CN105810781A - 半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法 - Google Patents

半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105810781A
CN105810781A CN201610022122.XA CN201610022122A CN105810781A CN 105810781 A CN105810781 A CN 105810781A CN 201610022122 A CN201610022122 A CN 201610022122A CN 105810781 A CN105810781 A CN 105810781A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor layer
metal level
region
layer
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610022122.XA
Other languages
English (en)
Inventor
胜野弘
泽野正和
加贺广持
小池豪
宫部主之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN105810781A publication Critical patent/CN105810781A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明的实施方式提供一种提高发光效率的半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：积层体，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；以及第1金属层，设置在积层体的第2半导体层的一侧，且与积层体的第2半导体层电连接。第1金属层具有延伸至积层体的外侧的第1区域、及与第1区域相邻的第2区域，第1区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端之间的距离比第2区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端之间的距离短，第1区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端跟第1金属层的外端连接。

Description

半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法
[相关申请案]
本申请案享受以日本专利申请案2015-6648号(申请日：2015年1月16日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法。
背景技术
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)等半导体发光元件具有包含p型半导体层、发光层、及n型半导体层的积层体。在n型半导体层或p型半导体层，经由欧姆电极而电连接有金属层。在此种半导体发光元件中，存在金属层延伸至积层体的外侧的情况。
然而，存在如果从发光层释出的光照射至延伸至积层体的外侧的金属层，则因金属层产生光的反射或吸收，而半导体发光元件的发光效率降低的情况。
发明内容
本发明的实施方式提供一种提高发光效率的半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法。
实施方式的半导体发光元件具备：积层体，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；以及第1金属层，设置在所述积层体的所述第2半导体层的一侧，且与所述积层体的所述第2半导体层电连接。所述第1金属层具有延伸至所述积层体的外侧的第1区域、及与所述第1区域相邻的第2区域，所述第1区域中的所述第1金属层的下端与所述第1金属层的上端之间的距离比所述第2区域中的所述第1金属层的下端与所述第1金属层的上端之间的距离短，所述第1区域中的所述第1金属层的下端与所述第1金属层的上端跟所述第1金属层的外端连接。
附图说明
图1(a)是第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的模式性剖视图，图1(b)是第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的模式性俯视图。
图2(a)～图2(c)是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的制造过程的模式性剖视图。
图3(a)～图3(c)是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的制造过程的模式性剖视图。
图4(a)及(b)是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的制造过程的模式性剖视图。
图5(a)及(b)是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的制造过程的模式性剖视图。
图6(a)及(b)是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的制造过程的模式性剖视图。
图7是表示第1实施方式的半导体发光元件的效果的模式性剖视图。
图8(a)及(b)是表示参考例的半导体发光元件的制造过程的模式性剖视图。
图9(a)是第2实施方式的半导体发光元件的主要部分的模式性剖视图，图9(b)是参考例的半导体发光元件的主要部分的模式性剖视图。
图10(a)是第3实施方式的半导体发光元件的主要部分的模式性剖视图，图10(b)是参考例的半导体发光元件的主要部分的模式性剖视图。
图11是表示第4实施方式的发光装置的主要部分的模式性剖视图。
具体实施方式
以下，一面参照附图，一面对实施方式进行说明。在以下的说明中，对于相同的部件标注相同的符号，关于已经说明了一次的部件适当省略其说明。在附图中，存在表示XYZ坐标的情况。在实施方式中，既可为第1导电型为p型，第2导电型为n型，也可为第1导电型为n型，第2导电型为p型。在以下的例中，第1导电型为n型，第2导电型为p型。
(第1实施方式)
图1(a)是第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的模式性剖视图，图1(b)是第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的模式性俯视图。
图1(a)表示沿着图1(b)的A1-A2线的位置中的截面。图1(b)是透过模式图，表示实施方式的半导体发光元件的一部分的透过图与俯视图。图1(a)、(b)所例示的构造为一例，并不限定于所例示的构造。
第1实施方式的半导体发光元件1具备第1半导体层(以下，例如半导体层10)、第2半导体层(以下，例如半导体层20a)、发光层30a、第1金属层(以下，例如金属层51)、及第1导电层(以下，例如导电层41)。以下，例如将包含半导体层10、半导体层20a、及发光层30a的积层体设为半导体发光部15。
半导体层10的导电型例如为n型。半导体层20a的导电型例如为p型。发光层30a设置在半导体层10与半导体层20a之间。
金属层51设置在半导体发光部15的半导体层20a的一侧。也就是说，金属层51设置在半导体发光部15的下侧。金属层51与半导体发光部15的半导体层20a电连接。
金属层51延伸至半导体发光部15的外侧。此处，所谓“外侧”是由以下的概念来定义。例如，在从半导体发光元件1的中心朝向半导体发光元件1的外端1e的方向，越远离半导体发光元件1的中心，越定义为“外侧”。另外，例如，在从半导体发光元件1的外端1e朝向半导体发光元件1的中心的方向，越远离半导体发光元件1的外端1e，越定义为“内侧”。
延伸至半导体发光部15的外侧的金属层51例如具有第1区域51r1及与第1区域51r1相邻的第2区域51r2。此处，所谓第1区域51r1与第2区域51r2相邻，是指在X轴方向或Y轴方向，第1区域51r1与第2区域51r2连接。在实施方式中，也包含第1区域51r1与第2区域51r2离开的构造。第1区域51r1中的金属层51的下端51d与金属层51的上端51u之间的距离L1比第2区域51r2中的金属层51的下端51d与金属层51的上端51u之间的距离L2短。第1区域51r1中的金属层51的下端51d与金属层51的上端51u跟金属层51的外端51e连接。也就是说，在第1区域51r1的外侧，不设置金属层51。也就是说，第1区域51r1具有金属层51的外端51e。金属层51的外端51e也为半导体发光元件1的外端1e。第1区域51r1的宽度为0.5μm以上、100μm以下。此处，所谓第1区域51r1的宽度，是指与X-Z面平行的切断面中的第1区域51rl的宽度，或与Y-Z面平行的切断面中的第1区域51r1的宽度。第1区域51r1的宽度越窄则每个晶片的芯片的取得数量越增加，芯片成本降低。第1区域51r1的宽度越宽，则下述单片化步骤的范围增加，良率提高。另外，距离L1为0.5μm以上、200μm以下，距离L2为0.5μm以上、200μm以下。在将第1区域51r1投影至X-Y平面的情况下，第1区域51r1包围半导体发光部15、导电层41、金属层52、金属层53、焊垫电极44、层间绝缘层80、85、及绝缘层89。
半导体层10具有第1面(以下，例如上表面14)及与上表面14相反的第2面(以下，例如下表面16)。
发光层30a选择性地设置在半导体层10的下表面16。在未设置发光层30a的半导体层10的下表面16与金属层51之间设置有导电层41的一部分。导电层41与半导体层10的下表面16电连接。导电层41为n侧电极的一部分。导电层41延伸至半导体发光部15的外侧。第1区域51r1设置在导电层41的外侧。相对于从发光层30a释出的光，而导电层41的反射率比金属层51的反射率高。
半导体发光元件1也可还包含覆盖半导体发光部15的密封部(未图示)。该密封部例如使用树脂。密封部也可包含波长转换体。波长转换体吸收从半导体发光元件1出射的发光光的一部分，并释出与发光光的波长(峰值波长)不同的波长(峰值波长)的光。波长转换体例如使用荧光体。
对半导体发光元件1更加详细地进行说明。
在半导体发光元件1中，在背面电极65上，设置有支撑基板64。支撑基板64在投影至X-Y平面时，与半导体层10重叠。支撑基板64的面积为半导体层10的面积以上。支撑基板64例如使用Si等半导体基板。作为支撑基板64，也可使用Cu或CuW等金属基板。支撑基板64也可使用镀敷层(厚膜镀敷层)。也就是说，支撑基板64也可利用镀敷来形成。
在支撑基板64的与半导体发光部15相反侧，设置有背面电极65。背面电极65例如使用Ti膜/Pt膜/Au膜的积层膜。在该情况下，在Au膜与支撑基板64之间配置Pt膜，在Pt膜与支撑基板64之间配置Ti膜。
在支撑基板64上设置有所述金属层51。在金属层51的半导体发光部15侧，能够使用反射率较低、但密接性较高的金属或药品耐性及耐环境耐性较高的金属。在该密接性较高的金属中，与金属层52、及层间绝缘层80、85的密接性良好。
例如，金属层51包含Ti、Pt、Ni、焊料材的至少任一种。例如，金属层51中所包含的焊料材包含Ni-Sn系、Au-Sn系、Bi-Sn系、Sn-Cu系、Sn-In系、Sn-Ag系、Sn-Pb系、Pb-Sn-Sb系、Sn-Sb系、Sn-Pb-Bi系、Sn-Pb-Cu系、Sn-Pb-Ag系、及Pb-Ag系的至少任一种。例如，Ti、Pt、Ni的至少任一种设置在焊料材与支撑基板64之间、焊料材与层间绝缘层80、85之间、及焊料材与金属层52之间。
另外，作为金属层51的材料，例如，使用Ti(钛)或TiW(钛-钨)。另外，金属层51例如也可使用Ti膜/Pt膜/Au膜的积层膜。此时，在Au(金)膜与半导体发光部15之间，配置Pt(铂)膜，在Pt膜与半导体发光部15之间配置Ti(钛)膜。
在实施方式中，将从金属层51朝向半导体发光部15的方向设为第1方向(以下，例如Z轴方向)。另外，将与Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将与Z轴方向及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。例如，半导体发光部15在Z轴方向与金属层51离开。
将金属层51投影至X-Y平面(与Z轴方向垂直的平面)时的形状例如为矩形(未图示)。另外，将半导体发光部15中的半导体层10投影至X-Y平面时的形状例如为矩形。但是，在实施方式中，金属层51及半导体发光部15的各自的形状为任意。
也可在支撑基板64与金属层51之间设置接合层。支撑基板64为导电性。背面电极65经由支撑基板64而与金属层51连接。
金属层51配置在支撑基板64与半导体发光部15之间。在金属层51上设置有金属层52。支撑基板64与金属层52经由金属层51而电连接。金属层52也可设置在金属层51的平面形状的中心部分。金属层52包含接触金属部52c与设置在其下方的周边金属部52p。金属层52成为p侧电极。金属层52为光反射性。金属层52例如能够包含Al及Ag的至少任一种。
接触金属部52c例如相对于半导体层20a欧姆接触。优选为，接触金属部52c相对于发光光具有较高的反射率。通过提高接触金属部52c的反射率，而提高光提取提取效率。所谓光提取提取效率，是指由发光层30产生的光的所有光束中能够向半导体发光元件1的外部提取提取的光的所有光束的比例。接触金属部52c例如包含Ag。
周边金属部52p例如覆盖接触金属部52c的至少一部分。周边金属部52p与接触金属部52c电连接。优选为，周边金属部52p相对于发光光具有较高的反射率。通过提高周边金属部52p的反射率，能够提高光提取效率。周边金属部52p例如包含Ag。
在金属层52上，设置有半导体发光部15。半导体发光部15至少具有配置在接触金属部52c上的部分。接触金属部52c与半导体发光部15接触。
半导体层10包含第1半导体部分11及第2半导体部分12。第2半导体部分12在与X-Y平面平行的方向，与第1半导体部分11排列。半导体层20a设置在第1半导体部分11与金属层52(接触金属部52c)之间。发光层30a设置在第1半导体部分11与半导体层20a之间。
半导体层20a设置在半导体层10与接触金属部52c之间。发光层30a设置在半导体层10与半导体层20a之间。
半导体层10、半导体层20a及发光层30a分别包含氮化物半导体。半导体层10、半导体层20a及发光层30a例如包含AlxGa1-x-yInyN(x≧0，y≧0，x+y≦1)。
半导体层10例如包含Si掺杂n型GaN接触层及Si掺杂n型AlGaN包层。在Si掺杂n型GaN接触层与发光层30a之间，配置Si掺杂n型AlGaN包层。半导体层10也可还包含GaN缓冲层，在GaN缓冲层与Si掺杂n型AlGaN包层之间，配置Si掺杂n型GaN接触层。在该情况下，在Si掺杂n型AlGaN包层设置有开口部，导电层41经由开口部而与Si掺杂n型GaN接触层连接。
发光层30a例如具有多重量子井(MQW)构造。在MQW构造中，例如，多个障壁层与多个井层交替地积层。例如，井层使用AlGaInN。例如，井层使用GaInN。
在本申请说明书中，积层状态除了直接接触的状态以外，还包含在之间插入其他的要素的状态。
障壁层例如使用Si掺杂n型AlGaN。例如，障壁层使用Si掺杂n型Al0.11Ga0.89N。障壁层的厚度例如为2nm以上30m以下。多个障壁层中最接近半导体层20a的障壁层(p侧障壁层)与其他的障壁层既可不同，也可比其他的障壁层厚，也可比其他的障壁层薄。
从发光层30a释出的光(发光光)的波长(峰值波长)例如为210nm以上700nm以下。发光光的峰值波长例如也可为370nm以上480nm以下。
半导体层20a例如包含非掺杂AlGaN间隔层、Mg掺杂p型AlGaN包层、Mg掺杂p型GaN接触层、及高浓度Mg掺杂p型GaN接触层。在高浓度Mg掺杂p型GaN接触层与发光层30a之间，配置Mg掺杂p型GaN接触层。在Mg掺杂p型GaN接触层与发光层30a之间，配置Mg掺杂p型AlGaN包层。在Mg掺杂p型AlGaN包层与发光层30a之间，配置非掺杂AlGaN间隔层。例如，半导体层20a包含非掺杂Al0.11Ga0.89N间隔层、Mg掺杂p型Al0.28Ga0.72N包层、Mg掺杂p型GaN接触层、及高浓度Mg掺杂p型GaN接触层。
此外，在所述半导体层中，组成、组成比、杂质的种类、杂质浓度、及厚度为例，能够进行各种变化。
在金属层51与第2半导体部分12之间设置有所述导电层41。导电层41与焊垫电极44电连接。优选为，导电层41的反射率较高。例如，导电层41包含Al及Ag的至少任一种。在实施方式中，也可在导电层41与第2半导体部分12之间，设置其他的导电层。通过设置导电层41，而在半导体发光元件1中，可不在半导体发光部15的上表面设置电极等光遮蔽膜。因此，在半导体发光元件1中，获得较高的光提取效率。另外，作为导电层41的材料，使用兼备对半导体层10的欧姆接触性与较高的光反射率的铝(Al)。
焊垫电极44设置在金属层51的与半导体发光部15对向的面的一侧(上端51u的一侧)。在投影至X-Y平面时，焊垫电极44与半导体发光部15不重叠。焊垫电极44例如为按照Ti膜(例如，膜厚；10nm)/Pt膜(膜厚；50nm)/Au膜(膜厚；1000nm)的顺序积层而成的电极。
在半导体发光元件1中，设置有光反射性的金属层53。金属层53例如能够使用铝(Al)及银(Ag)的至少任一种。在将金属层53投影至X-Y平面时，金属层53与周边金属部52p重叠。在将金属层53投影至X-Y平面时，金属层53与52p重叠。在将金属层53投影至X-Y平面时，金属层53与半导体发光部15的周边部重叠(未图示)。在将半导体发光部15投影至X-Y平面时，半导体发光部15的中心部与光反射性的金属层52重叠，周边部与光反射性的金属层53重叠(未图示)。金属层53也可与导电层41电接触。金属层53与导电层41也可为积层构造。
半导体发光元件1中，从半导体发光部15释出的光能够由金属层52、53及导电层41反射并向上方前进。由此，无向元件的下侧(支撑基板64侧)漏出的光，能够提高光提取效率。
层间绝缘层80包含第1绝缘部分81及第2绝缘部分82。第1绝缘部分81设置在金属层53与半导体发光部15之间。第2绝缘部分82设置在金属层53与金属层51之间。存在观察到第1绝缘部分81与第2绝缘部分82之间的交界的情况，与观察不到的情况。
层间绝缘层80例如使用介电体等。具体而言，层间绝缘层80能够使用氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。也可使用Al、Zr、Ti、Nb及Hf等的至少任一种金属的氧化物、所述的至少任一种金属的氮化物、或所述的至少任一种金属的氮氧化物。
层间绝缘层85包含第1层间绝缘部分86、第2层间绝缘部分87、及第3层间绝缘部分88。层间绝缘层85利用使用于层间绝缘层80的材料。层间绝缘层85的至少一部分能够与层间绝缘层80的至少一部分一起形成。
第1层间绝缘部分86设置在半导体发光部15与第2层间绝缘部分87之间。第2层间绝缘部分87设置在导电层41与金属层51之间。第3层间绝缘部分88设置在焊垫电极44与金属层51之间。利用层间绝缘层85，而将焊垫电极44及导电层41与金属层51电绝缘。
半导体发光部15的上表面14成为凹凸。凹凸具有多个凸部14p。优选为，多个凸部14p中的相邻的2个凸部14p彼此之间的距离为从半导体发光部15放射的发光光的发光波长以上。发光波长为半导体发光部15(半导体层10)中的峰值波长。通过设置此种凹凸，而光提取效率提高。
如果凸部14p彼此之间的距离比发光波长短，则入射至凹凸的发光光显示在凹凸的界面散射或衍射等波动光学上说明的行为。因此，在凹凸中，发光光的一部分不被提取。如果凸部14p彼此之间的距离进一步短，则凹凸被视为折射率连续地变化的层。因此，与无凹凸的平坦的面相同，光提取效率的改善效果变小。
凹凸的多个凸部14p的各自的平面形状例如为六边形。例如，凹凸例如通过使用KOH溶液对半导体层10进行各向异性蚀刻而形成。由此，在半导体层10与外界的界面中，从发光层30a释出的发光光被朗伯反射。
凹凸也可通过使用掩模的干式蚀刻而形成。在该方法中，由于能够形成如设计的凹凸，所以再现性提高，容易提高光提取效率。
半导体发光元件1也可还包含覆盖半导体层10的侧面、发光层30a的侧面、及半导体层20a的侧面的绝缘层(未图示)。该绝缘层例如包含与第1绝缘部分81相同的材料。例如，该绝缘层包含SiO2。该绝缘层作为半导体发光部15的保护层而发挥功能。由此，抑制半导体发光元件1中的劣化或泄漏。
通过对背面电极65与焊垫电极44之间施加电压，而经由金属层51、金属层52、及半导体层20a，或经由导电层41、及半导体层10对发光层30a施加电压。由此，从发光层30a释出光。
释出的光主要朝向上方出射至元件的外部。也就是说，从发光层30a释出的光的一部分向上方前进，出射至元件外。另一方面，从发光层30a释出的光的另一部分由光反射性的金属层52高效率地反射，向上方前进，出射至元件外。
对半导体发光元件1的制造过程进行说明。
图2(a)～图6(b)是表示第1实施方式的半导体发光元件的主要部分的制造过程的模式性剖视图。图2(a)～图6(b)与沿着图1(b)的A1-A2线的位置中的截面对应。在图2(a)～图6(b)中，作为半导体发光元件1，表示了单片化前的晶片状态的一部分。
例如，如图2(a)所示，在成长基板66按照半导体层10、发光层30、半导体层20的顺序外延生长，在成长基板66形成包含半导体层10、发光层30、及半导体层20的积层体19。
其次，如图2(b)所示，将半导体层20的一部分与发光层30的一部分利用蚀刻而去除。蚀刻深度例如为0.1um以上、100um以下。蚀刻深度例如为0.4um以上、2um以下。蚀刻深度的下限由半导体层10露出的深度来决定。蚀刻深度越深，则在积层体19内导波的发光光的反射角度改变的机率越增加。由此，光提取效率提高。蚀刻深度越浅，则残留半导体层10的层越厚，所以半导体层10的薄膜电阻变小，动作电压下降。成长基板66包含铝或硅。
在积层体19设置有发光区域17及台面区域18。发光区域17包含半导体层10、选择性地设置在半导体层10的下表面16的发光层30a、及利用半导体层10夹持发光层30a的半导体层20a。台面区域18包含半导体层10、选择性地设置在半导体层10的下表面16的发光层30b、及利用半导体层10夹持发光层30b的半导体层20b。台面区域18位于下述切割线。
其次，形成覆盖半导体层10的下表面16、发光区域17、及台面区域18的绝缘层83。
其次，如图2(c)所示，将设置在半导体层10的下表面16的绝缘层83选择性地去除。接着，形成与半导体层10的下表面16电连接、且覆盖绝缘层83的一部分的导电层41形成。也可与导电层41不同，另外形成与半导体层10的下表面16欧姆接触的金属层。导电层41与半导体层10之间的绝缘层83为所述绝缘层89。绝缘层89的材料与绝缘层83的材料相同。另外，形成选择性地覆盖绝缘层83的金属层53。金属层53也可与导电层41同时形成。金属层53也可由与导电层41相同的步骤而形成，在该情况下，金属层53与导电层41为相同的积层构造。
其次，如图3(a)所示，形成覆盖绝缘层83、89、导电层41、及金属层53的绝缘层84。
其次，如图3(b)所示，以使半导体层20a从绝缘层83及绝缘层84露出的方式，对绝缘层84及绝缘层83进行蚀刻。在该阶段中，形成层间绝缘层80及层间绝缘层85。然后，形成与半导体层20a电连接的接触金属部52c及其下方的周边金属部52p(图3(c))。由此，形成与半导体层20a电连接的金属层52。
其次，如图4(a)所示，形成与半导体层20a电连接、且覆盖金属层52、及层间绝缘层80、85的金属区域51a。金属区域51a沿着层间绝缘层80、85的表面、及金属层52的表面而形成，所以其下表面51d成为凹凸。例如，在金属区域51a，转印凸状的台面区域18的图案。转印有台面区域18的图案的金属区域51a的区域与所述第1区域51r1对应。
接着，使形成有金属区域51b的支撑基板64与金属区域51a对向。由此，金属区域51a与金属区域51b对向。
其次，如图4(b)所示，使金属区域51a与金属区域51b接合。例如，使金属区域51a与金属区域51b接合，形成金属区域51a与金属区域51b成为一体的金属层51。此处，金属区域51a的下表面51d的凹凸由于金属区域51a与金属区域51b相互熔融而消失。金属层51包含金属区域51a及金属区域51b。
其次，如图5(a)所示，将成长基板66从半导体层10去除。
其次，如图5(b)所示，利用光刻法及RIE(ReactiveIonEtching，反应性离子蚀刻)，将积层体19的台面区域18与半导体层10的一部分去除。另外，在半导体层10的上表面14形成凸部14p。接着，将层间绝缘层80的一部分、第3层间绝缘部分88的一部分、及绝缘层89的一部分利用光刻法及RIE而去除。此外，也可在半导体层10的上表面14形成保护膜。残留的层间绝缘层80的一部分、第3层间绝缘部分88的一部分、及绝缘层89的一部分的各自的端，如图5(b)所示，既可为第2区域51r2上，也可为第1区域51r1上。
由此，获得金属层51延伸至积层体19的外侧的构造。此处，导电层41的上的绝缘层89从半导体层10露出。另外，导电层41从半导体层10的下表面16延伸至半导体层10的外侧。
其次，如图6(a)所示，使用缓冲氢氟酸溶液对绝缘层89选择性地进行蚀刻。接着，形成与从绝缘层89露出的导电层41电连接的焊垫电极44。而且，使背面电极65与支撑基板64接合。
其次，如图6(b)所示，将金属层51的第1区域51r1在从半导体层10朝向半导体层20a的方向(Z方向)切断。接着，将第1区域51r1下的支撑基板64、背面电极65在从半导体层10朝向半导体层20a的方向切断。切断金属层51、支撑基板64、及背面电极65的位置作为切割线DL，表示在图6(b)中。由此，形成从晶片状态单片化的半导体发光元件1。
图7是表示第1实施方式的半导体发光元件的效果的模式性剖视图。
例如，作为参考例，设想不形成台面区域18而使制程进展的情况。在此种情况下，金属层51的第1区域51r1中的上端51u与第1实施方式相比不凹陷(由符号95所示的两点虚线的状态)。由此，从发光层30释出的光90照射至金属层51的外周部，被金属层51吸收。被金属层51吸收的光例如转换为热。
相对于此，在半导体发光元件1中，金属层51的第1区域51r1中的上端51u与参考例相比凹陷。因此，从发光层30释出的光90不照射至第1区域51r1的上端51u，而能够从半导体发光部15向外侧前进，进而从金属层51的外端51e向外侧前进。
该光由设置在半导体发光元件1外的反射器等而反射，例如，向半导体发光元件1的上方前进。或者，该光也照射至荧光体。由此，半导体发光元件的发光效率增加。此处，在第1在实施方式中，发光效率例如由将半导体发光元件1释出至半导体发光元件1的外部的光的所有光束除以投入至半导体发光元件1的电力所得的比例来定义。或者，发光效率也可由将半导体发光元件1释出至半导体发光元件1的外部的特定的方向的光的光束除以投入至半导体发光元件1的电力所得的比例来定义。距离L1与距离L2的差在形成发光区域17时，与对积层体19进行蚀刻的深度大致一致。该差越大，则从发光层3释出的光90越不容易照射至金属层51的外周部，半导体发光元件1的发光效率更加提高。
图8(a)及图8(b)是表示参考例的半导体发光元件的制造过程的模式性剖视图。
例如，如图8(a)所示，在不在积层体19设置台面区域18，而制造半导体发光元件的情况下，台面区域18的图案不会转印至金属区域51a'。由此，在金属区域51a'形成较深的凹部51c。相对于此，在图4(a)中，由于在积层体19设置有台面区域18，所以第1区域51r1与凹部51c相比不变深。另外，凹部51c位于切割线。
在此种状态下，如果使金属区域51a'与金属区域51b接合，则在空隙51v的位置，金属区域51a'与金属区域51b过分离开，所以存在形成空隙51v的可能性(图8(b))。此处，空隙51v也位于切割线。
在此种状态下，如果将金属层51'沿着切割线切断，则存在以空隙51v为起点而金属区域51a'与金属区域51b剥离的可能性。另外，如果因剥离而产生的金属片附着在金属层51'外，则存在导致半导体发光元件内的电流泄漏、短路的可能性。
相对于此，在第1在实施方式中，其次，如图4(a)所示，在金属区域51a，转印凸状的台面区域18的图案。也就是说，参考例中例示的凹部51c不形成在金属区域51a。因此，参考例中例示的空隙51v的形成、以空隙51v为起点的金属区域51a'与金属区域51b的剥离、由金属片所致的半导体发光元件内的电流泄漏、短络不会产生。由此，第1实施方式的半导体发光元件1的可靠性提高，制造良率也提高。
(第2实施方式)
图9(a)是第2实施方式的半导体发光元件的主要部分的模式性剖视图，图9(b)是参考例的半导体发光元件的主要部分的模式性剖视图。
在图9(a)所示的半导体发光元件2中，在半导体层10的上表面14，设置有作为n侧电极的第2金属层(以下，例如金属层54)。在金属层51与半导体发光部15之间，设置有作为p侧电极的金属层52。金属层51经由金属层52而与半导体层20电连接。此外，在金属层51的第1区域51r1上及第2区域41r2n上，设置有作为钝化膜的介电层85。
图9(b)表示作为参考例的半导体发光元件200。在图9(b)所示的半导体发光元件200中，无第1区域51r1。因此，在半导体发光元件200中，从发光层30释出的光直接或经由介电层85而照射至金属层51，或者在制造过程中在金属层51内形成空隙51v。
相对于此，在图9(a)所示的半导体发光元件2中，设置有第1区域51r1及与第1区域51r1相邻的第2区域51r2。也就是说，从发光层30释出的光难以照射至金属层51，难以在制造过程在金属层51内形成空隙51v。因此，半导体发光元件2的发光效率提高，其可靠性、制造良率也上升。
(第3实施方式)
图10(a)是第3实施方式的半导体发光元件的主要部分的模式性剖视图，图10(b)是参考例的半导体发光元件的主要部分的模式性剖视图。
图10(a)所示的半导体发光元件3具备半导体发光部15、金属层51、金属层55、及导电层42a、42b。半导体发光部15具有半导体层10、与半导体层10的一部分对向的半导体层20、及设置在半导体层10的一部分与半导体层20之间的发光层30。
半导体发光部15具有半导体层10侧的上表面15u及半导体层20侧的下表面15d。另外，半导体层10的一部分在下表面15d侧露出。该一部分为半导体层10的露出部分10e。
半导体发光元件3具有在露出部分10e与半导体层10接触的金属层55。导电层42a、42b在下表面15d与半导体层20接触。
半导体层10的上表面14的一侧的表面具有第1部分10a及第2部分10b。
第1部分10a在从半导体层10朝向半导体层20的方向(Z轴方向)观察时，具有跟金属层55中的与半导体层10的接触面55c重叠的部分。
第2部分10b在积层方向(Z轴方向)观察时，具有与半导体层20重叠的部分。第2部分10b具有凹凸。该凹凸具有比从发光层30放射的发光光的峰值波长长的间距。发光层30设置在第2部分10b的下方的半导体层10与在Z轴方向与第2部分10b对向的半导体层20之间。
第1部分10a与第2部分10b的凹凸相比更为平坦。例如，在第1部分10a1具有凹凸的情况下，该凹凸的间距比从发光层30放射的发光光的峰值波长短。
这样，半导体层10具有上表面14及与上表面14相反侧的下表面16，所述上表面14含有具有比发光光的峰值波长长的间距的凹凸的凹凸部分、及比凹凸部分更平坦的平坦部分。
在半导体发光元件3中，由于第1部分10a比第2部分的凹凸更为平坦，所以能够抑制接触面55c与半导体层10的上表面14之间的发光光的反射的重复。
对半导体发光元件3的详细情况进行说明。
在半导体发光部15，设置有从下表面15d到达半导体层10的凹部15t。在凹部15t的底面包含半导体层10的露出部分10e。金属层51在积层方向(Z轴方向)观察时，具有与半导体层20重叠的部分。
金属层55在下表面16中的平坦部分的相反侧的区域中与半导体层20接触。金属层55使用能够获得与半导体层10的良好的接触的材料。作为金属层55，例如使用Al/Ni/Au的积层膜。积层膜从接触面55c侧起按照Al/Ni/Au的顺序积层。
导电层42具有沿着下表面15d而设置的导电层42a，及从导电层42a延伸至半导体发光部15的外侧的导电层42b。导电层42a使用能够使从发光层30放射的发光光高效率地反射的材料。作为导电层42a，例如使用Ag/Pt的积层膜。积层膜从下表面15d侧起按照Ag/Pt的顺序积层。
导电层42b在半导体发光部15的外侧露出。导电层42b例如由与导电层42a相同的材料而一体地设置。在导电层42b的露出的部分设置有焊垫电极44。
图10(b)表示作为参考例的半导体发光元件300。在图10(b)所示的半导体发光元件300中，无第1区域51r1。因此，在半导体发光元件300中，从发光层30释出的光直接或经由介电层85而照射至金属层51，或者在制造过程中在金属层51内形成空隙51v。
相对于此，在图10(a)所示的半导体发光元件3中，设置有第1区域51r1及与第1区域51r1相邻的第2区域51r2。也就是说，从发光层30释出的光难以照射至金属层51，难以在制造过程中在金属层51内形成空隙51v。因此，半导体发光元件3的发光效率提高，其可靠性、制造良率也上升。
(第4实施方式)
另外，将半导体发光元件1～3的任一个作为发光装置100例如搭载在树脂盒101内。作为一例，图11列举具备半导体发光元件1的发光装置100为例。
图11是表示第4实施方式的发光装置的主要部分的模式性剖视图。
作为一例，在图11中表示了具备半导体发光元件1的发光装置100。在树脂盒101内的侧壁101w的至少一部分及/或底部101b的至少一部分设置有反射器103。反射器103将从发光层30a释出、未到达金属层51的第1区域51r、而从金属层51释出至外侧的光反射。该光由反射器103例如全反射或以较高的反射率反射。反射器103的材料或构造并不特别限定。其材料既可为具有高反射特性的金属，也可为以能够高效率地全反射的方式而吸收率较低且折射率较低的介电体或介电体积层构造，也可为实施了光学设计的微细构造，也可为这些的组合。
在将从相对于底部101b的法线102而反射器103倾斜的角度设为θ时，角度θ大于0°。由此，容易将由反射器103反射的光从树脂盒101提取至外部，发光效率提高。另外，也可在树脂盒101内分散使该光散射的粒子。
此外，在实施方式中，所谓“氮化物半导体”，是指包含在BxInyAlzGa1-x-y-zN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z≦1)的化学式中使组成比x、y及z在各自的范围内变化的所有组成的半导体。另外，在所述化学式中，也还包含N(氮)以外的V族元素的物质、还包含为了控制导电型等各种物性而添加的各种元素的物质、及还包含未意图地包含的各种元素的物质也包含在“氮化物半导体”中。
在实施方式中，“垂直”及“平行”并不仅是严格的垂直及严格的平行，例如包含制造步骤中的偏差等，只要实质上垂直及实质上平行即可。
在所述实施方式中，所谓“部位A设置在部位B上”的表达的情况下的“上”，存在除了部位A与部位B接触，部位A设置在部位B上的情况以外，还以部位A不与部位B接触，部位A设置在部位B的上方的情况的意思使用的情况。另外，“部位A设置在部位B上”，存在也应用于使部位A与部位B发转而部位A位于部位B下的情况、或部位A与部位B相邻排列的情况的情况。这是因为，即便使实施方式的半导体装置旋转，在旋转前后半导体装置的构造也不变。
以上，一面参照具体例一面对实施方式进行了说明。然而，实施方式并不限定于这些具体例。也就是说，业者对这些具体例适当增加设计变更而成的内容只要具备实施方式的特征，则包含在实施方式的范围中。所述各具体例所具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限定于例示的内容，能够适当变更。
另外，所述各实施方式所具备的各要素只要在技术上可能则能够复合，将这些组合而成的内容也只要包含实施方式的特征则包含在实施方式的范围中。另外，在实施方式的思想的范畴中，只要为业者，则可想到各种变更例及修正例，且了解关于这些变更例及修正例也属于实施方式的范围。
对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例而提示的，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种方式实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内，进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变化包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明与其均等的范围中。
[符号的说明]
1、2、3半导体发光元件
1e外端
10半导体层
11第1半导体部分
12第2半导体部分
14上表面
14p凸部
15半导体发光部
16下表面
17发光区域
18台面区域
19积层体
20、20a、20b半导体层
20d下表面
30、30a、30b发光层
41、42、42a、42b导电层
44焊垫电极
51、52、53、54金属层
51a、51b金属区域
51c凹部
51e外端
51r1第1区域
51r2第2区域
51v空隙
51u上端
51d下端
52c接触金属部
52p周边金属部
64支撑基板
65背面电极
66成长基板
80、85层间绝缘层
81第1绝缘部分
82第2绝缘部分
83、84、89绝缘层
85介电层
86第1层间绝缘部分
87第2层间绝缘部分
88第3层间绝缘部分
90光
95符号
100发光装置
101树脂盒
101b底部
101w侧壁
102法线
103反射器
200、300半导体发光元件

Claims (8)

1.一种半导体发光元件，其特征在于具备：
积层体，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；以及
第1金属层，设置在所述积层体的所述第2半导体层的一侧，且与所述积层体的所述第2半导体层电连接；且
所述第1金属层具有延伸至所述积层体的外侧的第1区域、及与所述第1区域相邻的第2区域，
所述第1区域中的所述第1金属层的下端与所述第1金属层的上端之间的距离比所述第2区域中的所述第1金属层的下端与所述第1金属层的上端之间的距离短，
所述第1区域中的所述第1金属层的下端与所述第1金属层的上端跟所述第1金属层的外端连接。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：还具备第1导电层，
所述第1半导体层具有第1面及与所述第1面相反的第2面，
所述发光层选择性地设置在所述第1半导体层的所述第2面，
在未设置所述发光层的所述第1半导体层的所述第2面电连接有所述第1导电层，
所述第1导电层延伸至所述积层体的外侧，
所述第1区域设置在所述第1导电层的外侧。
3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于：相对于从所述发光层释出的光，
所述第1导电层的反射率比所述1金属层的反射率高。
4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：还具备第2金属层，
所述第1半导体层具有第1面及与所述第1面相反的第2面，
所述发光层选择性地设置在所述第1半导体层的所述第2面，
在所述第1面电连接有所述第2金属层。
5.一种半导体发光元件，其特征在于具备：
积层体，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层，且在所述第2半导体层的一侧，包含所述第1半导体层露出的第1区域；以及
第1金属层，设置在所述积层体的所述第2半导体层的一侧，且与所述积层体的所述第1半导体层的所述第1区域电连接；且
所述第1金属层具有延伸至所述积层体的外侧的第1区域及与所述第1区域相邻的第2区域，
所述第1区域中的所述第1金属层的下端与所述第1金属层的上端之间的距离比所述第2区域中的所述第1金属层的下端与所述第1金属层的上端之间的距离短，
所述第1区域中的所述第1金属层的下端与所述第1金属层的上端跟所述第1金属层的外端连接。
6.一种发光装置，其特征在于具备：
根据权利要求1至5中任一项所述的半导体发光元件；及
反射器，将从所述半导体发光元件的所述发光层释出、不到达所述第1金属层的所述第1区域而从所述积层体释出至外侧的光反射。
7.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于具备如下步骤：
形成积层体，所述积层体设置有发光区域及台面区域，所述发光区域包含具有第1面及与所述第1面相反的第2面的第1导电型的第1半导体层、选择性地设置在所述第1半导体层的所述第2面的第1发光层、及利用所述第1半导体层夹持所述第1发光层的第2导电型的第2半导体层，所述台面区域包含所述第1半导体层、选择性地设置在所述第1半导体层的所述第2面的所述第2发光层、及利用所述第1半导体层夹持所述第2发光层的第2导电型的第3半导体层；
形成覆盖所述第1半导体层的所述第2面、所述发光区域、及所述台面区域的第1绝缘层；
形成与所述第1半导体层的所述第2面电连接、且覆盖所述第1绝缘层的一部分的第1导电层；
形成覆盖所述第1绝缘层与所述第1导电层的第2绝缘层；
以所述第2半导体层从所述第2绝缘层及所述第1绝缘层露出的方式，对所述第2绝缘层及所述第1绝缘层进行蚀刻；
形成与所述第2半导体层电连接、且覆盖所述第2绝缘层、具有转印有所述台面区域的图案的第1区域的第1金属区域；
形成将由支撑基板支撑的第2金属区域与所述第1金属区域连接、且包含所述第2金属区域与所述第1金属区域的第1金属层；以及
以使所述第1金属层延伸至所述积层体的外侧，而将所述台面区域与所述第1半导体层的一部分去除。
8.根据权利要求7所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于：还具备将所述第1金属层的所述第1区域在从所述第1半导体层朝向所述第2半导体层的方向切断的步骤。
CN201610022122.XA 2015-01-16 2016-01-13 半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法 Pending CN105810781A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-006648 2015-01-16
JP2015006648A JP2016134423A (ja) 2015-01-16 2015-01-16 半導体発光素子、発光装置、および半導体発光素子の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105810781A true CN105810781A (zh) 2016-07-27

Family

ID=56408464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610022122.XA Pending CN105810781A (zh) 2015-01-16 2016-01-13 半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160211417A1 (zh)
JP (1) JP2016134423A (zh)
CN (1) CN105810781A (zh)
TW (1) TW201637241A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017154973A1 (ja) 2016-03-08 2017-09-14 株式会社 東芝 半導体発光素子およびその製造方法
JP7096489B2 (ja) * 2018-09-20 2022-07-06 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
JP6909983B2 (ja) * 2018-11-29 2021-07-28 日亜化学工業株式会社 発光素子
TW202412256A (zh) * 2022-06-01 2024-03-16 美商科銳Ｌｅｄ公司 用於減少接合金屬之空洞的發光二極體晶片中的接觸結構

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103633233A (zh) * 2012-08-20 2014-03-12 Lg伊诺特有限公司 发光器件

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103633233A (zh) * 2012-08-20 2014-03-12 Lg伊诺特有限公司 发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
TW201637241A (zh) 2016-10-16
US20160211417A1 (en) 2016-07-21
JP2016134423A (ja) 2016-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240042166A1 (en) Semiconductor light-emitting device
KR102276207B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 장치
US20180145217A1 (en) Light-emitting diode module having light-emitting diode joined through solder paste and light-emitting diode
JP5949294B2 (ja) 半導体発光素子
US8154042B2 (en) Light emitting device with trenches and a top contact
JP6720472B2 (ja) 発光素子の製造方法
EP3751627A2 (en) Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
KR20120107874A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법
JP6410870B2 (ja) 発光ダイオード
WO2013051326A1 (ja) 窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法
US8637884B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting apparatus, and lighting system
EP2219238B1 (en) Semiconductor light-emitting device
EP3343646B1 (en) Light-emitting element
CN105810790A (zh) 半导体发光元件及其制造方法
CN105810781A (zh) 半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法
KR20120020061A (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지, 라이트 유닛
KR101777516B1 (ko) 고전압 엘이디 플립 칩 및 그 제조 방법
CN114864777A (zh) Led芯片及其制备方法
CN212750919U (zh) 倒装led芯片
JP4836410B2 (ja) 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US20130248907A1 (en) Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same
JP2017054902A (ja) 半導体発光装置
CN212750918U (zh) 倒装led芯片
EP2228837B1 (en) Light emitting device, fabrication method thereof, and light emitting apparatus
US8878218B2 (en) Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160727

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication