CN105651450A - 压力传感器及其形成方法 - Google Patents

Abstract

一种压力传感器及其的形成方法，其中压力传感器的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有第一层间介质层、下极板、第一互连层；在下极板上方形成牺牲层；在第一层间介质层、第一互连层和牺牲层上形成上极板；在形成牺牲层之后且在形成上极板之前，在第一互连层中形成连接槽，上极板填充满连接槽；或者，在形成上极板之后，在上极板和第一互连层中形成连接槽，之后在连接槽中形成连接上极板和第一互连层的导电层；去除牺牲层以形成空腔。在下极板上方形成牺牲层过程中产生的有机聚合物就不会附着在连接槽侧壁、底部，压力传感器对施加在其上的较小压力也能准确感知并量测，提升了压力传感器的灵敏度，性能较佳。

Description

压力传感器及其形成方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种压力传感器及其形成方法。

背景技术

在半导体领域，现有的微机电系统压力传感器，是通过压力传感器开关(PressureSensorShutter)接收外界的气体压力，然后将气体压力转换成电信号，测量出具体的压力信息。

现有的一种形成压力传感器的方法包括：

参照图1，提供半导体衬底1，在半导体衬底1上形成有有源器件(图中未示出)；在半导体衬底1上形成有第一层间介质层2，第一层间介质层2覆盖有源器件和半导体衬底1；在第一层间介质层2中形成有下极板4、与下极板4同层且间隔开的第一互连层3，第一层间介质层2覆盖下极板4和第一互连层3，其中第一互连层3与半导体衬底1上的有源器件电连接，下极板4通过其下方的第二互连层5与有源器件电连接。

参照图2，使用光刻、刻蚀工艺，在第一层间介质层2和第一互连层3中形成连接槽6。

参照图3，在第一层间介质层2上沉积无定形碳层，无定形碳层填充满连接槽6；接着，使用光刻、刻蚀工艺，去除除下极板4上方的无定形碳层外的无定形碳层部分，露出连接槽6，仅保留下极板4上方的无定形碳层部分，作为牺牲层7。

参照图4，在第一层间介质层2和牺牲层7上形成上极板8，上极板8填充满连接槽6(参照图3)，以与第一互连层3接触电连接，并通过第一互连层3与下方的有源器件电连接。

参照图5，在牺牲层7上方的上极板8中形成若干通孔80，露出牺牲层7。

参照图6，使用光刻、刻蚀工艺，通过若干通孔80去除牺牲层，在上极板8与下极板4之间形成空腔70。

参照图7，在第一层间介质层2和上极板8上形成第二层间介质层9。

参照图8，在空腔70上方的第二层间介质层9中形成环形沟槽90，露出上极板8，空腔70上方的上极板部分作为压力感应膜。这样，外界压力作用在环形沟槽90底部的上极板上，引起上极板向空腔70中发生形变，进而改变上极板8和下极板4构成的电容器的电容值。该电容值变化信号分别通过第一互连层3和第二互连层5传递至有源器件中，有源器件对电信号进行转化处理后转化为压力值。

但是，使用现有技术形成的压力传感器灵敏度较低，性能不佳。

发明内容

本发明解决的问题是，使用现有技术形成的压力传感器灵敏度较低，性能不佳。

为解决上述问题，本发明提供一种压力传感器的形成方法，该形成方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一层间介质层、位于所述第一层间介质层中的下极板、与所述下极板位于同一层且间隔开的第一互连层；

在所述下极板上方形成牺牲层；

在所述第一层间介质层、第一互连层和牺牲层上形成上极板；

在形成所述牺牲层之后且在形成所述上极板之前，在所述第一互连层中形成连接槽，所述上极板填充满连接槽以与第一互连层电连接；或者，

在形成所述上极板之后，在所述上极板和第一互连层中形成连接槽，之后在所述连接槽中形成连接上极板和第一互连层的导电层；

在将所述上极板和第一互连层电连接后，去除所述牺牲层以形成空腔。

可选地，在所述第一层间介质层上形成牺牲层的方法包括：

在所述第一层间介质层上沉积牺牲材料层；

对所述牺牲材料层进行图形化，以形成牺牲层。

可选地，使用光刻、刻蚀工艺对所述牺牲材料层进行图形化。

可选地，所述牺牲层的材料为无定形碳或锗。

可选地，所述牺牲层的材料为无定形碳；

在刻蚀牺牲材料层过程中使用的刻蚀气体包括O₂、CO、N₂和Ar；

刻蚀牺牲材料层过程的参数为：O₂的流量范围为18sccm～22sccm，CO的流量范围为90sccm～110sccm，N₂的流量范围为90sccm～110sccm，Ar的流量范围为90sccm～110sccm，压强范围为90mTor～110mTor，偏置功率为540w～660w。

可选地，所述牺牲层的厚度范围为1.8μm～2.2μm。

可选地，使用光刻、刻蚀工艺，刻蚀部分厚度的第一互连层形成连接槽。

可选地，所述第一互连层的材料为Al；

在刻蚀部分厚度的第一互连层过程中，使用的刻蚀气体包括Cl₂、BCl₃和N₂，参数为：Cl₂的流量范围为54sccm～66sccm，BCl₃的流量范围为54sccm～66sccm，N₂的流量范围为4.5sccm～5.5sccm，压强范围为9mTor～11mTor，偏置功率范围为540w～660w，源功率范围为108w～132w。

可选地，所述导电层覆盖连接槽的侧壁、底部和位于所述连接槽开口位置的上极板部分。

可选地，所述导电层的材料为Al、TiN、Ti、Ta、TaN、W或Mo。

可选地，去除所述牺牲层的方法包括：

在所述牺牲层上的上极板中形成若干通孔，露出所述牺牲层上表面；

通过所述若干通孔，刻蚀去除牺牲层以形成空腔。

可选地，还包括：

形成第二层间介质层，所述第二层间介质层覆盖第一层间介质层和上极板，在所述上极板和第一互连层通过导电层电连接时，还覆盖所述导电层；

在所述空腔上方的第二层间介质层中形成环形沟槽，露出上极板。

本发明还提供一种压力传感器，该压力传感器包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的第一层间介质层、位于所述第一层间介质层中的下极板、与所述下极板位于同一层且间隔开的第一互连层；

位于所述第一层间介质层、下极板和第一互连层上的上极板，在所述上极板与下极板之间具有空腔；

位于所述第一互连层和上极板中的连接槽；

位于所述连接槽中的导电层，用于电连接所述上极板和第一互连层。

可选地，所述连接槽在第一互连层中的深度小于所述第一互连层的厚度。

可选地，所述导电层覆盖连接槽的侧壁、底部和位于连接槽开口位置的上极板部分。

可选地，所述导电层的材料为Al、TiN、Ti、Ta、TaN、W或Mo。

可选地，在所述空腔上方的上极板中具有若干通孔，所述若干通孔连通所述空腔。

可选地，还包括：

第二层间介质层，覆盖所述第一层间介质层、导电层和上极板；

位于所述空腔上方的第二层间介质层中的环形沟槽，露出上极板。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

在下极板上方形成牺牲层的步骤先于在所述第一互连层中形成连接槽的步骤，这样，在下极板上方形成牺牲层过程中产生的有机聚合物就不会附着在连接槽侧壁、底部。当上极板填充满连接槽以与第一互连层接触电连接时，上极板与第一互连层之间基本不存在有机化合物这降低了第一互连层与上极板之间的接触电阻；或者，当上极板与第一互连层之间通过导电层电连接时，导电层与第一互连层和上极板之间也基本不存在有机化合物，这降低了导电层与第一互连层和上极板之间的接触电阻。由于接触电阻降低，压力传感器对施加在其上的较小压力也能准确感知并量测，提升了压力传感器的灵敏度，性能较佳。

附图说明

图1～图8是现有技术的压力传感器在形成过程中各个阶段的剖面结构示意图；

图9～18是本发明具体实施例的压力传感器在形成过程中各个阶段的剖面结构示意图。

具体实施方式

发明人针对现有技术存在的问题进行分析后发现，参照图3，在刻蚀无定形碳层时，通常使用灰化工艺。在灰化工艺中，O₂与无定形碳层中的碳结合而生成CO₂气体并被排出。但同时，O₂也会与无定形碳层中的C、H结合而产生有机化合物60，该有机化合物会60残留在连接槽6的侧壁和底部表面。这样，参照图4，残留的有机化合物60增大了上极板8与第一互连层3之间的接触电阻，当压力传感器工作时，流过上极板8和第一互连层3的电流较小而不易被检测到，这降低了压力传感器的灵敏度，对压力传感器接收到的较小压力不能准确感知并量测，造成压力传感器性能不佳。

对此，发明人提出了一种新的压力传感器的形成方法，以避免在上极板8和第一互连层3之间产生残留有机化合物，提升压力传感器的灵敏度。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

参照图9，提供半导体衬底10，在半导体衬底10上形成有第一层间介质层11、位于第一层间介质层11中的下极板12和与下极板12同层且间隔开的第一互连层13。在半导体衬底10上还形成有有源器件(图中未示出)，第一层间介质层11覆盖该有源器件，第一互连层13与其下方的有源器件电连接，下极板12通过第二互连层14与其下方的有源器件电连接，。

在本实施例中，第一互连层13为顶层金属互连层，通过导电插塞130与其下方的有源器件电连接。在图9中，第一互连层13与下极板12同层。此时，该顶层互连金属层和下极板12能够在同一步骤中形成，以节省工艺步骤，提高效率。

在本实施例中，第一互连层13和下极板12的材料为铝，还可选择铜、钨等替代材料。第一互连层13和下极板12的上表面为第一层间介质层11所覆盖而未暴露，这样在后续工艺过程中，第一层间介质层11能够保护第一互连层13和下极板12上表面免遭损伤或杂质污染。

在本实施例中，半导体衬底10可以为硅衬底，也可以是锗、锗硅、砷化镓衬底或绝缘体上硅衬底。本领域的技术人员可以根据需要选择衬底，因此衬底的类型不应限制本发明的保护范围。本实施例中的半导体衬底10选择硅衬底，因为在硅衬底上实施本技术方案要比在上述其他衬底上实施本技术方案的成本低。

参照图10，在第一层间介质层11上形成牺牲材料层15。如果在其他变形例中，第一互连层和下极板的上表面露出，则对应的牺牲材料层会覆盖露出的下极板和第一互连层。

在本实施例中，牺牲材料层15选择无定形碳(amorphouscarbon，a-c)，作为变形例，牺牲材料层15还可为锗。使用化学气相沉积形成牺牲材料层15，在该过程中使用的原料为C₂H₂、N₂和He，其中C₂H₂的流量范围为4000sccm～5000sccm，C₂H₂是形成牺牲材料层15的主要原料，相互之间发生化学反应而生成无定形碳，其流量范围能确保较快的化学反应速率，以加快无定形碳的沉积效率，缩短沉积时间；N₂的流量范围为800sccm～1200sccm，在化学气相沉积过程中作为保护气体，其流量范围能够保证较好的保护效果；氦气的流量范围为8000sccm～10000sccm，能够提高化学气相沉积速率，并且由于He的原子半径小，很容易渗透到无定形碳的气泡中而成为无定形碳的一部分，以确保无定形碳层具有较高致密度。化学气相沉积过程的温度范围为360℃～440℃，本实施例选择400℃。如果温度低于360℃，不仅影响化学反应速率，还会造成无定形碳的致密性差，后续易变软甚至脱落；如果温度高于440℃，会影响第一互连层13、第二互连层14、下极板12以及一些有源器件的品质，造成它们之间的接触电阻会增大，影响压力传感器的灵敏度。

由于牺牲材料层15是为后续形成上极板与下极板12之间的空腔作准备，牺牲材料层15的厚度约等于空腔的深度，因此牺牲材料层15的厚度h的范围为1.8μm～2.2μm。如果牺牲材料层15的厚度小于1.8μm，则后续上、下极板之间的间距太小，当上极板受压变形后易与下极板接触，这相当于电容的两极板之间电连接，会造成电容失效，引起短路，导致压力传感器失效；如果牺牲材料层15的厚度大于2.2μm，后续上、下极板之间的间距太大，上极板受到较小压力可能不会引起电容值变化，这降低了压力传感器的灵敏度。

参照图11，对牺牲材料层15(参照图10)进行图形化，以在下极板12上方形成牺牲层16，牺牲层16覆盖第一层间介质层11。牺牲层16将为后续形成上极板与下极板12之间的空腔作准备。作为变形例，若下极板露出，则该步骤形成的牺牲层覆盖下极板。

在本实施例中，对牺牲材料层15进行图形化的方法包括：

在牺牲材料层15上形成图形化的掩膜层，如光刻胶，图形化的掩膜层定义牺牲层的位置；

以图形化的掩膜层为掩模刻蚀牺牲材料层，形成牺牲层16。

在上述刻蚀过程中，使用的刻蚀气体为O₂，O₂能够与无定形碳反应生成CO₂，CO₂被排出。在刻蚀过程中，还加入CO以去除O₂与无定形碳反应而生成的部分有机化合物。另外，在刻蚀反应腔内还通入N₂，N₂能够在牺牲层侧壁与无定形碳反应生成钝化层，来保护牺牲层侧壁遭到过度损伤；通入Ar用于对牺牲材料层进行物理轰击。刻蚀牺牲材料层15的过程中的参数设置如下：O₂的流量范围为18sccm～22sccm，以保证较快的刻蚀速率和刻蚀质量；CO的流量范围为90sccm～110sccm，以有效去除O₂与无定形碳反应生成的部分有机化合物，加快牺牲材料层15与O₂的化学反应速率，提升刻蚀速率；N₂的流量范围为90sccm～110sccm，Ar的流量范围为90sccm～110sccm，以对刻蚀室内环境起到较好保护作用；压强范围为90mTor～110mTor，偏置功率为540w～660w，以提供足够的能量促进和加快刻蚀气体的等离子体化。

参照图12，在第一层间介质层11和牺牲层16上形成上极板17，上极板17覆盖牺牲层16以及第一互连层13上的第一层间介质层部分。

在本实施例中，上极板17的材料为SiGe，或其他可替代材料。形成上极板17的方法为：沉积上极板材料，具体使用化学气相沉积或物理气相沉积；使用光刻、刻蚀工艺，对上极板材料进行图形化以形成上极板17。

参照图13，使用光刻、刻蚀工艺，在上极板17和第一互连层13中形成连接槽18。由于本实施例中，在上极板17和第一互连层13之间形成有第一层间介质层部分，因此，连接槽18还穿过该第一层间介质层部分。

在图13中，在刻蚀第一互连层13时为刻蚀部分厚度的第一互连层13，并未刻蚀全部厚度的第一互连层13。在刻蚀第一层间介质层11后继续刻蚀第一互连层13，能够确保第一互连层13上表面彻底露出，并能够避免刻蚀第一层间介质层11过程产生的杂质污染第一互连层13上表面，保证后续连接槽18中的导电层与第一互连层13形成充分、良好接触电连接。

在本实施例中，第一互连层13的材料为Al。在刻蚀部分厚度的第一互连层13过程中，使用的刻蚀气体包括Cl₂和BCl₃，Cl₂是主要的刻蚀气体，与Al发生化学反应，生成的可挥发的副产物AlCl₃并被气流带出反应腔，而BCl₃等离子体化后的离子能够垂直于互连层上表面轰击第一互连层13，实现各向异性刻蚀。另外，考虑到Al表面极易被氧化成氧化铝，这层自生氧化铝在刻蚀的初期阻隔了Cl₂和铝的接触，阻碍了刻蚀的进一步进行，而BCl₃能够将这层氧化铝还原，促使刻蚀过程的继续进行。在刻蚀过程中，还向刻蚀反应腔内通入N₂，N₂作为钝化气体，在连接槽侧壁对铝进行氮化而生成氮-铝化合物，该氮-铝化合物沉积在连接槽侧壁，形成阻止连接槽侧壁进一步反应的钝化层，阻止连接槽侧壁遭到过度损伤。在刻蚀第一互连层13过程中的参数设置如下：Cl₂的流量范围为54sccm～66sccm，BCl₃的流量范围为54sccm～66sccm，能够确保较佳的刻蚀速率；N₂的流量范围为4.5sccm～5.5sccm，能够避免连接槽侧壁遭到损伤；压强范围为9mTor～11mTor，偏置功率范围为540w～660w，源功率范围为108w～132w，能够保证刻蚀气体快速等离子体化，以提供较佳的刻蚀速率。

与现有技术相比，本实施例对牺牲材料层进行图形化刻蚀的步骤先于刻蚀形成连接槽的步骤，这样，在下极板上方形成牺牲层过程中产生的有机化合物就不会附着在连接槽侧壁、底部。当后续上极板与第一互连层之间通过导电层电连接时，导电层与第一互连层和上极板之间也基本不存在有机化合物，这降低了导电层与第一互连层与上极板之间的接触电阻，压力传感器对施加在其上的较小压力也能准确感知并量测，提升了压力传感器的灵敏度，性能较佳。

另外，在刻蚀上极板17、第一层间介质层11和第一互连层13过程，基本不会在连接槽18侧壁和底部形成有机化合物沉积。即使在该过程中产生有机化合物，有机化合物的量也非常小，不会增大后续导电层与第一互连层和上极板之间的接触电阻。

参照图14，在连接槽18(参照图13)中形成导电层19，导电层19将上极板17与第一互连层13电连接。这样上极板17和下极板12分别通过不同的互连层与半导体衬底上的有源器件电连接。

在本实施例中，导电层19的形成方法包括：沉积导电材料，如铝，导电材料覆盖上极板17、并覆盖连接槽18的侧壁和底部；使用光刻、刻蚀工艺，去除牺牲层16和第一层间介质层11上方的导电材料，保留连接槽18侧壁、底部以及第一互连层13上方的导电材料，作为导电层19。在图14中，导电层19覆盖连接槽18底部和侧壁以及位于连接槽开口附近的上极板部分，导电层19未覆盖牺牲层16上方的上极板部分，上极板17通过导电层19与第一互连层13电连接。一方面，导电层19仅覆盖连接槽18底部和侧壁，而未填充满连接槽18，这能够减小导电层19的电阻，使上极板17和第一互连层13之间的电信号更加灵敏。另一方面，考虑到刻蚀连接槽过程中，有可能会在连接槽侧壁形成残留的有机化合物，而在上极板17上表面不存在刻蚀连接槽过程的残留有机化合物，通过使导电层19部分搭在上极板17上，导电层19与上极板17上表面之间的接触电阻较小，能够与上极板17和第一互连层13形成良好接触电连接，导电层19和第一互连层13的电连接性能更加可靠、稳定。

作为变形例，还可以是：在形成牺牲层后且形成上极板之前，刻蚀第一层间介质层和部分厚度的第一互连层，以形成连接槽；沉积上极板材料，上极板材料覆盖第一层间介质层、牺牲层并填充连接槽；之后，图形化上极板材料形成上极板，上极板通过位于连接槽中的部分与第一互连层接触电连接。

参照图15，在牺牲层16上的上极板17部分中形成若干通孔170，露出牺牲层16上表面；

结合参照图16，通过若干通孔170，刻蚀去除牺牲层16以在上极板17和第一层间介质层11之间形成空腔20。在本实施例中，牺牲层16的材料为无定形碳，可使用干法刻蚀工艺来去除牺牲层16。在干法刻蚀过程中的参数设置如下：向刻蚀反应腔内通入O₂作为主要的刻蚀气体，通入N₂H₂作为保护气体，通入CF₄去除O₂与无定形碳反应生成的有机化合物，O₂的流量范围为2880sccm～3520sccm，N₂H₂的流量范围为270sccm～330sccm，CF₄的流量范围为9sccm～11sccm，刻蚀反应腔内的压强范围为1.35Torr～1.65Torr，偏置功率范围为1800℃～2200℃。

参照图17，形成第二层间介质层21，第二层间介质层21覆盖第一层间介质层11、导电层19和上极板17。在本实施例中，使用化学气相沉积形成介质材料，在该过程中，由于通孔170(请参照图16)孔径较小，介质材料会封住通孔170的开口，不会通过通孔170泄露到空腔20中；之后对介质材料进行化学机械研磨以平坦化形成第二层间介质层21。

参照图18，在空腔20上方的第二层间介质层21中形成环形沟槽22，环形沟槽22围成的第二层间介质层部分位于空腔20上方，作为块状部23。环形沟槽22底部的上极板部分作为压力感应膜，当外界压力作用在环形沟槽22底部的上极板上，会引起上极板17朝向下极板12移动，引起上极板17和下极板12构成的电容的电容值变化，而电容值变化信号通过导电层19和第一互连层13传递到有源器件，并经过数字处理得到压力值。其中块状部23用于释放空腔20上方的上极板部分的应力，避免作用在上极板17上的压力被上极板17的应力抵消，而降低压力传感器的灵敏度。

本发明还提供一种压力传感器，参照图18，该压力传感器包括：

半导体衬底10；

位于半导体衬底10上的第一层间介质层11、位于第一层间介质层11中的下极板12、与下极板12位于同一层且间隔开的第一互连层13；

位于第一层间介质层11、下极板12和第一互连层13上的上极板17，在上极板17与下极板12之间具有空腔20；

位于第一互连层13和上极板17中的连接槽(图中未示出)；

位于连接槽中的导电层19，用于电连接上极板17和第一互连层13；

第二层间介质层21，覆盖第一层间介质层11、导电层19和上极板17；

位于空腔20上方的第二层间介质层中的环形沟槽22，露出上极板17上表面，环形沟槽22围成的第二层间介质层部分作为块状部23。

在本实施例中，连接槽在第一互连层13层中的深度小于所述第一互连层13的厚度，导电层19覆盖连接槽侧壁、底部和位于连接槽开口位置的上极板部分。

在本实施例中，导电层19的材料为Al、TiN、Ti、Ta、TaN、W或Mo。

在本实施例中，在空腔20上方的上极板部分中具有若干通孔170(参照图16)，该若干通孔170连通空腔20。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (18)

1.一种压力传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一层间介质层、位于所述第一层间介质层中的下极板、与所述下极板位于同一层且间隔开的第一互连层；

在所述下极板上方形成牺牲层；

在所述第一层间介质层、第一互连层和牺牲层上形成上极板；

在形成所述牺牲层之后且在形成所述上极板之前，在所述第一互连层中形成连接槽，所述上极板填充满连接槽以与第一互连层电连接；或者，

在形成所述上极板之后，在所述上极板和第一互连层中形成连接槽，之后在所述连接槽中形成连接上极板和第一互连层的导电层；

在将所述上极板和第一互连层电连接后，去除所述牺牲层以形成空腔。

2.如权利要求1所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，在所述第一层间介质层上形成牺牲层的方法包括：

在所述第一层间介质层上沉积牺牲材料层；

对所述牺牲材料层进行图形化，以形成牺牲层。

3.如权利要求2所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，使用光刻、刻蚀工艺对所述牺牲材料层进行图形化。

4.如权利要求3所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为无定形碳或锗。

5.如权利要求4所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为无定形碳；

在刻蚀牺牲材料层过程中使用的刻蚀气体包括O₂、CO、N₂和Ar；

刻蚀牺牲材料层过程的参数为：O₂的流量范围为18sccm～22sccm，CO的流量范围为90sccm～110sccm，N₂的流量范围为90sccm～110sccm，Ar的流量范围为90sccm～110sccm，压强范围为90mTor～110mTor，偏置功率为540w～660w。

6.如权利要求1所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度范围为1.8μm～2.2μm。

7.如权利要求1所述的力传感器的形成方法，其特征在于，使用光刻、刻蚀工艺，刻蚀部分厚度的第一互连层形成连接槽。

8.如权利要求7所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述第一互连层的材料为Al；

在刻蚀部分厚度的第一互连层过程中，使用的刻蚀气体包括Cl₂、BCl₃和N₂，参数为：Cl₂的流量范围为54sccm～66sccm，BCl₃的流量范围为54sccm～66sccm，N₂的流量范围为4.5sccm～5.5sccm，压强范围为9mTor～11mTor，偏置功率范围为540w～660w，源功率范围为108w～132w。

9.如权利要求1所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述导电层覆盖连接槽的侧壁、底部和位于所述连接槽开口位置的上极板部分。

10.如权利要求1所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料为Al、TiN、Ti、Ta、TaN、W或Mo。

11.如权利要求1所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的方法包括：

在所述牺牲层上的上极板中形成若干通孔，露出所述牺牲层上表面；

通过所述若干通孔，刻蚀去除牺牲层以形成空腔。

12.如权利要求1所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，还包括：

形成第二层间介质层，所述第二层间介质层覆盖第一层间介质层和上极板，在所述上极板和第一互连层通过导电层电连接时，还覆盖所述导电层；

在所述空腔上方的第二层间介质层中形成环形沟槽，露出上极板。

13.一种压力传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的第一层间介质层、位于所述第一层间介质层中的下极板、与所述下极板位于同一层且间隔开的第一互连层；

位于所述第一层间介质层、下极板和第一互连层上的上极板，在所述上极板与下极板之间具有空腔；

位于所述第一互连层和上极板中的连接槽；

位于所述连接槽中的导电层，用于电连接所述上极板和第一互连层。

14.如权利要求13所述的压力传感器，其特征在于，所述连接槽在第一互连层中的深度小于所述第一互连层的厚度。

15.如权利要求13所述的压力传感器，其特征在于，所述导电层覆盖连接槽的侧壁、底部和位于连接槽开口位置的上极板部分。

16.如权利要求13所述的压力传感器，其特征在于，所述导电层的材料为Al、TiN、Ti、Ta、TaN、W或Mo。

17.如权利要求13所述的压力传感器，其特征在于，在所述空腔上方的上极板中具有若干通孔，所述若干通孔连通所述空腔。

18.如权利要求13所述的压力传感器，其特征在于，还包括：

第二层间介质层，覆盖所述第一层间介质层、导电层和上极板；

位于所述空腔上方的第二层间介质层中的环形沟槽，露出上极板。