CN105659387A - 太阳能发电模块 - Google Patents
太阳能发电模块 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105659387A CN105659387A CN201580001820.5A CN201580001820A CN105659387A CN 105659387 A CN105659387 A CN 105659387A CN 201580001820 A CN201580001820 A CN 201580001820A CN 105659387 A CN105659387 A CN 105659387A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- generation module
- film
- electrical energy
- energy generation
- solar electrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010248 power generation Methods 0.000 title abstract description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 36
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 12
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 9
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 4
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 4
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 abstract 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 121
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 41
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 241000237858 Gastropoda Species 0.000 description 9
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 9
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 8
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 8
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- -1 phthalate glycol ester Chemical class 0.000 description 5
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical group COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- UJPMYEOUBPIPHQ-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoroethane Chemical compound CC(F)(F)F UJPMYEOUBPIPHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetrafluoroethane Chemical compound FCC(F)(F)F LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-Trichlorotrifluoroethane Chemical compound FC(F)(Cl)C(F)(Cl)Cl AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NPNPZTNLOVBDOC-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluoroethane Chemical compound CC(F)F NPNPZTNLOVBDOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BHNZEZWIUMJCGF-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-1,1-difluoroethane Chemical compound CC(F)(F)Cl BHNZEZWIUMJCGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- VOPWNXZWBYDODV-UHFFFAOYSA-N Chlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)Cl VOPWNXZWBYDODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- NPAAPVNPKGDSFN-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-hydroxyethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)=O.OCCOCCO NPAAPVNPKGDSFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STWHDNSRIOHYPG-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-methoxyethanol Chemical compound CC(O)=O.COCCO STWHDNSRIOHYPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 2
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRCHKSNAZZFGCA-UHFFFAOYSA-N 1,1-dichloro-1-fluoroethane Chemical compound CC(F)(Cl)Cl FRCHKSNAZZFGCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical class CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUGSKHLZINSXPQ-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5-octafluoropentan-1-ol Chemical compound OCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)F JUGSKHLZINSXPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HJIYHOVBJRVELV-UHFFFAOYSA-N C(C)OCC(=S)OCCO Chemical compound C(C)OCC(=S)OCCO HJIYHOVBJRVELV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFQLTXOJXDPLFL-UHFFFAOYSA-N C(CCC)OCC(=S)OCCO Chemical compound C(CCC)OCC(=S)OCCO RFQLTXOJXDPLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical class CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N Trifluoroethanol Chemical compound OCC(F)(F)F RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRPAGESBURMWTI-UHFFFAOYSA-N [C].[F] Chemical compound [C].[F] PRPAGESBURMWTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACOGMWBDRJJKNB-UHFFFAOYSA-N acetic acid;ethene Chemical group C=C.CC(O)=O ACOGMWBDRJJKNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- NQIZDFMZAXUZCZ-UHFFFAOYSA-N carbifene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)(OCC)C(=O)N(C)CCN(C)CCC1=CC=CC=C1 NQIZDFMZAXUZCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950003365 carbifene Drugs 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000000881 depressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- AQEFLFZSWDEAIP-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl ether Chemical compound CC(C)(C)OC(C)(C)C AQEFLFZSWDEAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001760 dimethyl sulfoxide Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229940035423 ethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 108010052322 limitin Proteins 0.000 description 1
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 150000007984 tetrahydrofuranes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
[课题]对于太阳能发电模块来说,有必要在长期室外使用时也能维持性能。[解决手段]本发明太阳能发电模块的构成为:作为结构部件至少具有外周框架、透明基板、密封材料和包装片材,以及作为功能部件至少具有以下的(A)或(B)的任一项,(A)电池和内部连线,(B)透明电极、发电层和背面电极,用疏水性的表面改性物质的膜至少覆盖上述任一部件的表面的全部或一部分。
Description
技术领域
本发明涉及抑制设置于室外等时引起性能显著下降的PID现象、能获得稳定而高输出的太阳能发电模块。
背景技术
作为地球温暖化对策,自然能源的利用备受瞩目。对于作为其选项之一的太阳能电池来说,期望高转换效率、高耐候性、低成本,特别是对于作为发电功能的核心的太阳能电池模块(或太阳能发电模块)来说,谋求既能维持高转换效率又能长期稳定地使用。
然而,近年来,在产业用途等中,串联多个模块而运转等、在高电压下运转太阳能发电模块的情况增多。但是,已知,在这样的高电压下运转时,工作框架和模块之间产生高的电位差,引起被称为电势诱发衰减(PID,PotentialInducedDegradation)的发电能力显著衰减的现象。为了提高得到的电的利用效率,今后也存在太阳能电池的运转电压增高的趋势,正谋求即使在更高的电压下运转也不引起PID的太阳能发电模块的设计。
作为产生PID的原因,例如在“旭硝子株式会社,PVJAPAN2013部材关联专门研讨会资料,2013年”(非专利文献1)中指出,是由水向发电模块内的入侵和作为透明基板部件使用的防护玻璃中的钠离子的迁移引起的。为了防止该PID,提出了像特开2014-11270号公报(专利文献1)中记载的那样使用绝缘性高的电池密封材料、特开2011-254116号公报(专利文献2)、特开2013-254993号公报(专利文献3)中记载的那样抑制玻璃中的钠离子向电池迁移等各种策略,但还是没有得到根本的解决。
进而,在“P.Peng等人,RSCAdvances,第2卷,第113599-11365页,2012年”(非专利文献2)等中,也报道了被称为蜗牛轨迹(SnailTrail,也表示为SnailTrack)的不良现象。蜗牛轨迹是指主要发生在发电电池和密封材料的界面、产生“类似蜗牛爬行这样的痕迹”。认为蜗牛轨迹是由于在电池的硅片中产生微少的裂纹而形成,与水、氧、二氧化碳有关。
另外,在“S.Richter等人,Proceedingsof27thEuropeanPhotovoltaicSolarEnergyConferenceandExhibition,2012”(非专利文献3)中,产生蜗牛轨迹的部分变色为黑色或灰色,在这些变色区域中,除了观察到纳米粒子化的Ag等电极成分以外,还观察到硫、磷或氯。另外,对于蜗牛轨迹和与之相伴产生的不良现象,作为成因之一,可举出电极和焊料的腐蚀、剥离等的劣化。这些不良现象的原因认为是由于,水分侵入模块中、以及由于EVA等密封材料的水解而产生的乙酸。而且,这些不良现象也与PID同样地,成为使太阳能电池的可靠性显著下降的原因,但却难以得到根本解决,必须尽早采取对策。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开2014-11270号公报
专利文献2:特开2011-254116号公报
专利文献3:特开2013-254993号公报
非专利文献
非专利文献1:旭硝子株式会社,PVJAPAN2013部材关联专门研讨会资料(2013年)
非专利文献2:P.Peng等人,RSCAdvances,第2卷,第113599-11365页,2012年
非专利文献3:S.Richter等人,Proceedingsof27thEuropeanPhotovoltaicSolarEnergyConferenceandExhibition,2012年
发明内容
发明要解决的课题
本发明是为了解决上述问题而进行的,其目的在于提供,能够以简便且便宜的方法提高发电效率,而且能够抑制成为性能劣化的主要原因的PID、蜗牛轨迹、以及与之相伴的不良现象发生的太阳能发电模块。
解决课题的手段
本发明人等为了提高发电效率且解决上述的问题点,以分子水平验证了太阳能发电模块内的各部件,并在意识成本降低的重要性的前提下反复进行了具体的研究,研究了各种条件。结果发现,当对太阳能发电模块内外的各部件的表面赋予规定物性时,不易产生PID现象。即,本发明的目的由以下构成达成。
(1)一种太阳能发电模块,其作为结构部件至少具有外周框架、透明基板、密封材料和包装片材、以及作为功能部件至少具有以下的(A)或(B)的任一项,
(A)电池(cell)和内部连线、
(B)透明电极、发电层、和背面电极,
用疏水性的表面改性物质的膜至少覆盖上述任一部件的一部分或全部。
(2)上述(1)的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜的膜电阻在湿度为85%RH的条件下为100Ω/sq以上。
(3)上述(1)或(2)的太阳能发电模块,其中,上述膜的水的接触角大于50度。
(4)上述(1)~(3)任一项所述的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜面的水的滑动角为0.5度以上60度以下。
(5)上述(1)~(4)任一项所述的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜的折射率与透明基板部件和电池部件的折射率相同或小于透明基板部件和电池部件的折射率。
(6)上述(1)~(5)任一项所述的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜的光线透过率与透明基板部件和电池部件的光线透过率相同或大于透明基板部件和电池部件的光线透过率。
(7)上述(1)~(6)任一项所述的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质为溶剂稀释型、热固化型或紫外线固化型的任一类型树脂。
(8)上述(1)~(7)任一项所述的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜形成于选自外周框架部件、透明基板部件和包装片材部件中的1个或2个以上部件的表面。
(9)上述(1)~(8)任一项所述的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜形成于部件与空气接触的部分上。
(10)上述(1)~(7)任一项所述的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜形成于电池部件表面的一部分或全部上。
(11)上述(1)~(8)任一项所述的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜形成于基板内侧的一部分或全部上。
发明效果
根据本发明,能够廉价且简便地提高发电效率,能够抑制成为太阳能发电模块的输出降低的主要原因的PID、蜗牛轨迹或与之相伴的不良现象的发生,太阳能发电模块的可靠性、寿命提高,能够确保长期稳定的输出,而且在采用批量生产工序的制造中极其有用。
附图说明
图1是显示本发明的太阳能发电模块的一实施方式的模式图。
图2是显示本发明的太阳能发电模块的另一实施方式的模式图。
图3是显示实施例1中发明样品1的发光状态的图面代用照片。
图4是显示实施例1中在高温高湿条件下放置的发明样品1的发光状态的图面代用照片。
图5是显示比较例1中在高温高湿条件下放置的比较样品1的发光状态的图面代用照片。
图6是显示实施例2中在高温高湿条件下放置的发明样品2的发光状态的图面代用照片。
图7是显示实施例3中在高温高湿条件下放置的发明样品3的发光状态的图面代用照片。
图8是显示实施例4中在高温高湿条件下放置的发明样品4的发光状态的图面代用照片。
具体实施方式
本发明的太阳能发电模块作为结构部件至少具有外周框架、透明基板、密封材料和包装片材、以及作为功能部件至少具有以下的(A)或(B)的任一项,
(A)电池和内部连线,
(B)透明电极、发电层和背面电极,
进而,用疏水性的表面改性物质的膜至少覆盖上述任一部件的表面的一部分或全部。由此,通过用疏水性的表面改性物质的膜覆盖结构部件的至少一部分,能够防止水分进入而抑制PID发生。
以下,对于本发明的实施方式,例示说明代表性的太阳能发电模块结构的截面图,但本发明不局限于这些例示结构。图1为(A)结晶系的太阳能发电模块的截面图,关于其详述请参照上述专利文献2。该例的太阳能发电模块至少具有外周框架11、透明基板12、密封材料13、电池14、内部连线15和包装片材16作为基本构成。
图2为(B)非晶硅系或化合物系的太阳能发电模块的截面图,关于其详述请参照例如特开2013-165232号公报或特开平05-175529号公报。该例的太阳能发电模块至少具有外周框架101、透明基板102、密封材料103、发电层104、透明电极105、背面电极106和包装片材107作为基本构成。
在图1所例示的太阳能发电模块的情况下,太阳光和发电所必须的光透过模块的透明基板12而到达电池14,通过电池14进行光电转换,生成的电力经由内部连线15而取出。另外,在图2所例示的太阳能发电模块的情况下,太阳光和发电所必须的光透过模块的透明电极而到达发电层104,通过发电层104进行光电转换,生成的电力经由透明基板102和背面电极106而取出。
在此,在图1、2的构成要素中,外周框架、透明基板、密封材料和包装片材是结构部件,在任何种类的太阳能发电模块中都是通用的。另一方面,与发电功能直接相关的功能性部件在(A)结晶系的太阳能发电模块中是电池和内部连线,在(B)非晶硅系或化合物系的太阳能发电模块中成为透明电极、发电层和背面电极。予以说明,上述各构成部件是必須的基本构成,可根据需要进一步加入额外的构成要素。
本发明中,在这些构成要素的任一项中,其表面的至少一部分用疏水性的表面改性物质的膜覆盖是重要的。其中,功能性部件是重要的,这些中的任一部件、特别是电池或透明电极、发电层和背面电极的层叠体的一部分或全部的表面被覆盖即可。另外,在电池中形成膜时,膜形成至内部连线是更有效的。进而,在这些一部分区域形成膜时,膜形成在电池的整个单个表面、或背面电极侧的整个表面即可。
另一方面,由于在这样的功能性部件上形成膜是否困难和成本方面等的原因而在功能性部件上不能形成膜的情况下,即使在结构部件的任一表面形成膜,也能够取得一定程度的效果。具体地说,可以在外周框架、透明基板、密封材料和包装片材的至少任一表面上形成表面改性物质的膜。进而,在透明基板的内面、即在密封空间侧形成膜时,可以防止由存在于透明基板的钠离子等引起的电池污染,因此其也是有效的。另外,至少在与电池的接触面上存在膜即可。予以说明,在外周框架使用铝的情况下,在铝表面进行氧化铝处理即可。
另外,在这些部件的粘合或接合部上形成表面改性物质的膜也是有效的。特别有效的是,至少仅在这些部件与空气(外部气体)接触的部分形成膜。当然,膜形成部位越多、膜形成面积的占有率越大,效果越好,在全部这些部分上形成膜是最有效的。
用具体的数值表示时,各构成要素的表面的优选50%以上、更优选80%以上被表面改性物质的膜覆盖即可。其中重要的是,通过将构成部件的表面的一部分被表面改性物质的膜覆盖,也能得到一定的效果。作为表面改性物质的膜的厚度,优选为1nm以上,更优选为5nm以上500nm以下,进一步优选为10nm以上160nm以下。膜越薄,越难以得到效果,即使达到一定以上的厚度,效果也不会变化,因此材料变得多余。
表面改性物质的膜的孔和裂纹等越少越好,越能够防止离子和分子等超微细物质的移动,能够不易产生成为引起PID的原因的模块内的钠等离子的移动现象。另外,由于该膜为疏水性,能够得到雨水和空气中的水分难以入侵的太阳能发电模块。
[膜电阻]
表面改性物质的膜形成于各部件时,在湿度为85%RH的条件下,膜电阻为100Ω/sq以上、优选为500Ω/sq以上、更优选为1000Ω/sq以上即可。膜电阻只要为上述值以上,就能有效防止PID引起的发电模块的性能劣化。在上述湿度条件下有效的部件的膜电阻为100Ω/sq以上,其上限优选为1015Ω/sq以下,更优选为1010Ω/sq以下即可。
予以说明,在评价涂膜或薄膜等的电阻时,通常使用表面电阻率(单位:Ω/□或Ω/sq)。该电阻值称为膜电阻或表面电阻,为电流从一个方向向对向的方向流过单位正方形(1cm2)区域作时的电阻值,疏水性高的膜的膜电阻值变大。测定本发明中的部件表面的电阻时的温度条件优选为-40℃~100℃,更优选为15~85℃,进一步优选为20℃~60℃。
[水的接触角]
本发明中的膜对水的接触角越大,疏水性越高,既能阻止水入侵太阳能发电模块,也能在室外长期维持初期性能。另外,还能容易地除去附着于模块的污染。接触角可通过接触角计测定。本发明中的该膜对水的接触角的优选范围是,在测定温度为20℃~50℃和测定湿度为20%RH~50%RH的条件下,优选大于50度且小于180度,更优选大于100度且小于150度,进一步优选大于100度且小于140度。
[水的滑动角]
本发明中的膜对水的滑动角越小,疏水性越高,越能阻止水向太阳能发电模块的入侵,越能在室外长期维持初期性能。滑动角可通过滑动角计测定。例如预先使太阳能发电模块的各部件的膜面保持水平而使水滴附着,使该膜面一点一点倾斜而测定水滴滑动的角度。本发明中的有效的滑动角为0.5度以上60度以下,优选为0.5度以上50度以下、更优选为1度以上45度以下。
[折射率]
当施加于本发明的光发电模块上的膜本身的折射率与作为结构部件的透明基板部件或作为功能性部件的电池部件的折射率相同时,施加膜时的发电效率能够维持与施加膜之前相同的性能。另外,膜的折射率小于透明基板部件或电池部件的折射率时,通过防反射效果,发电性能优选提高0.5~3%左右。
[光透射率]
当施加于本发明的光发电模块上的膜本身的光线透过率与透明基板部件或电池部件的光线透过率相同时,施加该膜时的发电效率能够维持与施加膜之前相同的性能。另外,膜的光线透过率大于透明基板部件或电池部件的光线透过率时,发电性能提高0.5%~3%左右。予以说明,为了使透明基板部件提高发电效率,有时使用多孔防反射材料,对于本发明的膜来说,由于在这些多孔防反射材料上进一步形成疏水性的膜,还可以防止由这样的防反射材料引发的PID。
[表面改性物质]
上述表面改性物质只要是具有上述特性的物质,可以使用不论有机或无机材料,但从膜的形成难易性、成本方面等考虑,优选树脂材料。作为树脂材料,可以使用溶剂稀释型、热固化型或紫外线固化型的任一种树脂。
溶剂稀释型的树脂是指形成涂膜时的膜的前体在膜形成后也不会发生化学变化的树脂,热固化型的树脂是指膜的前体通过热而固化的树脂,紫外线(或含有光的放射线)固化型的树脂是指膜的前体通过紫外线(或含有光的放射线)而固化的树脂。以下例示这些树脂,但本发明并不限定于此。
溶剂稀释型的树脂:预先将作为形成膜的主体的固体成分溶解,涂布在太阳能发电模块的各部件上,蒸发溶剂,由此形成膜,能够得到期望的膜形成模块。作为溶剂稀释型中使用的固体成分,例如可以使用丙烯酸系树脂、环氧树脂、PC(聚碳酸酯)、TAC(三乙酰纤维素)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PVA(聚乙烯醇)、PVB(聚乙烯缩丁醛)、PEI(聚醚酰亚胺)、聚酯、EVA(乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)、PCV(聚氯乙烯)、PI(聚酰亚胺)、PA(聚酰胺)、PU(聚氨酯)、PE(聚乙烯)、PP(聚丙烯)、PS(聚苯乙烯)、PAN(聚丙烯腈)、缩丁醛树脂、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)、ETFE(乙烯-四氟乙烯共聚物)、PVF(聚氟乙烯)等含氟树脂、有机硅树脂等中的1种、或混合使用2种以上。其中,氟系树脂的疏水性优异,上述所显示的特性也优异。另一方面,由于即使使用其他树脂也能得到一定程度的效果,因此可以根据使用条件等而使用这些其他树脂。进而,也可以使用对这些树脂赋予了热固性或紫外线等活性能量射线固化性的树脂组合物等。
热固化型的树脂:预先将作为形成膜的主体的固体成分溶解,涂布在太阳能发电模块的各部件上,蒸发溶剂,然后将涂布面在室温以上加热,形成膜,能够得到期望的模块。作为热固化型中使用的固体成分,例如可举出环氧树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂、聚氨酯树脂、和聚酰亚胺树脂、含氟树脂、硅氮烷树脂和有机硅树脂等聚合物,可以使用这些中的1种或混合使用2种以上。
紫外线(或含有光的放射线)固化型的树脂:预先将作为形成膜的主体的固体成分溶解,涂布在太阳能发电模块的各部件上,蒸发溶剂,然后在涂布面上照射紫外线(或含有光的放射线),使之固化而形成膜,得到期望的模块。此时,用于该效果的放射线或电磁波一般为紫外线,但也可以使用含有可见光等光的放射线。作为紫外线(或含有光的放射线)固化型中使用的固体成分,可举出有机硅树脂、丙烯酸系树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、含氟树脂、氧杂环丁烷树脂和聚乙烯醚树脂等,可以使用这些中的1种或混合使用2种以上。
在紫外光(或可见光)固化中,作为光源,可举出高压水银灯、恒压水银灯、铊灯、铟灯、金属卤化物灯、氙灯、紫外线LED、蓝色LED,白色LED、哈利盛东芝照明公司制的准分子灯、Fusion公司制的H阀、H+阀(Hplusvalve)、D阀、V阀、Q阀、M阀等发光光,除此以外,也可以使用太阳光。予以说明,作为在非氧存在下固化的方法,可举出在氮气、二氧化碳、氦气等气氛下进行的情形。
进而,在紫外线固化中,优选在0.1~1000J/cm2的范围照射200~400nm的紫外线即可。另外,更优选在固化中分多次照射活性能量射线的方式。即,当第1次照射总照射量的1/20~1/3左右、第2次以后照射必要的残余量时,可得到双折射更小的固化物。照射时间可以根据树脂量和固化的程度适宜调整,通常调整为1秒~10分钟左右之间。
将作为溶剂稀释型、热固化型、或紫外线(或含有光的放射线)固化型使用的固体成分预先溶解的溶剂只要是能使上述固体成分溶解或分散的溶剂,就没有特殊限定。具体可例示CF3CH2OH、F(CF2)2CH2OH、(CF3)2CHOH、F(CF2)3CH2OH、F(CF2)4C2H5OH、H(CF2)2CH2OH、H(CF2)3CH2OH、H(CF2)4CH2OH等氟代醇系溶剂、全氟苯、间二甲苯六氟化物等含氟芳族系溶剂、CF4(HFC-14)、CHClF2(HCFC-22)、CHF3(HFC-23)、CH2CF2(HFC-32)、CF3CF3(PFC-116)、CF2ClCFCl2(CFC-113)、C3HClF5(HCFC-225)、CH2FCF3(HFC-134a)、CH3CF3(HFC-143a)、CH3CHF2(HFC-152a)、CH3CCl2F(HCFC-141b)、CH3CClF2(HCFC-142b)、C4F8(PFC-C318)等氟碳系溶剂等。关于稀释率,根据所使用的树脂和溶剂、以及所形成的膜的厚度、干燥条件等调整为最佳的稀释率即可。通常,在形成膜时固体成分被调制为成为调制后的溶剂中的30~0.05质量%。
进而,例如可例示二甲苯、甲苯、Solvesso100(商品名,一种芳香石油烃)、Solvesso150(同上)、己烷等烃系溶剂、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸乙二醇单甲基醚、乙酸乙二醇单乙基醚、乙酸乙二醇单丁基醚、乙酸二甘醇单甲基醚、乙酸二甘醇单乙基醚、乙酸二甘醇单丁基醚、乙酸乙二醇酯、乙酸二甘醇酯等酯系溶剂、二甲基醚、二乙基醚、二丁基醚、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单丁基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二丁基醚、二甘醇单甲基醚、二甘醇单乙基醚、二甘醇单丁基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇二丁基醚、四氢呋喃等醚系溶剂、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、丙酮等酮系溶剂、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基乙酰胺、乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、N-甲基甲酰胺等酰胺系溶剂、二甲亚砜等磺酸酯系溶剂、甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、乙二醇、二甘醇、聚乙二醇(聚合度3~100)等,可将它们单独或2种以上混合使用。
予以说明,其中,从溶解性能、涂膜外观、贮存稳定性的观点考虑,优选使用上述各种的醇系溶剂、氟系溶剂、酮系溶剂、酯系溶剂,特别优选将甲醇、乙醇、异丙醇、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮、乙酸溶纤剂、乙酸丁酯、乙酸乙酯、全氟苯、间二甲苯六氟化物、HCFC-225、CFC-113、HFC-134a、HFC-143a、HFC-142b单独地或2种以上混合使用。
将膜形成为结构部件时,即使在外周框架的内侧使用丁基橡胶或有机硅橡胶等作为填缝剂,有时也会在外周框架部件与透明基板部件和包装片材部件之间产生间隙。因此,也在这些结构部件间的间隙处形成由膜或膜材料构成的填充部位。具体地,浸染膜成分的溶液的方法是有效的,用于此时的膜的固体成分优选使用溶剂稀释型或热固化型。
作为可用作本发明的表面改性物质的市售制品,例如可举出特氟隆(注册商标)AF系列(杜邦公司制)、テドラー系列(杜邦公司制)、フルオン系列(旭硝子社制)、サイトップ(旭硝子社制)、ハイフロン系列(ソルベイ·ソレクシス社制)、THV系列(住友3M公司制)、ネオフロン系列(日本Daikin工业公司制)、オプトエース(日本Daikin工业公司制)、カイナー系列(アルケマ社制)、ダイニオン系列(ダイニオン社制)、マーベルコート(三菱气体化学社制)、エフトップ系列(三菱マテリアル电子化成制)、エスエフコート(AGCSEIMICHEMICAL公司制)等。它们可以单独或2种以上混合使用。
涂布溶剂稀释型或热固化型或紫外线固化型的固体成分时,例如使布或纸等浸透上述溶液,用手擦拭太阳能电池模块的各部件表面的方法,也可以从现有的涂布法中选择使用适宜的方法。具体地,可使用丝网印刷等印刷法、凹印涂布法、反向涂布法、棒涂法、喷涂法、刮涂法、辊涂法、模涂法等,根据条件可以使用幕涂法(流涂法)、旋涂法、CVD法、mist-CVD法等。通过从这些方法中选择最佳的方法来形成期望的膜,能够得到具有任意物性的表面改性物质的膜的太阳能发电模块。
作为所形成的膜的膜厚,没有特殊限制,为与由通常的树脂材料形成的涂膜同等程度即可。具体地,为1~500μm左右即可。另外,通过调整涂层的膜厚也可调整至期望的物性。涂布用的组成溶液的固体成分浓度根据所使用的特定的器具和装置、溶液的粘度、转子(spinner)的速度和涂布所容许的时间等调整至期望的膜厚即可。
表面改性物质的膜形成在上述结构部件上和形成在功能性部件上都是有效的。通过将膜形成在作为结构部件的外周框架部件、透明基板部件和包装片材部件的表面,可以抑制PID和蜗牛轨迹或与之相伴的不良现象。具体地,在组装前,预先用表面改性物质的膜覆盖外周框架部件、透明基板部件和包装片材部件的整个表面,组装太阳能发电模块,由此可以防止雨水和外部气体入侵该发电模块,并且可以防止PID和蜗牛轨迹或与之相伴的不良现象。特别是,至少在外周框架部件、透明基板部件和包装片材部件的1个或2个以上中,即使只覆盖部件与空气接触的面,也能取得效果。
另外,膜形成于功能性部件上即可。在形成于功能性部件上时,形成于电池上是有效的,形成于电池部件表面的一部分或全部即可。或者,形成于透明电极、发电层和背面电极的层叠体上即可,为了将它们一体化地形成于透明基板上,有必要以覆盖它们的方式形成膜。
作为用于发电模块的各部件的材料,例如,从加工容易性和轻量性的观点考虑,优选在外周框架中充分使用铝。对透明基板未必有限定,但可使用玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸系、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)等材料。对于密封材料,例如使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚乙烯缩丁醛(PVB)、有机硅树脂等,将电池、内部连线、或发电层、透明电极和背面电极保护起来。对于包装片材,例如使用聚氟乙烯(PVF)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯(PE)、铝、玻璃等或它们的层叠体,将密封材料和内部的发电部位保护起来。予以说明,在外周框架的内侧,使用丁基橡胶或有机硅橡胶等作为填缝剂,保护发电模块内部。
本发明可以不论太阳能发电模块的形态而使用,例如可用于结晶系、非晶硅系、或CIGS等化合物系、以及色调敏化型、具有有机薄膜型等有机系等发电基板的整个太阳能发电模块。另外,除了上述例示的基本构成以外,例如可加入防反射层等用于辅助必要功能的各种附加的构成要素。
然后,示出实施例更具体地说明本发明,但本发明并不限定于此。
实施例
[实施例1]
使布浸透特氟隆AF1601S,涂入结晶系太阳能发电模块(1650mm×990mm)的外侧的铝外周框架、玻璃透明基板、框架与玻璃基板和包装片材之间的间隙,直至膜的厚度为0.02~0.2μm左右,用热风干燥器吹送热风进行干燥。测定形成了膜的发电模块(发明样品1)的玻璃透明基板的水的接触角(25℃,40%RH)和滑动角(25℃,40%RH)和膜电阻(25℃,85%RH),结果,分别为104.3度、14.8度、5.51×104Ω/sq。向该发电模块施加1000V的电压,结果,如图3所示,内部的电池全部发光,将该发光量设为100%(基准值)。
将该发电模块一边在恒温恒湿槽等温度湿度管理装置中暴露在高温高湿条件(85℃,85%RH)下一边放置150小时之后,从上述装置中取出,与上述同样地施加-1000V的电压,如图4所示发光,此时的发光量为暴露于高温高湿条件之前的发光量的98%。
[比较例1]
向与上述同批次的但不形成膜的太阳能发电模块(比较样品1)施加与实施例1同样的-1000V的电压,得到100%(基准值)的发光量。将该模块与实施例1同样地一边暴露于高温高湿(85℃,85%RH)条件下一边放置96小时之后取出,与实施例1同样地施加-1000V的电压,如图5所示,与基准值相比,以发光量2%发光。
[实施例2]
使布浸透特氟隆AF1601S,涂入至与实施例1同批次的结晶系太阳能发电模块(1650mm×990mm)的外侧的铝外周框架和玻璃透明基板,直至与实施例1同样的膜厚,用热风干燥器吹送热风进行干燥。测定形成了膜的发电模块(发明样品2)的玻璃透明基板的水的接触角(25℃,40%RH)和滑动角(25℃,40%RH)和膜电阻(25℃,85%RH),结果,分别为104.5度、14.1度、4.91×104Ω/sq。向该发电模块施加-1000V的电压,结果,内部的电池全部发光,将该发光量设为100%(基准值)。
将该发电模块一边与实施例1同样地暴露于高温高湿条件(85℃,85%RH)下一边放置130小时后取出,施加-1000V的电压时,如图6所示发光,发光量为暴露于高温高湿条件之前的发光量的97%。
[实施例3]
使布浸透特氟隆AF1601S,涂入与实施例1同批次的结晶系太阳能发电模块(1650mm×990mm)的外侧的铝外周框架和玻璃透明基板,直至与实施例1同样的膜厚,用热风干燥器吹送热风进行干燥。测定形成了膜的发电模块(发明样品3)的玻璃透明基板的水的接触角(25℃,40%RH)和滑动角(25℃,40%RH)和膜电阻(25℃,85%RH),结果,分别为108.1度、9.7度、7.15×104Ω/sq。向该发电模块施加-1000V的电压,结果,内部的电池全部发光,将该发光量设为100%(基准值)。
将该发电模块一边与实施例1同样地暴露于高温高湿条件(85℃,95%RH)下一边放置100小时后取出,施加-1000V的电压,如图7所示发光,发光量为暴露于高温高湿条件之前的发光量的98%。
[实施例4]
使布浸透Marvel-CoatRFH-05X(商品名,一种涂料),涂入与实施例1同批次的结晶系太阳能发电模块(1650mm×990mm)的外侧的铝外周框架和玻璃透明基板,直至与实施例1同样的膜厚,用热风干燥器吹送热风进行干燥。测定形成了膜的发电模块(发明样品4)的玻璃透明基板的水的接触角(25℃,40%RH)和滑动角(25℃,40%RH)和膜电阻(25℃,85%RH),结果,分别为109.5度、10.9度、1.15×104Ω/sq。向该发电模块施加-1000V的电压,结果,内部的电池全部发光,将该发光量设为100%(基准值)。
将该发电模块一边与实施例1同样地暴露于高温高湿条件(85℃,85%RH)下一边放置120小时后取出,施加-1000V的电压,如图8所示发光,发光量为暴露于高温高湿条件之前的发光量的99%。
[实施例5]
使溶解有4质量%的聚甲基丙烯酸甲酯的乙酸丁酯溶液浸透布,涂入与实施例1同批次的结晶系太阳能发电模块(1659mm×990mm)的外侧的铝外周框架和玻璃透明基板,直至与实施例1同样的膜厚,用热风干燥器吹送热风进行干燥。测定形成了膜的发电模块(发明样品5)的玻璃透明基板的水的接触角(25℃,40%RH)和滑动角(25℃,40%RH)和膜电阻(25℃,85%RH),结果,分别为67.5度、49.7度、1.15×102Ω/sq。向该发电模块施加-1000V的电压,结果,内部的电池全部发光,将该发光量设为100%(基准值)。
将该发电模块一边与实施例1同样地暴露于高温高湿条件(85℃,95%RH)下一边放置15小时后取出,施加-1000V的电压时的发光量为暴露于高温高湿条件之前的发光量的95%。
[实施例6]
使布浸透Marvel-CoatRFH-05X,涂入与实施例1同批次的结晶系太阳能发电模块(1650mm×990mm)的外侧的玻璃透明基板,直至与实施例1同样的膜厚,用热风干燥器吹送热风进行干燥。测定形成膜的发电模块(发明样品6)的玻璃透明基板的水的接触角(25℃,40%RH)和滑动角(25℃,40%RH)和膜电阻(25℃,85%RH),结果,各自为109.3度、10.5度、0.97×103Ω/sq。向该发电模块施加-1000V的电压,结果,内部的电池全部发光,将该发光量设为100%(基准值)。
将该发电模块一边与实施例1同样地暴露于高温高湿条件(85℃,85%RH)下一边放置30小时后取出,施加-1000V的电压时的发光量为暴露于高温高湿条件之前的发光量的96%。
[实施例7]
使布浸透Marvel-CoatRFH-05X,涂入与实施例1同批次的结晶系太阳能发电模块(1650mm×990mm)的外侧的铝外周框架,直至与实施例1同样的膜厚,用热风干燥器吹送热风进行干燥。测定形成了膜的发电模块(发明样品7)的铝外周框架的水的接触角(25℃,40%RH)和滑动角(25℃,40%RH)和膜电阻(25℃,85%RH),结果,分别为108.3度、11.2度、4.15×103Ω/sq。向该发电模块施加-1000V的电压,结果,内部的电池全部发光,将该发光量设为100%(基准值)。
将该发电模块一边与实施例1同样地暴露于高温高湿条件(85℃,85%RH)下一边放置30小时后取出,施加-1000V的电压时的发光量为暴露于高温高湿条件之前的发光量的95%。
[实施例8]
使布浸透Marvel-CoatRFH-05X,涂入与实施例1同批次的结晶系太阳能发电模块(1650mm×990mm)的外侧的铝外周框架和玻璃透明基板的间隙,用热风干燥器吹送热风进行干燥。向形成了膜的发电模块(发明样品8)施加-1000V的电压,结果,内部的电池全部发光,将该发光量设为100%(基准值)。
将该发电模块一边与实施例1同样地暴露于高温高湿条件(85℃,85%RH)下一边放置30小时后取出,施加-1000V的电压时的发光量为暴露于高温高湿条件之前的发光量的94%。
产业实用性
本发明除了单晶、多晶、非晶硅半导体型等硅系和称为CIGS等的化合物类以外,不限于色调敏化型、有机薄膜型等有机系等发电基板的种类,可用于提高各种类型的太阳能发电模块的长期的性能维持和发电效率。另外,不限于以室外使用的太阳光为能源,也可以应用于室内以人工光为能源的发电模块。
符号说明
11:外周框架
12:透明基板
13:密封材料
14:电池
15:内部连线
16:包装片材
101:外周框架
102:透明基板
103:密封材料
104:发电层
105:透明电极
106:背面电极
107:包装片材
Claims (11)
1.太阳能发电模块,其中,作为结构部件至少具有外周框架、透明基板、密封材料和包装片材,以及作为功能部件至少具有以下的(A)或(B)的任一项,
(A)电池和内部连线,
(B)透明电极、发电层和背面电极,
用疏水性的表面改性物质的膜至少覆盖上述任一部件的表面的一部分或全部。
2.权利要求1的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜的膜电阻在湿度为85%RH的条件下为100Ω/sq以上。
3.权利要求1的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜的水的接触角大于50度。
4.权利要求1的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜面的水的滑动角为0.5度以上60度以下。
5.权利要求1的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜的折射率与透明基板部件和电池部件的折射率相同或小于透明基板部件和电池部件的折射率。
6.权利要求1的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜的光线透过率与透明基板部件和电池部件的光线透过率相同或大于透明基板部件和电池部件的光线透过率。
7.权利要求1的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质为溶剂稀释型、热固化型或紫外线固化型的任一类型树脂。
8.权利要求1的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜形成于选自外周框架部件、透明基板部件和包装片材部件中的1个或2个以上部件的表面。
9.权利要求8的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜形成于部件与空气接触的部分。
10.权利要求1的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜形成于电池部件表面的一部分或全部。
11.权利要求1的太阳能发电模块,其中,上述表面改性物质的膜形成于基板内侧的一部分或全部。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014172873 | 2014-08-27 | ||
JP2014-172873 | 2014-08-27 | ||
PCT/JP2015/064329 WO2016031315A1 (ja) | 2014-08-27 | 2015-05-19 | 太陽光発電モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105659387A true CN105659387A (zh) | 2016-06-08 |
Family
ID=55399221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580001820.5A Pending CN105659387A (zh) | 2014-08-27 | 2015-05-19 | 太阳能发电模块 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160260856A1 (zh) |
EP (1) | EP3073533A4 (zh) |
JP (1) | JPWO2016031315A1 (zh) |
KR (1) | KR20170045144A (zh) |
CN (1) | CN105659387A (zh) |
TW (1) | TW201613118A (zh) |
WO (1) | WO2016031315A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106449786A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-02-22 | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 | 一种抗冰冻高效太阳能光伏组件 |
CN106601850A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-04-26 | 江苏鹿山光电科技有限公司 | 一种抗蜗牛纹的封装膜及其制造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7449342B2 (ja) * | 2022-03-24 | 2024-03-13 | 積水化学工業株式会社 | 太陽光発電シートの設置構造 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001060701A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュールおよびその防食法 |
US20110256375A1 (en) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Tosoh F-Tech, Inc. | Coating layer for solar batteries, and its production process |
CN203242651U (zh) * | 2013-05-07 | 2013-10-16 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种太阳能电池组件 |
CN103460393A (zh) * | 2010-08-24 | 2013-12-18 | 荷兰能源研究中心 | 具有改进的钝化的光伏器件和模块及其制造的方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175529A (ja) | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Showa Shell Sekiyu Kk | アモルファスシリコン太陽電池 |
JP3880703B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2007-02-14 | ダイニオン エル エル シー | 太陽電池モジュール用フッ素ポリマー封止材料 |
JP2005132919A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Daikin Ind Ltd | 撥水性および滑水性に優れる表面処理用組成物 |
US20100275992A1 (en) | 2008-01-15 | 2010-11-04 | Affinity Co., Ltd. | Solar Cell Module and Process for its Production |
US8247325B2 (en) * | 2008-10-10 | 2012-08-21 | Uchicago Argonne, Llc | Direct growth of metal nanoplates on semiconductor substrates |
DE102009000450A1 (de) * | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Evonik Degussa Gmbh | Transparente, witterungsbeständige Barrierefolie, Herstellung durch Lamination, Extrusionslamination oder Extrusionbeschichtung |
JP2011238817A (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Toyo Aluminium Kk | 太陽電池用裏面保護シートとそれを備えた太陽電池モジュール |
JP5568799B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2014-08-13 | 名古屋市 | 撥水剤組成物、及び撥水層付基材の製造方法 |
DE102010038292A1 (de) * | 2010-07-22 | 2012-01-26 | Evonik Röhm Gmbh | Witterungsbeständige Rückseitenfolien |
JP6231254B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2017-11-15 | 日東電工株式会社 | 表面保護シート |
JP5896787B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2016-03-30 | 富士フイルム株式会社 | 易接着シート、太陽電池用保護シート、太陽電池用バックシート部材、太陽電池用バックシート及び太陽電池モジュール |
JP2012256640A (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-27 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 太陽電池モジュール及びそのコーティング方法 |
JP5891375B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2016-03-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光起電力モジュール |
KR101997526B1 (ko) * | 2012-01-17 | 2019-07-08 | 덴카 주식회사 | 다층시트, 태양전지용 백시트 및 태양전지모듈 |
JP2013165232A (ja) | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池 |
JP2013216777A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Dic Corp | 硬化性コーティング組成物、積層ポリエステル樹脂フィルム及び太陽電池バックシート |
JP2013243178A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Panasonic Corp | 太陽電池モジュールとその製造方法 |
JP2013251427A (ja) * | 2012-06-01 | 2013-12-12 | Toray Ind Inc | 太陽電池モジュール裏面封止シート用フィルム |
JP2014011270A (ja) | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュールおよびそれを用いた太陽光発電システム |
JP2014032264A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Fujikura Ltd | 光ファイバケーブル |
US20140150850A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Amtech Systems, Inc. | Solar cell coating |
JP2013254993A (ja) | 2013-09-09 | 2013-12-19 | Affinity Co Ltd | 太陽電池モジュール |
-
2015
- 2015-05-19 EP EP15828628.6A patent/EP3073533A4/en not_active Withdrawn
- 2015-05-19 JP JP2016544991A patent/JPWO2016031315A1/ja active Pending
- 2015-05-19 US US14/911,171 patent/US20160260856A1/en not_active Abandoned
- 2015-05-19 WO PCT/JP2015/064329 patent/WO2016031315A1/ja active Application Filing
- 2015-05-19 CN CN201580001820.5A patent/CN105659387A/zh active Pending
- 2015-05-19 KR KR1020167002809A patent/KR20170045144A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-06-04 TW TW104118133A patent/TW201613118A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001060701A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュールおよびその防食法 |
US20110256375A1 (en) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Tosoh F-Tech, Inc. | Coating layer for solar batteries, and its production process |
CN103460393A (zh) * | 2010-08-24 | 2013-12-18 | 荷兰能源研究中心 | 具有改进的钝化的光伏器件和模块及其制造的方法 |
CN203242651U (zh) * | 2013-05-07 | 2013-10-16 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种太阳能电池组件 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106449786A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-02-22 | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 | 一种抗冰冻高效太阳能光伏组件 |
CN106601850A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-04-26 | 江苏鹿山光电科技有限公司 | 一种抗蜗牛纹的封装膜及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3073533A1 (en) | 2016-09-28 |
EP3073533A4 (en) | 2017-07-26 |
JPWO2016031315A1 (ja) | 2017-04-27 |
US20160260856A1 (en) | 2016-09-08 |
WO2016031315A1 (ja) | 2016-03-03 |
TW201613118A (en) | 2016-04-01 |
KR20170045144A (ko) | 2017-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Li et al. | Perovskite single‐crystal microwire‐array photodetectors with performance stability beyond 1 year | |
EP3018504B1 (en) | Anti-glare film for solar cell module, solar cell module provided with anti-glare film, and method for manufacturing same | |
Wooh et al. | Efficient light harvesting with micropatterned 3D pyramidal photoanodes in dye-sensitized solar cells | |
CN104916351A (zh) | 一种柔性透明导电薄膜及其制备方法 | |
US8179587B2 (en) | Electrochromic device | |
TWI449762B (zh) | 抗靜電塗料、抗靜電薄膜之製造方法及其所製得之抗靜電薄膜 | |
Schlipf et al. | Top-down approaches towards single crystal perovskite solar cells | |
CN101447243B (zh) | 透明导电材料以及透明导电体 | |
KR20130010471A (ko) | 표면 임베디드 첨가물을 갖는 구조 및 관련 제조 방법 | |
Cai et al. | High efficiency over 20% of perovskite solar cells by spray coating via a simple process | |
CA2829242A1 (en) | Device components with surface-embedded additives and related manufacturing methods | |
CN104991671A (zh) | 一种柔性触控屏传感薄膜及其制备方法 | |
Da et al. | Photon management effects of hybrid nanostructures/microstructures for organic‐silicon heterojunction solar cells | |
KR20120050882A (ko) | 곡면형 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 | |
CN105085937A (zh) | 富勒烯/pedot:pss混合溶液的制备方法及具有富勒烯/pedot:pss复合透明导电膜的基板的制备方法 | |
CN105659387A (zh) | 太阳能发电模块 | |
CN105810758A (zh) | 一种用于智能调光膜的准晶图案化的透明导电薄膜电极 | |
CN103474128B (zh) | 一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法 | |
CN108165956A (zh) | 一种添加石墨烯的azo复合薄膜的制备方法 | |
CN103489501A (zh) | 一种复合导电钼浆及应用其制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极的方法 | |
JP2009135099A (ja) | フレキシブル透明導電フィルムとフレキシブル機能性素子及びその製造方法 | |
Wang et al. | Al2O3 nanoparticles as surface modifier enables deposition of high quality perovskite films for ultra-flexible photovoltaics | |
CN103474510A (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制作方法 | |
CN110364287A (zh) | 一种抗uv辐照的银纳米线墨水及其配制方法和制备的透明导电薄膜 | |
Xiao et al. | Photoelectric properties of transparent conductive metal mesh films based on crack template and its application in Perovskite solar cells |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160608 |