JP2009059879A - 紫外光モニタリングシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電圧源35によって負のバイアス電圧−30Vをモニタ対象物40に印加すると共に、RFバイアス電圧をプラズマ処理装置30に印加し、モニタ対象物40に対してプラズマ処理を行うと、プラズマ32から発生した紫外光UVにより、分離した2つのポリSi電極42−1,42−2上のSiO2膜43に、正孔hと電子eのペアが発生する。ポリSi電極42−1,42−2に負のバイアス電圧−30Vを印加することで、2つのポリSi電極42−1,42−2間の間隙にトラップされた正孔hを誘導電流として電流計36によりリアルタイムで計測できる。この誘導電流を紫外光UVによるSiO2膜43へのダメージの定量的指標としてモニタリングしている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施例1を示す紫外光モニタリングシステム(例えば、プラズマモニタリングシステム)の概略の構成図である。更に、図2は、図1中の電極を示す概略の平面図である。
図3−1(A)〜(E)及び図3−2(F)〜(I)は、図1中のモニタ対象物40の製造例を示す概略の断面工程図である。
プラズマ処理により放射される紫外光UVのモニタを行う場合、図1に示すように、モニタ対象物40をプラズマチャンバ31のステージ33上に載置し、ポリSi電極42−1,42−2上に接着していないほうの配線34の端部を、プラズマチャンバ31の壁部に設けた電力入力端子を通して外部へ引き出し、電流計36を介して、例えば負のバイアス電圧−30Vを供給するための電圧源35に接続する。
本実施例1によれば、次の(1)、(2)のような効果がある。
図4は、本発明の実施例2を示す紫外光モニタリングシステム(例えば、プラズマモニタリングシステム)におけるモニタ対象物40中の電極を示す概略の平面図であり、実施例1を示す図2中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
その他の構成や動作は、実施例1と同様である。
本実施例2によれば、分離した2つの櫛形のポリSi電極42−1A,42−2Aを互いに噛み合うように対向して配置したので、2つのポリSi電極42−1A,42−2A間の対向する部分の面積が実施例1よりも大きくなる。そのため、実施例1よりも誘導電流のセンシング感度が向上して、より高精度の測定が可能になる。
図5は、本発明の実施例3を示す紫外光モニタリングシステム(例えば、プラズマモニタリングシステム)におけるモニタ対象物の概略の断面図であり、実施例1を示す図1及び図3−2(I)中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
その他の構成は、実施例1と同様である。
図6−1(A)〜(E)、図6−2(F)〜(H)、及び図6−3(I)〜(K)は、図5のモニタ対象物40Bの製造例を示す概略の断面工程図である。
モニタ対象物40Bについて、プラズマ処理により放射される紫外光UVのモニタを行う場合の動作は、実施例1と同様である。
本実施例3によれば、次の(a)、(b)のような効果等がある。
本発明は、上記実施例に限定されず、種々の利用形態や変形が可能である。その利用形態や変形例としては、例えば、次の(i)〜(iii)のようなものがある。
31 プラズマチャンバ
32 プラズマ
35 電圧源
36 電流計
40,40B モニタ対象物
41 Si基板
42−1,42−1A,42−2,42−2A ポリSi電極
42a スリット
43 SiO2膜
Claims (6)
- 対向して配置され、紫外光の照射に伴って発生する正孔を引き込む第1及び第2の電極と、
前記第1及び第2の電極の近傍に形成され、前記紫外光の照射によるダメージの評価対象となる評価対象膜と、
前記紫外光のモニタ時に、前記第1の電極、前記第1及び第2の電極間の間隙、及び前記第2の電極により形成される直列経路に対して所定のバイアスを印加する電源と、
を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。 - 前記第1及び第2の電極は、平行に配置された方形の導電膜により形成されていることを特徴とする請求項1記載の紫外光モニタリングシステム。
- 前記第1及び第2の電極は、互いに噛み合うように配置された櫛形の導電膜により形成されていることを特徴とする請求項1記載の紫外光モニタリングシステム。
- 前記評価対象膜は、前記第1及び第2の電極上に形成されて前記紫外光が照射されることを特徴とする請求項2又は3記載の紫外光モニタリングシステム。
- 前記評価対象膜は、前記第1及び第2の電極間の前記間隙に配置され、且つ前記第1及び第2の電極の表面と同一の高さに形成されて前記紫外光が照射され、
前記第1及び第2の電極上には、保護膜が形成されていることを特徴とする請求項2又は3記載の紫外光モニタリングシステム。 - 前記紫外光は、プラズマ処理により放射されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の紫外光モニタリングシステム。
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