CN105897215A - 一种体声波滤波器芯片的封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种体声波滤波器芯片的封装结构，其封装气密性高，不易吸入潮气，封装可靠性好，能够满足严苛的室外环境的使用要求，从而提升产品的综合性价比，包括体声波滤波器芯片和封装在所述体声波滤波器芯片外部的陶瓷外壳，所述陶瓷外壳的上端设有开口，使得所述体声波滤波器芯片的正面部分露出，盖板设置在所述陶瓷外壳的上端将所述开口密封，所述陶瓷外壳内设有上部焊盘，所述上部焊盘通过金线连接所述体声波滤波器芯片的芯片表面焊盘，所述陶瓷外壳的下表面设置底部焊盘，所述上部焊盘与所述底部焊盘之间通过设置在所述陶瓷外壳外部的镀金层相连接，所述陶瓷外壳内还设置有接地通孔。

Description

一种体声波滤波器芯片的封装结构
技术领域
本发明涉及一种体声波滤波器技术领域，具体为一种体声波滤波器芯片的封装结构。
背景技术
现有的体声波滤波器，通常是使用硅底板、借助MEMS技术以及薄膜技术而制造出来的，并采用倒装焊封装。然而当产品使用倒装焊封装时，它的温湿度等级只能达到2，当在严苛的室外环境，如室外基站，现有的倒装焊封装由于封装气密性、可靠性不高等缺点，不能满足严苛的室外环境的使用要求。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种体声波滤波器芯片的封装结构，其封装气密性高，不易吸入潮气，封装可靠性好，能够满足严苛的室外环境的使用要求，从而提升产品的综合性价比。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种体声波滤波器芯片的封装结构，包括体声波滤波器芯片和封装在所述体声波滤波器芯片外部的陶瓷外壳，其特征在于：所述陶瓷外壳的上端设有开口，使得所述体声波滤波器芯片的正面部分露出，盖板设置在所述陶瓷外壳的上端将所述开口密封，所述陶瓷外壳内设有上部焊盘，所述上部焊盘通过金线连接所述体声波滤波器芯片的芯片表面焊盘，所述陶瓷外壳的下表面设置底部焊盘，所述上部焊盘与所述底部焊盘之间通过设置在所述陶瓷外壳外部的镀金层相连接，所述陶瓷外壳内还设置有接地通孔。
进一步的，所述盖板和所述陶瓷外壳之间通过缝焊层相连接。
进一步的，所述陶瓷外壳包括自下而上设置的底层、腔体层、台阶层，所述体声波滤波器芯片设置在所述底层与腔体层构成的容纳腔内，所述上部焊盘设置在所述腔体层与所述台阶层之间。
进一步的，所述接地通孔设置在所述台阶层上，所述接地通孔的一端连接所述上部焊盘，所述接地通孔的另一端连接所述缝焊层。
进一步的，所述陶瓷外壳的外部设有圆弧形凹槽，所述镀金层镀附在所述圆弧形凹槽上。
进一步的，所述金线分别通过球焊连接所述上部焊盘以及所述芯片表面焊盘。
本发明的体声波滤波器芯片的封装结构，采用陶瓷外壳进行封装，与市场目前普遍采用的倒装焊技术相比，具有气密性好，温湿度等级达到1，可靠性强的优点，适用于如室外基站的严苛的室外环境；通过使用金线连接体声波滤波器芯片和陶瓷封装，金线具有电导率大、耐腐蚀、韧性、抗氧化性好等优点，从而使采用陶瓷封装的体声波滤波器适合应用于各种复杂的环境,增强了产品的竞争力；封装完成后只有陶瓷外壳的下表面有底部焊盘，而上壳不需要引出端焊盘及引线，因此减少了引出端焊盘的数量，优化了整体结构，使线路更加集中，降低了封装时引出端焊盘分布的设计难度，整体封装更加容易。
附图说明
图1为本发明的体声波滤波器芯片的封装结构的侧视剖视示意图；
图2为本发明的体声波滤波器芯片的封装结构的俯视透视结构示意图。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
如图1、图2所示，本发明的一种体声波滤波器芯片的封装结构，包括体声波滤波器芯片1和封装在体声波滤波器芯片1外部的陶瓷外壳2，陶瓷外壳2的上端设有开口3，使得体声波滤波器芯片1的正面部分露出，盖板4设置在陶瓷外壳2的上端将开口3密封，盖板4为金属盖板，盖板4和陶瓷外壳2之间通过缝焊层5相连接，陶瓷外壳2包括自下而上设置的底层6、腔体层7、台阶层8，体声波滤波器芯片1设置底层6与腔体层7构成的容纳腔内，上部焊盘9设置在腔体层7与台阶层8之间，上部焊盘9通过金线10连接体声波滤波器芯片1的芯片表面焊盘11，金线10分别通过球焊连接上部焊盘9以及芯片表面焊盘11，陶瓷外壳2的下表面设置底部焊盘12，陶瓷外壳2的外部设有圆弧形凹槽13，镀金层14镀附在圆弧形凹槽13上，上部焊盘9与底部焊盘12之间通过镀金层14相连接， 陶瓷外壳2内还设置有接地通孔15，接地通孔15设置在台阶层8上，接地通孔15的一端连接上部焊盘9，接地通孔15的另一端连接缝焊层5。
图1、图2中可见，上部焊盘9、底部焊盘12、芯片表面焊盘11、金线10分别设置有6个。
本发明的体声波滤波器芯片的封装结构，采用陶瓷外壳进行封装，陶瓷外壳与盖板通过焊接完成后形成气密性结构，可有效阻绝空气和水分的进入，对内部的体声波滤波器芯片形成了一个密闭的保护空间结构，提高了产品的温湿度等级，可以满足严苛的室外环境的使用要求，与市场目前普遍采用的倒装焊技术相比，具有气密性好，温湿度等级达到1，可靠性强的优点，适用于如室外基站的严苛的室外环境，通过使用金线连接体声波滤波器芯片和陶瓷封装，金线具有电导率大、耐腐蚀、韧性、抗氧化性好等优点，从而使采用陶瓷封装的体声波滤波器适合应用于各种复杂的环境,增强了产品的竞争力，同时此封装外形形状规整、尺寸相匹配，两者的连接容易实现，从而有利于提高整体封装的效率，封装完成后只有陶瓷外壳的下表面有底部焊盘，而上壳不需要引出端焊盘及引线，因此减少了引出端焊盘的数量，优化了整体结构，使线路更加集中，降低了封装时引出端焊盘分布的设计难度，整体封装更加容易。
体声波滤波器对温度变化不那么敏感，同时它还具有极低的损耗和非常陡峭的滤波器裙边（filter skirt），它非常适合处理相邻频段之间非常棘手的干扰抑制问题。因此体声波滤波器相对声表面波滤波器来说适用于更高频率，能量损失小，温度敏感度小，功率承受能力强，Q值大，体积小等实际滤波需求。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (7)

1.一种体声波滤波器芯片的封装结构，包括体声波滤波器芯片和封装在所述体声波滤波器芯片外部的陶瓷外壳，其特征在于：所述陶瓷外壳的上端设有开口，使得所述体声波滤波器芯片的正面部分露出，盖板设置在所述陶瓷外壳的上端将所述开口密封，所述陶瓷外壳内设有上部焊盘，所述上部焊盘通过金线连接所述体声波滤波器芯片的芯片表面焊盘，所述陶瓷外壳的下表面设置底部焊盘，所述上部焊盘与所述底部焊盘之间通过设置在所述陶瓷外壳外部的镀金层相连接，所述陶瓷外壳内还设置有接地通孔。
2.根据权利要求1所述的一种体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于：所述盖板和所述陶瓷外壳之间通过缝焊层相连接。
3.根据权利要求2所述的一种体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于：所述陶瓷外壳包括自下而上设置的底层、腔体层、台阶层，所述体声波滤波器芯片设置在所述底层与腔体层构成的容纳腔内，所述上部焊盘设置在所述腔体层与所述台阶层之间。
4.根据权利要求3所述的一种体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于：所述接地通孔设置在所述台阶层上，所述接地通孔的一端连接所述上部焊盘，所述接地通孔的另一端连接所述缝焊层。
5.根据权利要求1所述的一种体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于：所述陶瓷外壳的外部设有圆弧形凹槽，所述镀金层镀附在所述圆弧形凹槽上。
6.根据权利要求1所述的一种体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于：所述金线分别通过球焊连接所述上部焊盘以及所述芯片表面焊盘。
7.根据权利要求1所述的一种体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于：所述盖板为金属盖板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108123023A (zh) * 2018-01-30 2018-06-05 易美芯光（北京）科技有限公司 一种深紫外led封装结构及其制备方法
CN109379056A (zh) * 2018-12-03 2019-02-22 全讯射频科技(无锡)有限公司 一种声表面波滤波器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020146919A1 (en) * 2000-12-29 2002-10-10 Cohn Michael B. Micromachined springs for strain relieved electrical connections to IC chips
CN103441746A (zh) * 2013-09-02 2013-12-11 扬州大学 声表面波滤波器集成封装结构及其封装方法
CN203482165U (zh) * 2013-09-02 2014-03-12 扬州大学 声表面波滤波器集成封装结构
CN205754241U (zh) * 2016-05-20 2016-11-30 爱普科斯科技（无锡）有限公司 一种体声波滤波器芯片的封装结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020146919A1 (en) * 2000-12-29 2002-10-10 Cohn Michael B. Micromachined springs for strain relieved electrical connections to IC chips
CN103441746A (zh) * 2013-09-02 2013-12-11 扬州大学 声表面波滤波器集成封装结构及其封装方法
CN203482165U (zh) * 2013-09-02 2014-03-12 扬州大学 声表面波滤波器集成封装结构
CN205754241U (zh) * 2016-05-20 2016-11-30 爱普科斯科技（无锡）有限公司 一种体声波滤波器芯片的封装结构

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
曹单: "微惯性器件的三维封装设计与实现", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》 *
李平: "八毫米收发前端LTCC技术研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108123023A (zh) * 2018-01-30 2018-06-05 易美芯光（北京）科技有限公司 一种深紫外led封装结构及其制备方法
CN109379056A (zh) * 2018-12-03 2019-02-22 全讯射频科技(无锡)有限公司 一种声表面波滤波器

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