CN105807517A - 阵列基板及其断线修复方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其断线修复方法。当阵列基板的栅极线(20)出现断线时，所述断线修复方法包括：将阵列基板的像素电极层(80)、第二钝化层(70)及有机层(60)去除；在阵列基板的第一钝化层(50)上形成绝缘保护层(90)；在所述绝缘保护层(90)上形成金属长线(100)；其中，所述金属长线(100)的一端连接到断线处一侧的栅极线(20)，所述金属长线(100)的另一端连接到断线处另一侧的栅极线(20)。本发明通过在第一钝化层上形成绝缘保护层之后，再在绝缘保护层上形成金属长线来连接修复断开的栅极线，这样能够避免金属长线与第一钝化层之下的数据线接触而导致的数据线与栅极线出现的短路现象。

Description

阵列基板及其断线修复方法
技术领域
本发明属于液晶显示面板制造领域，具体地讲，涉及一种用于液晶显示面板的阵列基板及其断线修复方法。
背景技术
随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(FlatPanelDisplay)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已被应用于生产生活的各个方面。
现有的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(BacklightModule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，ColorFilter)、薄膜晶体管基板(TFT，ThinFilmTransistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
随着液晶面板技术的不断发展，越来越多的新技术应用在薄膜晶体管阵列基板上，如平面转换(In-PlaneSwitching，IPS)技术、边缘场开关(FringeFieldSwitching，FFS)技术、色彩滤镜矩阵(ColorFilterOnArray，COA)技术等。这些技术对阵列基板的平坦度要求比较高，通常需要在阵列基板上沉积一层较厚的有机层如色阻层、平坦层等。在阵列基板制作过程中，由于各种因素的影响，可能导致金属导线包括栅极线和数据线存在断线的情况。为了修补此类阵列基板的断线，目前是通过断线修补机先去除有机层和像素电极层后，再进行修补长线，当有机层被完全去除时，可能会将有机层之下的钝化层去除部分，从而裸露出钝化层之下的数据线，这样在对断线的栅极线进行长线修补时，使形成的金属修补长线连接断线的栅极线的同时接触裸露的数据线，从而使栅极线与数据线出现短路现象，进而影响产品的断线修补成功率。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种阵列基板的断线修复方法，其中，当阵列基板的栅极线出现断线时，所述断线修复方法包括：将阵列基板的像素电极层、第二钝化层及有机层去除；在阵列基板的第一钝化层上形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层上形成金属长线；其中，所述金属长线的一端连接到断线处一侧的栅极线，所述金属长线的另一端连接到断线处另一侧的栅极线。
进一步地，利用激光将阵列基板的像素电极层、第二钝化层及有机层去除。
进一步地，利用薄膜化学沉积方法或者薄膜物理沉积方法在阵列基板的第一钝化层上沉积形成绝缘保护层。
进一步地，所述有机层包括红色光阻层、绿色光阻层和蓝色光阻层，所述有机层的厚度大于所述第一钝化层的厚度。
本发明的另一目的还在于提供一种阵列基板，其包括：基板；在基板上的栅极线；在栅极线上的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的数据线；在数据线上的第一钝化层；在第一钝化层上的有机层；在有机层上的第二钝化层；在第二钝化层上的像素电极层；当所述栅极线出现断线时，将所述像素电极层、所述第二钝化层及所述有机层去除，在所述第一钝化层上形成绝缘保护层，在所述绝缘保护层上形成金属长线；其中，所述金属长线的一端连接到断线处一侧的栅极线，所述金属长线的另一端连接到断线处另一侧的栅极线，以使断开的栅极线被修复连接。
本发明的有益效果：本发明通过在第一钝化层上形成绝缘保护层之后，再在绝缘保护层上形成金属长线来连接修复断开的栅极线，这样能够避免金属长线与第一钝化层之下的数据线接触而导致的数据线与栅极线出现的短路现象。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1是根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；
图2a至图2c是根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板的断线修复方法的流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
图1是根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。
参照图1，提供一透明基板10。在本实施例中，透明基板10可以是透明的玻璃基板或者透明的树脂基板；但本发明并不限制于此。
利用金属材料在透明基板10上形成栅极线20、栅极(未示出)。栅极与栅极线20连接，以从栅极线20接收栅极信号。这里，金属材料可例如是铬、钼等，但本发明并不限制于此。
利用绝缘材料在透明基板10上形成栅极绝缘层30，其中，栅极绝缘层30覆盖栅极线20和栅极。在本实施例中，绝缘材料可例如是氮化硅、二氧化硅等。
利用金属材料在栅极绝缘层30上形成数据线40、源极(未示出)和漏极(未示出)。源极与数据线40连接，以从数据线40接收数据电压信号。这里，金属材料可例如是铬、钼等，但本发明并不限制于此。
形成覆盖数据线40、源极和漏极的第一钝化层50。这里，可利用无机材料形成第一钝化层50。
利用有机材料在第一钝化层50上形成有机层60。在本实施例中，有机层60包括红色光阻层R、绿色光阻层G和蓝色光阻层B，但本发明并不限制于此。
在有机层60上形成第二钝化层70。这里，可利用无机材料形成第二钝化层70。在本实施例中，有机层60的厚度远大于第一钝化层50和第二钝化层70的厚度。
利用透明导电材料在第二钝化层70上形成像素电极层80。在本实施例中，透明导电材料可采用氧化铟锡ITO，但本发明并不限制于此。
在薄膜晶体管阵列基板的制程中，当栅极线20出现断线情况时，需要对断线的栅极线20进行修复，从而使断线的栅极线20恢复连接。以下结合图2a至图2c对断线的栅极线20的修复操作进行说明。
图2a至图2c是根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板的断线修复方法的流程图。
在图2a中，将像素电极层80、第二钝化层70和有机层60去除。具体地，可利用激光刻蚀的方法将像素电极层80、第二钝化层70和有机层60刻蚀去除。
在对有机层60去除的过程中，由于有机层60的厚度无法达到绝对均匀，并且刻蚀有机层60时激光的能量也无法达到绝对不变，因此在刻蚀有机层60的过程中会将第一钝化层50的部分刻蚀掉，从而将第一钝化层50之下的数据线40裸露出。
在图2b中，采用薄膜物理沉积方法或者薄膜化学成绩方法并利用绝缘材料在第一钝化层50上形成绝缘保护层90，从而将裸露的数据线40重新覆盖。在本实施例中，绝缘材料可例如是氮化硅、二氧化硅等。
在图2c中，利用金属材料在绝缘保护层90上形成金属长线100。金属长线100的一端连接断线处A一侧的栅极线20，金属长线100的另一端连接到断线处A另一侧的栅极线20，从而使断开的栅极线20被修复连接，同时能够避免金属长线100与数据线40接触而导致的数据线40与栅极线20出现的短路现象。这里，金属材料可例如是铬、钼等，但本发明并不限制于此。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。

Claims (8)

1.一种阵列基板的断线修复方法，其特征在于，当阵列基板的栅极线(20)出现断线时，所述断线修复方法包括：
将阵列基板的像素电极层(80)、第二钝化层(70)及有机层(60)去除；
在阵列基板的第一钝化层(50)上形成绝缘保护层(90)；
在所述绝缘保护层(90)上形成金属长线(100)；其中，所述金属长线(100)的一端连接到断线处一侧的栅极线(20)，所述金属长线(100)的另一端连接到断线处另一侧的栅极线(20)。
2.根据权利要求1所述的断线修复方法，其特征在于，利用激光将阵列基板的像素电极层(80)、第二钝化层(70)及有机层(60)去除。
3.根据权利要求1所述的断线修复方法，其特征在于，利用薄膜化学沉积方法或者薄膜物理沉积方法在阵列基板的第一钝化层(50)上沉积形成绝缘保护层(90)。
4.根据权利要求1至3任一项所述的断线修复方法，其特征在于，所述有机层(60)包括红色光阻层、绿色光阻层和蓝色光阻层，所述有机层(60)的厚度大于所述第一钝化层(50)的厚度。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板(10)；在基板(10)上的栅极线(20)；在栅极线(20)上的栅极绝缘层(30)；在栅极绝缘层(30)上的数据线(40)；在数据线(40)上的第一钝化层(50)；在第一钝化层(50)上的有机层(60)；在有机层(60)上的第二钝化层(70)；在第二钝化层(70)上的像素电极层(80)；
当所述栅极线(20)出现断线时，将所述像素电极层(80)、所述第二钝化层(70)及所述有机层(60)去除，在所述第一钝化层(50)上形成绝缘保护层(90)，在所述绝缘保护层(90)上形成金属长线(100)；其中，所述金属长线(100)的一端连接到断线处一侧的栅极线(20)，所述金属长线(100)的另一端连接到断线处另一侧的栅极线(20)，以使断开的栅极线(20)被修复连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，利用激光将所述像素电极层(80)、所述第二钝化层(70)及所述有机层(60)去除。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，利用薄膜化学沉积方法或者薄膜物理沉积方法在所述第一钝化层(50)上沉积形成绝缘保护层(90)。
8.根据权利要求5至7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层(60)包括红色光阻层、绿色光阻层和蓝色光阻层，所述有机层(60)的厚度大于所述第一钝化层(50)和所述第二钝化层(70)的厚度。
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