CN105845833A - 白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种白光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、红绿混合量子点发光层、绿光能量传递层、蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm～8nm。这种白光量子点薄膜电致发光器件，采用厚度为2nm～8nm的红绿混合量子点发光层，从而使得红绿混合量子点发光层形成不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过红绿混合量子点发光层而不在红绿混合量子点发光层与空穴传输层界面过多积累，在蓝光有机发光层的位置并形成激子后通过能量传递的方式再到达红绿混合量子点发光层上使其发光，从而解决了白光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入势垒较高的问题。

Description

白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及薄膜电致发光器件领域，特别是涉及一种白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法。
背景技术
量子点(quantumdots，QDs)是由有限数目的原子组成，三个维度尺寸均在纳米数量级。量子点一般为球形或类球形，是由半导体材料(通常由ⅡB～ⅥA或ⅢA～ⅤA元素组成)制成的、稳定直径在2～20nm的纳米粒子。量子点是在纳米尺度上的原子和分子的集合体，既可由一种半导体材料组成，如由IIB.VIA族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)或IIIA.VA族元素(如InP、InAs等)组成，也可以由两种或两种以上的半导体材料组成。作为一种新颖的半导体纳米材料，量子点具有许多独特的纳米性质，并且可以应用作为薄膜电致发光器件的发光层。
然而，由于薄膜电致发光器件常用的透明阳极ITO功函数为4.8eV，其与QDs的HOMO能级(>6.0eV)相差较远，因此造成QLED器件中空穴注入势垒普遍较高，需要高HOMO能级的空穴注入材料来帮助空穴的注入，然而当前常用的空穴注入材料其HOMO能级一般为5.2eV～6.0eV，对于红光QDs(～6.0eV)来说基本能满足空穴注入的要求，然而对于绿光QDs(～6.5eV)和蓝光QDs(～6.8eV)来说，由于空穴注入势垒较高，很难满足空穴注入的要求。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够解决空穴注入势垒较高的问题的白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法。
一种白光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、红绿混合量子点发光层、绿光能量传递层、蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；
所述红绿混合量子点发光层的材料为红光量子点和绿光量子点的混合物，所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm～8nm；
所述绿光能量传递层的材料为具有电子传输能力的绿光有机发光材料，所述绿光能量传递层的厚度为0.1nm～1.8nm；
所述蓝光有机发光层的材料为蓝光有机发光材料。
在一个实施例中，所述红绿混合量子点发光层的材料为质量比为4：1～5：1的红光量子点和绿光量子点的混合物；
所述红光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点或核壳结构的CdSe@CdS红光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点的粒径为10nm～15nm，所述核壳结构的CdSe@CdS红光量子点的粒径为10nm～15nm，所述绿光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点的粒径为6nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”为ZnS包覆CdSe，“CdSe@CdS”为CdS包覆CdSe。
在一个实施例中，所述具有电子传输能力的绿光有机发光材料选自三(8-羟基喹啉)铝、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素和三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种；
所述蓝光有机发光层的厚度为15nm～30nm；
所述蓝光有机发光材料选自氨基取代的联苯乙烯基衍生物、四溴苯酚酞乙酯钾盐、4,4’-(二(9-乙基-3乙烯咔唑)-1,1’-联苯和双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱中的至少一种。
在一个实施例中，所述阳极的材料为ITO、FTO、AZO或IZO，所述阳极的厚度为80nm～200nm。
在一个实施例中，所述空穴注入层的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐的混合物，所述空穴注入层的厚度为15nm～25nm。
在一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)和聚((9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4'-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))中的至少一种，所述空穴传输层的厚度为30nm～50nm。
在一个实施例中，所述电子传输层的材料选自8-羟基喹啉铝、二苯基邻菲咯啉和N-芳基苯并咪唑中的至少一种，所述电子传输层的厚度为30nm～50nm。
在一个实施例中，所述电子注入层的材料选自氟化锂、碳酸锂、碳酸铯、氮化铯、氯化铯和氟化铯中的至少一种，所述电子注入层的厚度为0.5nm～5nm。
在一个实施例中，所述阴极的材料为铝、银、镁、钡或钙，所述阴极的厚度为80nm～150nm。
上述的白光量子点薄膜电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
提供基底并对所述基底进行清洗；
在清洗干净的所述基底上形成阳极；
在所述阳极上通过溶液旋涂法依次形成空穴注入层、空穴传输层和红绿混合量子点发光层，其中，所述红绿混合量子点发光层的材料为红光量子点和绿光量子点的混合物，所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm～8nm；以及
在所述红绿混合量子点发光层上通过真空蒸镀法依次形成绿光能量传递层、蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，所述绿光能量传递层的材料为具有电子传输能力的绿光有机发光材料，所述绿光能量传递层的厚度为0.1nm～1.8nm，所述蓝光有机发光层的材料为蓝光有机发光材料。
这种白光量子点薄膜电致发光器件，首先采用厚度为2nm～8nm的红绿混合量子点发光层，从而使得红绿混合量子点发光层形成不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过红绿混合量子点发光层而不在红绿混合量子点发光层与空穴传输层界面过多积累，然后在红绿混合量子点发光层与电子传输层之间插入HOMO能级相对红绿混合量子点发光层的HOMO能级较低的绿光能量传递层，空穴由阳极注入后经过空穴注入层、空穴传输层之后可部分穿过红绿混合量子点发光层到达蓝光有机发光层的位置并形成激子，并且激子通过能量传递(ET，EnergyTransfer)的方式再到达红绿混合量子点发光层上使其发光，从而解决了白光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入势垒较高的问题。
同时，绿光能量传递层的厚度为0.1nm～1.8nm，从而使得绿光能量传递层无法形成自身的强烈发光，不影响白光量子点薄膜电致发光器件的发光光谱及其色纯度。
附图说明
图1为一实施方式的白光量子点薄膜电致发光器件的结构示意图；
图2为如图1所示的白光量子点薄膜电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1制得的白光量子点薄膜电致发光器件的发光光谱图；
图4为实施例2制得的白光量子点薄膜电致发光器件的发光光谱图；
图5为实施例3制得的白光量子点薄膜电致发光器件的发光光谱图；
图6为对比例制得的量子点薄膜电致发光器件的发光光谱图。
具体实施方式
下面主要结合附图及具体实施例对白光量子点薄膜电致发光器件的制备方法作进一步详细的说明。
如图1所示的一实施方式的白光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、红绿混合量子点发光层50、绿光能量传递层60、蓝光有机发光层70、电子传输层80、电子注入层90以及阴极100。
基底10通常选择透过率较高的玻璃。
阳极20的材料为铟锡氧化物(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(IZO)。
阳极20的厚度为80nm～200nm。
空穴注入层30的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物。优选的，空穴注入层30的材料为质量比为3：1的聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物。
空穴注入层30的厚度为15nm～25nm。
空穴传输层40的材料选自聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD)和聚((9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4'-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))(TFB)中的至少一种。
空穴传输层40的厚度为30nm～50nm。
红绿混合量子点发光层50的材料为红光量子点和绿光量子点的混合物。优选的，红绿混合量子点发光层50的材料为质量比为4：1～5：1的红光量子点和绿光量子点的混合物。红光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点或核壳结构的CdSe@CdS红光量子点，核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点的粒径为10nm～15nm，核壳结构的CdSe@CdS红光量子点的粒径为10nm～15nm，绿光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点，核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点的粒径为6nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”为ZnS包覆CdSe，“CdSe@CdS”为CdS包覆CdSe。
核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点、核壳结构的CdSe@CdS红光量子点和核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点均可以直接购买得到。
优选的，核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点的粒径为12.5nm。
红绿混合量子点发光层50的厚度为2nm～8nm，从而使得红绿混合量子点发光层50为不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过红绿混合量子点发光层50而不在红绿混合量子点发光层50与空穴传输层40界面过多积累。
绿光能量传递层60的材料为具有电子传输能力的绿光有机发光材料。具有电子传输能力的绿光有机发光材料选自三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545)和三(2-苯基吡啶)合铱(III)(Ir(ppy)3)中的至少一种。
绿光能量传递层60的厚度为0.1nm～1.8nm。
蓝光有机发光层70的材料为蓝光有机发光材料。具体的，蓝光有机发光材料选自BCzVB(氨基取代的联苯乙烯基衍生物)、四溴苯酚酞乙酯钾盐(TBPe)、4,4’-(二(9-乙基-3乙烯咔唑)-1,1’-联苯(BCzVBi)和双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(Firpic)中的至少一种。
蓝光有机发光层70的厚度为15nm～30nm。
电子传输层80的材料选自8-羟基喹啉铝(Alq3)、二苯基邻菲咯啉(Bphen)和N-芳基苯并咪唑(TPBi)中至少一种。
电子传输层80的厚度为30nm～50nm。
电子注入层90的材料选自氟化锂(LiF)、碳酸锂(Li2CO3)、碳酸铯(Cs2CO3)、氮化铯(CsN3)、氯化铯(CsCl)和氟化铯(CsF)中的至少一种。
电子注入层90的厚度为0.5nm～5nm。
阴极100的材料为铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、钡(Ba)或钙(Ca)。
阴极100的厚度为80nm～150nm。
这种白光量子点薄膜电致发光器件，首先采用厚度为8nm～15nm的红绿混合量子点发光层50，从而使得红绿混合量子点发光层50形成不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过红绿混合量子点发光层50而不在红绿混合量子点发光层50与空穴传输层40界面过多积累，然后在红绿混合量子点发光层50与电子传输层80之间插入HOMO能级相对红绿混合量子点发光层50的HOMO能级较低的绿光能量传递层60，空穴由阳极20注入后经过空穴注入层30、空穴传输层40之后可部分穿过红绿混合量子点发光层50到达绿光能量传递层60的位置并形成激子，并且激子通过能量传递(ET，Energy Transfer)的方式再到达红绿混合量子点发光层50上使其发光，从而解决了白光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入势垒较高的问题。
同时，绿光能量传递层的厚度为0.1nm～1.8nm，从而使得绿光能量传递层无法形成自身的强烈发光，不影响白光量子点薄膜电致发光器件的发光光谱及其色纯度。
如图2所示的上述白光量子点薄膜电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S10、提供基底10并对基底10进行清洗。
基底10通常选择透过率较高的玻璃。
对基底10进行清洗的操作为：对基底10依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。
S20、在S10得到的清洗干净的基底10上形成阳极20。
阳极20的材料为铟锡氧化物(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(IZO)。
阳极20的厚度为80nm～200nm。
在S10得到的清洗干净的基底上形成阳极20的操作中，阳极20的形成方法包括蒸镀、喷镀、溅射、电化学蒸发沉积、电化学方式等，优选为溅射。
S20还包括对形成有阳极20的基板10依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min，再进行UV-ozone作15min处理的操作。
S30、在S20形成的阳极20上通过溶液旋涂法依次形成空穴注入层30、空穴传输层40和红绿混合量子点发光层50。
空穴注入层30的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物。优选的，空穴注入层30的材料为质量比为3：1的聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物。
空穴注入层30的厚度为15nm～25nm。
空穴传输层40的材料选自聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD)和聚((9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4'-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))(TFB)中的至少一种。
空穴传输层40的厚度为30nm～50nm。
红绿混合量子点发光层50的材料为红光量子点和绿光量子点的混合物。优选的，红绿混合量子点发光层50的材料为质量比为4：1～5：1的红光量子点和绿光量子点的混合物。红光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点或核壳结构的CdSe@CdS红光量子点，核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点的粒径为10nm～15nm，核壳结构的CdSe@CdS红光量子点的粒径为10nm～15nm，绿光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点，核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点的粒径为6nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”为ZnS包覆CdSe，“CdSe@CdS”为CdS包覆CdSe。
核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点、核壳结构的CdSe@CdS红光量子点和核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点均可以直接购买得到。
优选的，核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点的粒径为12.5nm。
红绿混合量子点发光层50的厚度为2nm～8nm，从而使得红绿混合量子点发光层50为不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过红绿混合量子点发光层50而不在红绿混合量子点发光层50与空穴传输层40界面过多积累。
S40、在S30形成的红绿混合量子点发光层50上通过真空蒸镀法依次形成绿光能量传递层60、蓝光有机发光层70、电子传输层80、电子注入层90和阴极100。
绿光能量传递层60的材料为具有电子传输能力的绿光有机发光材料。具有电子传输能力的绿光有机发光材料选自三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545)和三(2-苯基吡啶)合铱(III)(Ir(ppy)3)中的至少一种。
绿光能量传递层60的厚度为0.1nm～1.8nm。
蓝光有机发光层70的材料为蓝光有机发光材料。具体的，蓝光有机发光材料选自BCzVB(氨基取代的联苯乙烯基衍生物)、四溴苯酚酞乙酯钾盐(TBPe)、4,4’-(二(9-乙基-3乙烯咔唑)-1,1’-联苯(BCzVBi)和双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(Firpic)中的至少一种。
蓝光有机发光层70的厚度为15nm～30nm。
电子传输层80的材料选自8-羟基喹啉铝(Alq3)、二苯基邻菲咯啉(Bphen)和N-芳基苯并咪唑(TPBi)中至少一种。
电子传输层80的厚度为30nm～50nm。
电子注入层90的材料选自氟化锂(LiF)、碳酸锂(Li2CO3)、碳酸铯(Cs2CO3)、氮化铯(CsN3)、氯化铯(CsCl)和氟化铯(CsF)中的至少一种。
电子注入层90的厚度为0.5nm～5nm。
阴极100的材料为铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、钡(Ba)或钙(Ca)。
阴极100的厚度为80nm～150nm。
这种白光量子点薄膜电致发光器件的制备方法，工艺简单，操作便利，可以适用于白光量子点薄膜电致发光器件的制备。
以下为具体实施例。
实施例1
先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。然后玻璃基板上溅射一层厚度为150nm的ITO导电膜，再进行UV-ozone作15min处理。
接着采用溶液旋涂法旋涂质量比为3：1的PEDOT和PSS的混合物制备空穴注入层，转速为5000rpm，150℃下退火30min，空穴注入层的厚度为20nm。接着旋涂18mg/mL的poly-TPD的氯苯溶液制备空穴传输层，转速为3000rpm，110℃下退火60min，厚度为40nm。之后制备红绿混合量子点发光层，采用质量比为4：1的CdSe@ZnS红光量子点和CdSe@ZnS绿光量子点形成的混合物的甲苯溶液，旋涂浓度为4mg/mL，转速3000rpm，150℃下退火30min，厚度为5nm，得到半成品。
之后将半成品转移至压力为10-4Pa下的高真空腔体内，用真空蒸镀的方法依次沉积0.7nm的Alq3作为绿光能量传递层，20nm的TBPe作为蓝光有机发光层，40nm的TPBi作为电子传输层，1nm的LiF作为电子注入层，最后真空蒸镀100nm的Al作为阴极，得到所需的白光量子点薄膜电致发光器件。
实施例2
先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。然后玻璃基板上溅射一层厚度为150nm的ITO导电膜，再进行UV-ozone作15min处理。
接着采用溶液旋涂法旋涂质量比为3：1的PEDOT和PSS的混合物制备空穴注入层，转速为5000rpm，150℃下退火30min，空穴注入层的厚度为20nm。接着旋涂18mg/mL的poly-TPD的氯苯溶液制备空穴传输层，转速为3000rpm，110℃下退火60min，厚度为40nm。之后制备红绿混合量子点发光层，采用质量比为4：1的CdSe@ZnS红光量子点和CdSe@ZnS绿光量子点形成的混合物的甲苯溶液，旋涂浓度为4mg/mL，转速5000rpm，150℃下退火30min，厚度为2nm，得到半成品。
之后将半成品转移至压力为10-4Pa下的高真空腔体内，用真空蒸镀的方法依次沉积1.8nm的C545作为绿光能量传递层，15nm的Firpic作为蓝光有机发光层，40nm的TPBi作为电子传输层，1nm的LiF作为电子注入层，最后真空蒸镀100nm的Al作为阴极，得到所需的白光量子点薄膜电致发光器件。
实施例3
先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。然后玻璃基板上溅射一层厚度为150nm的ITO导电膜，再进行UV-ozone作15min处理。
接着采用溶液旋涂法旋涂质量比为3：1的PEDOT和PSS的混合物制备空穴注入层，转速为5000rpm，150℃下退火30min，空穴注入层的厚度为20nm。接着旋涂18mg/mL的poly-TPD的氯苯溶液制备空穴传输层，转速为3000rpm，110℃下退火60min，厚度为40nm。之后制备红绿混合量子点发光层，采用质量比为5：1的CdSe@ZnS红光量子点和CdSe@ZnS绿光量子点形成的混合物的甲苯溶液，旋涂浓度为4mg/mL，转速1000rpm，150℃下退火30min，厚度为8nm，得到半成品。
之后将半成品转移至压力为10-4Pa下的高真空腔体内，用真空蒸镀的方法依次沉积0.1nm的Ir(ppy)3作为绿光能量传递层，30nm的BCzVBi作为蓝光有机发光层，40nm的TPBi作为电子传输层，1nm的LiF作为电子注入层，最后真空蒸镀100nm的Al作为阴极，得到所需的白光量子点薄膜电致发光器件。
对比例
实施例4制备量子点薄膜电致发光器件的过程与实施例1基本相同，唯一区别在于，实施例4中没有绿光能量传递层。
分别对实施例1～实施例3白光量子点薄膜电致发光器件以及对比例制得的量子点薄膜电致发光器件进行光谱试验，得到图3～图6。
由图3～图5可以看出，实施例1～实施例3中制得的白光量子点薄膜电致发光器件的发光光谱中均可以看到较强的绿光，均可以同时发出红绿蓝三色的光，其中，实施例1制得的白光量子点薄膜电致发光器件的发光光谱最均匀，绿光得到明显增强，得到的白光最好。
由图6可以看出，对比例制得的量子点薄膜电致发光器件的发光光谱中的绿光成分很弱。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、红绿混合量子点发光层、绿光能量传递层、蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；
所述红绿混合量子点发光层的材料为红光量子点和绿光量子点的混合物，所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm～8nm；
所述绿光能量传递层的材料为具有电子传输能力的绿光有机发光材料，所述绿光能量传递层的厚度为0.1nm～1.8nm；
所述蓝光有机发光层的材料为蓝光有机发光材料。
2.根据权利要求1所述的白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述红绿混合量子点发光层的材料为质量比为4：1～5：1的红光量子点和绿光量子点的混合物；
所述红光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点或核壳结构的CdSe@CdS红光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点的粒径为10nm～15nm，所述核壳结构的CdSe@CdS红光量子点的粒径为10nm～15nm，所述绿光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点的粒径为6nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”为ZnS包覆CdSe，“CdSe@CdS”为CdS包覆CdSe。
3.根据权利要求1所述的白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述具有电子传输能力的绿光有机发光材料选自三(8-羟基喹啉)铝、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素和三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种；
所述蓝光有机发光层的厚度为15nm～30nm；
所述蓝光有机发光材料选自氨基取代的联苯乙烯基衍生物、四溴苯酚酞乙酯钾盐、4,4’-(二(9-乙基-3乙烯咔唑)-1,1’-联苯和双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述阳极的材料为ITO、FTO、AZO或IZO，所述阳极的厚度为80nm～200nm。
5.根据权利要求1所述的白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐的混合物，所述空穴注入层的厚度为15nm～25nm。
6.根据权利要求1所述的白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)和聚((9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4'-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))中的至少一种，所述空穴传输层的厚度为30nm～50nm。
7.根据权利要求1所述的白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料选自8-羟基喹啉铝、二苯基邻菲咯啉和N-芳基苯并咪唑中的至少一种，所述电子传输层的厚度为30nm～50nm。
8.根据权利要求1所述的白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料选自氟化锂、碳酸锂、碳酸铯、氮化铯、氯化铯和氟化铯中的至少一种，所述电子注入层的厚度为0.5nm～5nm。
9.根据权利要求1所述的白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述阴极的材料为铝、银、镁、钡或钙，所述阴极的厚度为80nm～150nm。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的白光量子点薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基底并对所述基底进行清洗；
在清洗干净的所述基底上形成阳极；
在所述阳极上通过溶液旋涂法依次形成空穴注入层、空穴传输层和红绿混合量子点发光层，其中，所述红绿混合量子点发光层的材料为红光量子点和绿光量子点的混合物，所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm～8nm；以及
在所述红绿混合量子点发光层上通过真空蒸镀法依次形成绿光能量传递层、蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，所述绿光能量传递层的材料为具有电子传输能力的绿光有机发光材料，所述绿光能量传递层的厚度为0.1nm～1.8nm，所述蓝光有机发光层的材料为蓝光有机发光材料。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108767131A (zh) * 2018-06-07 2018-11-06 广州市得胜光电科技有限公司 一种量子点发光二极管及其制作方法
CN109638172A (zh) * 2018-12-14 2019-04-16 惠科股份有限公司 有机发光器件及其制备方法、显示装置
CN109742233A (zh) * 2018-12-24 2019-05-10 上海大学 倒置串联白光量子点发光器件及其制备方法
CN110311058A (zh) * 2019-06-05 2019-10-08 河南大学 一种基于azo电极的正型qled器件及其制备方法
CN112352031A (zh) * 2018-05-11 2021-02-09 纳米系统公司 基于共振能量转移的量子点led设计
CN112635686A (zh) * 2021-01-04 2021-04-09 西安电子科技大学 基于钙钛矿和有机材料的白光发光二极管及制备方法
CN116426287A (zh) * 2023-02-10 2023-07-14 闽都创新实验室 一种改性防蓝光量子点和量子点扩散板及制备方法
CN112352031B (zh) * 2018-05-11 2024-06-07 昭荣化学工业株式会社 基于共振能量转移的量子点led设计

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101889480A (zh) * 2007-10-16 2010-11-17 Hcf合伙人股份两合公司 具有电致磷光质涂覆的发射量子点的有机发光二极管
CN103500803A (zh) * 2013-10-21 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件
WO2015107103A1 (de) * 2014-01-15 2015-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen lichtemittierenden bauelements
CN105140361A (zh) * 2015-09-11 2015-12-09 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN105185919A (zh) * 2015-09-02 2015-12-23 Tcl集团股份有限公司 混合型qled及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101889480A (zh) * 2007-10-16 2010-11-17 Hcf合伙人股份两合公司 具有电致磷光质涂覆的发射量子点的有机发光二极管
CN103500803A (zh) * 2013-10-21 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件
WO2015107103A1 (de) * 2014-01-15 2015-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen lichtemittierenden bauelements
CN105185919A (zh) * 2015-09-02 2015-12-23 Tcl集团股份有限公司 混合型qled及其制备方法
CN105140361A (zh) * 2015-09-11 2015-12-09 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112352031A (zh) * 2018-05-11 2021-02-09 纳米系统公司 基于共振能量转移的量子点led设计
CN112352031B (zh) * 2018-05-11 2024-06-07 昭荣化学工业株式会社 基于共振能量转移的量子点led设计
CN108767131A (zh) * 2018-06-07 2018-11-06 广州市得胜光电科技有限公司 一种量子点发光二极管及其制作方法
CN109638172A (zh) * 2018-12-14 2019-04-16 惠科股份有限公司 有机发光器件及其制备方法、显示装置
CN109742233A (zh) * 2018-12-24 2019-05-10 上海大学 倒置串联白光量子点发光器件及其制备方法
CN110311058A (zh) * 2019-06-05 2019-10-08 河南大学 一种基于azo电极的正型qled器件及其制备方法
CN112635686A (zh) * 2021-01-04 2021-04-09 西安电子科技大学 基于钙钛矿和有机材料的白光发光二极管及制备方法
CN116426287A (zh) * 2023-02-10 2023-07-14 闽都创新实验室 一种改性防蓝光量子点和量子点扩散板及制备方法

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