽层的有机器件的方法。第一方法包括在第一衬底上提供多个OLED。“提供”可以包括获得其上沉积有所需数量和类型的有机器件的衬底的任何公知方式。举例来说,这包括采用包括上述的任何公知的技术在衬底上沉积OLED。此外,实施例还包括购买或以其它方式获得其上已经设置有一些或全部OLED(或其部件)的衬底。在仅仅一些部件被提供在衬底上的情形中,还预见“提供”包括在衬底上完成OLED的部件(例如,通过沉积另外的材料层)。
多个OLED中的每一个包括透明顶部电极。即,顶部电极可以是透明的、半透明的或半透的以便光可以穿过顶部电极传播。在一些实施例中,OLED可 以是透明OLED或顶部发光OLED。顶部发光OLED通常更适合于有源矩阵应用,例如,因为它们更容易与非透明晶体管底板集成。这对于显示器是常见的情形。
多个OLED包括OLED的第一部分和OLED的不同于第一部分的第二部分。即,包括第一部分的OLED与包括第二部分的OLED是分离且不同的,以便在这两个结构之间不存在重叠。在一些实施例中,第一部分可以仅仅包括发射单一颜色光的OLED。在一些实施例中,OLED的第一部分和第二部分在发射单一颜色光的OLED中不存在任何重叠。即,例如,红色OLED将不同时包含在多个OLED的第一部分和第二部分中。
第一方法进一步包括将第一盖帽层沉积在多个OLED的至少第一部分上以便第一盖帽层与多个OLED的至少第一部分光学耦合。如上所述,盖帽层通常用在顶部发光有机器件中以降低由透明导体和底部电极的反射所产生的吸收和干涉损失。盖帽层可以包括任何合适的材料,且可以包括介电材料。在一些实施例中,盖帽层优选Alq3。第一盖帽层可以采用任何合适的方法沉积,包括上述那些。
第一方法还包括在多个OLED的至少第二部分上沉积第二盖帽层,以便第二盖帽层光学耦合到多个OLED的第二部分,而不是多个OLED的第一部分。即,在一些实施例中,第二盖帽层如此沉积,使得其设置在多个OLED的第二部分而不是第一部分上,使得多个OLED的第一部分和第二部分上的总盖帽层的光学厚度可以不同。如上限定,总盖帽层可以指代设置在OLED上的每个盖帽层的结合。例如,如果第一和第二盖帽层都光学耦合到多个OLED的第二部分,则总盖帽层是第一和第二盖帽层的结合。这在下述的图3和5-9所示的各个实施例中进行了描述。优选地,出于所述原因,如上所述的第二盖帽层采用不利用FMM的方法来沉积。
上述的第一方法和由此形成的器件可提供超过现有设备的优点。例如,通过提供第一和第二盖帽层,器件可以最佳化来自至少两个不同颜色的发光OLED的发光。例如,现有设备(例如,包括OLED的显示器)仅仅利用在所有有机器件上共用的单一盖帽层,而不管从每个器件发射的光的波长。结果是 虽然可以最佳化发射具有一种颜色的光的OLED,但是其它有机器件没有有效地外耦合以提供最大的效率。应当注意,以上描述了光学厚度对于不同发射光的影响,尤其在H.Riel等的“Phosphorescent Top-Emitting Organic Light-Emitting Devices With Improved Light Outcoupling”和“Tuning the EmissionCharacteristics of Top-Emitting Organic Light-Emitting Devices By Means of aDielectric Capping Layer:An Experimental and Theoretical Study.”中。此外,具有关于不同发射波长最佳化的多个盖帽层(即具有不同的光学厚度)的效果在下面的试验模拟部分中演示。
在一些实施例中,在上述的第一方法中,多个OLED提供在衬底上,且第一和第二盖帽层被沉积以使得分别光耦合到OLED的第一和第二部分,第二盖帽层不通过图案化掩模来沉积,或者优选地不通过FMM沉积。如上所述,使用FMM的另外的沉积步骤可增加制造有机器件的费用和时间。通过利用如下所述的替代方法,实施例可以提供更具经济性、灵活性和时间效率的方法。此外,这些替代沉积方法还没有被用于将盖帽层施加到顶部发光器件(更不用说具有不同光学厚度的非共用盖帽层)。本发明人还认识到这些技术虽然具有可能使得它们当沉积电活性部件时较不理想的限制,但是由于盖帽层不是电活性的(它们可以包括介电材料),这些技术对于盖帽层不会表现一些或全部的那些缺陷。在这点上,在一些实施例中,采用下述至少一个来沉积第二盖帽层:激光诱导热成像(LITI)或激光诱导像素图形升华(LIPS)。虽然这些实例沉积技术可能需要施加非常高功率密度的能量,且可能因而产生材料的热退化或需要对热性能(如上所述)作另外的约束,从而使得它们不优选用于沉积电活性部件,但是当应用到非电活性层时则减小了这些相同的缺陷。然而,在一些实施例中,可以使用不包括使用FMM或类似技术的任意沉积技术。
在一些实施例中,上述第一方法进一步包括在多个OLED的至少第二部分上沉积第一盖帽层以使得第一盖帽层光学耦合到多个OLED的第二部分。这在图3和7-9所示的实例实施例中进行了描述。例如,在一些实施例中,第一盖帽层可以光学耦合到发射不同颜色的光的OLED,而第二盖帽层可以光学耦合到发射单一颜色光的OLED。然而,实施例可以不限于此。在一些实施例中, 第一盖帽层光学耦合到第二盖帽层没有光学耦合到的OLED的至少一种颜色。例如,在一些实施例中,第一盖帽层可以光学耦合到多个蓝、绿、和红色OLED,而第二盖帽层可以仅光学耦合到多个红或绿(或二者)OLED。
在这点上,在一些实施例中,第一盖帽层可以包括覆盖层。即,第一盖帽层可以沉积成使得其被设置在器件的衬底上的全部或基本全部的OLED上,以使得其对于每个OLED是共用的。这可以具有第一盖帽层不需要经由FMM或其它昂贵和/或复杂沉积工艺来沉积的优点。可以选择第一盖帽层的光学厚度以最佳化发射特定颜色光的OLED。在一些实施例中,可以选择第一盖帽层的光学厚度,以使得对应于最佳化至少一种OLED发光颜色的最小厚度。这样,可以在第一盖帽层上设置另外的盖帽层,以使得光学耦合到具有不同颜色的OLED的总盖帽层也被最佳化(即,对于具有特定波长的发射光来最优化光学厚度)。
在一些实施例中,第一盖帽层没有沉积在多个OLED的第二部分上,以使得第一盖帽层不光学耦合到多个OLED的第二部分。图4示出了这个实例实施例,由此不同颜色的OLED没有共用光学层。在一些实施例中,在上述第一方法中,多个OLED是透明OLED和/或顶部发光OLED。此外,对于特定实现(例如显示器)顶部发光OLED更适合。
在一些实施例中,在上述第一方法中,第一盖帽层在多个OLED的第一部分上具有恒定的第一总光程,第二盖帽层可以包括在多个OLED的第二部分上恒定的第二总光程,且第一总光程和第二总光程不同。这是在一些实施例中当多个OLED包括发射不同波长的光的OLED时的情形,由此最大化OLED的效率的光学厚度也是不同的。因此,提供两个不同光学厚度的实施例可能够最大化两种不同颜色的OLED。
在一些实施例中,在上述第一方法中,多个OLED被提供在衬底上,且第一和第二盖帽层被沉积成分别光学耦合到OLED的第一和第二部分,沉积第二盖帽层的步骤可以包括将第二盖帽层沉积到第二衬底的多个部分上且在多个OLED的至少第二部分上对准第二盖帽层。这在图8-9中进行了示例,且在下面将更详细地描述。实施例可以允许采用任何公知技术来沉积,例如采用下述 至少一个:光刻、LITI、LIPS、冲压、或喷墨印刷。在第二衬底上沉积第二盖帽层可能没有直接将盖帽层沉积到OLED上(例如将盖帽层直接沉积到与OLED相同的衬底上)昂贵和复杂,因为例如在第二衬底上的沉积可以在没有损害有机材料(其对于其它沉积和制造工艺的损害相对敏感)的风险的情况下完成。此外,如果制造误差在该沉积工艺中产生,它的代价较小,因为并没有其它OLED材料设置在第二衬底上。
继续其中第二盖帽层沉积在第二衬底上的实例实施例,在一些实施例中,在多个OLED的至少第二部分上对准第二盖帽层的步骤包括:将第二盖帽层沉积到第二衬底的多个部分上以便当第二衬底耦合到第一衬底时第二盖帽层位于多个OLED的至少第二部分上。即,例如,当第一衬底与第二衬底耦合时,第二盖帽层可以光学耦合到多个OLED的第二部分上。这样,器件(例如显示器)可以包括具有不同光学厚度以分别最佳化具有不同波长的发射光的OLED的多个盖帽层,而不需要将第二盖帽层直接沉积到OLED和/或第一盖帽层上。此外,在一些实施例中,当第一衬底耦合到第二衬底时第一盖帽层光学耦合到第二盖帽层。这例如可以是当第一盖帽层对于发射不同颜色光的多个OLED共用时的情形。
继续其中第二盖帽层被沉积在第二衬底上的实例实施例,在一些实施例中,第二衬底是显示器盖。此外,在此实施例中,第一和第二衬底的耦合可以用来封装有机器件。在这点上,OLED中的材料对空气和湿气是敏感的,这可导致如果它们暴露于这种大气条件时有机材料的退化和/或分子中的激发态淬灭。这样利用第二衬底(可包含玻璃)因而可满足多个目的。
在一些实施例中,在上述第一方法中,多个OLED提供在衬底上,且第一和第二盖帽层被沉积以分别光学耦合到OLED的第一和第二部分,沉积第一盖帽层可以包括FMM和VTE之一或其组合。这是当第一盖帽层不被第一衬底上的所有或基本所有的OLED器件共用的情形。在一些实施例中,没有盖帽层通过FMM和VTE之一或其组合来沉积。例如,在一些实施例中,所有的盖帽层可以采用LITI或LIPS工艺来沉积,这提供了超过传统沉积工艺的上述优点。这样,实施例可以提供不使用FMM的优点,FMM可增加制造OLED的复杂 性,并且还引入了各种误差源,例如掩模变形。
在一些实施例中,在上述第一方法中,多个OLED提供在衬底上,且第一和第二盖帽层被沉积以分别光学耦合到OLED的第一和第二部分,多个OLED可以包括多个红色OLED、多个绿色OLED、和多个蓝色OLED。这通常是大部分显示器(例如光面板)的情形,因为大部分颜色(包括白光)可以利用红、绿、和蓝色光的组合来。此外,多个OLED的第一和第二部分可以分别包括特定颜色的OLED,且在一些实施例中可能不存在任何重叠。例如,在一些实施例中,多个OLED的第一部分可以包括多个蓝色OLED,和/或多个OLED的第二部分可以仅仅包括多个绿色OLED和多个红色OLED。由此,在一些实施例中,第一盖帽层(光学耦合到多个OLED的第一部分—即蓝色OLED)可以不同于第二盖帽层(光学耦合到多个OLED的第二部分—即绿和红色OLED)。这样,可以对于蓝色光谱中的光发射最佳化第一盖帽层(因为第一盖帽层可以仅仅对于蓝色OLED来最佳化),而同时对于红色或绿色OLED最佳化第二盖帽层(或第二盖帽层可以具有在关于每个器件的最佳光学厚度之间折衷的光学厚度)。此外,在一些实施例中,多个OLED的第二部分仅仅包括多个红色OLED或多个绿色OLED。第二盖帽层因而可以针对绿色或红色OLED的发射光来最佳化。
在一些实施例中,在上述第一方法中,多个OLED提供在衬底上,且第一和第二盖帽层被沉积以分别光学耦合到OLED的第一和第二部分,且其中多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、和多个蓝色OLED,多个OLED还可以包括与第一部分和第二部分不同的OLED的第三部分。方法可以进一步包括将第三盖帽层沉积到多个OLED的至少第三部分上以便第三盖帽层光学耦合到多个OLED的至少第三部分的步骤。第三盖帽层的增加可允许最佳化具有三种不同颜色发射光(例如红、蓝、和绿色)的OLED的发射光。虽然可采用仅两次盖帽层的沉积来获得三种不同的光学厚度,但是可能更实际的是利用三次沉积过程(因为很难提供分别最佳化不同颜色OLED的发射光的三种不同的厚度)。在图3-7和9中示出了这种配置的实例实施例,且在下面将更详细地描述。在一些实施例中,第三盖帽层并不光学耦合到多个OLED的第一部分和第 二部分。即,第三盖帽层可以不对于器件的全部或基本全部OLED共用(即它可能不是覆盖层)。此外,通过提供不被所有其它OLED共用的盖帽层,实施例可以提供可以将器件的OLED的特殊子集最优化的非共用盖帽层(例如,基于发射光的颜色)。在一些实施例中,第三盖帽层并不光学耦合到多个OLED的第一部分和第二部分。这对于第三盖帽层可提供唯一的光学厚度(或对于与多个OLED的第三部分光学相通的总盖帽层的唯一光学厚度),即使在其中第一和第二盖帽层被OLED的第三部分和第一部分和/或第二部分共用的实施例(参见图7,如下所述)。在一些实施例中,第三盖帽层不通过图案化掩模来沉积,优选地,不通过FMM来沉积。同样,如上所述,通过FMM或其它传统沉积工艺的沉积例如当提供多个非共用盖帽层时其成本可以高的惊人。因而,如同第二盖帽层,本发明人已经认识到采用这些替代技术沉积第三盖帽层的好处,这些替代技术例如为如下至少一个:激光诱导热成像(LITI)或激光诱导像素图形升华(LIPS)。如上所述,在此所述的实施例和特征可以与制造器件的方法、以及器件本身结合或一起利用,器件本身具有利用这些替代沉积技术(即不通过使用FMM)沉积的非共用盖帽层。
继续其中多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、和多个蓝色OLED的实例实施例,其中多个OLED还包括不同于第一部分和第二部分的OLED的第三部分,且第一方法进一步包括将第三盖帽层沉积到多个OLED的至少第三部分上以使得第三盖帽层光学耦合到多个OLED的至少第三部分的步骤,沉积第三盖帽层的步骤可以包括:将第三盖帽层沉积到第二衬底的多个部分上,并且在多个OLED的第三部分上对准第三盖帽层。在上文关于第二盖帽层的类似沉积工艺描述了此工艺。图9中示出了以这种方式沉积第一和第二盖帽层两者的实例实施例,下面将更详细地描述。可以使用例如如下的至少一个来将第三盖帽层沉积到第二衬底上:光刻、LITI、LIPS、冲压或喷墨印刷。如上所述,其中一个或多个盖帽层被沉积到第二衬底上的实施例由于该衬底不包括有机材料而允许在沉积工艺中有更多选择,典型的降低成本,以及通常更大的容差,其中有机材料通常可对这些工艺敏感。在一些实施例中,通过将第三盖帽层沉积到第二衬底的多个部分上以使得第三盖帽层与OLED的第三部分对 准,以使得当第二衬底耦合到第一衬底时第三盖帽层光学耦合到多个OLED的第三部分。当第一衬底耦合到第二衬底时,第三盖帽层也可以光学耦合到第一盖帽层。这可以是如下实施例的情形,其中第一盖帽层是覆盖层,或者被多个OLED的第一和第三部分共用。图9中示出了这种实施例的非限定实例。在一些实施例中,第二衬底是显示器盖且当其耦合到其上设置有OLED的衬底时可以用来封装有机器件。
继续上述第一方法,其中多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、和多个蓝色OLED,其中多个OLED还包括不同于第一部分和第二部分的OLED的第三部分,且该方法包括将第三盖帽层沉积到多个OLED的至少第三部分上以便第三盖帽层光学耦合到多个OLED的至少第三部分的步骤,多个OLED的第一、第二、第三部分分别可以包括各种不同颜色的OLED。例如,在一些实施例中,多个OLED的第三部分可以仅仅包括多个红色OLED,多个OLED的第二部分可以仅仅包括多个绿色OLED,且多个OLED的第一部分可以仅仅包括多个蓝色OLED。这样,可以最佳化在多个OLED中的每一个(即每一种颜色)上的总盖帽层。即,多个OLED的第一部分中的每个OLED上的总盖帽层可以是相同的(且可以最佳化蓝发射光),第二部分的每个OLED上的总盖帽层可以是相同的(且可以最佳化红发射光),并且第三部分的每个OLED上的总盖帽层可以是相同的(且可以最佳化绿发射光)。应当明白的是,可以使任意颜色的OLED分别包括如上所述的多个OLED中的第一、第二和第三部分。例如,多个OLED的第三部分可以仅仅包括多个绿色OLED,多个OLED的第二部分可以仅仅包括多个红色OLED,且多个OLED的第一部分可以仅仅包括多个蓝色OLED。因此,实施例还可以包括第一、第二、和第三盖帽层的任意组合以使得最佳化在OLED的第一、第二、和第三部分的每个之上的总盖帽层。
在一些实施例中,在如上所述第一方法中,多个OLED提供在衬底上且第一和第二盖帽层被沉积以使得分别光学耦合到OLED的第一和第二部分,且多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、和多个蓝色OLED,第一盖帽层可以具有对于多个红色OLED、绿色OLED、和蓝色OLED中的至少一 个最佳化的厚度。即,如上所述的第一盖帽层可以被设计成具有最佳化器件中任意OLED的发射光的光学厚度,而无需任何另外的盖帽层。然而,在一些实施例中,可优选第一盖帽层具有对于多个蓝色OLED最佳化的厚度。这部分是由于蓝发射光通常使用最小厚度(即最薄)的盖帽层来最佳化的事实。优选地,第一盖帽层具有最佳化最短波长OLED的发射光的厚度,因为第一盖帽层可以用作覆盖层以使得其被器件的全部或基本全部的OLED所共用。第二和第三盖帽层可以设置在第一盖帽层上且光学耦合到发射具有较高波长的光的OLED,因为用于这些器件的盖帽层的光学厚度通常更大。由此,第一盖帽层可以用来与第二和第三盖帽层结合形成在多个OLED的第二和第三部分上的总盖帽层。在一些实施例中,第一盖帽层具有小于约125nm的光学厚度。在一些实施例中,第一盖帽层在90至130nm的范围内。这范围通常包括最佳化蓝色OLED的光学厚度。
一般地,为了在实例方法中最佳化OLED的发光,优选光学耦合到OLED(具有特殊波长(即颜色)的发射光)的一个或多个盖帽层的光学厚度被设置成约为OLED发射光波长的四分之一。这因而可以减小干涉图案并确定了发射光量的最大值。然而,本领域的技术人员应当明白,可以选择许多光学厚度-部分由于电磁波的周期性质。
盖帽层可以具有许多不同的特性。例如,第一盖帽层可以包括任何合适的材料,例如通常使用且本领域公知的那些,可以包括Alq3。在一些实施例中,第一盖帽层对于具有约等于由第一盖帽层光学耦合的每个OLED所发射的光的波长的波长的光是基本透明的。优选地,盖帽层是透明的以便减小有机器件的发光损耗。在一些实施例中,第一盖帽层的折射率约在1到2.5的范围内。通常,折射率越高,盖帽层所需要的物理厚度越小(因为光学厚度是物理厚度和折射率的乘积)。然而,折射率的增加也可降低盖帽层边界的临界角且可引入其它类型的损耗。因而,优选地,第一盖帽层具有的折射率约在1.5到2的范围内。在一些实施例中,第一盖帽层具有的光学厚度使得多个绿色OLED的效率损耗在约5至10%的范围内。该损耗可以是由于第一盖帽层具有关于蓝色发光OLED最佳化的光学厚度所导致的。类似地,第一盖帽层可以具有使得多个红色OLED 的效率损耗在25至35%(这同样可以是当第一盖帽层对于蓝色OLED最佳化时典型的)的范围内的光学厚度。
此外,在一些实施例中,第二盖帽层可以具有对于多个红色OLED和/或多个绿色OLED最佳化的厚度。当第二盖帽层对于多个绿色OLED最佳化时,其具有的光学厚度可以约在125至160nm的范围内,这是盖帽层对于绿色发光的OLED最佳化的数值范围。应当注意的是在一些实施例中,例如当另一个盖帽层(例如第一盖帽层)被OLED的第二部分共用时,这个范围可以对应于与多个OLED的第二部分光学光学连通的总盖帽层的光学厚度。即,在此实例实施例中,第二盖帽层可以具有的光学厚度小于单独最佳化绿色OLED所需要的厚度,但是当第一和第二盖帽层结合时,总光学厚度可以最佳化发射光。这在图3、5-9中被示例。类似于第一盖帽层,第二盖帽层可以包含任何合适的材料,例如Alq3。第二盖帽层对于具有约等于由第二盖帽层光学耦合的每个OLED所发射的光的波长的波长的光也是基本是透明的。此外,类似于第一盖帽层,在一些实施例中,第二盖帽层具有的折射率在约1到2.5的范围内,且优选在约1.5到2的范围内。其在上面已参考第一盖帽层被描述。
在一些实施例中,多个OLED还包括与第一和第二部分不同的OLED的第三部分,且该方法包括:将第三盖帽层沉积到多个OLED的至少第三部分上以使第三盖帽层光学耦合到多个OLED的至少第三部分的步骤,第三盖帽层可以具有对于任意OLED颜色最佳化的光学厚度。例如,可以对于多个红色OLED和/或多个绿色OLED最佳化光学厚度。这可以是如下实施例中的情形,其中第一或第二盖帽层对于蓝色OLED最佳化。在一些实施例中,当第三盖帽层具有对于红色OLED最佳化的光学厚度时,第三盖帽层具有约在160至200nm范围内的厚度。如上所述,当第一或第二盖帽层被多个OLED的第三部分共用时,第三盖帽层可以具有的光学厚度使得与多个OLED的第三部分光学耦合的总盖帽层的总光学厚度被最佳化。如同第一和第二盖帽层,第三盖帽层可以包括任何合适的材料,例如Alq3。第三盖帽层对于具有约等于由第三盖帽层光学耦合的每个OLED所发射的光的波长的波长的光可以是基本透明的。此外,在一些实施例中,第三盖帽层具有的折射率可以约在1到2.5的范围内,且优选约在 1.5到2的范围内。
如上所述,第一、第二、和第三盖帽层可以分别被设计成同时最佳化多个发射颜色之一。例如,在一些实施例中,第一盖帽层具有对于多个蓝色OLED最佳化的厚度,第二盖帽层具有对于多个绿色OLED最佳化的厚度,且第三盖帽层具有对于多个红光最佳化的厚度。在此实施例中,器件作为整体可以在较高频下运转,因为每个颜色的OLED的发射光都被最佳化了。应当注意,每个盖帽层本身不必须提供用来最佳化OLED的全部光学厚度,但是其可以被设计成与同样与OLED光学耦合的其它盖帽层相结合。在一些实施例中,第一盖帽层具有的光学厚度约在90至130nm的范围内,第二盖帽层具有的光学厚度约在125至160nm的范围内,以及第三盖帽层具有的光学厚度约在160至200nm的范围内。这可以对应于分别用来最佳化蓝、绿、和红色OLED的光学厚度。
装置的实例实施例
除了所述的实例方法外,在此提供了实例装置的说明。同样,如下所述,实施例仅仅是例证的目的,且并不意味着具有限定意义。
提供的第一装置包括多个OLED,每个OLED具有第一电极,设置在第一电极上的第二电极;以及设置在第一和第二电极之间的有机电致发光(EL)材料。在一些实施例中,OLED可以设置在共用衬底上,以使得可以组合发射光(如在显示器中)。第一装置进一步包括设置在多个OLED的至少第一部分的第二电极上的第一盖帽层,以使得第一盖帽层光学耦合至多个OLED的至少第一部分。这样,第一盖帽层可以增加多个OLED的至少第一部分的发光效率,如上所述。第一装置还包括第二盖帽层。第二盖帽层可以设置在多个OLED的至少第二部分的第二电极上,以便第二盖帽层光学耦合到多个OLED的第二部分,而非多个OLED的第一部分。这样,光学耦合到多个OLED的第二部分的总盖帽层的光学厚度(可以包括单独的第二盖帽层或其与另一盖帽层的组合)可以不同于光学耦合到第一多个OLED的厚度。在一些实施例中,这可以提供最佳化这些器件中的不止单一颜色的OLED的能力。
在一些实施例中,上述第一装置中的第二盖帽层不通过FMM或VTE来沉积。即,如上详述,可以采用迄今还没有用来在器件上沉积盖帽层的替代沉积 技术来沉积盖帽层。在一些实施例中,这些技术可以包括LITI和LIPS,由于盖帽层不是电活性的因此可以优选这些技术。在一些实施例中,例如当器件包括显示器或灯组件时,多个OLED包括多个红色OLED、多个蓝色OLED、以及多个绿色OLED。此外,在一些实施例中,第一装置的第二盖帽层不设置在多个红色OLED、绿色OLED、和蓝色OLED中的至少一种上。这样,可以有至少两种OLED光学耦合到与另外的OLED相比具有不同的光学厚度的总盖帽层。因而这允许最佳化至少两种OLED颜色的发光。例如,在一些实施例中,第二盖帽层没有被设置在多个蓝色OLED上。这可以是当第一盖帽层具有对于蓝色OLED最佳化的光学厚度以使得光学耦合到蓝色OLED的其它盖帽层可以不需要获得最佳化时的情形。
在一些实施例中,在上述第一装置中,多个OLED包括多个红色OLED、多个蓝色OLED、以及多个绿色OLED,且其中多个OLED进一步包括与第一和第二部分不同的OLED的第三部分,该装置进一步包括设置在多个OLED的至少第三部分的第二电极上的第三盖帽层,以使得第三盖帽层光学耦合到多个OLED的至少第三部分。如上所述,第三盖帽层的增加可使得更容易实现最佳化三种分离的OLED发射颜色。在一些实施例中,第三盖帽层并不光学耦合到多个OLED的第一或第二部分。如下所述,图4示出了该实施例的一个实例。这可以允许每个盖帽层被设计成最佳化多个OLED的一部分的发光,而不需结合其它盖帽层的光学效应。在一些实施例中,第三盖帽层不通过FMM或VTE来沉积,这提供了如上所述的相同优点。在一些实施例中,第二盖帽层并不光学耦合到多个蓝色OLED或多个绿色OLED且第三盖帽层并不光学耦合到多个红色OLED或多个蓝色OLED。图4示出了这种实施例的一个实例,其将在下面被详细描述。
附图说明
现在将更详细地描述剩余附图。附图表示实例实施例且不意为有限定意义。许多附图在上面作了提及,因而适合于要如标识的提供的说明书。
图3-9中示出的每个实例器件包括发射不同颜色光(例如,分别为红、绿、 和蓝)的多个OLED(310、311、和312),每个具有第一电极321和第二电极322,其中第二电极322是顶部电极。每个OLED设置在第一衬底300上。第一衬底可以例如包括底板和/或TFT衬底。将参照每个图详细描述剩余特征。
图3示出了包括第一盖帽层301、第二盖帽层302、和第三盖帽层303的实例实施例的侧视图。如图所示,第一盖帽层301设置在每个OLED 310、311和312的顶部电极322上,以便光学耦合到每个有机器件。由此,OLED 310、311和312共用第一盖帽层。这可以具有允许第一盖帽层301被沉积用作覆盖层的优点,且因而不需要通过FMM或其它工艺来沉积。如所述的,第一盖帽层可以具有对于OLED 312(例如蓝色OLED)最佳化的光学厚度。还示出了光学耦合到第一盖帽层301和OLED 310的第二盖帽层302;以及光学耦合到第一盖帽层301和OLED 311的第三盖帽层303。在一些实施例中,第一盖帽层301和第二盖帽层302的总盖帽层可以具有最佳化OLED 310的总光学厚度。类似地,在一些实施例中,第一盖帽层301和第三盖帽层303的总盖帽层可以具有最佳化OLED 311的总光学厚度。因而,如图3所示,实例实施例可以包括最佳化一个OLED 312的单一共用盖帽层301,以及最佳化发射不同颜色光的其它OLED的第二302和第三303盖帽层。这样,可最佳化图3中的器件。
图4示出了包括第一盖帽层401、第二盖帽层402、和第三盖帽层403的实例实施例的侧视图。不同于图3的实例器件,多个OLED 310、311和312并不共用第一盖帽层401。的确,并没有盖帽层被显示为光学耦合到任意其它盖帽层,并且没有盖帽层被多个不同颜色OLED共用。在此实施例中,每个盖帽层401、402、和403可以具有分别最佳化每个OLED 310、311和312的光学厚度。
图5示出了包括第一盖帽层501、第二盖帽层502、和第三盖帽层503的实例实施例的侧视图。如所示的,所有的三个OLED共用盖帽层501且OLED 311和312共用盖帽层502。盖帽层503仅仅光学耦合到OLED 312。盖帽层501、502、和503分别被显示为包括相同的光学厚度。然而,基于每个器件上的盖帽层沉积数量的不同,图5中的每个OLED的总盖帽层的总光学厚度是不同的。因而,在这些实施例中,可以应用相同的沉积工艺和材料,但是具有三个不同的盖帽层—分别用于不同颜色的OLED。也可以施加具有相同厚度的不同材料。
图6示出了包括第一盖帽层601和第二盖帽层602的实例实施例的侧视图。如图所示,OLED 310和312共用盖帽层601;且OLED 311和312共用盖帽层602。此实施例示例了当仅仅使用两个盖帽层时器件也可能包括三个不同的总盖帽层。即,OLED 310具有包括盖帽层601的总盖帽层;OLED 311具有包括盖帽层602的总盖帽层;且OLED 312具有包括盖帽层601和602的总盖帽层。这些实施例具有仅仅使用用于沉积盖帽层的两次沉积过程的优点,这可以减小制造时间和成本。
图7示出了包括第一盖帽层701、第二盖帽层702、和第三盖帽层703的实例实施例的侧视图。如图所示,图7几乎与图5相同,其中三个OLED共用盖帽层701,OLED 311和312共用盖帽层702,且盖帽层703仅仅光学耦合到OLED 312。然而,图7示出的实施例中盖帽层具有不同的物理厚度。因此,此实施例可以具有提供增加的适应性以使得更容易最佳化每个OLED的发光的优点。
图8和9描绘的实例实施例中盖帽层沉积在第二衬底830(例如显示器面板)上,然而耦合到第一衬底300。如图8所示,仅仅单个盖帽层802设置在第二衬底830上。盖帽层820被定位成使得当衬底300和830耦合时,其与OLED 310对准。因此,OLED 310将光学耦合到共用盖帽层801和盖帽层802。OLED 311和312都仅仅光学耦合到盖帽层801。如上所述,这可以是如下实施例的情形,其中,盖帽层801对于蓝色OLED被最佳化。通常在此实施例中,红色OLED(例如,图8中的OLED 310)具有最大的效率损耗。因此,提供盖帽层802可以补偿或最佳化OLED 310。应当理解的是一些或全部的盖帽层可以沉积在第二衬底830上,且以任意组合(例如图3-7所述的)来沉积。
图9类似于图8,盖帽层902和903设置在第二衬底803上,然后可以对准并耦合到第一衬底300。如所示,当第一300和第二830衬底耦合时,所有的三种OLED共用盖帽层901,OLED 311和312共用盖帽层902,且盖帽层903仅光学耦合至OLED 312。因此,结果类似于图5和7中盖帽层提供的净效果。
应当意识到可以提供具有相同或不同光学性能的盖帽层的更多组合,以便获得分别光学耦合到多个不同颜色OLED器件的不同的总光学厚度。然而,一 般原理与在此公开的相同,且因而预计在实施例范围内。
模拟结果-功耗计算
本发明人还对包括分别用于不同颜色OLED的不同盖帽层的实例器件进行了模拟。实例器件具有以下特性:显示器尺寸是4-英寸(对角长度),且对于40%的像素开启的白点,对于300cd/m2的总显示亮度计算所有的参数。薄膜晶体管(TFT)具有5.5V的电压,且每个OLED具有4V的电压。发光面板还应用了圆形偏光器,其将总面板透射消弱至44%。对于每种颜色的OLED,1931CIE坐标如下:红色(0.67,0.32);绿色(0.21,0.71);以及蓝色(0.13,0.058)。器件的组合白色发射光具有的CIE坐标为(0.29,0.30)。
下述表1显示出上述实例4-英寸显示器的能量消耗的模拟结果,其中显示器具有(1)分别利用不同盖帽层光学厚度最佳化的红、绿、和蓝色像素,以及(2)盖帽层仅仅对于蓝色像素被最佳化,但是被红、绿和蓝色像素所共用。光学耦合到红色OLED的盖帽层由100nm的Alq3构成且具有170nm的光学厚度。光学耦合到绿色OLED的盖帽层由80nm的Alq3构成且具有138nm的光学厚度。光学耦合到蓝色OLED的盖帽层由70nm的Alq3构成且具有125nm的光学厚度。
表1:实例器件的模拟结果
如表1所示,当光学耦合到每个的盖帽层被最佳化时,此实例实施例对于红色OLED和绿色OLED的发光大大增加(红色OLED约增加了43.75%的亮度,绿色OLED约增加了11.54%的亮度)。如预期的,在两个模拟中,蓝色OLED的发光保持相同,因为光学耦合到这些器件的盖帽层具有相同的光学厚 度。由于最佳化了每个盖帽层,因此与仅仅具有单一最佳化的盖帽层的器件相比,显示器的功耗降低了0.043W(约14.33%)。因此,模拟确认了包含对于每种OLED颜色最佳化的盖帽层的器件具有更高的发光水平且因而更低的功耗。所减小的功耗和因此产生的增加的效率还可以导致延长了器件的寿命。例如,利用为2的典型的红色磷光OLED加速因子,对于相同的初始亮度,情形1(即当红色OLED被最佳化时)中的红色像素的寿命可以预期为情形2(即未最佳化)中的2.1倍。
应当明白的是在此描述的各种实施例仅仅是实例的方式,且并不意味着限定本发明的范围。例如,在此描述的许多材料和结构在不超出本发明的精神的情况下可以采用其它材料和结构替代。对本领域的技术人员来说很明显地,由权利要求限定的本发明因而包括在此描述的具体实例和优选实施例的变形。应当明白关于本发明如何工作的各种理论并不意为具有限定意义。
Claims (10)
1.一种方法,包括:
在第一衬底上提供多个有机发光器件(OLED),其中每个OLED包括透光的顶部电极,且其中所述多个OLED包括第一部分的OLED和与所述第一部分不同的第二部分的OLED;
将第一盖帽层沉积在所述多个OLED中的至少所述第一部分上,以使得所述第一盖帽层光学耦合到所述多个OLED中的至少所述第一部分;以及
将第二盖帽层沉积在所述多个OLED中的至少所述第二部分上,以使得所述第二盖帽层光学耦合到所述多个OLED中的所述第二部分,而不光学耦合到所述多个OLED中的所述第一部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二盖帽层不通过精细金属掩模(FMM)来沉积。
3.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:将所述第一盖帽层沉积在所述多个OLED中的至少所述第二部分上,以使得所述第一盖帽层光学耦合到所述多个OLED中的所述第二部分。
4.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一盖帽层不沉积在所述多个OLED中的所述第二部分上,以使得所述第一盖帽层不光学耦合到所述多个OLED中的所述第二部分。
5.根据权利要求2所述的方法,
其中所述第一盖帽层在所述多个OLED中的所述第一部分上具有恒定的第一总光程;
其中所述第二盖帽层在所述多个OLED中的所述第二部分上具有恒定的第二总光程;以及
其中所述第一总光程和所述第二总光程不同。
6.根据权利要求2所述的方法,其中沉积所述第二盖帽层包括如下至少一个:激光诱导热成像(LITI)或激光诱导像素图形升华(LIPS)。
7.根据权利要求2所述的方法,其中沉积所述第二盖帽层包括:将所述第二盖帽层沉积到第二衬底的多个部分上,且在所述多个OLED的至少所述第二部分上对准所述第二盖帽层。
8.根据权利要求2所述的方法,其中所述多个OLED包括多个红色OLED、多个绿色OLED、和多个蓝色OLED。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述多个OLED进一步包括与所述第一部分和第二部分不同的第三部分的OLED,且其中所述方法进一步包括:将第三盖帽层沉积到所述多个OLED中的至少所述第三部分上的步骤,以使得所述第三盖帽层光学耦合到所述多个OLED中的至少所述第三部分。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述第三盖帽层并不光学耦合到所述多个OLED中的所述第一部分和所述第二部分。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/163,132 US8884316B2 (en) | 2011-06-17 | 2011-06-17 | Non-common capping layer on an organic device |
US13/163,132 | 2011-06-17 | ||
CN201210286949.3A CN103000824B (zh) | 2011-06-17 | 2012-06-15 | 有机器件上的非共用盖帽层 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210286949.3A Division CN103000824B (zh) | 2011-06-17 | 2012-06-15 | 有机器件上的非共用盖帽层 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105957981A true CN105957981A (zh) | 2016-09-21 |
CN105957981B CN105957981B (zh) | 2018-06-05 |
Family
ID=46651338
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610467166.3A Active CN105957981B (zh) | 2011-06-17 | 2012-06-15 | 有机器件上的非共用盖帽层 |
CN201210286949.3A Active CN103000824B (zh) | 2011-06-17 | 2012-06-15 | 有机器件上的非共用盖帽层 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210286949.3A Active CN103000824B (zh) | 2011-06-17 | 2012-06-15 | 有机器件上的非共用盖帽层 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8884316B2 (zh) |
EP (2) | EP2535960B1 (zh) |
JP (2) | JP6022225B2 (zh) |
KR (4) | KR101942571B1 (zh) |
CN (2) | CN105957981B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109686864A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光装置、显示装置 |
CN110277509A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-09-24 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8940568B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-01-27 | Universal Display Corporation | Patterning method for OLEDs |
US9412947B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-08-09 | Universal Display Corporation | OLED fabrication using laser transfer |
KR102131965B1 (ko) * | 2013-11-19 | 2020-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102125881B1 (ko) * | 2014-04-29 | 2020-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR20150125889A (ko) | 2014-04-30 | 2015-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
EP3146759B1 (en) * | 2014-05-19 | 2021-04-07 | Nokia Solutions and Networks Oy | Re-establishment procedure in dual connectivity networks |
KR102304718B1 (ko) * | 2014-07-10 | 2021-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102355605B1 (ko) * | 2014-11-20 | 2022-01-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102424966B1 (ko) * | 2015-02-13 | 2022-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN105098094B (zh) * | 2015-07-20 | 2017-11-17 | 上海和辉光电有限公司 | 显示面板及其oled元件 |
KR102500272B1 (ko) | 2015-09-16 | 2023-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
KR102492730B1 (ko) * | 2015-10-02 | 2023-01-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN107017347A (zh) * | 2016-05-06 | 2017-08-04 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN106601932B (zh) * | 2016-12-30 | 2020-10-23 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示器件和装置 |
CN106783935B (zh) * | 2017-01-16 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件的封装结构及封装方法、显示装置 |
CN106981502A (zh) * | 2017-04-27 | 2017-07-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
KR20190060908A (ko) * | 2017-11-24 | 2019-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 |
US10892297B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US10892296B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
US11282981B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-03-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Passivation covered light emitting unit stack |
CN107808934A (zh) | 2017-11-30 | 2018-03-16 | 武汉天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
US10748881B2 (en) | 2017-12-05 | 2020-08-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US10886327B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-01-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11114499B2 (en) | 2018-01-02 | 2021-09-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
US10784240B2 (en) | 2018-01-03 | 2020-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
KR102597673B1 (ko) | 2018-05-16 | 2023-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200099651A (ko) | 2019-02-14 | 2020-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함한 발광 장치 |
CN110444680A (zh) * | 2019-07-18 | 2019-11-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置 |
CN110649076B (zh) * | 2019-09-29 | 2022-04-05 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
CN111129359A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种掩膜板组、oled面板及其制备方法 |
US11737298B2 (en) | 2019-12-24 | 2023-08-22 | Oti Lumionics Inc. | Light emitting device including capping layers on respective emissive regions |
CN111668282A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-09-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
CN112490265B (zh) * | 2020-11-27 | 2022-08-02 | 电子科技大学 | 一种上转换低开启电压红外探测-发光器件及其制备方法 |
CN112838177A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN113178467B (zh) * | 2021-04-14 | 2022-07-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113193150B (zh) * | 2021-04-28 | 2023-06-16 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 顶发光显示面板及显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1242135A (zh) * | 1996-12-23 | 2000-01-19 | 普林斯顿大学理事会 | 具有反光结构的发光装置 |
US20060208631A1 (en) * | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Sun-Hwa Kim | Organic light emitting display device and method of fabricating the same |
CN101133504A (zh) * | 2005-03-24 | 2008-02-27 | 京瓷株式会社 | 发光元件、具备该发光元件的发光装置及其制造方法 |
CN101606436A (zh) * | 2007-02-05 | 2009-12-16 | Lg化学株式会社 | 具有提高的发光效率的有机发光器件及其制备方法 |
CN102044555A (zh) * | 2009-10-09 | 2011-05-04 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器 |
Family Cites Families (140)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
US5061569A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-29 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic electroluminescent medium |
DE69412567T2 (de) | 1993-11-01 | 1999-02-04 | Hodogaya Chemical Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Aminverbindung und sie enthaltende Elektrolumineszenzvorrichtung |
US5707745A (en) | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
US5703436A (en) | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
US6939625B2 (en) | 1996-06-25 | 2005-09-06 | Nôrthwestern University | Organic light-emitting diodes and methods for assembly and enhanced charge injection |
US5998085A (en) | 1996-07-23 | 1999-12-07 | 3M Innovative Properties | Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles |
US5844363A (en) | 1997-01-23 | 1998-12-01 | The Trustees Of Princeton Univ. | Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices |
US5834893A (en) | 1996-12-23 | 1998-11-10 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency organic light emitting devices with light directing structures |
US6013982A (en) | 1996-12-23 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor display devices |
US6091195A (en) | 1997-02-03 | 2000-07-18 | The Trustees Of Princeton University | Displays having mesa pixel configuration |
US6303238B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-10-16 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs doped with phosphorescent compounds |
US6337102B1 (en) | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
US6087196A (en) | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
US6528187B1 (en) | 1998-09-08 | 2003-03-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Material for luminescence element and luminescence element using the same |
US6097147A (en) | 1998-09-14 | 2000-08-01 | The Trustees Of Princeton University | Structure for high efficiency electroluminescent device |
US6830828B2 (en) | 1998-09-14 | 2004-12-14 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs |
JP4136185B2 (ja) * | 1999-05-12 | 2008-08-20 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法 |
US6294398B1 (en) | 1999-11-23 | 2001-09-25 | The Trustees Of Princeton University | Method for patterning devices |
US6458475B1 (en) | 1999-11-24 | 2002-10-01 | The Trustee Of Princeton University | Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter |
KR100377321B1 (ko) | 1999-12-31 | 2003-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자 |
US20020121638A1 (en) | 2000-06-30 | 2002-09-05 | Vladimir Grushin | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
JP2002050860A (ja) | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Toray Eng Co Ltd | 実装方法および実装装置 |
WO2002015645A1 (en) | 2000-08-11 | 2002-02-21 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence |
US6579630B2 (en) | 2000-12-07 | 2003-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Deuterated semiconducting organic compounds used for opto-electronic devices |
JP3812730B2 (ja) | 2001-02-01 | 2006-08-23 | 富士写真フイルム株式会社 | 遷移金属錯体及び発光素子 |
JP4307000B2 (ja) | 2001-03-08 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置 |
US6895667B2 (en) | 2001-04-13 | 2005-05-24 | The Trustees Of Princeton University | Transfer of patterned metal by cold-welding |
JP4310077B2 (ja) | 2001-06-19 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物及び有機発光素子 |
ATE431970T1 (de) | 2001-06-20 | 2009-06-15 | Showa Denko Kk | Licht emittierendes material und organische leuchtdiode |
US7071615B2 (en) | 2001-08-20 | 2006-07-04 | Universal Display Corporation | Transparent electrodes |
US7250226B2 (en) | 2001-08-31 | 2007-07-31 | Nippon Hoso Kyokai | Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device |
US7431968B1 (en) | 2001-09-04 | 2008-10-07 | The Trustees Of Princeton University | Process and apparatus for organic vapor jet deposition |
US6835469B2 (en) | 2001-10-17 | 2004-12-28 | The University Of Southern California | Phosphorescent compounds and devices comprising the same |
US7166368B2 (en) | 2001-11-07 | 2007-01-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds |
US6863997B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-03-08 | The Trustees Of Princeton University | White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission |
KR100691543B1 (ko) | 2002-01-18 | 2007-03-09 | 주식회사 엘지화학 | 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
US6878975B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Polarization field enhanced tunnel structures |
US20030230980A1 (en) | 2002-06-18 | 2003-12-18 | Forrest Stephen R | Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure |
US7189989B2 (en) | 2002-08-22 | 2007-03-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light emitting element |
CN100439469C (zh) | 2002-08-27 | 2008-12-03 | 富士胶片株式会社 | 有机金属配位化合物、有机el元件及有机el显示器 |
AU2003260885A1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-04-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent display with improved light outcoupling |
US6687266B1 (en) | 2002-11-08 | 2004-02-03 | Universal Display Corporation | Organic light emitting materials and devices |
US7964439B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-06-21 | The Trustees Of Princeton University | Methods of fabricating devices by transfer of organic material |
JP4365196B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-18 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP4365199B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-18 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
CN100387607C (zh) | 2003-03-24 | 2008-05-14 | 南加利福尼亚大学 | Ir的苯基-吡唑配合物 |
US7090928B2 (en) | 2003-04-01 | 2006-08-15 | The University Of Southern California | Binuclear compounds |
EP1717291A3 (de) | 2003-04-15 | 2007-03-21 | Merck Patent GmbH | Mischungen von organischen, zur Emission befähigten Halbleitern und Maxtrixmaterialien, deren Verwendung und diese Mischungen enthaltende Elektronikbauteile |
US7029765B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-04-18 | Universal Display Corporation | Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage |
US20060186791A1 (en) | 2003-05-29 | 2006-08-24 | Osamu Yoshitake | Organic electroluminescent element |
JP2005011610A (ja) | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US20050025993A1 (en) | 2003-07-25 | 2005-02-03 | Thompson Mark E. | Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices |
TWI390006B (zh) | 2003-08-07 | 2013-03-21 | Nippon Steel Chemical Co | Organic EL materials with aluminum clamps |
DE10338550A1 (de) | 2003-08-19 | 2005-03-31 | Basf Ag | Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs) |
US20060269780A1 (en) | 2003-09-25 | 2006-11-30 | Takayuki Fukumatsu | Organic electroluminescent device |
JP4822687B2 (ja) | 2003-11-21 | 2011-11-24 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
US7332232B2 (en) | 2004-02-03 | 2008-02-19 | Universal Display Corporation | OLEDs utilizing multidentate ligand systems |
KR100834327B1 (ko) | 2004-03-11 | 2008-06-02 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 전하 수송막용 조성물 및 이온 화합물, 이를 이용한 전하수송막 및 유기 전계 발광 장치, 및 유기 전계 발광 장치의제조 방법 및 전하 수송막의 제조 방법 |
TW200531592A (en) | 2004-03-15 | 2005-09-16 | Nippon Steel Chemical Co | Organic electroluminescent device |
JP4869565B2 (ja) | 2004-04-23 | 2012-02-08 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
US7279704B2 (en) | 2004-05-18 | 2007-10-09 | The University Of Southern California | Complexes with tridentate ligands |
US7491823B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-02-17 | The University Of Southern California | Luminescent compounds with carbene ligands |
US7393599B2 (en) | 2004-05-18 | 2008-07-01 | The University Of Southern California | Luminescent compounds with carbene ligands |
US7445855B2 (en) | 2004-05-18 | 2008-11-04 | The University Of Southern California | Cationic metal-carbene complexes |
US7154114B2 (en) | 2004-05-18 | 2006-12-26 | Universal Display Corporation | Cyclometallated iridium carbene complexes for use as hosts |
US7534505B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-05-19 | The University Of Southern California | Organometallic compounds for use in electroluminescent devices |
WO2005123873A1 (ja) | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP5000496B2 (ja) | 2004-06-28 | 2012-08-15 | チバ ホールディング インコーポレーテッド | トリアゾールとベンゾトリアゾールのエレクトロルミネセンス金属錯体 |
US20060008670A1 (en) | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Chun Lin | Organic light emitting materials and devices |
CN1725521B (zh) * | 2004-07-16 | 2010-10-27 | 国际商业机器公司 | 光电子器件及其制造方法 |
US7504657B2 (en) | 2004-07-23 | 2009-03-17 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display and illuminator |
KR100623696B1 (ko) | 2004-08-30 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고효율 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법 |
DE102004057072A1 (de) | 2004-11-25 | 2006-06-01 | Basf Ag | Verwendung von Übergangsmetall-Carbenkomplexen in organischen Licht-emittierenden Dioden (OLEDs) |
US8569948B2 (en) * | 2004-12-28 | 2013-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer |
US8121679B2 (en) | 2004-12-29 | 2012-02-21 | Fruitman Clinton O | Transcutaneous electrical nerve stimulator with hot or cold thermal application |
JP2008526766A (ja) | 2004-12-30 | 2008-07-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機金属錯体 |
US8377571B2 (en) | 2005-02-04 | 2013-02-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Material for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, display device and lighting device |
KR100803125B1 (ko) | 2005-03-08 | 2008-02-14 | 엘지전자 주식회사 | 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자 |
WO2006098120A1 (ja) | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
DE102005014284A1 (de) | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Basf Ag | Verwendung von Verbindungen, welche aromatische oder heteroaromatische über Carbonyl-Gruppen enthaltende Gruppen verbundene Ringe enthalten, als Matrixmaterialien in organischen Leuchtdioden |
JP4927423B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2012-05-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 発光装置及びその製造方法 |
JP5258166B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2013-08-07 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法 |
JPWO2006103874A1 (ja) | 2005-03-29 | 2008-09-04 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
US7401369B2 (en) | 2005-04-14 | 2008-07-22 | Nike, Inc. | Fluid-filled bladder for footwear and other applications |
GB2439030B (en) | 2005-04-18 | 2011-03-02 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescent device, display and illuminating device |
JP4645822B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-03-09 | ソニー株式会社 | 画像表示装置および物体の検出方法 |
US7807275B2 (en) | 2005-04-21 | 2010-10-05 | Universal Display Corporation | Non-blocked phosphorescent OLEDs |
US9051344B2 (en) | 2005-05-06 | 2015-06-09 | Universal Display Corporation | Stability OLED materials and devices |
JP4533796B2 (ja) | 2005-05-06 | 2010-09-01 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
EP1888708B1 (en) | 2005-05-31 | 2012-11-21 | Universal Display Corporation | Triphenylene hosts in phosphorescent light emitting diodes |
US8709614B2 (en) | 2005-06-07 | 2014-04-29 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. | Organic metal complex and its use in organic electroluminescent device |
WO2007002683A2 (en) | 2005-06-27 | 2007-01-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electrically conductive polymer compositions |
WO2007004380A1 (ja) | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
WO2007028417A1 (en) | 2005-09-07 | 2007-03-15 | Technische Universität Braunschweig | Triplett emitter having condensed five-membered rings |
JP4887731B2 (ja) | 2005-10-26 | 2012-02-29 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JPWO2007063796A1 (ja) | 2005-12-01 | 2009-05-07 | 新日鐵化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
US7993760B2 (en) | 2005-12-01 | 2011-08-09 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Compound for use in organic electroluminescent device and organic electroluminescent device |
US8142909B2 (en) | 2006-02-10 | 2012-03-27 | Universal Display Corporation | Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials |
KR20160030582A (ko) | 2006-02-10 | 2016-03-18 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 시클로금속화 이미다조[1,2-f]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-a:1'',2''-c]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체 |
JP4823730B2 (ja) | 2006-03-20 | 2011-11-24 | 新日鐵化学株式会社 | 発光層化合物及び有機電界発光素子 |
EP2011790B1 (en) | 2006-04-26 | 2016-06-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative, and organic electroluminescence element using the same |
WO2007132678A1 (ja) | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN101461074B (zh) | 2006-06-02 | 2011-06-15 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件用材料及使用了它的有机电致发光元件 |
KR20090040896A (ko) | 2006-08-23 | 2009-04-27 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 이들을 이용한 유기 전기발광 소자 |
JP2008059791A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Canon Inc | 有機el素子アレイ |
JP5178088B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | 有機発光装置 |
JP5589251B2 (ja) | 2006-09-21 | 2014-09-17 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料 |
EP2080762B1 (en) | 2006-11-09 | 2016-09-14 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. | Compound for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device |
KR101347519B1 (ko) | 2006-11-24 | 2014-01-03 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 |
US8119255B2 (en) | 2006-12-08 | 2012-02-21 | Universal Display Corporation | Cross-linkable iridium complexes and organic light-emitting devices using the same |
WO2008101842A1 (en) | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Basf Se | Electroluminescent metal complexes with benzotriazoles |
JP2008225179A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法、および電子機器 |
CN101687893B (zh) | 2007-04-26 | 2014-01-22 | 巴斯夫欧洲公司 | 含有吩噻嗪s-氧化物或吩噻嗪s,s-二氧化物基团的硅烷及其在oled中的用途 |
EP2170911B1 (en) | 2007-06-22 | 2018-11-28 | UDC Ireland Limited | Light emitting cu(i) complexes |
WO2009003898A1 (de) | 2007-07-05 | 2009-01-08 | Basf Se | Organische leuchtdioden enthaltend carben-übergangsmetall-komplex-emitter und mindestens eine verbindung ausgewählt aus disilylcarbazolen; disilyldibenzofuranen, disilyldibenzothiophenen, disilyldibenzophospholen, disilyldibenzothiophen-s-oxiden und disilyldibenzothiophen-s,s-dioxiden |
US8779655B2 (en) | 2007-07-07 | 2014-07-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
WO2009008205A1 (ja) | 2007-07-07 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子用材料 |
JP5473600B2 (ja) | 2007-07-07 | 2014-04-16 | 出光興産株式会社 | クリセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US20090045731A1 (en) | 2007-07-07 | 2009-02-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
US8021574B2 (en) | 2007-07-07 | 2011-09-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Naphthalene derivative, material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device using the same |
US8114530B2 (en) | 2007-07-10 | 2012-02-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device utilizing the same |
US8080658B2 (en) | 2007-07-10 | 2011-12-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing the same |
EP2173811A1 (en) | 2007-07-27 | 2010-04-14 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing inorganic nanoparticles |
KR20160086983A (ko) | 2007-08-08 | 2016-07-20 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 트리페닐렌기를 포함하는 벤조 융합 티오펜 또는 벤조 융합 푸란 화합물 |
JP2009040728A (ja) | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Canon Inc | 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子 |
KR101642030B1 (ko) | 2007-10-17 | 2016-07-25 | 바스프 에스이 | 가교된 카르벤 리간드를 포함하는 전이 금속 착물 및 이의 용도 |
US20090101870A1 (en) | 2007-10-22 | 2009-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electron transport bi-layers and devices made with such bi-layers |
US7914908B2 (en) | 2007-11-02 | 2011-03-29 | Global Oled Technology Llc | Organic electroluminescent device having an azatriphenylene derivative |
DE102007053771A1 (de) | 2007-11-12 | 2009-05-14 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
EP2216313B1 (en) | 2007-11-15 | 2013-02-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Benzochrysene derivative and organic electroluminescent device using the same |
JP5270571B2 (ja) | 2007-11-22 | 2013-08-21 | 出光興産株式会社 | 有機el素子 |
EP2221897A4 (en) | 2007-11-22 | 2012-08-08 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC EL ELEMENT AND ORGANIC EL-MATERIAL SOLUTION |
WO2009073245A1 (en) | 2007-12-06 | 2009-06-11 | Universal Display Corporation | Light-emitting organometallic complexes |
JP2009164117A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-23 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
WO2009085344A2 (en) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Universal Display Corporation | Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes |
US8221905B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-07-17 | Universal Display Corporation | Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes |
US8471248B2 (en) | 2008-02-12 | 2013-06-25 | Basf Se | Electroluminiscent metal complexes with dibenzo[f,h] quinoxalines |
KR101193186B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
-
2011
- 2011-06-17 US US13/163,132 patent/US8884316B2/en active Active
-
2012
- 2012-06-15 EP EP12172237.5A patent/EP2535960B1/en active Active
- 2012-06-15 EP EP20155883.0A patent/EP3671882A1/en active Pending
- 2012-06-15 CN CN201610467166.3A patent/CN105957981B/zh active Active
- 2012-06-15 CN CN201210286949.3A patent/CN103000824B/zh active Active
- 2012-06-18 JP JP2012136669A patent/JP6022225B2/ja active Active
- 2012-06-18 KR KR1020120065127A patent/KR101942571B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-10-06 US US14/507,104 patent/US10340313B2/en active Active
-
2016
- 2016-10-04 JP JP2016196228A patent/JP6479738B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-21 KR KR1020190007768A patent/KR102113946B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-23 US US16/420,638 patent/US11751455B2/en active Active
-
2020
- 2020-01-23 KR KR1020200009061A patent/KR20200012007A/ko active Application Filing
-
2021
- 2021-01-26 KR KR1020210011059A patent/KR20210013637A/ko not_active Application Discontinuation
-
2023
- 2023-08-04 US US18/365,273 patent/US20230380237A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1242135A (zh) * | 1996-12-23 | 2000-01-19 | 普林斯顿大学理事会 | 具有反光结构的发光装置 |
US20060208631A1 (en) * | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Sun-Hwa Kim | Organic light emitting display device and method of fabricating the same |
CN101133504A (zh) * | 2005-03-24 | 2008-02-27 | 京瓷株式会社 | 发光元件、具备该发光元件的发光装置及其制造方法 |
CN101606436A (zh) * | 2007-02-05 | 2009-12-16 | Lg化学株式会社 | 具有提高的发光效率的有机发光器件及其制备方法 |
CN102044555A (zh) * | 2009-10-09 | 2011-05-04 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109686864A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光装置、显示装置 |
WO2020151086A1 (zh) * | 2019-01-23 | 2020-07-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光装置、显示装置 |
CN110277509A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-09-24 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8884316B2 (en) | 2014-11-11 |
EP2535960A1 (en) | 2012-12-19 |
JP2013008669A (ja) | 2013-01-10 |
JP6479738B2 (ja) | 2019-03-06 |
US20190326363A1 (en) | 2019-10-24 |
CN103000824A (zh) | 2013-03-27 |
CN105957981B (zh) | 2018-06-05 |
US20150021582A1 (en) | 2015-01-22 |
KR101942571B1 (ko) | 2019-01-25 |
KR102113946B1 (ko) | 2020-05-22 |
EP2535960B1 (en) | 2020-03-25 |
US20120319145A1 (en) | 2012-12-20 |
CN103000824B (zh) | 2016-08-03 |
JP6022225B2 (ja) | 2016-11-09 |
KR20210013637A (ko) | 2021-02-04 |
KR20190010698A (ko) | 2019-01-30 |
EP3671882A1 (en) | 2020-06-24 |
KR20200012007A (ko) | 2020-02-04 |
KR20120139610A (ko) | 2012-12-27 |
US10340313B2 (en) | 2019-07-02 |
US20230380237A1 (en) | 2023-11-23 |
US11751455B2 (en) | 2023-09-05 |
JP2017004980A (ja) | 2017-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103000824B (zh) | 有机器件上的非共用盖帽层 | |
KR101963089B1 (ko) | 전력 효율적인 rgbw oled 디스플레이 | |
US8957579B2 (en) | Low image sticking OLED display | |
US10283577B2 (en) | One-way transparent display | |
CN106549034A (zh) | 混合型显示器 | |
KR102091883B1 (ko) | 플렉서블 디스플레이 봉지에 대한 시스템 및 방법 | |
US20150144928A1 (en) | BURIED GRID FOR OUTCOUPLING WAVEGUIDED LIGHT IN OLEDs | |
CN107665953B (zh) | 极高分辨率堆叠oled显示器和其制造方法 | |
CN107464826A (zh) | 全色像素布置、包含其的装置和其制造方法 | |
US11991892B2 (en) | Organic electroluminescent devices containing a near-infrared down-conversion layer | |
CN106257683A (zh) | 近距离照明系统和其制造方法 | |
US20220278185A1 (en) | Oled microdisplay system | |
JP2011054488A (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
CN116546856A (zh) | 有机电致发光装置 | |
KR20220047533A (ko) | 단순화된 고성능 amoled |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |