CN105835465A - 增透防指纹叠层及其制作方法 - Google Patents
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- 230000003666 anti-fingerprint Effects 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 title abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 23
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 20
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 18
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 16
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- 238000009504 vacuum film coating Methods 0.000 claims description 8
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 6
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000019504 cigarettes Nutrition 0.000 claims description 4
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000014593 oils and fats Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 4
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 2
- 206010030113 Oedema Diseases 0.000 claims 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 claims 1
- 208000035475 disorder Diseases 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 96
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- KRQUFUKTQHISJB-YYADALCUSA-N 2-[(E)-N-[2-(4-chlorophenoxy)propoxy]-C-propylcarbonimidoyl]-3-hydroxy-5-(thian-3-yl)cyclohex-2-en-1-one Chemical compound CCC\C(=N/OCC(C)OC1=CC=C(Cl)C=C1)C1=C(O)CC(CC1=O)C1CCCSC1 KRQUFUKTQHISJB-YYADALCUSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000006116 anti-fingerprint coating Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
本发明涉及一种增透防指纹叠层，包括玻璃基板，以及依次形成在玻璃基板一表面上的增透膜、SiO2过渡层和防指纹膜。本发明还涉及一种上述增透防指纹叠层的制作方法。该增透防指纹叠层中的防指纹膜具有较好的附着力，可防止防指纹膜从玻璃基板剥离，延长使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学叠层，特别涉及一种应用于电子产品上的增透防指纹叠层以及相应的制作方法。
背景技术
目前，电容式触控电子产品(如手机，平板电脑等)的屏幕基本上都需要在屏幕表面镀制AR膜和AF膜。AR(Anti-Reflect)即为减反膜，也称增透膜。AF(Anti-Fingerprint)膜即为防指纹膜。
减反膜是目前应用最广泛、产量最大的一种光学薄膜，它的主要功能是减少或者消除透镜、棱镜、平面镜等光学元件表面的反射光，从而增加这些元件的透光量。为了实现光透率的较大提升，一般是通过在屏幕的玻璃基板上镀制一层或多层AR膜。目前在玻璃基板表面实现制备AR膜的方法主要有三种：化学气相沉积(CVD)；溶胶-凝胶；物理气相沉积(如真空蒸镀、磁控溅射等)。
屏幕的玻璃基板表面极易被外界的污物和用户的指纹所污染，因此，长期保持玻璃基板表面的清洁度，并且较容易地清除其表面所粘附的指纹和污物这一技术越来越受到人们的关注。AF膜是一种同时具有疏水性和疏油性这两种特性的薄膜，基于良好的疏水性和疏油性，AF膜不易粘附外界的灰尘及污物，并且在粘附污物和指纹的情况下，也具有较易除去表面异物的特性。但是，一般情况下，AF膜与玻璃基板之间的附着力普遍较差，容易从玻璃基板表面剥离，且膜层表面平坦度和膜层均匀性都难以把握。
发明内容
基于此，有必要针对上述缺陷提供一种能达到视觉增透与手感顺滑的效果的增透防指纹叠层以及该增透防指纹叠层的制作方法。
一种增透防指纹叠层，包括玻璃基板，以及依次形成在玻璃基板一表面上的增透膜、SiO2过渡层和防指纹膜。
在其中一个实施例中，所述增透膜为单层的MgF2膜，或者所述增透膜为多层膜结构，包括依次叠置的第一SiO2膜、Nb2O5膜和第二SiO2膜。
一种增透防指纹叠层的制作方法，包括如下步骤：
准备玻璃基板，其中先选取玻璃基板，并对玻璃基板进行清洗和干燥；
镀增透膜，其中采用磁控溅射法在玻璃基板表面形成增透膜；
镀SiO2过渡层，其中采用磁控溅射法在增透膜表面形成SiO2过渡层；以及
镀防指纹膜，其中采用磁控溅射法在SiO2过渡层表面形成防指纹膜。
在其中一个实施例中，准备玻璃基板的步骤包括：
(1)丙酮超声清洗，时间为5～10min，以去除玻璃基板表面的油脂；
(2)乙醇超声清洗，时间为2～5min，以去除玻璃基板表面残余丙酮；
(3)去离子水清洗，时间为2～5min，以去除玻璃基板表面残留乙醇；
(4)将玻璃基板置于1#液中110～130℃煮洗，其中1#液为硫酸：H2O2＝3：1(质量比)，直至H2O2完全挥发，1#液冒白烟，以去除玻璃基板表面的有机物；
(5)去离子水冲洗，时间为10～15min；
(6)将玻璃基板置于2#液中75～85℃煮洗，其中2#液为氨水：H2O2：H2O＝1：1：6(质量比)，时间为10～20min，利用氨水络合作用去除重金属杂质；
(7)去离子水冲洗，时间为5～10min；
(8)将玻璃基板置于3#液中75～85℃煮洗，其中3#液为HCl：H2O2：H2O＝1：1：6(质量比)，煮至H2O2完全挥发，去除玻璃基板表面的金属离子；
(9)去离子水冲洗，时间为5～10min；
(10)将玻璃基板置于10％的氢氟酸中煮洗，时间为5～10s，去除玻璃基板表面氧化层；
(11)去离子水冲洗，时间为20min；
(12)清洗后的玻璃基板在氮气氛围中利用红外灯加热烘干，时间为1～2小时，烘干后在氮气氛围中保存备用。
在其中一个实施例中，镀增透膜的步骤包括将玻璃基板和镀膜材料MgF2化合物放入真空镀膜机，采用磁控溅射法实现在玻璃基板表面镀膜形成MgF2镀层，完成后对MgF2镀层进行真空加热干燥处理。
在其中一个实施例中，采用MgF2化合物靶材，纯度为99.99％，溅射镀膜时MgF2化合物靶材距玻璃基板的距离为10cm，抽真空度至压力为3.0×10-4Pa，溅射气压为2Pa，工作气体为氩气，气体流量为50cm3/min，衬底温度为350℃，射频电源功率为150W，溅射时间控制为2h。
在其中一个实施例中，镀增透膜的步骤包括：选取SiO2靶材，在真空镀膜室中对玻璃基板进行真空镀第一SiO2膜，完成后对第一SiO2膜镀层进行真空加热干燥处理；在真空镀膜室中在第一SiO2膜镀层上进行Nb2O5镀膜，完成后对Nb2O5膜镀层进行真空加热干燥处理；在真空镀膜室中在Nb2O5膜镀层上进行第二SiO2膜镀膜，完成后对第二SiO2膜镀层进行真空加热干燥处理。
在其中一个实施例中，SiO2靶材纯度为99.99％，直径为11.5cm，溅射镀膜时SiO2靶材距玻璃基板的距离为5.5cm，镀膜室真空度为1.0×10-3Pa，溅射气压为1.2Pa，工作气体为氧气和氩气混合气体，氧气和氩气流量分别为88cm3/min和132cm3/min，氧气和氩气分压比为2：5，射频电源功率为1kW；
进行Nb2O5镀膜时采用纯度为99.9％的金属铌作为靶材，金属铌靶材与玻璃基板的距离为12cm，溅射功率为3.98kW，溅射前真空腔的气压为2.0×10-4Pa，溅射过程中以氩气作为工作气体，氧气作为反应气体，真空气压为0.2Pa，氩气和氧气的流量均为100cm3/min，沉积的时间为25～30s。
在其中一个实施例中，镀SiO2过渡层的步骤包括抽真空至压力为1.0×10-3Pa，然后充入气体流量为120cm3/min的硅油至真空室内压力为1.0×10-3～1.0×10-1Pa之间，持续中频功率为8000W开始沉积硅氧烷裂解的SiOx，沉积时间为35～40s，得到厚度为15～20nm的SiOx缓冲层，沉积完成后通过O2辉光放电，对SiOx缓冲层进行刻蚀，剥离部分的SiOx和补充O2形成SiO2过渡层。
在其中一个实施例中，镀防指纹膜的步骤包括抽真空至压力为1.0×10-5Pa，灯丝电流在60s内由0A提升至270A，开始在SiO2缓冲层表面沉积防指纹膜，沉积时间控制为90s。
上述增透防指纹叠层中的防指纹膜因在防指纹膜与玻璃基板的镀层之间形成SiO2过渡层而具有较好的附着力，可防止防指纹膜从玻璃基板的镀层上剥离，延长使用寿命。
附图说明
图1为一实施例提供的增透防指纹叠层的结构示意图；
图2为另一实施例提供的增透防指纹叠层的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
如图1所示，一实施例提供的增透防指纹叠层包括玻璃基板10，以及依次在玻璃基板10一表面上制备的增透膜20、过渡层(亦或缓冲层)30和防指纹膜40。
本实施例中，玻璃基板10可以是硅酸盐玻璃或者类似材料的玻璃，玻璃基板10可经化学处理，以加强玻璃基板10的强度。
本实施例中，增透膜20为单层的MgF2膜。增透膜20增加玻璃基板10的光线透过率，当该增透防指纹叠层应用于手机、平板电脑等电子产品的屏幕时，可提高屏幕的显示效果。
本实施例中，过渡层30为SiO2层，厚度为15～20nm。过渡层30可以在一定程度上增加防指纹膜40与玻璃基板10(具体为玻璃基板10上的增透膜20)之间的附着力，减缓防指纹膜40从玻璃基板10表面剥离，有利于延长防指纹膜40的使用寿命。
本实施例中，防指纹膜40是一种高分子聚合物层，厚度为15～20nm，具有较强的疏水、疏油特性，因此电子产品屏幕表面的脏污及指纹印迹极易擦拭干净，保持顺滑触感。
本发明所述的增透防指纹叠层的制作方法，其具体步骤如下：
A，选取玻璃基板，通过对其进行清洗后，干燥备用；
B，将玻璃基板和镀膜材料MgF2化合物放入真空镀膜机，采用磁控溅射法实现在玻璃基板表面镀膜形成MgF2镀层，也即图1中的增透膜20，完成后对MgF2镀层进行高真空加热干燥处理；
C，将步骤B处理过的玻璃基板，以及硅氧烷放入真空镀膜机，在MgF2镀层表面镀制SiO2缓冲层，也即形成图1中的过渡层30；
D，将步骤C处理过的玻璃基板和用于形成防指纹膜40的材料放入真空镀膜机，在SiO2缓冲层上镀制防指纹膜，形成图1中的防指纹膜40。
作为上述制作方法的进一步改进，上述步骤A所述的对玻璃基板的清洗采用湿式化学清洗工艺(例如RCA清洗工艺)进行清洗，具体如下：
(1)丙酮超声清洗，时间为5～10min，以去除玻璃基板表面油脂等；
(2)乙醇超声清洗，时间为2～5min，以去除玻璃基板表面残余丙酮；
(3)去离子水清洗，时间为2～5min，以去除玻璃基板表面残留乙醇；
(4)将玻璃基板置于1#液(硫酸：H2O2＝3：1，质量比，下同)中110～130℃煮洗，直至H2O2完全挥发，溶液冒白烟，以去除玻璃基板表面大部分有机物；
(5)去离子水冲洗，时间为10～15min；
(6)将玻璃基板置于2#液(氨水：H2O2：H2O＝1：1：6)中75～85℃煮洗，时间为10～20min，利用氨水络合作用去除重金属杂质；
(7)去离子水冲洗，时间为5～10min；
(8)将玻璃基板置于3#液(HCl：H2O2：H2O＝1：1：6)中75～85℃煮洗，煮至H2O2完全挥发，去除玻璃基板表面的金属离子；
(9)去离子水冲洗，时间为5～10min；
(10)将玻璃基板置于10％的氢氟酸中煮洗，时间为5～10s，去除玻璃基板表面氧化层；
(11)去离子水冲洗，时间为20min；
(12)清洗后的玻璃基板在氮气氛围中利用红外灯加热烘干，时间为1～2小时，烘干后在氮气氛围中保存备用。
作为上述技术的进一步改进，上述步骤B具体是：采用MgF2化合物靶材，纯度为99.99％，溅射镀膜时MgF2化合物靶材距玻璃基板的距离为10cm。抽真空度至压力为3.0×10-4Pa，溅射气压为2Pa，工作气体为氩气，气体流量为50cm3/min，衬底温度为350℃，射频电源功率为150W，镀膜前用氩气预溅射靶材表面20min以上，以去除靶材表面的氧化物和其他杂质，然后通入氩气，待辉光稳定后，打开挡板，转动基板转盘，置基板于辉光中溅射成膜，溅射时间控制为2h。
作为上述技术的进一步改进，上述步骤C具体是：抽真空至压力为1.0×10-3Pa，然后充入气体流量为120cm3/min的硅油至真空室内压力为1.0×10-3～1.0×10-1Pa之间，持续中频功率为8000W开始沉积硅氧烷高温裂解的SiOx，沉积时间为35～40s，得到厚度为15～20nm的SiOx缓冲层，沉积完成后通过O2辉光放电，对SiOx缓冲层进行刻蚀，剥离附着力较差的SiOx和补充O2形成SiO2缓冲层。
作为上述技术的进一步改进，上述步骤D具体是：SiO2缓冲层完成后，抽真空至压力为1.0×10-5Pa，灯丝电流在60s内由0A提升至270A，开始沉积防指纹膜，沉积时间控制为90s，得到厚度为15～20nm的防指纹膜。
请参图2，本发明另一实施例提供的增透防指纹叠层与图1中的实施例类似，包括玻璃基板10，以及依次在玻璃基板10一表面上制备的增透膜21、过渡层(亦或缓冲层)30和防指纹膜40。所不同的是，该增透膜21为多层膜结构，包括依次叠置的第一SiO2膜211、Nb2O5膜212和第二SiO2膜213。其中第一SiO2膜211的厚度约为10-20nm，Nb2O5膜212的厚度约为10-20nm，第二SiO2膜213的厚度约为10-20nm。
上述增透防指纹叠层的制作方法，其具体步骤如下：
A，选取玻璃基板，通过对其进行清洗后，干燥备用；
B，选取SiO2靶材，在真空镀膜室中对玻璃基板进行真空镀第一SiO2膜，完成后对第一SiO2膜镀层进行高真空加热干燥处理；在真空镀膜室中在第一SiO2膜镀层上进行Nb2O5镀膜，完成后对Nb2O5膜镀层进行高真空加热干燥处理；在真空镀膜室中在Nb2O5膜镀层上进行第二SiO2膜镀膜，完成后对第二SiO2膜镀层进行高真空加热干燥处理；至此在玻璃基板表面上形成增透膜；
C，将步骤B处理过的玻璃基板和硅氧烷放入真空镀膜机，在增透膜表面镀制SiO2缓冲层；
D，将步骤C处理过的玻璃基板和用于形成防指纹膜40的材料放入真空镀膜机，在SiO2缓冲层上镀制防指纹膜，形成图2中的防指纹膜40。
作为上述技术的进一步改进，上述步骤A所述的对玻璃基板的清洗采用RCA清洗工艺进行清洗，具体如下：
(1)丙酮超声清洗，时间为5～10min，以去除玻璃基板表面油脂等；
(2)乙醇超声清洗，时间为2～5min，以去除玻璃基板表面残余丙酮；
(3)去离子水清洗，时间为2～5min，以去除玻璃基板表面残留乙醇；
(4)将玻璃基板置于1#液(硫酸：H2O2＝3：1)中110～130℃煮洗，直至H2O2完全挥发，溶液冒白烟，以去除玻璃基板表面大部分有机物；
(5)去离子水冲洗，时间为10～15min；
(6)将基板置于2#液(氨水：H2O2：H2O＝1：1：6)中75～85℃煮洗，时间为10～20min，利用氨水络合作用去除重金属杂质；
(7)去离子水冲洗，时间为5～10min；
(8)将玻璃基板置于3#液(HCl：H2O2：H2O＝1：1：6)中75～85℃煮洗，煮至H2O2完全挥发，去除玻璃基板表面的金属离子；
(9)去离子水冲洗，时间为5～10min；
(10)将玻璃基板置于10％的氢氟酸中煮洗，时间为5～10s，去除玻璃基板表面氧化层；
(11)去离子水冲洗，时间为20min；
(12)清洗后的玻璃基板在氮气氛围中利用红外灯加热烘干，时间为1～2小时，烘干后在氮气氛围中保存备用。
作为上述技术的进一步改进，上述步骤B具体是：采用SiO2作为靶材，纯度为99.99％，靶直径为11.5cm，溅射镀膜时SiO2靶材距玻璃基板的距离为5.5cm。镀膜室真空度为1.0×10-3Pa，溅射气压为1.2Pa，工作气体为氧气和氩气混合气体，氧气和氩气流量分别为88cm3/min和132cm3/min，二者分压比为2：5。射频电源功率为1kW。镀膜前用氩气预溅射靶材表面20min以上，以去除表面的氧化物和其他杂质，然后通入氧气，待辉光稳定后，打开挡板，转动基板转盘，置基板于辉光中溅射成膜。沉积过程中，利用掩膜在玻璃基板上做出膜-基板台阶，薄膜的厚度使用Alpha-Step IQ台阶仪进行测量，测得膜厚约为10-20nm时停止镀膜。
接着，采用金属铌作为靶材，纯度为99.9％，靶与玻璃基板的距离为12cm，溅射功率为3.98kW，溅射前真空腔的气压为2.0×10-4Pa，溅射过程中以氩气作为工作气体，氧气作为反应气体，真空气压为0.2Pa。氩气和氧气的流量均为100cm3/min，在每次沉积薄膜前用氩气对靶材表面进行预溅射20min以上，以去除表面的氧化物和其他杂质，然后通入氧气，待辉光稳定后，打开挡板，转动基板转盘，置基板于辉光中溅射成膜，得到图2中所示的Nb2O5膜212。沉积薄膜的时间为25～30s，薄膜的厚度约为10-20nm。
第二SiO2膜的镀制过程与第一SiO2膜的镀制过程基本相同，其膜层厚度控制约为10-20nm。
作为上述技术的进一步改进，上述步骤C具体是：抽真空至压力为1.0×10-3Pa，然后充入气体流量为120cm3/min的硅油至真空室内压力为1.0×10-3～1.0×10-1Pa之间，持续中频功率为8000W开始沉积硅氧烷高温裂解的SiOx，沉积时间为35～40s，得到厚度为15～20nm的SiOx缓冲层，沉积完成后通过O2辉光放电，对SiOx缓冲层进行刻蚀，剥离附着力较差的SiOx和补充O2形成SiO2缓冲层。
作为上述技术的进一步改进，上述步骤D具体是：SiO2缓冲层完成后，抽真空至压力为1.0×10-5Pa，灯丝电流在60s内由0A提升至270A，开始沉积防指纹膜，沉积时间控制为90s，得到厚度为15～20nm的防指纹膜。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1.本发明采用MgF2单层膜和SiO2|Nb2O5|SiO2多层膜结构两种方式进行设计增透膜，制备的增透膜具有较好的增透效果。
2.本发明采取在增透膜镀层表面镀制SiO2缓冲层，提高了触摸屏用防指纹膜与玻璃基板之间的镀层附着力，减缓防指纹膜层从玻璃基板镀层表面剥离，有利于延长防指纹膜的使用寿命。
3.本发明提供的防指纹膜是一种高分子聚合物，具有较强的疏水、疏油特性，因此电子产品的触控面板表面的脏污及指纹印迹极易擦拭干净，保持顺滑触感。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种增透防指纹叠层，其特征在于包括玻璃基板，以及依次形成在玻璃基板一表面上的增透膜、SiO2过渡层和防指纹膜。
2.根据权利要求1所述的增透防指纹叠层，其特征在于，所述增透膜为单层的MgF2膜，或者所述增透膜为多层膜结构，包括依次叠置的第一SiO2膜、Nb2O5膜和第二SiO2膜。
3.一种增透防指纹叠层的制作方法，包括如下步骤：
准备玻璃基板，其中先选取玻璃基板，并对玻璃基板进行清洗和干燥；
镀增透膜，其中采用磁控溅射法在玻璃基板表面形成增透膜；
镀SiO2过渡层，其中采用磁控溅射法在增透膜表面形成SiO2过渡层；以及
镀防指纹膜，其中采用磁控溅射法在SiO2过渡层表面形成防指纹膜。
4.根据权利要求3所述的增透防指纹叠层的制作方法，其特征在于，准备玻璃基板的步骤包括：
(1)丙酮超声清洗，时间为5～10min，以去除玻璃基板表面的油脂；
(2)乙醇超声清洗，时间为2～5min，以去除玻璃基板表面残余丙酮；
(3)去离子水清洗，时间为2～5min，以去除玻璃基板表面残留乙醇；
(4)将玻璃基板置于1#液中110～130℃煮洗，其中1#液为硫酸：H2O2＝3：1(质量比)，直至H2O2完全挥发，1#液冒白烟，以去除玻璃基板表面的有机物；
(5)去离子水冲洗，时间为10～15min；
(6)将玻璃基板置于2#液中75～85℃煮洗，其中2#液为氨水：H2O2：H2O＝1：1：6(质量比)，时间为10～20min，利用氨水络合作用去除重金属杂质；
(7)去离子水冲洗，时间为5～10min；
(8)将玻璃基板置于3#液中75～85℃煮洗，其中3#液为HCl：H2O2：H2O＝1：1：6(质量比)，煮至H2O2完全挥发，去除玻璃基板表面的金属离子；
(9)去离子水冲洗，时间为5～10min；
(10)将玻璃基板置于10％的氢氟酸中煮洗，时间为5～10s，去除玻璃基板表面氧化层；
(11)去离子水冲洗，时间为20min；
(12)清洗后的玻璃基板在氮气氛围中利用红外灯加热烘干，时间为1～2小时，烘干后在氮气氛围中保存备用。
5.根据权利要求3所述的增透防指纹叠层的制作方法，其特征在于，镀增透膜的步骤包括将玻璃基板和镀膜材料MgF2化合物放入真空镀膜机，采用磁控溅射法实现在玻璃基板表面镀膜形成MgF2镀层，完成后对MgF2镀层进行真空加热干燥处理。
6.根据权利要求5所述的增透防指纹叠层的制作方法，其特征在于，采用MgF2化合物靶材，纯度为99.99％，溅射镀膜时MgF2化合物靶材距玻璃基板的距离为10cm，抽真空度至压力为3.0×10-4Pa，溅射气压为2Pa，工作气体为氩气，气体流量为50cm3/min，衬底温度为350℃，射频电源功率为150W，溅射时间控制为2h。
7.根据权利要求3所述的增透防指纹叠层的制作方法，其特征在于，镀增透膜的步骤包括：选取SiO2靶材，在真空镀膜室中对玻璃基板进行真空镀第一SiO2膜，完成后对第一SiO2膜镀层进行真空加热干燥处理；在真空镀膜室中在第一SiO2膜镀层上进行Nb2O5镀膜，完成后对Nb2O5膜镀层进行真空加热干燥处理；在真空镀膜室中在Nb2O5膜镀层上进行第二SiO2膜镀膜，完成后对第二SiO2膜镀层进行真空加热干燥处理。
8.根据权利要求7所述的增透防指纹叠层的制作方法，其特征在于，SiO2靶材纯度为99.99％，直径为11.5cm，溅射镀膜时SiO2靶材距玻璃基板的距离为5.5cm，镀膜室真空度为1.0×10-3Pa，溅射气压为1.2Pa，工作气体为氧气和氩气混合气体，氧气和氩气流量分别为88cm3/min和132cm3/min，氧气和氩气分压比为2：5，射频电源功率为1kW；
进行Nb2O5镀膜时采用纯度为99.9％的金属铌作为靶材，金属铌靶材与玻璃基板的距离为12cm，溅射功率为3.98kW，溅射前真空腔的气压为2.0×10-4Pa，溅射过程中以氩气作为工作气体，氧气作为反应气体，真空气压为0.2Pa，氩气和氧气的流量均为100cm3/min，沉积的时间为25～30s。
9.根据权利要求3所述的增透防指纹叠层的制作方法，其特征在于，镀SiO2过渡层的步骤包括抽真空至压力为1.0×10-3Pa，然后充入气体流量为120cm3/min的硅油至真空室内压力为1.0×10-3～1.0×10-1Pa之间，持续中频功率为8000W开始沉积硅氧烷裂解的SiOx，沉积时间为35～40s，得到厚度为15～20nm的SiOx缓冲层，沉积完成后通过O2辉光放电，对SiOx缓冲层进行刻蚀，剥离部分的SiOx和补充O2形成SiO2过渡层。
10.根据权利要求3所述的增透防指纹叠层的制作方法，其特征在于，镀防指纹膜的步骤包括抽真空至压力为1.0×10-5Pa，灯丝电流在60s内由0A提升至270A，开始在SiO2缓冲层表面沉积防指纹膜，沉积时间控制为90s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510016647.8A CN105835465A (zh) | 2015-01-13 | 2015-01-13 | 增透防指纹叠层及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201510016647.8A CN105835465A (zh) | 2015-01-13 | 2015-01-13 | 增透防指纹叠层及其制作方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN105835465A true CN105835465A (zh) | 2016-08-10 |
Family
ID=56579785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510016647.8A Pending CN105835465A (zh) | 2015-01-13 | 2015-01-13 | 增透防指纹叠层及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160810 |