CN105669206B - 多孔碳化硅陶瓷及其制备方法 - Google Patents

多孔碳化硅陶瓷及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105669206B
CN105669206B CN201511032054.7A CN201511032054A CN105669206B CN 105669206 B CN105669206 B CN 105669206B CN 201511032054 A CN201511032054 A CN 201511032054A CN 105669206 B CN105669206 B CN 105669206B
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
degrees celsius
silicon carbide
porous silicon
carbide ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201511032054.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105669206A (zh
Inventor
余鹏
余开平
吕永虎
郝华丽
叶曙龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Southwest University of Science and Technology
Original Assignee
Southwest University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Southwest University of Science and Technology filed Critical Southwest University of Science and Technology
Priority to CN201511032054.7A priority Critical patent/CN105669206B/zh
Publication of CN105669206A publication Critical patent/CN105669206A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105669206B publication Critical patent/CN105669206B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明提出了制备多孔碳化硅陶瓷的方法，包括：将碳化硅粉末与复合粘结剂进行混炼，以便得到喂料；将喂料加热至120～160摄氏度进行注射成型，以便得到生坯；将生坯置入脱脂剂中，在40～60摄氏度下反应12～36小时，以便进行溶剂脱脂；将经过溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中，按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结；将经过热脱脂和预烧结的生坯置于烧结炉中，在真空或惰性气体条件下，按第二温度控制程序进行高温烧结，并得到多孔碳化硅陶瓷。利用该方法制备得到的多孔碳化硅陶瓷形状尺寸可控、孔隙率高、孔隙分布均匀且三维连通。

Description

多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
技术领域
本发明属于粉末冶金注射成型领域，具体而言，本发明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制备方法。
背景技术
多孔碳化硅陶瓷，由于其具有孔隙率高、比表面积大、相对密度低、强度高、耐高温性强、耐磨损性强、化学稳定性好等特点，已在机械、能源、冶金、化工、电子和生物等领域得到广泛的利用。常见的碳化硅陶瓷制品有催化剂载体、透平叶片、过滤器、生物植入体、惰性泡沫填料等。目前多孔碳化硅陶瓷的制备主要采用碳化硅颗粒、粘结剂和造孔剂组成的复合物料在高温条件下烧制或者采用硅粉、碳源和发泡剂经过高温感应烧结而成。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法，利用该方法制备得到的多孔碳化硅陶瓷形状尺寸可控、孔隙率高、孔隙分布均匀且三维连通。
根据本发明的一个方面，本发明提出了一种制备多孔碳化硅陶瓷的方法，包括：
将碳化硅粉末与复合粘结剂进行混炼，以便得到喂料；
将所述喂料加热至120～160摄氏度进行注射成型，以便得到生坯；
将所述生坯置入脱脂剂中，在40～60摄氏度下反应12～36小时，以便进行溶剂脱脂；
将经过所述溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中，按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结；
将经过所述热脱脂和预烧结的生坯置于烧结炉中，在真空或惰性气体条件下，按第二温度控制程序进行高温烧结，并得到所述多孔碳化硅陶瓷。
由此本发明上述实施例的制备多孔碳化硅陶瓷的方法采用粉末注射成型技术，可高效率地生产结构致密、机械性能良好且具有复杂形状的多孔碳化硅陶瓷零件。本发明将粉末注射成型技术应用于陶瓷材料的制备，不仅可以弥补精细陶瓷材料制备的不足，而且将会使得粉末注射成型技术获得更大的应用前景。
另外，根据本发明上述实施例的制备多孔碳化硅陶瓷的方法还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的一些实施例，所述复合粘结剂为石蜡、聚丙烯、低密度聚乙烯、硬脂酸中的至少一种。
根据本发明的一些实施例，所述碳化硅粉末与所述复合粘结剂的质量比为30～50：70～50。
根据本发明的一些实施例，所述混炼是在130～150摄氏度的温度下进行。
根据本发明的一些实施例，所述脱脂剂为正己烷。
根据本发明的一些实施例，所述第一温度控制程序包括：
以2℃/min的升温速度升温至350～450摄氏度，并保温0.3～0.7小时；
以1℃/min的升温速度升温至500～550摄氏度，并保温0.5～1.5小时；
以5℃/min升温速度升温至1000～1200摄氏度，并保温1～3小时；以及
在所述马弗炉中自然冷却。
根据本发明的一些实施例，所述第一温度控制程序包括：
以2℃/min的升温速度升温至400摄氏度，并保温0.5小时；
以1℃/min的升温速度升温至520摄氏度，并保温1小时；
以5℃/min升温速度升温至1200摄氏度，并保温3小时；以及
在所述马弗炉中自然冷却。
根据本发明的一些实施例，所述第二升温程序包括：
以5℃/min的升温速度升温至1600～1700摄氏度，并保温5～15分钟；
以5℃/min的升温速度升温至2000～2200摄氏度，并保温1-3小时；
以5℃/min的降温速度从2000摄氏度降至1000℃；以及
在所述烧结炉中自然冷却。
根据本发明的一些实施例，所述第二升温程序包括：
以5℃/min的升温速度升温至1600摄氏度，并保温10分钟；
以5℃/min的升温速度从1600摄氏度升温至2000摄氏度，并保温2小时；
以5℃/min的降温速度从2000摄氏度降至1000℃；以及
在所述烧结炉中自然冷却。
根据本发明的第二方面，本发明还提出了一种多孔碳化硅陶瓷，所述多孔碳化硅陶瓷由前面所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法制备得到。由此该多孔碳化硅陶瓷形状尺寸可控、孔隙率高、孔隙分布均匀且三维连通。
附图说明
图1是根据本发明一个实施例的制备多孔碳化硅陶瓷的方法中第一温度控制程序的示意图。
图2是根据本发明一个实施例的制备多孔碳化硅陶瓷的方法中第二度控制程序的示意图。
图3是根据本发明另一个实施例的制备多孔碳化硅陶瓷的方法中第二度控制程序的示意图。
图4是根据本发明一个实施例的多孔碳化硅陶瓷断面SEM显微结构照片。
图5是根据本发明另一个实施例的多孔碳化硅陶瓷断面SEM显微结构照片。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
根据本发明的一个方面，本发明提出了一种制备多孔碳化硅陶瓷的方法。根据本发明具体实施例的制备多孔碳化硅陶瓷的方法包括：
将碳化硅粉末与复合粘结剂进行混炼，以便得到喂料；
将所述喂料加热至120～160摄氏度进行注射成型，以便得到生坯；
将所述生坯置入脱脂剂中，在40～60摄氏度下反应12～36小时，以便进行溶剂脱脂；
将经过所述溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中，按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结；
将经过所述热脱脂和预烧结的生坯置于烧结炉中，在真空或惰性气体条件下，按第二温度控制程序进行高温烧结，并得到所述多孔碳化硅陶瓷。
由此本发明上述实施例的制备多孔碳化硅陶瓷的方法采用粉末注射成型技术，可高效率地生产结构致密、机械性能良好且具有复杂形状的多孔碳化硅陶瓷零件。本发明将粉末注射成型技术应用于陶瓷材料的制备，不仅可以弥补精细陶瓷材料制备的不足，而且将会使得粉末注射成型技术获得更大的应用前景。
下面详细描述本发明具体实施例的制备多孔碳化硅陶瓷的方法。
喂料制备
根据本发明的具体实施例，原料采用碳化硅粉末和复合粘结剂。其中复合粘结剂可以为石蜡、聚丙烯、低密度聚乙烯、硬脂酸中的至少一种，优选地为上述几种的混合物。由此，通过采用本发明的制备多孔碳化硅陶瓷的方法，原料成分简单，仅需要碳化硅粉末和复合粘结剂，较压制成型法制备多孔碳化硅陶瓷省去了造孔剂等，因此，可以有效降低成本，提高制备效率。
根据本发明的具体实施例，上述碳化硅粉末与复合粘结剂的质量比可以为30～50：70～50。由此通过采用上述质量配比使得物料在粘结剂中分布均匀，注射成型的时候流动性适中，进而在生坯脱脂时，零件的尺寸和形状不会发生改变。进而可以进一步提高产品质量。
根据本发明的具体实施例，混炼是在130～150摄氏度的温度下进行。具体地，将30～50质量份原料与70～50质量份复合粘结剂按照一定的顺序加入密炼室中，控制温度在130℃～150℃，进行混炼，制备得到喂料。
注射成型
根据本发明的具体实施例，将上述制备得到的喂料置入注射剂装填腔内，加热至120℃～160℃，注射到模具型腔中，形成具有一定形状的生坯。根据本发明的具体示例，将混炼得到的喂料经注射机注入模具中，注射温度150℃，注射压力80MPa，注射模具温度90℃，得到异形复杂零件及随形支撑零件生坯。
脱脂和预烧结
根据本发明的具体实施例，对生坯进行脱脂，采用溶剂脱脂法和热脱脂法结合。根据本发明的具体示例，首先，将生坯置入脱脂剂中，在40～60摄氏度下反应12～36小时，以便进行溶剂脱脂；将经过所述溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中，按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结。热脱脂和预烧结在马弗炉中同时进行。通过对生坯进行脱脂可以有效地去除石蜡和聚乙烯，即去除粘结剂。通常加入粘结剂为使颗粒堆积成一定的形状，脱脂之后，颗粒之间没有粘结剂连接。进一步通过预烧结可以使得颗粒之间产生一定的扩散和烧结作用，使零件具备一定的强度且保持形状不变。
根据本发明的具体实施例，脱脂剂可以采用正己烷。由此可以进一步提高脱脂效果。
根据本发明的具体实施例，进一步地，将经过溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中，按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结。具体地，第一温度控制程序包括：以2℃/min的升温速度升温至350～450摄氏度，并保温0.3～0.7小时；以1℃/min的升温速度升温至500～550摄氏度，并保温0.5～1.5小时；以5℃/min升温速度升温至1000～1200摄氏度，并保温1～3小时；以及在所述马弗炉中自然冷却。由此通过采用上述温度控制程序使脱脂过程缓慢匀速进行，进而可以有效地保持生坯的形状。
根据本发明的具体实施例，优先地，第一温度控制程序包括：以2℃/min的升温速度升温至400摄氏度，并保温0.5小时；以1℃/min的升温速度升温至520摄氏度，并保温1小时；以5℃/min升温速度升温至1200摄氏度，并保温3小时；以及在所述马弗炉中自然冷却。由此通过采用上述温度控制程序使脱脂过程缓慢匀速进行，进而可以有效地保持生坯的形状。
高温烧结
根据本发明的具体实施例，将经过所述热脱脂和预烧结的生坯置于烧结炉中，在真空或惰性气体条件下，按第二温度控制程序进行高温烧结，并得到所述多孔碳化硅陶瓷。
根据本发明的具体实施例，所述第二升温程序包括：以5℃/min的升温速度升温至1600～1700摄氏度，并保温5～15分钟；以5℃/min的升温速度升温至2000～2200摄氏度，并保温1-3小时；以5℃/min的降温速度从2000摄氏度降至1000℃；以及在所述烧结炉中自然冷却。孔径效果1-5微米，不变形。由此通过采用上述温度控制程序可以有效地保持生坯的形状，即产品不变形，同时通过采用上述温度控制程序可以制备得到孔径分布均匀，且孔径大小为1-5微米的多孔碳化硅陶瓷。
根据本发明的具体实施例，所述第二升温程序包括：以5℃/min的升温速度升温至1600摄氏度，并保温10分钟；以5℃/min的升温速度从1600摄氏度升温至2000摄氏度，并保温2小时；以5℃/min的降温速度从2000摄氏度降至1000℃；以及在所述烧结炉中自然冷却。
根据本发明的另一方面，本发明还提出了一种多孔碳化硅陶瓷，多孔碳化硅陶瓷由前面所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法制备得到。如图4所示，通过上述方法制备得到的多孔碳化硅陶瓷粒径大小均匀为2～5微米，孔发达且分布均匀。该多孔碳化硅陶瓷可适用于高温环境，用于过滤、作为催化剂载体或者惰性填料，如用于汽车尾气装置，陶瓷滤片等。
实施例1
原料：SiC粉末；粘结剂：采用石蜡(PW)、聚丙烯(PP)、低密度聚乙烯(LDPE)、硬脂酸(SA)；粉末体积装载率为50％。该方法具体包括如下步骤：
(1)混炼：将SiC粉末与粘结剂于混炼机内150℃共混2h。
(2)注射成型：将混炼得到的喂料经注射机注入模具中，注射温度150℃，注射压力80MPa，注射模具温度90℃，得到异形复杂零件及随形支撑零件生坯；
(3)脱脂、预烧结：将步骤(2)所得成型坯件采用溶剂脱脂法和热脱脂法结合，在50℃下采用正己烷溶液脱脂24h，将零件置于马弗炉中以2℃/min升温至400℃，保温0.5h，再以1℃/min升温至520℃，保温1h，再以5℃/min升温至1200℃，保温2h，随炉冷，完成预烧结。
(4)高温烧结：以5℃/min，升温至1600℃，将炉内压力提高至100mbar，以5℃/min升温至2000℃，将炉内压力提高至80bar，保温2h，以5℃/min降温至1000℃，再随炉冷却，完成烧结，最终得到多孔碳化硅陶瓷，其断面SEM显微结构照片如图4所示，其相对密度为71％。
实施例2
原料：SiC粉末；粘结剂：采用石蜡(PW)、聚丙烯(PP)、低密度聚乙烯(LDPE)、硬脂酸(SA)；粉末体积装载率为40％。该方法具体包括如下步骤：
(1)混炼：将SiC粉末与粘结剂于混炼机内150℃共混2h。
(2)注射成型：将混炼得到的喂料经注射机注入模具中，注射温度150℃，注射压力80MPa，注射模具温度90℃，得到异形复杂零件及随形支撑零件生坯；
(3)生坯脱脂：将步骤(2)所得成型坯件采用溶剂脱脂法和热脱脂法结合，在50℃下采用正己烷溶液脱脂24h，将零件置于马弗炉中以2℃/min升温至400℃，保温0.5h，再以1℃/min升温至520℃，保温1h，再以5℃/min升温至1200℃，保温2h，随炉冷，完成预烧结。
(4)高温烧结：将步骤(3)所得脱脂生坯置于烧结炉中，在真空环境下，以5℃/min，升温至1700℃，将压力提高至100mbar后，以5℃/min升温至2200℃，保温2h，以5℃/min降温至1000℃，随炉冷却，完成烧结，最终得到多孔碳化硅陶瓷，其断面SEM显微结构照片如图5所示，其相对密度为59％。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (7)

1.一种制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括：
将碳化硅粉末与复合粘结剂进行混炼，以便得到喂料；
将所述喂料加热至120～160摄氏度进行注射成型，以便得到生坯；
将所述生坯置入脱脂剂中，在40～60摄氏度下反应12～36小时，以便进行溶剂脱脂；
将经过所述溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中，按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结；
将经过所述热脱脂和预烧结的生坯置于烧结炉中，在真空或惰性气体条件下，按第二升温程序进行高温烧结，并得到所述多孔碳化硅陶瓷；
其中，
所述第一温度控制程序包括：
以2℃/min的升温速度升温至350～450摄氏度，并保温0.3～0.7小时；
以1℃/min的升温速度升温至500～550摄氏度，并保温0.5～1.5小时；
以5℃/min升温速度升温至1000～1200摄氏度，并保温1～3小时；以及
在所述马弗炉中自然冷却；
所述第二升温程序包括：
以5℃/min的升温速度升温至1600～1700摄氏度，并保温5～15分钟；
以5℃/min的升温速度升温至2000～2200摄氏度，并保温1-3小时；
以5℃/min的降温速度从2000摄氏度降至1000℃；以及
在所述烧结炉中自然冷却。
2.根据权利要求1所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述碳化硅粉末与所述复合粘结剂的质量比为30～50：70～50。
3.根据权利要求1所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述混炼是在130～150摄氏度的温度下进行。
4.根据权利要求1所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述脱脂剂为正己烷。
5.根据权利要求1所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述第一温度控制程序包括：
以2℃/min的升温速度升温至400摄氏度，并保温0.5小时；
以1℃/min的升温速度升温至520摄氏度，并保温1小时；
以5℃/min升温速度升温至1200摄氏度，并保温3小时；以及
在所述马弗炉中自然冷却。
6.根据权利要求1所述的制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述第二升温程序包括：
以5℃/min的升温速度升温至1600摄氏度，并保温10分钟；
以5℃/min的升温速度从1600摄氏度升温至2000摄氏度，并保温2小时；
以5℃/min的降温速度从2000摄氏度降至1000℃；以及
在所述烧结炉中自然冷却。
7.一种多孔碳化硅陶瓷，其特征在于，所述多孔碳化硅陶瓷由权利要求1-6任一项所述的方法制备得到。
CN201511032054.7A 2015-12-31 2015-12-31 多孔碳化硅陶瓷及其制备方法 Active CN105669206B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201511032054.7A CN105669206B (zh) 2015-12-31 2015-12-31 多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201511032054.7A CN105669206B (zh) 2015-12-31 2015-12-31 多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105669206A CN105669206A (zh) 2016-06-15
CN105669206B true CN105669206B (zh) 2018-10-23

Family

ID=56189945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201511032054.7A Active CN105669206B (zh) 2015-12-31 2015-12-31 多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105669206B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112225552A (zh) * 2020-10-21 2021-01-15 深圳市博迪科技开发有限公司 制备羟基磷灰石多孔材料的原料、制备方法和产品

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101913878A (zh) * 2010-07-19 2010-12-15 北京科技大学 一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复相陶瓷零件的方法
CN102172960A (zh) * 2010-12-28 2011-09-07 哈尔滨工业大学 一种碳化硅陶瓷喷砂嘴的粉末注射成形方法
CN104446490A (zh) * 2014-11-14 2015-03-25 山东大学 一种注射成型反应烧结SiC陶瓷材料及其制备方法
CN105060896A (zh) * 2015-08-13 2015-11-18 青岛科技大学 一种碳化硅陶瓷精密器件的制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0656559A (ja) * 1991-03-22 1994-03-01 Shin Etsu Chem Co Ltd 反応焼結炭化珪素質材料及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101913878A (zh) * 2010-07-19 2010-12-15 北京科技大学 一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复相陶瓷零件的方法
CN102172960A (zh) * 2010-12-28 2011-09-07 哈尔滨工业大学 一种碳化硅陶瓷喷砂嘴的粉末注射成形方法
CN104446490A (zh) * 2014-11-14 2015-03-25 山东大学 一种注射成型反应烧结SiC陶瓷材料及其制备方法
CN105060896A (zh) * 2015-08-13 2015-11-18 青岛科技大学 一种碳化硅陶瓷精密器件的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
注射成型制备碳化硅陶瓷材料;张勇等;《稀有金属材料与工程》;20070831;第36卷(第增刊1期);第326页至第329页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN105669206A (zh) 2016-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106316440B (zh) 一种基于激光选区烧结的复杂结构多孔陶瓷的制备方法
CN106927846B (zh) 一种C/C-SiC复合材料零件的制备方法及其产品
CN105237034A (zh) 一种基于模板制备多孔碳化硅陶瓷的方法
CN105499574B (zh) 一种制备孔隙均匀异型多孔钨制品的方法
CN102180674B (zh) 一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法
CN104903031B (zh) 多孔铝烧结体
US10464849B2 (en) Fast-densified ceramic matrix composite and fabrication method
CN104837584B (zh) 用于制造多孔部件的方法及其部件
EP2907604B1 (en) Manufacturing process of a porous component and a porous component
CN105645987B (zh) 一种电场辅助低温快速烧结多孔陶瓷的方法
JP2010515829A (ja) セラミックス複合成形体および／または粉末冶金複合成形体およびその製造法
CN106045571B (zh) 一种梯度多孔碳化硅陶瓷管的制备方法
CN107042309A (zh) 一种水溶性型芯部件及其制备方法
CN107827464B (zh) 一种燃烧合成制备ZrTiCB四元陶瓷粉体的方法
CN107074668A (zh) 陶瓷基复合材料的制造方法
JP2004131838A (ja) 摩耗によって擦り減る金属材料、部品、ケーシング、および前記材料の製造方法
KR102230646B1 (ko) 기능성 표면을 갖는 의료 제품들을 제조하기 위한 플라스틱 제제들의 다성분 결합
CN105669206B (zh) 多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
JP2004162165A (ja) 乾燥自己潤滑性高密度材料、該材料から形成された機械部品、該材料の製造方法
CN113511910A (zh) 一种多孔陶瓷发热体的制备方法及多孔陶瓷发热体
CN102795885A (zh) 高温过滤用氧化铝和氧化锆复合多孔陶瓷的制备方法
JP2002285204A (ja) 高強度多孔質体の製造方法
JP4018488B2 (ja) 無機物多孔質体及びこれを利用した無機物体及びポンプの羽根車，ケーシング又はライナーリング
BR112017024845B1 (pt) Material compósito, componente de passagem de gás quente (hgp), processo para produção de material compósito
RU2518809C2 (ru) Способ получения пористых материалов

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant