CN109280887A - 一种防指纹膜的镀膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种防指纹膜的镀膜方法,该方法包括清理基板表面;在所述基板的表面制备氧化铝膜层,形成过渡层;在所述过渡层的表面制备氮化硅或碳化硅膜层,形成硬化层;在所述硬化层的表面制备氧化硅膜层,形成结合层;在所述结合层的表面制备防指纹层。通过该方法制备的防指纹膜硬度更高,抗擦伤性更好,显著提升了防指纹膜的性能,具有优异的膜层精度、硬度、抗擦伤性和附着性、天然的无残余应力特性、优越的加工稳定性、均匀性和重复性、9H”以上硬度的行业需求。
Description
技术领域
本发明涉及镀膜技术,尤其涉及一种防指纹膜的镀膜方法。
背景技术
防指纹药是由特殊结构的氟硅树脂配制而成的一种含氟涂料,在化学专家的口头术语一般是十七氟葵基三乙氧基硅烷,是根据产品的分子结构组合命名的。超硬防指纹膜层具有防水防油防污、防潮、绝缘、耐酸、防指纹、耐磨抗刮痕、高附着力、透光率强等优越性能,镀制了超硬防指纹膜层的材料不易附着指纹、油污等污染物,便于清洁打理。主要应用在手机,照相机,触屛电脑和电视等高端数码产品的保护玻璃,以及陶瓷卫浴、五金洁具等高端产品的防水防污防指纹处理。
超硬薄膜是指莫氏硬度>9H的固体薄膜材料。它具有极高的硬度、低的摩擦系数和热膨胀系数、高的热导率以及与基体良好的相容性。此外,超硬膜往往还具有高的光通过率,空穴的可移动性以及优异的化学稳定性能。
目前,对玻璃光学镜片、金属、陶瓷等产品的真空膜层性能的要求更高,需要优异的膜层精度、硬度、抗擦伤性和附着性、天然的无残余应力特性、优越的加工稳定性、均匀性和重复性、9H”以上硬度的行业需求。
因此,上述技术问题需要解决。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明提出一种防指纹膜的镀膜方法,通过该方法制备的防指纹膜硬度更高,抗擦伤性更好。
为了解决上述的技术问题,本发明提出的基本技术方案为:
一种防指纹膜的镀膜方法,包括以下步骤:
S1,清理基板表面;
S2,在所述基板的表面制备氧化铝膜层,形成过渡层;
S3,在所述过渡层的表面制备氮化硅或碳化硅膜层,形成硬化层;
S4,在所述硬化层的表面制备氧化硅膜层,形成结合层;
S5,在所述结合层的表面制备防指纹层。
其中,所述步骤S1之前,还包括:将防指纹药安装在真空镀膜机上。
其中,所述步骤S1具体包括:
将清洗干净的基板装进真空镀膜机;
所述真空镀膜机的真空度达到7.5*10-3pa时,对所述基板表面进行离子轰击;充入流量为30sccm的中频氩气、流量为50sccm的离子源,所述离子源的电源电压为600V,工作压强为2.9*10-1pa,时间持续三分钟。
其中,所述步骤S2具体为:
所述真空镀膜机的真空度达到4.0*10-3pa时,在所述基板的表面镀氧化铝,形成过渡层;具体为:充入流量为30sccm的中频氩气、流量为25sccm的离子源、流量为80sccm的中频氧气,所述中频电源的电流为30A,工作压强为4.5*10-1pa,时间持续六分钟。
其中,所述步骤S3具体为:
所述真空镀膜机的工作压强为4.9*10-1pa时,在所述过渡层的表面镀氮化硅或碳化硅,形成硬化层;具体为:充入流量为35sccm的中频氩气、流量为30sccm的离子源、流量90sccm的中频氧气,所述中频电源的电流为24A,工作压强为4.9*10-1pa,时间持续三分钟。
其中,所述步骤S4具体为:
在所述硬化层的表面镀氧化硅,形成结合层;具体为:充入流量为30sccm的中频氩气、流量为25sccm的离子源、流量为40sccm的中频氧气,所述中频电源的电流为10A,工作压强为2.9*10-1pa,持续时间三分钟。
其中,所述步骤S5具体为:
所述真空镀膜机的真空度达到4.5*10-3pa时,在所述结合层的表面镀防指纹药,持续时间七分钟。
其中,所述基板包括玻璃、金属或陶瓷。
本发明的有益效果是:本发明提供一种防指纹膜的镀膜方法,该方法包括清理基板表面;在所述基板的表面制备氧化铝膜层,形成过渡层;在所述过渡层的表面制备氮化硅或碳化硅膜层,形成硬化层;在所述硬化层的表面制备氧化硅膜层,形成结合层;在所述结合层的表面制备防指纹层。通过该方法制备的防指纹膜硬度更高,抗擦伤性更好,显著提升了防指纹膜的性能,具有优异的膜层精度、硬度、抗擦伤性和附着性、天然的无残余应力特性、优越的加工稳定性、均匀性和重复性、9H”以上硬度的行业需求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据本发明实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一提供的一种防指纹膜的镀膜方法的方法流程图。
图2为本发明实施例二提供的一种防指纹膜的镀膜方法的方法流程图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……),则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
实施例一
参照图1,本实施例提供一种防指纹膜的镀膜方法,包括以下步骤:
S101,清理基板表面。
具体的,利用等离子清洗基板表面,能清洁基板表面的细小粉尘及静电,活化基板表面特性,为后续的镀膜工序做准备。
S102,在所述基板的表面制备氧化铝膜层,形成过渡层。
本实施例中的过渡层能提高基板表面的耐磨性、表面强度,使基板表面的物理、化学性能得到显著提高。
S103,在所述过渡层的表面制备氮化硅或碳化硅膜层,形成硬化层。
S104,在所述硬化层的表面制备氧化硅膜层,形成结合层。
S105,在所述结合层的表面制备防指纹层。
通过本实施例中的方法制备的防指纹膜硬度更高,抗擦伤性更好,显著提升了防指纹膜的性能,具有优异的膜层精度、硬度、抗擦伤性和附着性、天然的无残余应力特性、优越的加工稳定性、均匀性和重复性、9H”以上硬度的行业需求。
实施例二
参照图2,本实施例提供一种防指纹膜的镀膜方法,包括以下步骤:
S201,将防指纹药安装在真空镀膜机上。
S202,将清洗干净的基板装进真空镀膜机。
本实施例中,所述基板包括玻璃、金属或陶瓷。选取基板后,需要对其进行清洗,并干燥以备以后的工序使用。
S203,所述真空镀膜机的真空度达到7.5*10-3pa时,对所述基板表面进行离子轰击;充入流量为30sccm的中频氩气、流量为50sccm的离子源,所述离子源的电源电压为600V,工作压强为2.9*10-1pa,时间持续三分钟。
本实施例中,采用等离子体清洗基板表面,去除附着在基板表面的无机物和杂质,露出阳极氧化后具有不饱和化学键的表面。
S204,所述真空镀膜机的真空度达到4.0*10-3pa时,在所述基板的表面镀氧化铝,形成过渡层;具体为:充入流量为30sccm的中频氩气、流量为25sccm的离子源、流量为80sccm的中频氧气,所述中频电源的电流为30A,工作压强为4.5*10-1pa,时间持续六分钟。
本实施例中的过渡层,提高耐磨性、增大强度、形成表面符合膜层,这种膜层可使基板表面的物理、化学性能得到提高,赋予基板表面新的力学、热学、电磁学和催化敏感等功能。
S205,所述真空镀膜机的工作压强为4.9*10-1pa时,在所述过渡层的表面镀氮化硅或碳化硅,形成硬化层;具体为:充入流量为35sccm的中频氩气、流量为30sccm的离子源、流量90sccm的中频氧气,所述中频电源的电流为24A,工作压强为4.9*10-1pa,时间持续三分钟。
S206,在所述硬化层的表面镀氧化硅,形成结合层;具体为:充入流量为30sccm的中频氩气、流量为25sccm的离子源、流量为40sccm的中频氧气,所述中频电源的电流为10A,工作压强为2.9*10-1pa,持续时间三分钟。
本实施例中,所述结合层的制备是为了增强氟化物和基板的结合力,增加基板表面的耐磨性。
S207,所述真空镀膜机的真空度达到4.5*10-3pa时,在所述结合层的表面镀防指纹药,持续时间七分钟,形成防指纹层。
通过本实施例中的方法制备的防指纹膜硬度更高,抗擦伤性更好,显著提升了防指纹膜的性能,具有优异的膜层精度、硬度、抗擦伤性和附着性、天然的无残余应力特性、优越的加工稳定性、均匀性和重复性、9H”以上硬度的行业需求。
根据上述说明书的揭示和教导,本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此,本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式,对本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外,尽管本说明书中使用了一些特定的术语,但这些术语只是为了方便说明,并不对本发明构成任何限制。
Claims (8)
1.一种防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,清理基板表面;
S2,在所述基板的表面制备氧化铝膜层,形成过渡层;
S3,在所述过渡层的表面制备氮化硅或碳化硅膜层,形成硬化层;
S4,在所述硬化层的表面制备氧化硅膜层,形成结合层;
S5,在所述结合层的表面制备防指纹层。
2.根据权利要求1所述的防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,所述步骤S1之前,还包括:
将防指纹药安装在真空镀膜机上。
3.根据权利要求1所述的防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,所述步骤S1具体包括:
将清洗干净的基板装进真空镀膜机;
所述真空镀膜机的真空度达到7.5*10-3pa时,对所述基板表面进行离子轰击;充入流量为30sccm的中频氩气、流量为50sccm的离子源,所述离子源的电源电压为600V,工作压强为2.9*10-1pa,时间持续三分钟。
4.根据权利要求1所述的防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,所述步骤S2具体为:
所述真空镀膜机的真空度达到4.0*10-3pa时,在所述基板的表面镀氧化铝,形成过渡层;具体为:充入流量为30sccm的中频氩气、流量为25sccm的离子源、流量为80sccm的中频氧气,所述中频电源的电流为30A,工作压强为4.5*10-1pa,时间持续六分钟。
5.根据权利要求1所述的防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,所述步骤S3具体为:
所述真空镀膜机的工作压强为4.9*10-1pa时,在所述过渡层的表面镀氮化硅或碳化硅,形成硬化层;具体为:充入流量为35sccm的中频氩气、流量为30sccm的离子源、流量90sccm的中频氧气,所述中频电源的电流为24A,工作压强为4.9*10-1pa,时间持续三分钟。
6.根据权利要求1所述的防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,所述步骤S4具体为:
在所述硬化层的表面镀氧化硅,形成结合层;具体为:充入流量为30sccm的中频氩气、流量为25sccm的离子源、流量为40sccm的中频氧气,所述中频电源的电流为10A,工作压强为2.9*10-1pa,持续时间三分钟。
7.根据权利要求2所述的防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,所述步骤S5具体为:
所述真空镀膜机的真空度达到4.5*10-3pa时,在所述结合层的表面镀防指纹药,持续时间七分钟。
8.根据权利要求1所述的防指纹膜的镀膜方法,其特征在于,所述基板包括玻璃、金属或陶瓷。
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