CN105934812A - 生成用于确定针对前侧图案化的调节的背侧衬底纹理图的系统和方法 - Google Patents

生成用于确定针对前侧图案化的调节的背侧衬底纹理图的系统和方法 Download PDF

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Abstract

本文所公开的技术提供了用于针对衬底的背侧生成纹理图的系统和方法。所述纹理图可以用于确定针对衬底的前侧的后续工艺的工艺调节(例如，焦点深度)。

Description

生成用于确定针对前侧图案化的调节的背侧衬底纹理图的系统和方 法
背景技术
缩小器件尺寸对缺陷检测计量有积极的需求。随着器件密度和临界尺寸(CD)均匀性要求变得更加严格，当输入晶片的质量没有受到损害时可以利用光刻的最大潜能。晶圆制造中的几乎所有工艺可能导致背侧污染。在更小的器件特征中，由于小的焦点深度(DOF)和紧密的CD，光刻焦点光斑问题加剧。因此，可能期望用于说明焦点光斑问题的技术。
发明内容
通常，背侧衬底表面粗糙度和不规则度可以被绘制以满足焦点阈值和曝光挑战。表面粗糙度也可以包括背侧缺陷(粒子或划痕)，所述背侧缺陷可能产生晶片的局部变形，从而引起导致光刻焦点光斑的DOF问题。背侧表面不规则度可以被限定和绘制，以最小化由于焦点深度、光散射、覆盖等导致的缺陷。例如，表面粗糙度传感器能够量化衬底上的局部区域的表面粗糙度。与用于确定衬底上的局部区域的位置的位置部件结合，纹理绘制部件可以生成纹理图，该纹理图突出在随后对衬底的前侧的图案化期间衬底的哪个部分可能引起DOF问题。调节部件可以使用纹理图数据来确定随后的图案化工艺调节，所述随后的图案化工艺调节可以消除或最小化DOF问题。
在一个实施方式中，表面粗糙度传感器可以包括声学触笔，所述声学触笔用于检测背侧衬底特征或不规则度的幅度和频率。声学触笔可以生成被记录并且与衬底和触笔的位置关联的音频信号。音频信号的幅度和频率可以用于确定表面粗糙度或不规则度的大小和范围。在声学触笔跨衬底移动时声学触笔可以与旋转衬底接触。声学触笔可以包括接触元件，该接触元件在不对衬底造成实质性损害的情况下与衬底接触。接触元件可以耦接至压电部件，当给接触元件施加力时该压电部件可以生成电信号。电信号可以表示背侧表面形貌，使得可以确定背侧表面粗糙度的幅度和/或频率。在其它实施方式中，接触元件可以磁耦接到一个或更多个磁体，当力被施加到接触元件时所述一个或更多个磁体生成电签名。
在纹理绘制系统的另一实施方式中，衬底的背侧可以被固定到可以旋转衬底的旋转卡盘，而两个或更多个表面粗糙度传感器(例如，声学触笔)可以跨衬底的背侧表面移动。该系统可以检测背侧表面特征的物理特性，并确定这些特征的位置。表面粗糙度数据可以用于调节前侧工艺条件，以提高前侧工艺性能。在一个具体的示例中，前侧表面的平面度或平整度可能会受背侧表面粗糙度影响。当衬底的背侧被放置在工艺卡盘上时，背侧表面粗糙度可能导致前侧表面平面度的局部或区域的变化，这可能导致跨前侧的工艺非均匀性。背侧表面的较高程度的表面粗糙度或非均匀性可能造成衬底弯曲或变形。
在一个实施方式中，纹理绘制系统检测可以用于量化表面粗糙度的背侧特征的幅度和/或频率。该系统可以使用衬底卡盘来固定和旋转(例如，<60rpm)衬底，使得表面粗糙度传感器可以跨衬底的背侧移动，并检测背侧的表面粗糙度特征。表面粗糙度传感器可以将表面粗糙度信息或信号提供给纹理绘制部件，该纹理绘制部件可以使用表面粗糙度信息和在数据采集期间表面粗糙度传感器相对于衬底的已知位置来生成纹理图。表面粗糙度传感器可以接触或不接触衬底的表面以采集表面粗糙度信息。
在一个实施方式中，表面粗糙度传感器可以包括接触元件，该接触元件能够与衬底的背侧表面接触。接触元件可以包括但不限于与衬底的背侧接触的机械触笔。在衬底旋转期间和/或当移动臂跨衬底来移动轮廓传感器时，接触元件可以保持与衬底接触。衬底旋转和表面粗糙度传感器移动可以使纹理绘制系统跨衬底来采集表面粗糙度数据。接触元件可以连接至可以生成电信号的信号变换器或检测部件，所述电信号表示衬底的背侧特征的幅度和/或频率。在一个具体实施方式中，检测部件可以包括压电材料，所述压电材料可以生成与被施加到接触元件的压力或力的量关联的电信号。编码在电信号内的信息可以提供对衬底的背侧特征的幅度/频率或形貌的指示。
在另一实施方式中，表面粗糙度传感器可以包括可以与同一衬底的背侧接触的两个或更多个接触元件。附加的传感器可以增大所采集的数据的量，并提供表面粗糙度的更高分辨率的纹理图以及/或者减小采集数据所需的时间量。在这种情况下，纹理绘制部件可以采集和分析来自多个表面粗糙度传感器的数据，其中，所述多个表面粗糙度传感器同时在跨衬底的不同位置处采集数据。
在一个实施方式中，纹理图可以包括被分配给衬底上的坐标位置的表面粗糙度值，所述表面粗糙度值可以针对衬底的前侧的图案化处理进行偏移调节。例如，前侧形貌的变化可以导致背侧表面粗糙度，以及纹理图可以用于补偿这些形貌变化。偏移调节可以包括但不限于焦点深度调节、覆盖调节或其组合。这样，随后的图案化工艺可以被调节以考虑与背侧表面粗糙度相关的跨衬底的形貌差异。
附图说明
通过参照下面结合附图进行的描述，本文所述的技术的优点连同进一步的优点可以被更好地理解。在附图中，相似的附图标记通常指代贯穿不同视角的同一部件。附图不一定按比例绘制，而是通常将重点放在说明技术的原理。
图1示出了纹理绘制系统的示意图以及用于纹理绘制系统的代表性实施方式。
图2示出了与衬底的背侧交互的轮廓传感器的代表性实施方式。
图3A示出了在极坐标系统中的传感器测量点和路径的示意图。
图3B示出了从极坐标转换为笛卡尔坐标的传感器测量点和径向路径的示意图。
图3C示出了从极坐标转换为笛卡尔坐标的传感器测量点和径向路径的示意图。
图4示出一个纹理图的实施方式，其中，突出衬底上的表面粗糙度值的幅度和位置。
图5示出了使用纹理绘制系统的方法的流程图。
具体实施方式
虽然将参照附图中所示的实施方式来描述本发明，但是应当理解，本发明可以以实施方式的许多替选形式来实施。此外，可以使用任何合适的尺寸、形状或类型的元件或材料。
图1示出了纹理绘制系统100以及工艺室104内的纹理绘制系统100的一部分的代表性实施方式102的示意图。纹理绘制系统100可以用于检测和绘制衬底106的背侧的表面粗糙度、形貌或平面度。在一个实施方式中，衬底106可以是可以用于通过在衬底106的前侧108表面上施加和图案化薄膜来制造电子器件(例如，存储器、处理器、显示器)的工件。衬底106可以包括但不限于硅晶片，该硅晶片可以具有前侧108表面以及与前侧108表面相反的背侧110表面，并且各表面也可以彼此平行。
通常，电子器件被制造在衬底106的前侧108上。衬底106的背侧110可以用于在膜沉积和图案化期间支承或固定衬底106。随着电子器件尺寸不断缩小，背侧形貌或表面粗糙度对前侧108的图案化的影响增加。图像在前侧108上的图案化可能由于表面的非均匀性而失真，该非均匀性由背侧110的跨衬底106的和/或衬底106的局部区域处的表面粗糙度造成。然而，在图案化处理期间，非均匀性可以被补偿。但是，补偿的程度可以取决于知道非均匀性的位置和幅度。纹理绘制系统100可以生成可以用于补偿由衬底106的背侧110引起的非均匀性的纹理图或表。纹理绘制可以以非破坏性的方式来完成，并且对前侧108的影响最小，如果存在任何影响的话。纹理绘制系统100可以被并入工艺室104中或者作为单个设备内的独立腔室。在另一实施方式(未示出)中，纹理绘制系统100可以是生成纹理图并且不提供后续的用于衬底106的前侧108工艺的独立工具。
纹理绘制系统100可以包括硬件、固件、软件或其组合，以采集和分析数据，控制衬底106和移动臂118以生成纹理图(未示出)，并且确定前侧108的位置，该位置可以被选择以用于前侧108工艺的调节。提供图1的实施方式以用于说明的目的，而不旨在限制权利要求的范围。本领域普通技术人员可以使用硬件、固件或软件的任意组合来实现本文中描述的技术。
在图1的实施方式中，衬底106可以通过本领域中已知的静电技术或气动技术放置在衬底卡盘112上并且被固定至衬底卡盘112。衬底卡盘112可以以最高不超过100rpm的速度绕中心轴114旋转。然而，在其他实施方式中，旋转速度可以在5rpm至60rpm之间。一个或更多个轮廓传感器116(例如，表面粗糙度传感器)可以使用移动臂118跨背侧110移动，移动臂118可以如箭头所指示的那样横向移动，或者绕平衡部件120枢转，使得轮廓传感器116可以保持与衬底106接触。在一个实施方式中，当衬底106正在旋转以采集背侧100特征的幅度和频率数据时，移动臂118可以被横向移动。然而，移动臂118还可以以绕平衡部件120旋转以扫过正在旋转的或未旋转的衬底106。在一个具体的实施方式中，当移动臂移到更靠近衬底106的中心时，旋转速度可以改变。例如，当移动臂接近衬底106的中心时，旋转速度可以增加。旋转速度可以至少部分地基于轮廓传感器116的横向分辨率和/或纵向分辨率而改变。随着轮廓传感器116的分辨率的增加，可以降低旋转速度，以使得能够对背侧特征进行正确采样。
移动臂118可以耦接至可以用于将轮廓传感器116定位到衬底106附近或与衬底106接触的机械、电气或气动的致动器。在一个实施方式中，轮廓传感器116可以包括接触元件，该接触元件可以为触笔，该触笔的形状足够小以具有最低30nm的横向分辨率和最低0.1nm的纵向分辨率。如图1所示，触笔可以具有尖端，该尖端可以耦接至检测部件或变换器，检测部件或变换器在触笔跨衬底106移动时基于触笔的移动或振动生成电信号。在一个实施方式中，检测部件可以包括压电材料，该压电材料响应于由接触元件施加的压力而生成轮廓信号。在其他实施方式(未示出)中，轮廓传感器116可以使用非接触检测技术来采集纹理图数据。
在一个实施方式中，可以在目标特定位置进行对背侧110表面的采样，而不是对该表面进行连续采样。例如，可以引导系统100对衬底106的特定部分进行采样。枢转的移动臂118的上下枢转可以使系统100能够选择用于在有限的持续时间内进行采样的特定位置，并且可以移动到另一采样位置而不是恒定地与衬底106接触。例如，系统100可以对衬底106中心附近的一个区域进行采样，然后枢转以脱离衬底并且移动到第二个采样位置(例如，衬底的边缘)，并且枢转以再次与背侧110表面接触。该采样技术可以减少背侧接触(例如，产生粒子)，或者可以用于后续工艺之前的质量控制的目的。基于初步结果，可以在后续工艺之前选择衬底106以用于附加采样或背侧110调节。
位置传感器122可以根据需要而被定位在移动臂118和/或衬底106中或者移动臂118和/或衬底106周围，以监测衬底106和/或移动臂118和轮廓传感器116的位置。位置传感器122可以用于生成对应于由轮廓传感器116扫描的衬底106的各部分的位置坐标。位置信息可以与轮廓信号的各部分相关联，使得轮廓信号的幅度和/或频率可以被绘制到衬底106的特定部分。位置传感器122可以并入多种检测技术，多种检测技术可以包括但不限于光、电、机械或其组合。
在图1的实施方式中，位置传感器122和/或轮廓传感器116可以与使用电导管128的计算机处理装置(例如，存储器124、处理器126)集成在一起。计算机处理装置可以包括可以监测、控制和/或分析来自工艺室104的电信号的各种部件。虽然这些部件被示出为分立的元件，但是如本领域普通技术人员所理解的，可以以不同的方式来实现其特性和功能。
移动部件130可以控制和监测衬底卡盘112和移动臂118的移动，使得当衬底106可能旋转或者可能不旋转时，轮廓传感器116可以被置于与背侧110表面接触。移动部件130可以控制将轮廓传感器定位在背侧110表面上的何处以及由轮廓传感器116将压力施加到背侧110的何处。例如，移动部件130可以基于轮廓传感器116的数目和衬底106的大小将移动臂118定位为覆盖最大表面积。在图1的实施方式中，仅示出了三个轮廓传感器116和一个移动臂118，但是纹理绘制系统100可以使用一个或更多个轮廓传感器116以及一个或更多个移动臂118来采集表面粗糙度数据。
结合移动部件130，位置单元132可以检测和监测轮廓传感器116在笛卡尔坐标系中在x,y,z平面中相对于衬底106的位置，或者在极性(例如，r,θ)或球形(例如，r,θ,Φ)坐标系中的半径和角度。位置部件132可以确定背侧110表面与接触元件之间的接触点的坐标位置。
信号部件134可以监测和跟踪来自检测部件的信号，并且给由位置部件132确定的坐标位置分配值。例如，当一个或更多个轮廓传感器116与背侧110表面的粗糙度进行接触时，振动/频率的变化可以被检测部件(例如，压电传感器)记录。信号部件134然后可以给由位置部件132确定的接触点的坐标位置分配幅度和/或频率值。位置信息和振动/频率信息的组合可以用于生成背侧110表面的纹理图。
纹理绘制部件136可以识别在后续图案化期间、当衬底106被放置在背侧110表面上时背侧110表面的可能影响前侧108表面平面度的部分。通过举例而非限制的方式，背侧110表面上的局部厚度变化可能导致衬底106的局部区域在这些位置处的弯曲或变形，使得前侧108表面具有较低的平面度或均匀性。相对于邻近的和/或更均匀的区域，局部区域可以影响图案化结果。然而，在一些实例中，图案化工艺条件可以能够在变化的部分中被考虑；可以通过特定于点或位置的工艺条件的变化或补偿来纠正这种变化。纹理图还可以用于识别比局部区域更广的范围内的非均匀性。例如，临近区域可以具有相同或相似的轮廓条件，但是小的变化可以跨衬底而积累，使得在跨衬底106的不同位置处可能需要不同的工艺条件。跨背侧110表面的更宽的不均匀性的趋势可以使衬底106的一侧在z方向或纵向方向上更高。纹理绘制部件136可以分析表面粗糙度数据，并且提供可以在哪些位置上进行补偿以及可以如何跨衬底106改变补偿的指示。
在多轮廓传感器116的实施方式中，纹理绘制部件136也可以将来自多个轮廓传感器116的数据接合在一起，以生成用于背侧110表面的纹理图。在本实施方式中，来自位置单元132的坐标可以用于将相邻的轮廓传感器116的数据拼凑在一起，以生成背侧110表面的纹理图。在一个实施方式中，纹理绘制部件136可以将坐标(例如，x,y)进行比较，以确定哪些点彼此最接近并且基于彼此的相对位置给一对或更多对点分配关系。例如，当两个或更多个点之间的距离在阈值距离内时，该分配指示各轮廓数据是否相邻和/或重叠，或者各轮廓数据是否可以以逻辑方式彼此组合。纹理绘制部件136可以使用关系将纹理图内的这些数据点彼此接合在一起、进行组合或者对齐。图6中示出了纹理图的一个实施方式。
纹理图或表可以被提供给调节部件138，调节部件138可以确定前侧108工艺补偿的量，该工艺补偿的量可以用于使对背侧110的表面粗糙度的影响最小化。在一个实施方式中，调节部件138可以确定哪些背侧特征可能影响前侧108工艺。这些被确定的背侧110表面位置可以与前侧108位置相关，并且调节值或工艺条件可以与一个或更多个前侧108的位置相关联。前侧110的工艺调节可以被提供给图案化工具(未示出)。在一个实施方式中，衬底的前侧108上的高度差可以影响使用光学设备来进行图案化的图像的质量。基于衬底106的前侧108上的高度差，点到点的图像分辨率质量可能较低。一种考虑高度差的方式可以为：调节图案化图像的焦点深度(DOF)，使得跨衬底106的点到点的图像分辨率更均匀。可以取决于衬底106上的两个或更多个位置之间的高度差将DOF调节得更高或更低。对于纹理图上相对高的区域，DOF可以调节得更高；对于纹理图上相对低的区域，DOF可以调节得更低。在另一实施方式中，调节部件138可以计算对应于纹理图上的坐标或区域的工艺调节(例如，覆盖调节)。覆盖调节可以调节成像到下层图案的前侧的平移、缩放、旋转和/或正交性。由图案化工具进行的平移补偿可以包括：在x，y和/或z方向上调节前侧图像。旋转补偿可以包括：绕图像或衬底的z轴旋转前侧图像。缩放补偿可以通过均匀地调节前侧图像的大小来完成。正交补偿可以调节两条或更多条线彼此正交的程度。在其他实施方式中，调节部件138也可以如光刻领域的普通技术人员需要的那样鉴于纹理图来调节曝光时间和剂量。
在图1的实施方式中，纹理绘制系统100可以使用计算机处理器126来实现，计算机处理器126可以包括一个或更多个处理内核并且可以被配置成访问和执行(至少部分地)存储在一个或更多个存储器中的计算机可读指令。一个或更多个计算机处理器126可以包括但不限于：中央处理单元(CPU)、数字信号处理器(DSP)、精简指令集计算机(RISC)、复杂指令集计算机(CISC)、微处理器、微控制器、现场可以编程门阵列(FPGA)或其任意组合。计算机处理器还可以包括用于控制纹理绘制系统100的各部件之间的通信的一个或更多个芯片组(未示出)。在某些实施方式中，计算机处理器126可以基于架构或架构，并且一个或更多个处理器和芯片组可以来自系列处理器和芯片组。一个或更多个计算机处理器还可以包括用于处理特定数据处理功能或任务的一个或更多个专用集成电路(ASIC)或专用标准产品(ASSP)。
存储器124可以包括一个或更多个有形非暂态计算机可读存储介质(“CRSM”)。在一些实施方式中，一个或更多个存储器可以包括非暂态介质，诸如随机存取存储器(“RAM”)、闪存RAM、磁介质、光介质、固态介质等。一个或更多个存储器可以是易失性的(在供电时保留其中的信息)或者非易失性的(在不供电的情况下也保留其中的信息)。附加的实施方式还可以被提供为包括暂态机器可读信号(以压缩或未压缩的形式)的计算机程序产品。机器可读信号的示例包括但不限于通过因特网或其他网络传送的信号。例如，经由因特网分发的软件可以包括暂态机器可读信号。此外，存储器可以存储包括多个计算机可读指令的操作系统，可以由计算机处理器126实现这些计算机可读指令来执行各种任务以操作纹理绘制系统100。
图2示出了与衬底106的背侧110交互的轮廓传感器116的详细视图200。轮廓传感器116可以跨背侧110特征移动，并且可以取决于背侧110特征的幅度202和周期204而振动/振荡。在一个实施方式中，周期204可以表示背侧110特征之间的峰-峰距离，而幅度可以表示背侧110特征之间的峰-谷距离。
纹理绘制系统100可以使用幅度202、周期204的变化或其组合来确定跨背侧110表面的不同位置的表面粗糙度值。例如，幅度的变化可以指示背侧110的峰或谷，并且可以用于确定周期204。在这种情况下，当幅度从较低变到较高时，可以认为该转换的位置为谷；而当幅度从较高变到较低时，可以认为该位置为峰。幅度的这些变化之间的距离可以用于确定背侧110表面特征的周期204或频率。幅度的变化可以从基于与衬底106初始接触的任意基准点来测量。可以基于轮廓传感器116在初始接触后移动的方向来给出幅度变化的正幅度值或负幅度值。在另一实施方式中，幅度204的比例可以基于预定参考值。可以基于轮廓传感器从该初始接触值或参考值朝向或远离的移动来确定幅度202。幅度随着时间或距离变化的量较低可以指示较低的表面粗糙度，其中，随着时间或距离变化的量相对高可以指示较高的表面粗糙度
可以使用幅度202和周期204以几种不同的方式来实现纹理图。这些值的上下文或比例可以取决于纹理图的期望分辨率以及位置传感器122和轮廓传感器116的测量能力而变化。瞬时测量可以用于基于进行表面粗糙度采样的位置处的幅度和坐标来生成纹理图。
在另一实施方式中，纹理绘制部件136可以基于采样深度或者由轮廓传感器116行进的距离来确定表面粗糙度。一种方法可以为：针对给定长度或距离计算幅度的绝对值的算术平均值。给定长度或距离可以取决于衬底卡盘112的旋转速度以及当移动臂118跨衬底106移动时移动臂118的速度。纹理绘制部件136可以寻找由轮廓传感器116行进的距离或长度，然后可以将在该距离上采集的幅度数据求平均。在另一方法中，表面粗糙度可以使用给定的长度或距离上的高度差的均方根均值来测量。在其他情况下，本领域普通技术人员可以使用普遍接受表面粗糙度计算，如美国机械工程师协会(ASME)的表面纹理标准B46.1的任何版本所示。
图3A至图3C是跨衬底106的背侧110表面的轮廓传感器116路径的代表性示例。出于易于示出和说明的目的，在两个示例中仅示出了单个路径，但是路径的数量可以根据移动臂118上使用的轮廓传感器116的数量而变化。图3A和图3B中的路径是轮廓传感器116与衬底106的背侧110表面接触或对衬底106的背侧110表面进行采样的指示。如上所示，衬底106可以旋转，同时轮廓传感器116也可以跨背侧106表面移动。轮廓传感器116的移动实际上可以是线性的或径向的。图3A和图3B从对背侧110表面进行扫描的轮廓传感器116的角度示出了衬底106的底视图。图3C示出了衬底106和/或跨背侧110表面的轮廓传感器116的线性移动实施方式。
在其他实施方式中，相比于在图3A和图3B中所示的单螺旋可以同时生成多个螺旋路径。多个螺旋路径可以彼此偏移达耦接至传感器臂的各轮廓传感器116之间的距离。轮廓传感器116可以尽可能靠近地间隔开几毫米。
图3A示出了衬底106的底视图300，其示出了在衬底106以顺时针方向304旋转并且轮廓传感器(未示出)以横向/线性方向从起始点206朝向衬底106的边缘移动时跨衬底106的传感器路径302。在该实施方式中，可以使用从衬底106的中心起的半径(r)210和与参考线314的角度212(例如，θ)以极坐标来表示轮廓传感器116的位置208。在一个实施方式中，参考线314可以与切入衬底106的边缘的对准切口(未示出)或可被蚀刻到衬底106中划线标记对准。
位置部件132可以基于衬底106在衬底卡盘112上的放置来确定半径起始位置306。位置传感器122可以检测衬底的边缘，并且位置部件132可以确定衬底106相对于衬底卡盘112和移动臂118的位置。可以使用本领域公知的几何分析技术来进行确定。位置部件132可以根据需要使用下面的公式(1)和公式(2)将极坐标转换成笛卡尔坐标(例如，x-y)。
x＝rcosθ (1)
y＝rsinθ (2)
当背侧110表面与前侧108表面之间的坐标系轴参考不同时根据需要，位置部件132可以将极坐标转换成x-y，然后将其映射或转换成前侧108坐标。
图3B示出了沿通过旋转衬底106并且使轮廓传感器116横向跨背侧110表面移动而生成的传感器路径318、跨过衬底106的轮廓传感器116的位置的笛卡尔坐标系图316。与图3A的实施方式相比，坐标系图316包括笛卡尔坐标覆盖模块320，以示出x-y轴以及与传感器路径318的每个部分相关联的坐标。具体地，选择单个接触点320来示出位置部件132可以怎样参考该坐标。接触点320可以具有x坐标322和y坐标324，所述x坐标322和y坐标324可以与处于该位置或在该位置附件进行采集的轮廓传感器116进行关联。根据需要，位置部件132可以将背侧110坐标信息转换成前侧108坐标。
具体地，选择单个接触点320来示出位置部件132可以怎样参考该坐标。接触点320可以具有x坐标322和y坐标324，所述x坐标322和y坐标324可以与处于该位置或在该位置附件进行采集的轮廓传感器116进行关联。根据需要，位置部件132可以将背侧110坐标信息转换成前侧108坐标。位置信息和轮廓信息的组合提供绘制背侧110表面的纹理的能力。可以使用图或表来标识衬底106的可以针对前侧108上的工艺补偿的特定区域或在前侧108工艺之前调节的另外的背侧110。图3C示出了沿通过使轮廓传感器116和/或衬底106相对于彼此线性运动而生成的传感器路径328、跨衬底106的轮廓传感器116的位置的笛卡尔坐标系图326。轮廓传感器116可以被布置成并排的线性阵列，以如笛卡尔坐标覆盖模块320中所示的那样跨衬底以直线的方式延伸，笛卡尔坐标覆盖模块320示出了传感器路径328的一部分。在一个实施方式中，移动臂118可以在x-y平面中以水平的方式跨衬底106移动。虽然传感器路径被示出成以y方向行进，但是移动臂118不限于仅该类型的移动。附加传感器路径(未示出)还可以以x方向或以跨x-y平面的任何组合移动。例如，移动臂118可以跨衬底106在不同方向上的一部分沿y方向扫描。
在另一实施方式中，多阵列移动臂(未示出)可以包括多行和多列的轮廓传感器116，其可以覆盖比图1中所描绘的移动臂118更广的表面区域。在一个具体实施方式中，多阵列实施方式可以包括在水平和垂直方向上以线性方式对准的轮廓传感器116。以该方式，第二行和第三行的轮廓传感器118可以覆盖与第一行所扫描的区域相同的区域。这可以使得纹理绘制部件136能够基于类似区域的更大的数据集来验证或优化纹理数据，从而减小轮廓传感器116的误差或差异。
在另一具体实施方式中，可以将轮廓传感器116以偏移的方式布置在多阵列移动臂(未示出)的行和/或列中，以使得后面的行或列可以覆盖与之前的行或列不同的表面区域。然而，偏移轮廓传感器116模式可以重叠，以使得能够在多阵列移动臂的单次移动中对类似表面区域再次扫描。这可以与针对同一或类似表面区域采集更多数据的能力进行组合，并且可以在多阵列移动臂的单次移动中覆盖更广的表面区域。
图3A至图3C旨在仅说明可以怎样采集纹理图数据的示例性实施方式，而不旨在将权利要求书的范围限于这些具体实施方式。
图4示出了突出在衬底106的一部分上的表面粗糙度值的纹理图400的实施方式。图4中的纹理图400仅用于说明和呈现可以以任何方式呈现或组织的表面粗糙度数据的目的。本实施方式仅仅表示了用于传达表面粗糙度在衬底106上的位置的一种方法。因此，x轴402和y轴404是维度，并且不进行放缩以显示整个背侧110表面。
图4的实施方式示出了使用等高线来在不同表面粗糙度值之间进行区分的形貌图。等高线之间的表面粗糙度值可以相同，或者可以在表面粗糙度值的一些范围内。例如，例如，第一等高线408和第二等高线410之间的外轮廓区406可具有在整个区域相同的表面粗糙度或在表面粗糙度的离散范围内而不管坐标位置如何。在纹理图400的左侧上在(-1500,0)处的表面粗糙度将具有与在(1300,0)处的表面粗糙度相似的值，这是因为两个坐标点处于同一外轮廓区域406内。个别轮廓区域相比于相邻区域可以被放缩成更高或更低，通常区域可以从低放缩到高，但是可能不需要该配置。等高线线之间的距离也可以指示该区域的内值的变化率。例如，与等高线更远离开时相比，当等高线更靠近在一起时，这可以指示更大的变化率。这样的示例可以被示出在更靠近在一起并且可以表示表面粗糙度值的峰或谷的中心等高线412中。中心等高线412示出了与相邻区域相比更靠近在一起的四个等高线。因此，在中心轮廓线区域314内的表面粗糙度的变化率可以高于相邻区域。中心轮廓线412可以表示在图1的说明中描述的可以使得衬底106绕衬底106的该部分弯曲或变形的局部区域。更广义地，纹理图400还示出了表面粗糙度的变化率倾向于在y方向比在x方向高。因此，相比于在x方向上扫描，当在y方向扫描时，调整部件138可以对图案化工艺进行更多或更大的调整。然而，这并不排除在x方向作出调整。但是，这指示与在y方向上移动时相比，在x方向上作出的变化可以较不频繁或可以作出更少的调整。
在某些情况下，纹理图400区域可以具有类似的表面粗糙度值，但是其可以不彼此相邻。然而，可以对这些区域进行注解(未示出)，以指示这些区域内的相似值。注解可以包括字母、数字、颜色、纹理数据或其组合，以指示相对于非相邻轮廓区域相似性。例如，第二轮廓区域414可以与中心轮廓线412区域具有相似的表面粗糙度值。在整个纹理图400中，可以在其他类似区域(未示出)中使用前述注解。
图5示出了用于使用纹理绘制系统100来捕获和采集衬底106的背侧110的表面粗糙度数据的方法500的流程图。可以使用表面粗糙度数据以调整下面的工艺条件(例如图案化、背侧110调整)，从而消除或减小对背侧110表面状况的冲击。当使用背侧110表面将衬底106固定至衬底卡盘112时，可以进行表面粗糙度检测。该配置可以防止与前侧108表面或被制造在前侧108表面上的电子设备直接接触。背侧110技术使得能够对表面粗糙度进行非破坏性检测，这使得能够对后面的工艺进行前馈控制。纹理绘制系统110可以与工艺室进行集成，该工艺室可以包括衬底卡盘112、轮廓传感器116以及用于将轮廓传感器116抵靠背侧110表面放置的移动臂118。所示出的方法500仅仅一个实施方式，并且本领域的人员或普通技术人员可以添加另外的操作、省略操作中的一个或更多个操作、或者以不同顺序进行操作。
在块502处，可以使用机械的、气动的或电耦接技术通过背侧110表面将传入衬底106固定到衬底卡盘112。衬底卡盘112可以不与前侧108表面接触，以避免损坏可能存在于前侧108上的图案或电子设备。移动部件130可以指示衬底卡盘绕与衬底106的中心或中心区域邻近的轴旋转。可以对衬底106的取向和旋转速度进行优化，以防止或减小衬底106振动。在一个实施方式中，旋转速度可以在30rpm与60rpm之间。
衬底106可以在进入工艺室之前对准。通常，可以使用划线或并入衬底106的切口来完成对准。对准可以为在表面粗糙度扫描期间收集或计算的坐标信息提供一致的参考。在一些情况下，可以在工艺室104内完成衬底106的对准。例如，可以在表面粗糙度扫描之前使衬底106旋转至某一位置以确认对准。
在块504处，可以通过使表面粗糙度传感器(例如，轮廓传感器116)跨旋转衬底106的背侧110表面移动来开始表面粗糙度扫描。表面粗糙度传感器可以检测衬底106的背侧110表面上的特征的幅度和/或频率。表面粗糙度传感器可以使用机械、电、光或其组合来检测背侧110特征的特性。在一个实施方式中，如图2所示，表面粗糙度传感器可以包括接触元件，该接触元件被放置成与背侧110表面物理接触。移动臂118可以被定位成在衬底开始旋转之前或之后启动该接触。可以通过使用可以耦接至接触元件的检测部件(例如，压电换能器)将由于接触元件跨背侧110表面移动生成的振动转换成轮廓信号(例如，电信号)。轮廓信号可以是背侧110表面特征的幅度和/或频率的电表示形式。幅度可以提供背侧110特征的峰-谷信息的指示，并且可以提供的特征的高度的指示。特征的周期或频率(例如，1/周期)可以提供在所扫描的区域内特征可以相隔多远或多宽的指示。然而，背侧110特征的位置对于指导后面工艺的前馈控制而言可能是重要的。
位置部件132还可以监测移动臂118、衬底106和用于检测或采集表面粗糙度数据的轮廓传感器116的位置，可以通过使用位置传感器122和/或通过基于移动部件的几何形状和由这些部件作出的移动的类型使用公知的几何分析技术来确定位置。
在一个实施方式中，移动臂118可以跨背侧表面以线性移动方式移动。线性移动可以在同一平面内来回移动。然而，移动臂118可以不限于仅线性移动。在另一实施方式中，移动臂118可以径向移动，以使得移动臂通过围绕移动臂118的固定点枢转跨背侧110表面扫描。径向移动可以类似于可以使针跨唱片移动的唱机臂。位置部件132可以确定背侧100与衬底106的给定的已知位置接触的位置以及当移动臂118跨衬底106的背侧110移动时该移动臂118的位置。
位置部件132可以将位置分配给由信号部件134生成的或存储在信号部件134中的轮廓信号的离散部分。可以使用位置或坐标信息来确定衬底106和轮廓传感器116的相对位置。轮廓信号和位置信号的组合可以提供可用于组装背侧110表面的纹理图的标记或标签。
在块506处，纹理图部件136可以使用计算机处理器126至少部分地基于在背侧表面上的特征的检测幅度和/或频率以及分配给这些特征的离散部的位置信息，生成衬底106的背侧110的纹理图或表。离散部分可以包括幅度和/或频率的瞬时读数或幅度和/或频率读数的小持续时间(例如，时间或距离)。位置可以操作为使得纹理图部件能够确定各部分相对于彼此的取向的标签。例如，可以使用位置信息将离散部分组合或分组成组织化的方式，以使得该信息形成跨衬底106的背侧110表面的表面粗糙度的表示。
可以使用离散部分的组合来形成纹理图或表，所述纹理图或表可以用于通过计算机或人来可视化和/或分析数据。纹理图可以提供在衬底106的背侧的各个离散位置处的表面粗糙度的指示。在一个实施方式中，纹理图可以为如图4所示的轮廓图，但不限于此。
纹理图或表可以具有足够高的分辨率，以在可与纹理图或表上的位置对应的特定位置调整用于后面衬底106工艺的工艺条件。在一个实施方式中，可以将纹理图提供给调整部件138，调整部件138可以确定前侧108表面的哪个部分可以是用于处理变化以最小化背侧110表面粗糙度对前侧108工艺的影响的候选。根据需要，纹理绘制系统100可以使背侧110位置与前侧108位置关联。在一个实施方式中，调整可以包括但不限于：可以用于补偿可能由背侧110表面粗糙度引起的前侧108形貌的变化的焦点深度的调整(例如，z方向)和/或覆盖调整(例如，x方向和y方向)。
应理解，前述描述仅用于说明本发明内容。本领域的技术人员在不脱离本发明内容的情况下可以作出各种变型和修改。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求的范围内的所有这样的变型、修改和变化。

Claims (20)

1.一种纹理绘制系统，包括：
衬底卡盘，所述衬底卡盘能够绕轴来旋转衬底，所述衬底包括与背侧表面相反的图案化前侧表面；
轮廓传感器，所述轮廓传感器能够跨所述衬底的所述背侧表面移动，并且所述轮廓传感器能够至少部分地基于所述衬底的所述背侧表面上的表面粗糙度来生成轮廓信号；
位置控制器，所述位置控制器能够至少部分地基于所述轮廓传感器相对于所述衬底的位置来生成位置信号；以及
纹理绘制部件，所述纹理绘制部件能够至少部分地基于所述轮廓信号和所述位置信号来生成所述衬底的背侧的纹理图，所述纹理图包括对所述衬底的所述背侧的位置处的表面粗糙度的指示。
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述轮廓传感器包括：
接触元件，所述接触元件能够与所述衬底的所述背侧表面接触；以及
检测部件，所述检测部件耦接至所述接触元件，所述检测部件能够在压力或力被施加至所述接触元件时生成所述轮廓信号。
3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述表面粗糙度至少部分地基于所述衬底的所述背侧表面的多个幅度。
4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述表面粗糙度至少部分地基于背侧特征的多个幅度和周期。
5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述轮廓传感器包括两个或更多个接触元件，所述两个或更多个接触元件能够在不同位置处与所述背侧表面接触，以及，所述两个或更多个接触元件耦接至针对所述两个或更多个接触元件生成所述轮廓信号的对应的检测部件。
6.根据权利要求5所述的系统，其中，纹理绘制处理器至少部分地基于来自所述两个或更多个接触元件的轮廓信号的组合来生成所述纹理图。
7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述纹理绘制处理器至少部分地基于来自所述两个或更多个接触元件的位置信号的组合来生成所述纹理图。
8.根据权利要求1所述的系统，其中，所述衬底卡盘能够以不超过每分钟60转的方式来旋转。
9.根据权利要求1所述的系统，还包括：移动臂，所述移动臂能够跨所述衬底的所述背侧来移动所述轮廓传感器。
10.根据权利要求1所述的系统，还包括：移动臂，所述移动臂耦接至所述轮廓传感器，传感器臂能够移动所述轮廓传感器以与所述衬底的所述背侧表面接触。
11.一种用于绘制衬底的表面粗糙度的方法，包括：
使用衬底卡盘绕邻近所述衬底的中心区域的轴来旋转所述衬底，所述衬底包括与背侧表面相反的图案化前侧表面；
跨旋转衬底的所述背侧表面来移动表面粗糙度传感器，所述表面粗糙度传感器能够检测所述背侧表面上的特征的幅度或频率；以及
使用计算机处理器至少部分地基于所述背侧表面上的特征的所检测的幅度或频率，生成所述衬底的背侧的纹理图。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述纹理图包括所述表面粗糙度传感器接触所述衬底的位置处的坐标信息、以及所述坐标信息处或所述坐标信息附近的特征的幅度或频率。
13.根据权利要求11所述的方法，还包括：
使用所述表面粗糙度传感器，至少部分地基于所述衬底的所述背侧的特征的所检测的幅度或频率来生成轮廓信号；以及
使用位置传感器，至少部分地基于所述表面粗糙度传感器检测所述衬底的所述背侧的特征的幅度或频率的位置来生成位置信号。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述纹理图提供对所述衬底的所述背侧的位置处的表面粗糙度的指示。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，位置信号包括坐标信息，所述坐标信息至少部分地基于所述衬底的径向移动以及轮廓传感器的线性移动。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述纹理图包括所述背侧表面的表面粗糙度的等高线图。
17.根据权利要求11所述的方法，还包括：将所述纹理图提供给调节部件，所述调节部件能够将所述纹理图的背侧坐标位置关联至前侧坐标位置并且针对所述前侧坐标位置确定偏移调节。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述偏移调节包括与坐标和表面粗糙度值中至少之一对应的焦点深度调节值。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述旋转包括每分钟5转与每分钟60转之间的旋转速度。
20.一种系统，包括：
工艺室，所述工艺室能够处理半导体衬底，所述半导体衬底包括与背侧表面相反的前侧表面；
衬底卡盘，所述衬底卡盘设置在所述工艺室内，当所述衬底处于所述工艺室中时，所述衬底卡盘接触所述背侧表面；
表面粗糙度检测器，当所述衬底处于所述工艺室中时，所述表面粗糙度检测器能够检测所述背侧表面的表面粗糙度。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113710985A (zh) * 2019-03-20 2021-11-26 科磊股份有限公司 用于转换背侧表面粗糙度为前侧覆盖的系统及方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6267141B2 (ja) * 2014-06-04 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 液塗布方法、液塗布装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US10241418B2 (en) 2014-12-01 2019-03-26 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for obtaining diagnostic information relating to a lithographic manufacturing process, lithographic processing system including diagnostic apparatus
KR20170130674A (ko) * 2016-05-18 2017-11-29 삼성전자주식회사 공정 평가 방법 및 그를 포함하는 기판 제조 장치의 제어 방법
US10770327B2 (en) * 2017-07-28 2020-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for correcting non-ideal wafer topography
JP7012538B2 (ja) * 2018-01-11 2022-01-28 株式会社ディスコ ウエーハの評価方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4433386A (en) * 1980-10-01 1984-02-21 Northern Telecom Limited Surface relief measuring equipment
US7213447B2 (en) * 2001-08-13 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for detecting topographical features of microelectronic substrates
CN101075570A (zh) * 2006-05-17 2007-11-21 住友电气工业株式会社 化合物半导体衬底及其检测方法和表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法
US7968354B1 (en) * 2002-10-04 2011-06-28 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for correlating backside and frontside defects detected on a specimen and classification of backside defects

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54153290U (zh) * 1978-04-14 1979-10-24
US4504144A (en) * 1982-07-06 1985-03-12 The Perkin-Elmer Corporation Simple electromechanical tilt and focus device
US4750141A (en) * 1985-11-26 1988-06-07 Ade Corporation Method and apparatus for separating fixture-induced error from measured object characteristics and for compensating the measured object characteristic with the error, and a bow/warp station implementing same
US4931962A (en) * 1988-05-13 1990-06-05 Ade Corporation Fixture and nonrepeatable error compensation system
US5446824A (en) * 1991-10-11 1995-08-29 Texas Instruments Lamp-heated chuck for uniform wafer processing
JP2000180157A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Super Silicon Kenkyusho:Kk 平坦度測定センサ
SE514309C2 (sv) * 1999-05-28 2001-02-05 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande för att bestämma ytstruktur
JP2002033268A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Nikon Corp 表面形状測定方法及びこれを用いた露光方法とデバイスの製造方法
JP4380039B2 (ja) * 2000-08-22 2009-12-09 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US6624078B1 (en) * 2001-07-13 2003-09-23 Lam Research Corporation Methods for analyzing the effectiveness of wafer backside cleaning
JP2003317285A (ja) * 2002-04-25 2003-11-07 Ricoh Co Ltd 光ディスク原盤露光装置および光ディスク原盤露光方法、並びに回転振れ検出方法
US7760347B2 (en) * 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system
US7348556B2 (en) * 2005-07-19 2008-03-25 Fei Company Method of measuring three-dimensional surface roughness of a structure
JP5009564B2 (ja) * 2006-07-20 2012-08-22 株式会社ミツトヨ 表面追従型測定器
JP4788785B2 (ja) * 2009-02-06 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像処理方法及び記憶媒体
JP5849335B2 (ja) * 2010-07-14 2016-01-27 国立大学法人静岡大学 接触状態検出装置、接触状態検出方法、接触状態検出用コンピュータプログラム、接触状態検出装置を備える電気伝導度測定システムおよび接触状態検出方法を含む電気伝導度測定方法
US9354526B2 (en) * 2011-10-11 2016-05-31 Kla-Tencor Corporation Overlay and semiconductor process control using a wafer geometry metric

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4433386A (en) * 1980-10-01 1984-02-21 Northern Telecom Limited Surface relief measuring equipment
US7213447B2 (en) * 2001-08-13 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for detecting topographical features of microelectronic substrates
US7968354B1 (en) * 2002-10-04 2011-06-28 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for correlating backside and frontside defects detected on a specimen and classification of backside defects
CN101075570A (zh) * 2006-05-17 2007-11-21 住友电气工业株式会社 化合物半导体衬底及其检测方法和表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113710985A (zh) * 2019-03-20 2021-11-26 科磊股份有限公司 用于转换背侧表面粗糙度为前侧覆盖的系统及方法
CN113710985B (zh) * 2019-03-20 2022-10-04 科磊股份有限公司 用于转换背侧表面粗糙度为前侧覆盖的系统及方法

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