CN105839081A - 一种辐射散热膜的制备方法 - Google Patents

一种辐射散热膜的制备方法 Download PDF

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Abstract

一种辐射散热膜的制备方法,将四氯化锡与三氯化锑水溶液按照锑锡摩尔比为1:9至1:1.5的比例混合,雾化成气溶胶,在载气的引导下、在温度为400℃至600℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜,在所述掺杂锑的二氧化锡膜中,锑的摩尔百分含量为10‑40%。具体是将四氯化锡与三氯化锑水溶液的混合液放入超声波雾化装置中雾化成气溶胶,所使用的超声波频率不低于1.7MHz。气为空气、氮气或者氩气。衬底为铝衬底、铝合金衬底、不锈钢衬底或者玻璃衬底。本发明的辐射散热膜的制备方法,所制备的辐射散热膜辐射散热效果好,而且环保。

Description

一种辐射散热膜的制备方法
技术领域
本发明涉及辐射散热技术领域,特别是涉及一种辐射散热膜的制备方法。
背景技术
随着电子产品性能的不断提高及电子产品体积的不断小型化,对电子产品的散热性能要求也越来越高。辐射散热膜是一种良好的散热材料,在散热性能的提高方面发挥着重要作用。
常见的辐射散热膜的制备方式主要有涂料涂覆如碳化硅、氮化硅涂料涂层、阳极氧化如氧化铝膜等工艺与材料。这些工艺与材料面临界面热阻高或环保压力大的问题。
因此,针对现有技术不足,提供一种辐射散热效果好、环保性良好的辐射散热膜的制备方法以克服现有技术不足甚为必要。
发明内容
本发明的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种辐射散热膜的制备方法,该辐射散热膜的制备方法具有辐射散热效果好、环保的特点。
本发明的上述目的通过如下技术手段实现。
提供一种辐射散热膜的制备方法,将四氯化锡与三氯化锑水溶液按照锑锡摩尔比为1:9至1:1.5的比例混合,再雾化成气溶胶,在载气的引导下、在温度为400℃至600℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜,在所述掺杂锑的二氧化锡膜中,锑的摩尔百分含量为10-40%。
上述的辐射散热膜的制备方法,具体是将四氯化锡与三氯化锑水溶液的混合液放入超声波雾化装置中雾化成气溶胶,所使用的超声波频率不低于1.7MHz。
上述载气为空气、氮气或者氩气。
上述衬底为铝衬底、铝合金衬底、不锈钢衬底或者玻璃衬底。
优选的,上述掺杂锑的二氧化锡膜中,锑的摩尔百分含量为10%、15%、20%、25%、30%或者45%。
作为一种优选方式,上述的辐射散热膜的制备方法,具体是在温度为450℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜。
作为一种优选方式,上述的辐射散热膜的制备方法,具体是在温度为500℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜。
作为一种优选方式,上述的辐射散热膜的制备方法,具体是在温度为550℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜。
作为一种优选方式,上述的辐射散热膜的制备方法,具体是在温度为600℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜。
本发明的辐射散热膜的制备方法,将四氯化锡与三氯化锑水溶液按照锑锡摩尔比为1:9至1:1.5的比例混合,雾化成气溶胶,在载气的引导下、在温度为400℃至600℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜,在所述掺杂锑的二氧化锡膜中,锑的摩尔百分含量为10-40%。本发明的辐射散热膜的制备方法,在衬底沉积一层高掺杂的二氧化锡膜,将金属的强度与高导热率与高掺杂二氧化锡膜的高辐射散热相结合,能够提高封装器件、散热器件的散热能力,不仅辐射散热效果好,而且环保。
具体实施方式
结合以下实施例对本发明作进一步描述。
实施例1。
一种辐射散热膜的制备方法,将四氯化锡与三氯化锑水溶液按照锑锡摩尔比为1:9至1:1.5的比例混合,雾化成气溶胶,在载气的引导下、在温度为400℃至600℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜,在所述掺杂锑的二氧化锡膜中,锑的摩尔百分含量为10-40%,优选为10%、15%、20%、25%、30%或者45%。
具体可将四氯化锡与三氯化锑水溶液的混合液放入超声波雾化装置中雾化成气溶胶,所使用的超声波频率不低于1.7MHz。所使用的载气为空气、氮气或者氩气。所采用的衬底为铝衬底、铝合金衬底、不锈钢衬底或者玻璃衬底。
该辐射散热膜的制备方法,在衬底沉积一层高掺杂的二氧化锡膜,将金属的强度与高导热率与高掺杂二氧化锡膜的高辐射散热相结合,能够提高封装器件、散热器件的散热能力,不仅辐射散热效果好,而且环保。
实施例2。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑与锡的摩尔比为1/9混合,放入超声波雾化装置中雾化成气溶胶,在空气载气的引导下,在400℃的铝衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜)。实验结果显示,在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例3。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑与锡的摩尔比为1/9混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在空气载气的引导下,在450℃的铝衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜)。在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例4。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比1/9混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在空气载气的引导下,在500℃的铝衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜)。在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例5。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比1/9混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在空气载气的引导下,在550℃的铝衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜)。在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例6。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比1/9混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氮气载气的引导下,在600℃的铝衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜)。在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.75-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例7。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比15/85混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氮气载气的引导下,在400℃的铝合金衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜)。在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例8。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比15/85混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氩气载气的引导下,在450℃的铝合金衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜。在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例9。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比15/85混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氮气载气的引导下,在500℃的铝合金衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例10。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比15/85混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氮气载气的引导下,在500℃的不锈钢衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例11。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比15/85混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在空气载气的引导下,在550℃的玻璃衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85。
实施例12。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比15/85混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氮气载气的引导下,在600℃的铝合金衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.75-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例13。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比20/80混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氩气载气的引导下,在400℃的不锈钢衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例14。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比20/80混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氩气载气的引导下,在450℃的玻璃衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例15。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比20/80混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氮气载气的引导下,在500℃的玻璃衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例16。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比20/80混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在空气载气的引导下,在550℃的不锈钢衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例17。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比20/80混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氩气载气的引导下,在600℃的玻璃衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.75-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例18。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比25/75混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氩气载气的引导下,在400℃的铝衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例19。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比25/75混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氩气的引导下,在450℃的不锈钢衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例20。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比25/75混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氮气载气的引导下,在500℃的铝衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85。
实施例21。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比25/75混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氩气载气的引导下,在550℃的铝合金、不锈衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例22。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比25/75混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在氩气载气的引导下,在600℃的铝衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.7-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例23。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比30/70混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在400℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例24。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比30/70混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在450℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例25。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比30/70混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在500℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例26。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比30/70混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在550℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例27。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比30/70混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在600℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.75-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例28。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比35/65混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在400℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例29。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比35/65混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在450℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例30。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比35/65混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在500℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例31。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比35/65混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在550℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例32。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比35/65混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在600℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.75-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例33。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比40/60混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在400℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例34。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比40/60混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在450℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.9-0.95,具有良好的热辐射特性。
实施例35。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比40/60混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在500℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例36。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比40/60混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在550℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.8-0.85,具有良好的热辐射特性。
实施例37。
将四氯化锡与三氯化锑水溶液按锑/锡摩尔比40/60混合,放入超声波雾化装置中,雾化成气溶胶,在载气(空气或氮气或氩气)的引导下,在600℃的铝(或铝合金、不锈钢、玻璃)衬底表面沉积,形成掺杂锑的二氧化锡膜(简称ATO膜),在8-12μm的红外波段,该膜的红外辐射比达到0.75-0.85,具有良好的热辐射特性。
大量实验结果显示,本发明的辐射散热膜的制备方法,在衬底沉积一层高掺杂的二氧化锡膜,将金属的强度与高导热率与高掺杂二氧化锡膜的高辐射散热相结合,能够提高封装器件、散热器件的散热能力,不仅辐射散热效果好,而且环保。
最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (9)

1.一种辐射散热膜的制备方法,其特征在于:将四氯化锡与三氯化锑水溶液按照锑锡摩尔比为1:9至1:1.5的比例混合,再雾化成气溶胶,在载气的引导下、在温度为400℃至600℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜,在所述掺杂锑的二氧化锡膜中,锑的摩尔百分含量为10-40%。
2.根据权利要求1所述的辐射散热膜的制备方法,其特征在于:具体是将四氯化锡与三氯化锑水溶液的混合液放入超声波雾化装置中雾化成气溶胶,所使用的超声波频率不低于1.7MHz。
3.根据权利要求1所述的辐射散热膜的制备方法,其特征在于:所述载气为空气、氮气或者氩气。
4.根据权利要求1所述的辐射散热膜的制备方法,其特征在于:所述衬底为铝衬底、铝合金衬底、不锈钢衬底或者玻璃衬底。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的辐射散热膜的制备方法,其特征在于:所述掺杂锑的二氧化锡膜中,锑的摩尔百分含量为10%、15%、20%、25%、30%或者45%。
6.根据权利要求1至4任意一项所述的辐射散热膜的制备方法,其特征在于:具体是在温度为450℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜。
7.根据权利要求1至4任意一项所述的辐射散热膜的制备方法,其特征在于:具体是在温度为500℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜。
8.根据权利要求1至4任意一项所述的辐射散热膜的制备方法,其特征在于:具体是在温度为550℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜。
9.根据权利要求1至4任意一项所述的辐射散热膜的制备方法,其特征在于:具体是在温度为600℃的衬底表面形成掺杂锑的二氧化锡膜。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107385421A (zh) * 2017-08-31 2017-11-24 广东工业大学 一种导热亲水复合薄膜及其制备方法
CN107779847A (zh) * 2017-09-25 2018-03-09 上海同臣环保有限公司 一种涂层钛阳极及其喷涂热解制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1367494A (zh) * 2001-07-14 2002-09-04 潍坊润泰智能电气有限公司 一种锡锑氧化物导电膜及其制造方法
US20040115361A1 (en) * 2002-09-03 2004-06-17 Aegerter Michel A. Method for depositing a film on a substrate
CN101070226A (zh) * 2007-06-22 2007-11-14 中国洛阳浮法玻璃集团有限责任公司 一种低辐射自清洁复合功能玻璃及其制备方法
CN101215190A (zh) * 2007-12-29 2008-07-09 中国科学院广州能源研究所 表面具有透明热反射涂层的陶瓷制品及其制备方法
CN102593479A (zh) * 2012-02-20 2012-07-18 上海电力学院 一种具有Sb掺杂SnO2薄膜涂层的304不锈钢双极板及其制备方法和应用
CN202650582U (zh) * 2012-06-08 2013-01-02 江苏双山集团股份有限公司 一种新型的导电玻璃纤维材料

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1367494A (zh) * 2001-07-14 2002-09-04 潍坊润泰智能电气有限公司 一种锡锑氧化物导电膜及其制造方法
US20040115361A1 (en) * 2002-09-03 2004-06-17 Aegerter Michel A. Method for depositing a film on a substrate
CN1694769A (zh) * 2002-09-03 2005-11-09 康宁股份有限公司 在基材上沉积膜的方法
CN101070226A (zh) * 2007-06-22 2007-11-14 中国洛阳浮法玻璃集团有限责任公司 一种低辐射自清洁复合功能玻璃及其制备方法
CN101215190A (zh) * 2007-12-29 2008-07-09 中国科学院广州能源研究所 表面具有透明热反射涂层的陶瓷制品及其制备方法
CN102593479A (zh) * 2012-02-20 2012-07-18 上海电力学院 一种具有Sb掺杂SnO2薄膜涂层的304不锈钢双极板及其制备方法和应用
CN202650582U (zh) * 2012-06-08 2013-01-02 江苏双山集团股份有限公司 一种新型的导电玻璃纤维材料

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107385421A (zh) * 2017-08-31 2017-11-24 广东工业大学 一种导热亲水复合薄膜及其制备方法
CN107779847A (zh) * 2017-09-25 2018-03-09 上海同臣环保有限公司 一种涂层钛阳极及其喷涂热解制备方法

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