CN105734643B - 一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法 - Google Patents
一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105734643B CN105734643B CN201610117643.3A CN201610117643A CN105734643B CN 105734643 B CN105734643 B CN 105734643B CN 201610117643 A CN201610117643 A CN 201610117643A CN 105734643 B CN105734643 B CN 105734643B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silver
- nano oxidized
- films
- situ
- nano
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/34—Anodisation of metals or alloys not provided for in groups C25D11/04 - C25D11/32
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/024—Anodisation under pulsed or modulated current or potential
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Abstract
一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法,属于材料制备技术领域。本发明采用三电极体系,在氢氧化钠或氢氧化钾溶液中,银基体为工作电极,设定特定的极化电位区间对银基板进行电化学极化,在银基板表面直接原位生长出纳米氧化银薄膜,薄膜微观结构为颗粒状,晶粒粒径小于200nm。本发明方法步骤简单,成本低廉,不受银基板形状的限制。本发明在常温下就可得到纳米氧化银薄膜,该薄膜与基底之间的附着力强,不易脱落,可直接用于电子元器件、扣式电池、净化剂、化工催化剂等器件。
Description
技术领域
本发明属于材料制备技术领域,特别是涉及一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法。
背景技术
氧化银呈棕黑色,广泛地应用在电子元器件、扣式电池、净化剂、化工催化剂等领域有着重要的应用。工业中的银中30%用于氧化银或硝酸银的制备。但是目前生产氧化银或硝酸银的过程主要是采用的化学方法,然后沉淀、洗涤、分离和干燥工序得到。化学方法制备氧化银除了容易造成环境污染,也难以控制形成的纳米颗粒尺寸。因此开发出一种环保的纳米氧化银电化学制备方法,对于氧化银纳米材料的有效使用具有重要的意义。
发明内容
针对上述存在的技术问题,本发明提供一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法。该方法工艺步骤简单,能够在银基片上直接原位生长得到纳米氧化银。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
本发明一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法,包括步骤如下:
(1)将银基片用蒸馏水和无水乙醇分别清洗,并用氮气将其表面吹干;
(2)将氢氧化钠试剂加入到蒸馏水中,搅拌使固体溶解,形成氢氧化钠溶液,使溶液的摩尔浓度范围在0.1mol/L到2mol/L之间;
(3)将电解池三孔分别连接银基片、饱和甘汞电极参比电极和铂网对电极,且参比电极位于银基片和对电极之间,银基片为工作电极,将三个电极分别与电化学工作站相对应的三个电极连接;
(4)设置电化学极化过程中的扫描速度、起始电位、中间电位和终点电位,将步骤(2)配制的溶液置入电解池中,对银基片进行电化学极化,得到纳米氧化银薄膜。所述的电化学极化过程至少完成一个循环伏安极化后,继续从起始电位正向扫描,到达中间电位后,停止极化。
进一步地,所述步骤(4)在电解液温度为25℃的条件下进行电化学极化。
进一步地,所述步骤(4)的电化学极化过程中扫描速度范围为0.05mV/s~5mV/s。
进一步地,所述步骤(4)的电化学极化过程的起始电位范围为-0.5V~-0.12V,正向扫描到中间电位,范围为0.3V~0.5V,然后,反向扫描到达终点电位,范围为-0.5V~-0.12V,完成一个循环伏安极化过程。
进一步地,所述步骤(4)制备得到纳米氧化银薄膜后,立即取出,用蒸馏水冲洗后,用氮气吹干。
进一步地,所述步骤(2)的氢氧化钠溶液采用氢氧化钾溶液代替。
进一步地,所述纳米氧化银薄膜微观结构为颗粒状。
进一步地,所述的纳米氧化铜薄膜晶体是在银基片上原位生长出来的。
本发明的有益效果为:
本发明电化学制备纳米氧化银方法不受银基片形状的限制。在银基片上直接制备的纳米氧化银可以用于电子元器件、扣式电池、净化剂、化工催化剂器件。本发明方法简单、快速、环保,与基板的结合力较强,不易脱落。
附图说明
图1为本发明实施例1纳米氧化银的电化学极化图。
图2为本发明实施例1电化学制备的纳米氧化银的扫描电子显微镜图片。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细描述。
实施例1:本发明具体步骤如下:
步骤1:将银基片用蒸馏水和无水乙醇分别清洗,并用氮气将其表面吹干;
步骤2:称取20g氢氧化钠颗粒,缓慢倒入装有600mL蒸馏水的烧杯中,搅拌均匀后,倒入1000mL的容量瓶中,向容量瓶中倒入蒸馏水使液面到达容量瓶刻度线,混合成均匀的0.5mol/L氢氧化钠溶液电解液。
步骤3:使用电化学三电极体系,将电解池三孔分别连接银基片,参比电极和对电极,且参比电极位于银基片和对电极之间,银基片为工作电极,将三个电极分别连接电化学工作站的三个电极;
步骤4:设置电化学参数,将配制的溶液转入电解池中,对银基片进行电化学极化,具体为:在25℃条件下采用循环伏安法对银基片从起始电位为-0.2V开始正向扫描,扫描速度为0.5mV/s,到达中间电位为0.5V后,反向扫描到达终点电位-0.2V,完成一个循环,然后连续开始第二个循环,到达中间电位0.5V后,马上停止循环伏安极化过程,在银基片上就可得到纳米氧化银薄膜,循环伏安极化过程如图1所示。图1中线Ⅰ为第一个循环伏安曲线,线Ⅱ为第二个循环伏安曲线。
所制备的纳米氧化银薄膜微观形貌如图2所示,显示纳米氧化银薄膜结构是纳米颗粒状,其晶粒粒径小于200nm。
实施例2:本例与实施1不同的工艺步骤为:
步骤4:使用电化学三电极体系,在25℃条件下采用循环伏安法对银基片从起始电位为-0.2V开始正向扫描,扫描速度为0.5mV/s,到达中间电位为0.5V后,反向扫描到达终点电位-0.2V,完成三个循环,然后连续开始第四个循环,到达中间电位0.5V后,马上停止循环伏安极化过程,在银基片上就可得到纳米氧化银薄膜。
实施例3:本例与实施1不同的工艺步骤为:
步骤2:称取20g氢氧化钠颗粒,缓慢倒入装有600mL蒸馏水的烧杯中,搅拌均匀后,倒入1000mL的容量瓶中,向容量瓶中倒入蒸馏水使液面到达容量瓶刻度线,混合成均匀的0.5mol/L氢氧化钠溶液电解液。
步骤4:使用电化学三电极体系,在25℃条件下采用循环伏安法对银基片从起始电位为-0.5V开始正向扫描,扫描速度为1mV/s,到达中间电位为0.3V后,反向扫描到达终点电位-0.5V,完成三个循环,然后连续开始第四个循环,到达中间电位0.3V后,马上停止循环伏安极化过程,在银基片上就可得到纳米氧化银薄膜。
实施例4:本例与实施1不同的工艺步骤为:
步骤1:称取28.1g氢氧化钾颗粒,缓慢倒入装有600mL蒸馏水的烧杯中,搅拌均匀后,倒入1000mL的容量瓶中,向容量瓶中倒入蒸馏水使液面到达容量瓶刻度线,混合成均匀的0.5mol/L氢氧化钾溶液电解液。
步骤4:使用电化学三电极体系,在25℃条件下采用循环伏安法对银基片从起始电位为-0.2V开始正向扫描,扫描速度为0.5mV/s,到达中间电位为0.5V后,反向扫描到达终点电位-0.2V,完成三个循环,然后连续开始第四个循环,到达中间电位0.5V后,马上停止循环伏安极化过程,在银基片上就可得到纳米氧化银薄膜。
Claims (6)
1.一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法,其特征是,包括步骤如下:
(1)将银基片用蒸馏水和无水乙醇分别清洗,并用氮气将其表面吹干;
(2)将氢氧化钠试剂加入到蒸馏水中,搅拌使固体溶解,形成氢氧化钠溶液,使溶液的摩尔浓度范围在0.1mol/L到2mol/L之间;
(3)将电解池三孔分别连接银基片、饱和甘汞电极参比电极和铂网对电极,且参比电极位于银基片和对电极之间,银基片为工作电极,将三个电极分别与电化学工作站相对应的三个电极连接;
(4)设置电化学极化过程中的扫描速度、起始电位、中间电位和终点电位,起始电位范围为-0.5V~ -0.12V,正向扫描到中间电位,范围为0.3V~0.5V,然后,反向扫描到达终点电位,范围为-0.5V~ -0.12V,完成一个循环伏安极化过程;将步骤(2)配制的溶液置入电解池中,对银基片进行电化学极化,得到纳米氧化银薄膜,所述纳米氧化银薄膜微观结构为颗粒状;所述的电化学极化过程至少完成一个循环伏安极化后,继续从起始电位正向扫描,到达中间电位后,停止极化。
2.根据权利要求1所述的纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法,其特征是:所述步骤(4)在电解液温度为25°C的条件下进行电化学极化。
3.根据权利要求1所述的纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法,其特征是,所述步骤(4)的电化学极化过程中扫描速度范围为0.05mV/s ~ 5mV/s。
4.根据权利要求1所述的纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法,其特征是:所述步骤(4)制备得到纳米氧化银薄膜后,立即取出,用蒸馏水冲洗后,用氮气吹干。
5.根据权利要求1所述的纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法,其特征是:所述步骤(2)的氢氧化钠溶液采用氢氧化钾溶液代替。
6.根据权利要求1所述的一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法,其特征是:所述的纳米氧化银薄膜晶体是在银基片上原位生长出来的。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610117643.3A CN105734643B (zh) | 2016-03-02 | 2016-03-02 | 一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610117643.3A CN105734643B (zh) | 2016-03-02 | 2016-03-02 | 一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105734643A CN105734643A (zh) | 2016-07-06 |
CN105734643B true CN105734643B (zh) | 2017-12-19 |
Family
ID=56249015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610117643.3A Expired - Fee Related CN105734643B (zh) | 2016-03-02 | 2016-03-02 | 一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105734643B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109137058B (zh) * | 2018-11-16 | 2020-04-21 | 南京工业大学 | 利用循环伏安法制备银纳米粒子枝状团簇的方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120077057A1 (en) * | 2010-09-27 | 2012-03-29 | Kysar Jeffrey W | Galvanostatic Dealloying for Fabrication of Constrained Blanket Nanoporous Gold Films |
CN103076375A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-05-01 | 吉林大学 | 共轴实体/纳米多孔金/Co3O4复合电极材料的制备方法及应用 |
CN104502322B (zh) * | 2014-09-18 | 2017-07-28 | 浙江工业大学 | 原位电化学‑表面增强拉曼光谱芯片及其生产方法 |
-
2016
- 2016-03-02 CN CN201610117643.3A patent/CN105734643B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105734643A (zh) | 2016-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105803509B (zh) | 一种纳米氧化铜的电化学制备方法 | |
Li et al. | Electrochemical synthesis of polyaniline nanobelts with predominant electrochemical performances | |
CN105506726B (zh) | 一种银的纳米薄膜的原位电化学制备方法 | |
CN101942090B (zh) | 一种纳米纤维聚苯胺的制备方法 | |
Yang et al. | Fabrication of flexible, redoxable, and conductive nanopillar arrays with enhanced electrochemical performance | |
CN103864010B (zh) | 一种氮掺杂石墨烯/铁酸钴纳米复合材料及其制备 | |
CN102249183B (zh) | 一种CuO/TiO2纳米管阵列及其制备和应用方法 | |
CN102520038B (zh) | 石墨烯生物传感器的制备方法 | |
CN101694814B (zh) | 染料敏化太阳能电池纳米导电聚合物对电极的电化学制法 | |
CN106149026A (zh) | 一种石墨烯/金纳米粒子复合材料的制备及表征方法 | |
CN103966644A (zh) | 一种石墨烯/高分子乳液复合薄膜材料的制备方法 | |
CN108221028A (zh) | 一种银载体上纳米银涂层的原位电化学制备方法 | |
CN102731781B (zh) | 一种制备聚吡咯-氧化锌纳米复合材料的方法 | |
CN105734643B (zh) | 一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法 | |
CN101492537B (zh) | 聚有机酸或大分子有机酸掺杂聚苯胺材料及其电化学制备方法 | |
CN110335766A (zh) | 基于mof的多孔聚苯胺电极材料及其制备方法和用途 | |
CN104828773A (zh) | 一种聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线及其用途和制备方法 | |
CN103451698B (zh) | 一种高取向的导电高分子薄膜的制备方法、所制得的薄膜及其应用 | |
CN101492536B (zh) | 具有形貌遗传的纳米聚苯胺材料及其电化学制备方法 | |
CN105755507B (zh) | 一种纳米铜的电化学制备方法 | |
CN105699455B (zh) | 一种离子液体修饰碳糊电极的制备方法 | |
CN102340010B (zh) | 反蛋白石聚吡咯负极材料的原电池的制备方法 | |
CN103074641A (zh) | 高效电催化氧化氨的Pt/ITO电极的制备方法 | |
CN104233361A (zh) | 一种采用低共熔溶剂电解三氧化二铁制备四氧化三铁的方法 | |
CN103604850B (zh) | 一种聚咔唑修饰电极及其对炸药黑索金的检测方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20171219 Termination date: 20190302 |