CN105651228A - 一种在探针台上对基板测试参数进行设置的方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种在探针台上对基板测试参数进行设置的方法及装置，方法包括如下步骤：所述探针台对所述晶圆片的中心进行探边，确认所述晶圆片中心的参数修改内容，并对所述晶圆片中心的参数进行修改；确认所述晶圆片水平扫描的参数修改内容，并对所述晶圆片水平扫描的参数进行修改；确认所述配套探针对针参数的修改内容，并对对针参数进行修改。实施本发明的在探针台上对基板测试参数进行设置的方法及装置，具有以下有益效果：能减少研发周期、降低资金投入、维护要求较低、生产适用性较高。

Description

一种在探针台上对基板测试参数进行设置的方法及装置

技术领域

本发明涉及基板测试领域，特别涉及一种在探针台上对基板测试参数进行设置的方法及装置。

背景技术

对基本进行测试时，需要测试的参数有好多，比如铝基板的测试，其测试参数包含如下参数：典型值、厚度、性能参数、剥离强度、耐焊锡性、热阻、熟阻抗、导热系数、表面电阻、体积电阻、介电常数、介电损耗、耐燃性、绝缘层厚和金属板厚等。目前，测试行业内还没有针对基板测试的专用设备，基板测试无法进行批量的生产，如果按照基板测试的特征进行专用设备的研发，又会存在研发周期长、资金投入大、维护要求高和生产适用性低的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述研发周期长、资金投入大、维护要求高、生产适用性低的缺陷，提供一种能减少研发周期、降低资金投入、维护要求较低、生产适用性较高的在探针台上对基板测试参数进行设置的方法及装置。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种在探针台上对基板测试参数进行设置的方法，所述基板安放在配套假片上，所述配套假片包括晶圆片，所述晶圆片设置有用于安放所述基板的凹槽，所述探针台设有位于所述基板之上并与所述基板接触的配套探针，所述方法包括如下步骤：

A)所述探针台对所述晶圆片的中心进行探边，确认所述晶圆片中心的参数修改内容，并对所述晶圆片中心的参数进行修改；

B)确认所述晶圆片水平扫描的参数修改内容，并对所述晶圆片水平扫描的参数进行修改；

C)确认所述配套探针对针参数的修改内容，并对对针参数进行修改。

在本发明所述的在探针台上对基板测试参数进行设置的方法中，所述探针台上安装有测试系统，所述步骤A)进一步包括：

A1)进入所述测试系统的测试界面，进入操作设置，选择探针台模式设置；

A2)进入晶圆片厚度测量设置；

A3)进入晶圆片厚度测量方法，将1189修改为1。

在本发明所述的在探针台上对基板测试参数进行设置的方法中，所述步骤B)进一步包括：

B1)在所述测试界面下进入操作设置；

B2)进入定位模式，将自动修改为手动；

B3)在所述测试界面下进入器件参数修改；

B4)进入定位数据设置，将定位范围修改为99，将定位模式修改为1，将指标尺寸测量值修改为2。

在本发明所述的在探针台上对基板测试参数进行设置的方法中，所述步骤C)进一步包括：

C1)在所述测试界面下进入器件参数修改；

C2)进入探针对位数据设置；

C3)进入探针位置允许误差，将所述探针位置允许误差修改为100微米，将探针针尖对焦位置允许误差修改为100微米，将探针缺失允许量修改为50％，将探针探寻范围修改为2.0毫米。

本发明还涉及一种实现上述在探针台上对基板测试参数进行设置的方法的装置，所述基板安放在配套假片上，所述配套假片包括晶圆片，所述晶圆片设置有用于安放所述基板的凹槽，所述探针台设有位于所述基板之上并与所述基板接触的配套探针，所述装置包括：

晶圆片中心参数确认单元：用于使所述探针台对所述晶圆片的中心进行探边，确认所述晶圆片中心的参数修改内容，并对所述晶圆片中心的参数进行修改；

水平扫描参数确认单元：用于确认所述晶圆片水平扫描的参数修改内容，并对所述晶圆片水平扫描的参数进行修改；

对针参数确认单元：用于确认所述配套探针对针参数的修改内容，并对对针参数进行修改。

在本发明所述的装置中，所述晶圆片中心参数确认单元进一步包括：

探针台模式设置模块：用于进入所述测试系统的测试界面，进入操作设置，选择探针台模式设置；

晶圆片厚度测量设置模块：用于进入晶圆片厚度测量设置；

厚度测量方法设置模块：用于进入晶圆片厚度测量方法，将1189修改为1。

在本发明所述的装置中，所述水平扫描参数确认单元进一步包括：

操作设置模块：用于在所述测试界面下进入操作设置；

定位模式修改模块：用于进入定位模式，将自动修改为手动；

器件参数修改模块：用于在所述测试界面下进入器件参数修改；

定位数据设置模块：用于进入定位数据设置，将定位范围修改为99，将定位模式修改为1，将指标尺寸测量值修改为2。

在本发明所述的装置中，所述对针参数确认单元进一步包括：

器件参数进入模块：用于在所述测试界面下进入器件参数修改；

探针对位数据设置模块：用于进入探针对位数据设置；

误差修改模块：用于进入探针位置允许误差，将所述探针位置允许误差修改为100微米，将探针针尖对焦位置允许误差修改为100微米，将探针缺失允许量修改为50％，将探针探寻范围修改为2.0毫米。

实施本发明的在探针台上对基板测试参数进行设置的方法及装置，具有以下有益效果：由于通过探针台对晶圆片的中心进行探边，确认晶圆片中心的参数修改内容，并对晶圆片中心的参数进行修改；确认晶圆片水平扫描的参数修改内容，并对晶圆片水平扫描的参数进行修改；确认配套探针对针参数的修改内容，并对对针参数进行修改，其利用现有的探针台就可以做到对基板的测试，不需要研发专用设备，这样就可以降低设备的投资成本，增强探针台的适用性，能减少研发周期、降低资金投入、维护要求较低、生产适用性较高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明在探针台上对基板测试参数进行设置的方法及装置一个实施例中配套假片、配套探针和基板位置关系图；

图2为所述实施例中配套假片的结构示意图；

图3为所述实施例中在探针台上对基板测试参数进行设置的方法的流程图；

图4为所述实施例中探针台对晶圆片的中心进行探边，确认晶圆片中心的参数修改内容，并对晶圆片中心的参数进行修改的具体流程图；

图5为所述实施例中确认晶圆片水平扫描的参数修改内容，并对晶圆片水平扫描的参数进行修改的具体流程图；

图6为所述实施例中确认配套探针对针参数的修改内容，并对对针参数进行修改的具体流程图；

图7为所述实施例中装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明在探针台上对基板测试参数进行设置的方法及装置一个实施例中配套假片、配套探针和基板位置关系图；图2为本实施例中配套假片的结构示意图；参见图1和图2，基板1安放在配套假片2上，配套假片2包括晶圆片21，晶圆片21设置有用于安放基板1的凹槽22，晶圆片21上方还设有镂空破片23，探针台设有位于基板1之上并与基板1接触的配套探针3。值得一提的是，本实施例中，探针台为全自动探针台设备，例如：谈整改可以使用型号为UF300或UF300A的全自动探针台设备，晶圆片21为符合SEMI标准的12寸晶圆片。

本实施例中，在探针台上对基板测试参数进行设置的方法的流程图如图3所示，图3中，该在探针台上对基板测试参数进行设置的方法包括如下步骤：

步骤S01探针台对晶圆片的中心进行探边，确认晶圆片中心的参数修改内容，并对晶圆片中心的参数进行修改：本步骤中，探针台对配套假片的中心(具体是晶圆片的中心)进行探边，以确认晶圆片中心的参数修改内容，并对晶圆片中心的参数进行修改。

步骤S02确认晶圆片水平扫描的参数修改内容，并对晶圆片水平扫描的参数进行修改：本步骤中，确认晶圆片水平扫描的参数修改内容，并对晶圆片水平扫描的参数进行修改。

步骤S03确认配套探针对针参数的修改内容，并对对针参数进行修改：本步骤中，确认配套探针对针参数的修改内容，并对对针参数进行修改。

本实施例根据配套假片和配套探针的特征进行参数的优化修改，无需增加设备投入，利用工厂内现有的探针台就可以做到对基板的测试，不需要研发专用设备，这样就可以降低设备的投资成本，增强探针台的适用性，能减少研发周期、降低资金投入、维护要求较低、生产适用性较高。

对于本实施例而言，上述步骤S01还可进一步细化，其细化后的流程图如图4所示。本实施例中，探针台上安装有测试系统，使用探针台测试基板需要使用配套假片，需要修改探边参数来保证测试效率。具体的，图4中，上述步骤S01进一步包括如下步骤：

步骤S11进入测试系统的测试界面，进入操作设置，选择探针台模式设置：本步骤中，进入测试系统的测试界面，进入操作设置，选择探针台模式设置。

步骤S12进入晶圆片厚度测量设置：本步骤中，进入晶圆片厚度测量设置，晶圆片厚度测量设置所在的页码为2/6。

步骤S13进入晶圆片厚度测量方法，将1189修改为1：本步骤中，进入晶圆片厚度测量方法，将1189修改为1，晶圆片厚度测量方法所在的页码为2/2。这样就可以提高测试效率。

本实施例中，基板没有足够的条件进行自动水平扫描，需要采用手动水平扫描，另由于基板为长方形且面积小于晶圆片(符合SEMI标准的12寸晶圆片)，还需修改水平扫描的参数，保证水平扫描效率。具体的，对于本实施例而言，上述步骤S02还可进一步细化，其细化后的流程图如图5所示。图5中，上述步骤S02进一步包括：

步骤S21在测试界面下进入操作设置：本步骤中，在测试界面下进入操作设置。

步骤S22进入定位模式，将自动修改为手动：本步骤中，进入定位模式，将自动修改为手动。

步骤S23在测试界面下进入器件参数修改：本步骤中，在测试界面下进入器件参数修改。

步骤S24进入定位数据设置，将定位范围修改为99，将定位模式修改为1，将指标尺寸测量值修改为2：本步骤中，进入定位数据设置，定位数据设置所在的页码为5/7，将定位范围修改为99(具体是由43修改为99)，定位范围所在的页码为3/4，将定位模式修改为1，将指标尺寸测量值修改为2。这样就能提高水平扫描的效率。

本实施例中，基板测试使用了特殊探针，由于探针的特殊性，需修改探针对针参数，提高对针的成功率。具体的，对于本实施例而言，上述步骤S03还可进一步细化，其细化后的流程图如图6所示。图6中，上述步骤S03进一步包括：

步骤S31在测试界面下进入器件参数修改：本步骤中，在测试界面下进入器件参数修改。

步骤S32进入探针对位数据设置：本步骤中，进入探针对位数据设置，探针对位数据设置所在的页码为5/7。

步骤S33进入探针位置允许误差，将探针位置允许误差修改为100微米，将探针针尖对焦位置允许误差修改为100微米，将探针缺失允许量修改为50％，将探针探寻范围修改为2.0毫米：本步骤中，进入探针位置允许误差，探针位置允许误差所在的页码为4/5，将探针位置允许误差修改为100微米(具体是由130微米修改为100微米)，将探针针尖对焦位置允许误差修改为100微米(具体是由129微米修改为100微米)，将探针缺失允许量修改为50％(具体是由131修改为50％)，将探针探寻范围(低倍)修改为2.0毫米(具体是由146修改为2.0毫米)。这样就能提高对针的成功率。

本实施例还涉及一种实现上述在探针台上对基板测试参数进行设置的方法的装置，图7中，该装置包括晶圆片中心参数确认单元1、水平扫描参数确认单元2和对针参数确认单元3；其中，晶圆片中心参数确认单元1用于使探针台对所述晶圆片的中心进行探边，确认晶圆片中心的参数修改内容，并对晶圆片中心的参数进行修改；水平扫描参数确认单元2用于确认晶圆片水平扫描的参数修改内容，并对晶圆片水平扫描的参数进行修改；对针参数确认单元3用于确认配套探针对针参数的修改内容，并对对针参数进行修改。本实施例无需增加设备投入，利用工厂内现有的探针台就可以做到对基板的测试，不需要研发专用设备，这样就可以降低设备的投资成本，增强探针台的适用性，能减少研发周期、降低资金投入、维护要求较低、生产适用性较高。

本实施例中，探针台上安装有测试系统，晶圆片中心参数确认单元1进一步包括探针台模式设置模块11、晶圆片厚度测量设置模块12和厚度测量方法设置模块13；其中，探针台模式设置模块11用于进入测试系统的测试界面，进入操作设置，选择探针台模式设置；晶圆片厚度测量设置模块12用于进入晶圆片厚度测量设置；厚度测量方法设置模块13用于进入晶圆片厚度测量方法，将1189修改为1。

本实施例中，水平扫描参数确认单元2进一步包括操作设置模块21、定位模式修改模块22、器件参数修改模块23和定位数据设置模块24；其中，操作设置模块21用于在测试界面下进入操作设置；定位模式修改模块22用于进入定位模式，将自动修改为手动；器件参数修改模块23用于在测试界面下进入器件参数修改；定位数据设置模块24用于进入定位数据设置，将定位范围修改为99，将定位模式修改为1，将指标尺寸测量值修改为2。

本实施例中，对针参数确认单元3进一步包括器件参数进入模块31、探针对位数据设置模块32和误差修改模块33；其中，器件参数进入模块31用于在测试界面下进入器件参数修改；探针对位数据设置模块32用于进入探针对位数据设置；误差修改模块33用于进入探针位置允许误差，将探针位置允许误差修改为100微米，将探针针尖对焦位置允许误差修改为100微米，将探针缺失允许量修改为50％，将探针探寻范围修改为2.0毫米。

总之，在本实施例中，利用现有的探针台对基板进行测试，降低的设备投资成本，同时提高探针台的适用性，由于利用的是现有的探针台，这样就可以降低维护要求，同时由于不需要进行专门设备的研发，这样就减少了研发周期。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种在探针台上对基板测试参数进行设置的方法，其特征在于，所述基板安放在配套假片上，所述配套假片包括晶圆片，所述晶圆片设置有用于安放所述基板的凹槽，所述探针台设有位于所述基板之上并与所述基板接触的配套探针，所述方法包括如下步骤：

A)所述探针台对所述晶圆片的中心进行探边，确认所述晶圆片中心的参数修改内容，并对所述晶圆片中心的参数进行修改；

B)确认所述晶圆片水平扫描的参数修改内容，并对所述晶圆片水平扫描的参数进行修改；

C)确认所述配套探针对针参数的修改内容，并对对针参数进行修改。

2.根据权利要求1所述的在探针台上对基板测试参数进行设置的方法，其特征在于，所述探针台上安装有测试系统，所述步骤A)进一步包括：

A1)进入所述测试系统的测试界面，进入操作设置，选择探针台模式设置；

A2)进入晶圆片厚度测量设置；

A3)进入晶圆片厚度测量方法，将1189修改为1。

3.根据权利要求2所述的在探针台上对基板测试参数进行设置的方法，其特征在于，所述步骤B)进一步包括：

B1)在所述测试界面下进入操作设置；

B2)进入定位模式，将自动修改为手动；

B3)在所述测试界面下进入器件参数修改；

B4)进入定位数据设置，将定位范围修改为99，将定位模式修改为1，将指标尺寸测量值修改为2。

4.根据权利要求2或3所述的在探针台上对基板测试参数进行设置的方法，其特征在于，所述步骤C)进一步包括：

C1)在所述测试界面下进入器件参数修改；

C2)进入探针对位数据设置；

C3)进入探针位置允许误差，将所述探针位置允许误差修改为100微米，将探针针尖对焦位置允许误差修改为100微米，将探针缺失允许量修改为50％，将探针探寻范围修改为2.0毫米。

5.一种实现如权利要求1所述的在探针台上对基板测试参数进行设置的方法的装置，其特征在于，所述基板安放在配套假片上，所述配套假片包括晶圆片，所述晶圆片设置有用于安放所述基板的凹槽，所述探针台设有位于所述基板之上并与所述基板接触的配套探针，所述装置包括：

晶圆片中心参数确认单元：用于使所述探针台对所述晶圆片的中心进行探边，确认所述晶圆片中心的参数修改内容，并对所述晶圆片中心的参数进行修改；

水平扫描参数确认单元：用于确认所述晶圆片水平扫描的参数修改内容，并对所述晶圆片水平扫描的参数进行修改；

对针参数确认单元：用于确认所述配套探针对针参数的修改内容，并对对针参数进行修改。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述探针台上安装有测试系统，所述晶圆片中心参数确认单元进一步包括：

探针台模式设置模块：用于进入所述测试系统的测试界面，进入操作设置，选择探针台模式设置；

晶圆片厚度测量设置模块：用于进入晶圆片厚度测量设置；

厚度测量方法设置模块：用于进入晶圆片厚度测量方法，将1189修改为1。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述水平扫描参数确认单元进一步包括：

操作设置模块：用于在所述测试界面下进入操作设置；

定位模式修改模块：用于进入定位模式，将自动修改为手动；

器件参数修改模块：用于在所述测试界面下进入器件参数修改；

定位数据设置模块：用于进入定位数据设置，将定位范围修改为99，将定位模式修改为1，将指标尺寸测量值修改为2。

8.根据权利要求6或7所述的装置，其特征在于，所述对针参数确认单元进一步包括：

器件参数进入模块：用于在所述测试界面下进入器件参数修改；

探针对位数据设置模块：用于进入探针对位数据设置；

误差修改模块：用于进入探针位置允许误差，将所述探针位置允许误差修改为100微米，将探针针尖对焦位置允许误差修改为100微米，将探针缺失允许量修改为50％，将探针探寻范围修改为2.0毫米。