CN105895196B - 一种新型透明导电薄膜及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 55
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical group O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 36
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 27
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 20
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 12
- -1 Polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 11
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 3
- 244000247747 Coptis groenlandica Species 0.000 claims description 2
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MSEUHNVDACNSQX-UHFFFAOYSA-N N.[Mo](=O)(=O)=O Chemical compound N.[Mo](=O)(=O)=O MSEUHNVDACNSQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- SRPAJFZDYBCAQI-UHFFFAOYSA-N [Ni]=O.N Chemical compound [Ni]=O.N SRPAJFZDYBCAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- SFMJNHNUOVADRW-UHFFFAOYSA-N n-[5-[9-[4-(methanesulfonamido)phenyl]-2-oxobenzo[h][1,6]naphthyridin-1-yl]-2-methylphenyl]prop-2-enamide Chemical compound C1=C(NC(=O)C=C)C(C)=CC=C1N1C(=O)C=CC2=C1C1=CC(C=3C=CC(NS(C)(=O)=O)=CC=3)=CC=C1N=C2 SFMJNHNUOVADRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种新型透明导电薄膜及其制备方法，该导电薄膜由透明基材、纳米金属线和金属氧化物组成，制备方法包括如下步骤：(1)采用湿加工的方法在透明基材上涂布一层纳米金属线溶液，再将透明基材置于加热板上，温度120～140℃，加热90～120s，最后将透明基材置于烘箱中，50～80℃条件下，烘干5～10min；(2)采用湿加工的方法在经过步骤(1)处理的透明基材上涂布一层金属氧化物溶液，再将透明基材置于加热板上，温度120～140℃，加热90～120s，制得所述透明导电薄膜。本发明透明导电薄膜具有较好的平整度，且金属氧化物有助于提高透明导电薄膜的导电性和透光率。
Description
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域，尤其是涉及一种有纳米金属线与金属氧化物共同作用形成的透明导电薄膜及其制备方法。
背景技术
目前，ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)透明导电薄膜已广泛应用于液晶显示，OLED显示，OLED照明，触控面板和太阳能电池等方面。
尽管目前的ITO透明导电膜具有良好的稳定性、高导电性和高透过率，但是也存在生产原料资源日益稀缺，生产工艺复杂，成本高，且形成的导电薄膜质脆等缺陷。这些缺陷限制了ITO的应用和推广，尤其在柔性电子器件方面。基于传统ITO薄膜的局限性，人们不断寻找可以代替ITO的新材料。
纳米银线具有良好的导电性和柔韧性，其形成的透明导电膜与传统ITO透明导电薄膜相比，具有更高的挠曲性和透光率及更低的电阻，且制作方法相对简单，成本低廉，可广泛用于平板显示、柔性发光器件、柔性显示器件、可折叠太阳能电池等领域。然而现有的纳米银线导电薄膜技术，如专利CN104538087A、CN104637570A，在制备时加入树脂等凝固剂，凝固剂极易包覆纳米银线，从而导致薄膜导电性和透明度下降。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本申请人提供了一种新型透明导电薄膜及其制备方法。本发明导电薄膜以纳米金属线为主要原料，并以金属氧化物作为填充料，金属氧化物以分子形式填充于相互搭接的纳米金属线的空隙中，可提高透明导电薄膜的平整度，且金属氧化物有助于提高透明导电薄膜的导电性和透光率。
本发明的技术方案如下：
一种新型透明导电薄膜，该导电薄膜由透明基材、纳米金属线和金属氧化物组成。
一种所述透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)采用湿加工的方法在透明基材上涂布一层纳米金属线溶液，再将透明基材置于加热板上，温度120～140℃，加热90～120s，最后将透明基材置于烘箱中，50～80℃条件下，烘干5～10min；
(2)采用湿加工的方法在经过步骤(1)处理的透明基材上涂布一层金属氧化物溶液，再将透明基材置于加热板上，温度120～140℃，加热90～120s，制得所述透明导电薄膜。
所述透明基材为玻璃或具有柔性特征的塑料；所述纳米金属线为纳米银线、纳米金线或纳米铜线，所述纳米金属线的直径为40～110nm，长度为10～130μm；所述金属氧化物为三氧化钼、五氧化二钒、氧化镍中的一种或多种，所述金属氧化物平均费氏粒度值为10～20μm。
所述透明基材为玻璃、聚酰亚胺、聚四氟乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯；所述透明基材的透光率大于90％。
所述湿加工方法为旋转涂膜、喷墨印刷、喷雾制膜、丝网印刷或点胶涂覆。
所述步骤(1)中所述纳米金属线溶液的制备方法为：将市售的纳米金属线溶液与等体积的异丙醇混合，形成浓度均一的溶液；所述市售纳米金属线溶液为美国Cambrios公司生产，型号为NKA710。
所述步骤(2)中所述金属氧化物溶液的制备方法为：将金属氧化物粉末溶于浓度为25～28％的氨水中，室温下，在磁力搅拌机中搅拌30min，之后静置1～3h，取上清液得到浓度为0.1～1.0％的金属氧化物氨水溶液，即所述金属氧化物溶液。
所述步骤(1)中所述湿加工方法为旋转涂膜时，旋转涂膜的条件为：低速转数/时间为200～600rpm/5s，高速转数/时间为600～1200rpm/35s。
所述步骤(2)中所述湿加工方法为旋转涂膜时，旋转涂膜的条件为：低速转数/时间为200～600rpm/5s，高速转数/时间为600～1200rpm/35s。
所述步骤(1)中透明基材经过预处理，预处理的步骤为：(a)中性洗涤剂超声清洗20min；(b)去离子水超声清洗20min；(c)碱液超声清洗30min；(d)去离子水超声清洗30min，3次；(e)异丙醇超声清洗20s；(f)氮气条件下风干；(g)在臭氧氛围中于紫外灯下照射5min或在氩气与氧气流量比1：1氛围中于等离子体反应腔中清洗5min。
本发明有益的技术效果在于：
(1)本发明导电薄膜包括透明基材及层叠与所述透明基材上的导电层即金属氧化物和纳米金属线，所述纳米金属线以湿加工方式涂布于所述透明基材上，并在其上用湿加工方式覆盖涂布所述金属氧化物，纳米金属线相互搭接，并与所述金属氧化物共同形成导电网络。
(2)本发明制备透明导电薄膜的方法是通过湿加工方式涂布在透明基材上，并经由烘干固化，工艺流程简单，容易操作，同时避免了纳米金属线被胶水包裹而导致透明导电膜导电率下降的情况。
(3)本发明所述金属氧化物填充于所述纳米金属线之间的空隙中，有助于提高导电膜表面平整度和透过率。
附图说明
图1为本发明透明导电薄膜的结构示意图。
图中：1、透明基材，2、纳米金属线与金属氧化物形成的透明导电层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明进行具体描述。
实施例1
一种新型透明导电薄膜，该导电薄膜由透明玻璃基材(厚度为0.5mm，透光率大于90％)、纳米银线(直径为40～110nm，长度为10～130μm)和金属三氧化钼(平均费氏粒度值为10～20μm)组成；
所述透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)采用旋转涂膜法，(低速转数/时间为200rpm/5s，高速转数/时间为600rpm/35s)在透明玻璃基材上涂布一层纳米银线溶液，再将透明玻璃基材置于加热板上，温度140℃，加热100s，最后将透明玻璃基材置于烘箱中，80℃条件下，烘干5min；所述纳米银线溶液的制备方法为：将美国Cambrios公司生产，型号为NKA710的纳米银线溶液与等体积的异丙醇混合，形成浓度为4X的溶液；
(2)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为200rpm/5s，高速转数/时间为600rpm/35s)在经过步骤(1)处理的透明玻璃基材上涂布一层金属三氧化钼溶液，再将透明玻璃基材置于加热板上，温度140℃，加热100s，制得所述透明导电薄膜；所述金属三氧化钼溶液的制备方法为：将金属三氧化钼粉末溶于浓度为28％的氨水中，室温下，在磁力搅拌机中搅拌30min，之后静置3h，取上清液得到浓度为0.1％的金属三氧化钼氨水溶液，即所述金属三氧化钼溶液；
所述步骤(1)中透明基材经过预处理，预处理的步骤为：(a)中性洗涤剂超声清洗20min；(b)去离子水超声清洗20min；(c)碱液超声清洗30min；(d)去离子水超声清洗30min，3次；(e)异丙醇超声清洗20s；(f)氮气条件下风干；(g)在臭氧氛围中于紫外灯下照射5min。
采用方块电阻测试仪测试本发明实施例所得透明导电薄膜的方块电阻；采用紫外可见分光光度计测试本发明实施例所得透明导电薄膜的透光率；测试结果见表1所示。
实施例2
一种新型透明导电薄膜，该导电薄膜由透明玻璃基材(厚度为0.5mm，透光率大于90％)、纳米银线(直径为40～110nm，长度为10～130μm)和金属三氧化钼(平均费氏粒度值为10～20μm)组成；
所述透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为600rpm/5s，高速转数/时间为1200rpm/35s)在透明玻璃基材上涂布一层纳米银线溶液，再将透明玻璃基材置于加热板上，温度140℃，加热90s，最后将透明玻璃基材置于烘箱中，80℃条件下，烘干5min；所述纳米银线溶液的制备方法为：将美国Cambrios公司生产，型号为NKA710的纳米银线溶液与等体积的异丙醇混合，形成浓度为4X的溶液；
(2)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为600rpm/5s，高速转数/时间为1200rpm/35s)在经过步骤(1)处理的透明玻璃基材上涂布一层金属三氧化钼溶液，再将透明玻璃基材置于加热板上，温度140℃，加热90s，制得所述透明导电薄膜；所述金属三氧化钼溶液的制备方法为：将金属三氧化钼粉末溶于浓度为28％的氨水中，室温下，在磁力搅拌机中搅拌30min，之后静置3h，取上清液得到浓度为0.1％的金属三氧化钼氨水溶液，即所述金属三氧化钼溶液；
所述步骤(1)中透明基材经过预处理，预处理的步骤为：(a)中性洗涤剂超声清洗20min；(b)去离子水超声清洗20min；(c)碱液超声清洗30min；(d)去离子水超声清洗30min，3次；(e)异丙醇超声清洗20s；(f)氮气条件下风干；(g)在臭氧氛围中于紫外灯下照射5min。
采用方块电阻测试仪测试本发明实施例所得透明导电薄膜的方块电阻；采用紫外可见分光光度计测试本发明实施例所得透明导电薄膜的透光率；测试结果见表1所示。
实施例3
一种新型透明导电薄膜，该导电薄膜由透明聚酰亚胺基材(厚度为0.5mm，透光率大于90％)、纳米银线(直径为40～110nm，长度为10～130μm)和金属三氧化钼(平均费氏粒度值为10～20μm)组成；所述透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为400rpm/5s，高速转数/时间为900rpm/35s)在透明聚酰亚胺基材上涂布一层纳米银线溶液，再将透明聚酰亚胺基材置于加热板上，温度140℃，加热120s，最后将透明聚酰亚胺基材置于烘箱中，80℃条件下，烘干10min；所述纳米银线溶液的制备方法为：将美国Cambrios公司生产，型号为NKA710的纳米银线溶液与等体积的异丙醇混合，形成浓度为4X的溶液；
(2)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为400rpm/5s，高速转数/时间为900rpm/35s)在经过步骤(1)处理的透明聚酰亚胺基材上涂布一层金属三氧化钼溶液，再将透明聚酰亚胺基材置于加热板上，温度140℃，加热120s，制得所述透明导电薄膜；所述金属三氧化钼溶液的制备方法为：将金属三氧化钼粉末溶于浓度为28％的氨水中，室温下，在磁力搅拌机中搅拌30min，之后静置3h，取上清液得到浓度为0.1％的金属三氧化钼氨水溶液，即所述金属三氧化钼溶液；
所述步骤(1)中透明基材经过预处理，预处理的步骤为：(a)中性洗涤剂超声清洗20min；(b)去离子水超声清洗20min；(c)碱液超声清洗30min；(d)去离子水超声清洗30min，3次；(e)异丙醇超声清洗20s；(f)氮气条件下风干；(g)在臭氧氛围中于紫外灯下照射5min。
采用方块电阻测试仪测试本发明实施例所得透明导电薄膜的方块电阻；采用紫外可见分光光度计测试本发明实施例所得透明导电薄膜的透光率；测试结果见表1所示。
实施例4
一种新型透明导电薄膜，该导电薄膜由透明聚四氟乙烯基材(厚度为0.5mm，透光率大于90％)、纳米银线(直径为40～110nm，长度为10～130μm)和金属五氧化二钒(平均费氏粒度值为10～20μm)组成；所述透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为400rpm/5s，高速转数/时间为900rpm/35s)在透明玻璃基材上涂布一层纳米银线溶液，再将透明聚四氟乙烯基材置于加热板上，温度120℃，加热120s，最后将透明聚四氟乙烯基材置于烘箱中，80℃条件下，烘干10min；所述纳米银线溶液的制备方法为：将美国Cambrios公司生产，型号为NKA710的纳米银线溶液与等体积的异丙醇混合，形成浓度为4X的溶液；
(2)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为400rpm/5s，高速转数/时间为900rpm/35s)在经过步骤(1)处理的透明聚四氟乙烯基材上涂布一层金属五氧化二钒溶液，再将透明聚四氟乙烯基材置于加热板上，温度120℃，加热100s，制得所述透明导电薄膜；所述金属五氧化二钒溶液的制备方法为：将金属五氧化二钒粉末溶于浓度为25％的氨水中，室温下，在磁力搅拌机中搅拌30min，之后静置2h，取上清液得到浓度为0.7％的金属五氧化二钒氨水溶液，即所述金属三氧化钼溶液；
所述步骤(1)中透明基材经过预处理，预处理的步骤为：(a)中性洗涤剂超声清洗20min；(b)去离子水超声清洗20min；(c)碱液超声清洗30min；(d)去离子水超声清洗30min，3次；(e)异丙醇超声清洗20s；(f)氮气条件下风干；(g)在氩气与氧气流量比1：1氛围中于等离子体反应腔中清洗5min。
采用方块电阻测试仪测试本发明实施例所得透明导电薄膜的方块电阻；采用紫外可见分光光度计测试本发明实施例所得透明导电薄膜的透光率；测试结果见表1所示。
实施例5
一种新型透明导电薄膜，该导电薄膜由透明聚对苯二甲酸乙二醇酯基材(厚度为0.5mm，透光率大于90％)、纳米铜线(直径为40～90nm，长度为60～120μm)和金属五氧化二钒(平均费氏粒度值为10～20μm)组成；所述透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为400rpm/5s，高速转数/时间为900rpm/35s)在透明聚对苯二甲酸乙二醇酯基材上涂布一层纳米铜线溶液，再将透明聚对苯二甲酸乙二醇酯基材置于加热板上，温度120℃，加热120s，最后将透明聚对苯二甲酸乙二醇酯基材置于烘箱中，50℃条件下，烘干10min；所述纳米铜线溶液的制备方法为：将徐州洪武纳米材料有限公司生产的纳米铜线溶液与等体积的异丙醇混合，形成浓度为4X的溶液；
(2)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为400rpm/5s，高速转数/时间为900rpm/35s)在经过步骤(1)处理的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯基材上涂布一层金属五氧化二钒溶液，再将透明聚对苯二甲酸乙二醇酯基材置于加热板上，温度120℃，加热120s，制得所述透明导电薄膜；所述金属五氧化二钒溶液的制备方法为：将金属五氧化二钒粉末溶于浓度为28％的氨水中，室温下，在磁力搅拌机中搅拌30min，之后静置2h，取上清液得到浓度为0.7％的金属五氧化二钒氨水溶液，即所述金属五氧化二钒溶液；
所述步骤(1)中透明基材经过预处理，预处理的步骤为：(a)中性洗涤剂超声清洗20min；(b)去离子水超声清洗20min；(c)碱液超声清洗30min；(d)去离子水超声清洗30min，3次；(e)异丙醇超声清洗20s；(f)氮气条件下风干；(g)在臭氧氛围中于紫外灯下照射5min。
实施例6
一种新型透明导电薄膜，该导电薄膜由透明玻璃基材(厚度为0.5mm，透光率大于90％)、纳米银线(直径为40～110nm，长度为10～130μm)和金属氧化镍(平均费氏粒度值为10～20μm)组成；所述透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为600rpm/5s，高速转数/时间为1200rpm/35s)在透明玻璃基材上涂布一层纳米银线溶液，再将透明玻璃基材置于加热板上，温度140℃，加热90s，最后将透明玻璃基材置于烘箱中，80℃条件下，烘干5min；所述纳米银线溶液的制备方法为：将美国Cambrios公司生产，型号为NKA710的纳米银线溶液与等体积的异丙醇混合，形成浓度为4X的溶液；
(2)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为600rpm/5s，高速转数/时间为1200rpm/35s)在经过步骤(1)处理的透明玻璃基材上涂布一层金属氧化镍溶液，再将透明玻璃基材置于加热板上，温度140℃，加热90s，制得所述透明导电薄膜；所述金属氧化镍溶液的制备方法为：将金属氧化镍粉末溶于浓度为25％的氨水中，室温下，在磁力搅拌机中搅拌30min，之后静置1h，取上清液得到浓度为1.0％的金属氧化镍氨水溶液，即所述金属氧化镍溶液；
所述步骤(1)中透明基材经过预处理，预处理的步骤为：(a)中性洗涤剂超声清洗20min；(b)去离子水超声清洗20min；(c)碱液超声清洗30min；(d)去离子水超声清洗30min，3次；(e)异丙醇超声清洗20s；(f)氮气条件下风干；(g)在氩气与氧气流量比1：1氛围中于等离子体反应腔中清洗5min。
采用方块电阻测试仪测试本发明实施例所得透明导电薄膜的方块电阻；采用紫外可见分光光度计测试本发明实施例所得透明导电薄膜的透光率；测试结果见表1所示。
对比例1
一种新型透明导电薄膜，该导电薄膜由透明玻璃基材(厚度为0.5mm，透光率大于90％)、纳米银线(直径为40～110nm，长度为10～130μm)和金属三氧化钼(平均费氏粒度值为10～20μm)组成；所述透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为600rpm/5s，高速转数/时间为1200rpm/35s)在透明玻璃基材上涂布一层纳米银线溶液，再将透明玻璃基材置于加热板上，温度140℃，加热90s，最后将透明玻璃基材置于烘箱中，80℃条件下，烘干5min；所述纳米银线溶液的制备方法为：将美国Cambrios公司生产，型号为NKA710的纳米银线溶液与等体积的异丙醇混合，形成浓度为4X的溶液；
所述步骤(1)中透明基材经过预处理，预处理的步骤为：所述步骤(1)中透明基材经过预处理，预处理的步骤为：(a)中性洗涤剂超声清洗20min；(b)去离子水超声清洗20min；(c)碱液超声清洗30min；(d)去离子水超声清洗30min，3次；(e)异丙醇超声清洗20s；(f)氮气条件下风干；(g)在臭氧氛围中于紫外灯下照射5min。
采用方块电阻测试仪测试本发明实施例所得透明导电薄膜的方块电阻；采用紫外可见分光光度计测试本发明实施例所得透明导电薄膜的透光率；测试结果见表1所示。
对比例2
一种新型透明导电薄膜，该导电薄膜由透明玻璃基材(厚度为0.5mm，透光率大于90％)、纳米银线(直径为40～110nm，长度为10～130μm)和金属三氧化钼(平均费氏粒度值为10～20μm)组成；所述透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)对所述透明基材进行预处理，预处理的步骤为：在臭氧氛围中于紫外灯下照射5min。
(2)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为600rpm/5s，高速转数/时间为1200rpm/35s)在经过步骤(1)处理的透明玻璃基材上涂布一层金属三氧化钼溶液，再将透明玻璃基材置于加热板上，温度140℃，加热90s，制得所述透明导电薄膜；所述金属三氧化钼溶液的制备方法为：将金属三氧化钼粉末溶于浓度为28％的氨水中，室温下，在磁力搅拌机中搅拌30min，之后静置3h，取上清液得到浓度为0.1％的金属三氧化钼氨水溶液，即所述金属三氧化钼溶液；
所述步骤(1)中透明基材经过预处理，预处理的步骤为：(a)中性洗涤剂超声清洗20min；(b)去离子水超声清洗20min；(c)碱液超声清洗30min；(d)去离子水超声清洗30min，3次；(e)异丙醇超声清洗20s；(f)氮气条件下风干；(g)在氩气与氧气流量比1：1氛围中于等离子体反应腔中清洗5min。
采用方块电阻测试仪测试本发明实施例所得透明导电薄膜的方块电阻；采用紫外可见分光光度计测试本发明实施例所得透明导电薄膜的透光率；测试结果见表1所示。
对比例3
一种新型透明导电薄膜，该导电薄膜由透明玻璃基材(厚度为0.5mm，透光率大于90％)、纳米银线(直径为40～110nm，长度为10～130μm)和金属三氧化钼(平均费氏粒度值为10～20μm)组成；所述透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为600rpm/5s，高速转数/时间为1200rpm/35s)在透明玻璃基材上涂布一层纳米银线溶液，再将透明玻璃基材置于加热板上，温度140℃，加热90s，最后将透明玻璃基材置于烘箱中，80℃条件下，烘干5min；所述纳米银线溶液的制备方法为：将美国Cambrios公司生产，型号为NKA710的纳米银线溶液与等体积的异丙醇混合，形成浓度为4X的溶液；
(2)采用旋转涂膜法(低速转数/时间为600rpm/5s，高速转数/时间为1200rpm/35s)在经过步骤(1)处理的透明玻璃基材上涂布一层金属三氧化钼溶液，再将透明玻璃基材置于加热板上，温度140℃，加热90s，制得所述透明导电薄膜；所述金属三氧化钼溶液的制备方法为：将金属三氧化钼粉末溶于浓度为28％的氨水中，室温下，在磁力搅拌机中搅拌30min，之后静置3h，取上清液得到浓度为0.1％的金属三氧化钼氨水溶液，即所述金属三氧化钼溶液；
所述步骤(1)中透明基材不经过预处理
采用方块电阻测试仪测试本发明实施例所得透明导电薄膜的方块电阻；采用紫外可见分光光度计测试本发明实施例所得透明导电薄膜的透光率；测试结果见表1所示。
表1
| 方块电阻(Ω/cm2) | 透光率(T％) | |
| 实施例1 | 8 | 90 |
| 实施例2 | 12 | 92 |
| 实施例3 | 10 | 91 |
| 实施例4 | 11 | 91 |
| 实施例5 | 10 | 92 |
| 实施例6 | 10 | 90 |
| 对比例1 | 14 | 88 |
| 对比例2 | 无 | 95 |
| 对比例3 | 16 | 92 |
以上数据均为测量10次所得平均值。
从表1可以看出，在实施例1～6的新型透明导电薄膜中，使用不同的所述透明基材、所述纳米金属线，所述金属氧化物搭配，以及对所述透明基材的预处理方式，均能制成所述新型透明导电薄膜。
从表1可以看出，在实施例1～2的新型透明导电薄膜中，采用旋转涂膜法，使用的转速越低，新型透明导电薄膜中纳米金属线和金属氧化物的含量越高，新型透明导电薄膜的方块电阻越小，透过率越小。
从表1还可以看出，由实施例1与对比例1的方块电阻和透光率相比可以得出，金属氧化物的添加降低新型透明导电薄膜的方块电阻并且提高透光率。
从表1还可以看出，对比例2中无法测量出方块电阻，说明仅涂布金属氧化物不能制备导电膜。
从表1还可以看出，由实施例1与对比例3的方块电阻和透光率相比可以得出，对透明基材的预处理，能改变透明基材的表面能，是保证涂布成功的关键步骤。
实际上在测量对比例1的方块电阻时，10次测量中仅有4次能正确显示读数，而实施例1～6和对比例2在10次测量中均能正确显示读数，说明加入金属氧化物不仅可以提高薄膜的导电性，还能填补纳米银线间的空隙，消除薄膜上的缺陷。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为本发明专利的范围显示。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (3)
1.一种透明导电薄膜，其特征在于该导电薄膜由透明基材、纳米金属线和金属氧化物组成；
所述透明导电薄膜的制备方法包括如下步骤：
(1)采用湿加工的方法在透明基材上涂布一层纳米金属线溶液，再将透明基材置于加热板上，温度120～140℃，加热90～120s，最后将透明基材置于烘箱中，50～80℃条件下，烘干5～10min；所述透明基材为玻璃或具有柔性特征的塑料；所述纳米金属线为纳米银线、纳米金线或纳米铜线，所述纳米金属线的直径为40～110nm，长度为10～130μm；
(2)采用湿加工的方法在经过步骤(1)处理的透明基材上涂布一层金属氧化物溶液，再将透明基材置于加热板上，温度120～140℃，加热90～120s，制得所述透明导电薄膜；所述金属氧化物为三氧化钼、五氧化二钒、氧化镍中的一种或多种，所述金属氧化物平均费氏粒度值为10～20μm；所述金属氧化物溶液的制备方法为：将金属氧化物粉末溶于浓度为25～28％的氨水中，室温下，在磁力搅拌机中搅拌30min，之后静置1～3h，取上清液得到浓度为0.1～1.0％的金属氧化物氨水溶液，即所述金属氧化物溶液；
所述湿加工方法为旋转涂膜；
所述步骤(1)中所述湿加工方法为旋转涂膜，旋转涂膜的条件为：低速转数/时间为200～600rpm/5s，高速转数/时间为600～1200rpm/35s；
所述步骤(2)中所述湿加工方法为旋转涂膜，旋转涂膜的条件为：低速转数/时间为200～600rpm/5s，高速转数/时间为600～1200rpm/35s；
所述步骤(1)中透明基材经过预处理，预处理的步骤为：(a)中性洗涤剂超声清洗20min；(b)去离子水超声清洗20min；(c)碱液超声清洗30min；(d)去离子水超声清洗30min，3次；(e)异丙醇超声清洗20s；(f)氮气条件下风干；(g)在臭氧氛围中于紫外灯下照射5min或在氩气与氧气流量比1：1氛围中于等离子体反应腔中清洗5min。
2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于所述透明基材为玻璃、聚酰亚胺、聚四氟乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯；所述透明基材的透光率大于90％。
3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于所述步骤(1)中所述纳米金属线溶液的制备方法为：将市售的纳米金属线溶液与等体积的异丙醇混合，形成浓度均一的溶液；所述市售纳米金属线溶液为美国Cambrios公司生产，型号为NKA710。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610214990.8A CN105895196B (zh) | 2016-04-07 | 2016-04-07 | 一种新型透明导电薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610214990.8A CN105895196B (zh) | 2016-04-07 | 2016-04-07 | 一种新型透明导电薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105895196A CN105895196A (zh) | 2016-08-24 |
| CN105895196B true CN105895196B (zh) | 2018-02-16 |
Family
ID=57013031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610214990.8A Active CN105895196B (zh) | 2016-04-07 | 2016-04-07 | 一种新型透明导电薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105895196B (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106383606B (zh) * | 2016-08-31 | 2020-03-20 | 盐城牧东光电科技有限公司 | 一种低损耗纳米触控膜 |
| CN106782891A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-05-31 | 浙江大学 | 金属氧化物复合银纳米线透明导电薄膜的制备方法 |
| CN107103945A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-08-29 | 合肥工业大学 | 一种铜纳米线透明导电薄膜及制备方法 |
| CN108920000A (zh) * | 2018-06-30 | 2018-11-30 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN110606669A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-12-24 | 晟光科技股份有限公司 | 一种玻璃材质触控面板的镀膜工艺 |
| CN110739097B (zh) * | 2019-11-07 | 2021-07-16 | 浙江大学 | 功函数可调的银纳米线复合透明导电薄膜的制备方法 |
| CN114121346A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-01 | 中南大学 | 一种耐腐蚀的银纳米线复合透明电极及其制备方法 |
| CN115895149B (zh) * | 2022-11-15 | 2023-10-13 | 武汉理工大学 | 一种复合材料膜及其制备方法、柔性压阻传感器及其应用 |
| CN115746684A (zh) * | 2022-11-28 | 2023-03-07 | 昆山汉品电子有限公司 | 一种用于屏幕贴膜的防静电高屏蔽导电材料及其制备方法、一种屏幕膜 |
| CN118434249B (zh) * | 2024-07-02 | 2024-09-06 | 浙江省白马湖实验室有限公司 | 一种太阳能电池用柔性透明电极及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3031224B2 (ja) * | 1995-12-21 | 2000-04-10 | 凸版印刷株式会社 | 透明導電膜 |
| CN103921496A (zh) * | 2013-01-10 | 2014-07-16 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 导电薄膜、其制备方法及应用 |
| CN103198884B (zh) * | 2013-03-04 | 2016-03-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 全溶液加工多层结构透明导电薄膜及其制备方法 |
| CN103236323A (zh) * | 2013-04-18 | 2013-08-07 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 金属纳米线和金属氧化物复合透明导电薄膜的制备方法 |
| JP2015099748A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | デクセリアルズ株式会社 | 透明導電体及び透明導電体の製造方法 |
| CN103996453B (zh) * | 2014-04-30 | 2018-06-12 | 天津宝兴威科技股份有限公司 | 一种高透过率纳米金属透明导电膜的制造方法 |
| CN104112544A (zh) * | 2014-05-14 | 2014-10-22 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种防硫化氢气体腐蚀的银纳米线透明导电薄膜的制备方法 |
| CN104992752B (zh) * | 2015-07-16 | 2016-12-14 | 城步新鼎盛电子科技有限公司 | 一种纳米银线透明导电薄膜的生产方法 |
| CN105161220B (zh) * | 2015-10-09 | 2017-10-17 | 重庆文理学院 | 一种耐高温银导电薄膜的制备方法 |
-
2016
- 2016-04-07 CN CN201610214990.8A patent/CN105895196B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105895196A (zh) | 2016-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200207 Address after: 264006 No. 11 Wuzhishan Road, Yantai economic and Technological Development Zone, Shandong Patentee after: VALIANT Co.,Ltd. Address before: 214112 No. 210, Xinzhou Road, New District, Jiangsu, Wuxi Patentee before: JIANGSU SUNERA TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A new transparent conductive film and its preparation method Effective date of registration: 20211202 Granted publication date: 20180216 Pledgee: Yantai Branch of China Merchants Bank Co.,Ltd. Pledgor: VALIANT Co.,Ltd. Registration number: Y2021980013807 |
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| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20220823 Granted publication date: 20180216 Pledgee: Yantai Branch of China Merchants Bank Co.,Ltd. Pledgor: VALIANT Co.,Ltd. Registration number: Y2021980013807 |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221102 Address after: 214112 No.210 Xinzhou Road, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee after: Jiangsu March Technology Co.,Ltd. Address before: 264006 No. 11 Wuzhishan Road, Yantai economic and Technological Development Zone, Shandong Patentee before: VALIANT Co.,Ltd. |