CN105556354B - 光学部件 - Google Patents
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Abstract
光学部件21A包括:具有接合面3b和进行了光学研磨的端面3d的光学元件1、以及形成于光学元件1的接合面且用于将光学元件接合于基板的金属膜。金属膜包括:覆盖接合面3b的除端面3d一侧的端部以外的区域的主覆盖部6、在端部内覆盖接合面的端部覆盖部7。在主覆盖部6与端部覆盖部7之间设置有未被金属膜覆盖的非覆盖部8。
Description
技术领域
本发明涉及具有用于将光学元件接合于基板的金属膜的光学部件。
背景技术
铌酸锂和钽酸锂单晶这样的非线性光学结晶,其二次非线性光学常数高,通过在这些结晶上形成周期性的极化反转构造,能够实现准相位匹配 (Quasi-Phase-Matched:QPM)方式的二次谐波产生 (Second-Harmonic-Generation:SHG)器件。另外,通过在该周期极化反转构造内形成波导,能够实现高效率的SHG器件,可以应用于光通信、医学、光化学、各种光测量等广泛用途。
例如在制造SHG器件时,需要在器件内部形成光波导,并且对基波入射的端面和高次谐波出射的端面进行光学研磨。本申请人在专利文献1 中公开了在切割出SHG器件后在厚度方向上层叠多个SHG器件而得到层叠体,并对层叠体的端面统一进行光学研磨。此外,在此专利文献中,公开了在进行光学研磨时防止热释电的内容。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-204505
发明内容
最近,光纤的进一步高速化、高频化加速发展。迫使各种光学部件对此加以应对,从稳定性和可靠性的角度出发,在将光学部件接合于安装基板时,使用钎料等金属而不是树脂。因此,主流技术是在光学部件的主面形成接合用金属膜,利用钎料等将该金属膜金属接合于另外的安装基板。
本发明人尝试过在SHG元件等光学元件的底面形成金属接合用金属膜,然后对光学元件的入射面、出射面进行端面研磨,并使金属膜金属接合于基板。但是,在该过程中遭遇了以下问题。
即、在对光学元件的端面进行光学研磨时,在研磨片擦过端面时,有时金属膜会产生细微的卷起,电极膜发生剥离而浮起。如果产生这样的电极膜剥离,则有可能在接合于安装基板等之后,不会获得期望的接合强度,光学特性容易发生变动,或者满足不了长期的可靠性试验,因此导致成品率降低。这样的金属膜剥离的频度达到了总数的大约20%。
因此,本发明人尝试对以下方法进行了研究:使接合用金属膜从端面后退,在金属膜的边缘与端面之间设置未设置有金属膜的非覆盖部,由此来防止研磨端面时金属膜剥离或浮起。
但是,发现此时会产生以下问题。即、光学元件比较微小,一枚晶片需要切割出大量的光学元件。而且,对于各光学元件而言,图案形成精度、切割时的尺寸精度、以及端面研磨的加工尺寸精度是有限度的。也就是说,各光学元件的非覆盖部的位置通常会产生几十μm的错位。这种程度的错位通常是没有问题的,但是,如上所述,在从光学元件的端面起设置非覆盖部的情况下会产生问题。其原因是,如果非覆盖部的宽度较小,则一部分光学元件在切割时不会留下非覆盖部,而覆盖到端面。另一方面,其他光学元件的非覆盖部的宽度有可能变大。
在安装于基板的状态下,金属膜金属接合于另外的基板,因此,经由金属膜对光学元件进行散热,由此进行散热控制。在非覆盖部不会进行这样的散热。在此已经明了:如果非覆盖部的宽度按每个金属元件发生变化,则每个光学元件的散热程度不同,会导致性能出现差异。
本发明的课题是在借助接合用金属膜而金属接合于另外的基板的光学部件中,抑制对光学部件进行端面研磨时金属膜卷起所导致的剥离或浮起。
本发明涉及的光学部件包括光学元件和金属膜,该光学元件具有接合面和进行了光学研磨的端面,该金属膜形成于光学元件的接合面,用于将光学元件接合于基板,其特征在于:金属膜包括主覆盖部和端部覆盖部,该主覆盖部覆盖接合面的除端面一侧的端部以外的区域,该端部覆盖部在所述端部内覆盖接合面,在端部设置有未被金属膜覆盖的非覆盖部。
根据本发明,在借助接合用金属膜而金属接合于另外的基板的光学部件中,在接合面的端部设置金属膜的覆盖部和非覆盖部,由此,即使端部覆盖部在光学研磨时卷起而发生剥离或浮起,也能够防止其扩展到主覆盖部。与此同时,通过在端部内也设置由金属膜形成的覆盖部,在端部内也能够确保光学部件与另外的基板进行金属接合。因此,即使每个光学部件都发生金属膜的错位,也能够可靠地防止剥离扩展到主覆盖部。
附图说明
图1(a)是示意表示比较例的光学部件20的立体图,(b)是光学部件20的顶面图,(c)是光学部件20的底面图。
图2(a)是示意表示比较例的光学部件20A的立体图,(b)、(c)分别是光学部件20A的底面图。
图3(a)是示意表示本发明例的光学部件21A的立体图,(b)是光学部件21A的底面图。
图4(a)是光学部件21A的底面放大图,(b)是表示光学部件21A 的端部的侧视图。
图5(a)是示意表示本发明例的光学部件21B的立体图,(b)是光学部件21B的底面图。
图6(a)是光学部件21B的底面的端部放大图,(b)是表示光学部件 21B的端部的侧视图,(c)是从端面3d观察光学部件21B而得到的图。
图7(a)是表示设置有金属膜16的晶片15的俯视图,(b)是表示在晶片15上形成了非覆盖部17的状态的图,(c)是表示晶片15的切割线 18、19的图。
图8是表示在比较例的光学部件中发生了金属膜剥离的状态的照片。
图9是表示在比较例的光学部件中发生了金属膜剥离的状态的照片。
图10是表示在本发明例的光学部件中发生了金属膜剥离的部位的照片。
图11是表示在本发明例的光学部件中未发生金属膜剥离的部位的照片。
具体实施方式
以下,适当参照附图对本发明进行更详细的说明。
本发明人对图1所示的光学部件20的批量生产进行了研究。在本例的光学元件20中,元件主体3上形成有沟道型光波导2。元件主体3具有一对主面3a、3b、一对侧面3c和一对端面3d。本例中,光波导2在一对端面3d间延伸。
为了将该光学部件金属接合于另外的基板,需要将主面3a和3b中的任意一方作为接合面,并在接合面上形成接合用金属膜。本例中,在主面 3a形成规定电极,在相反侧的底面3b上设置金属膜4。为了使接合强度稳定,金属膜4设置在底面3b的整个面上。
但是,在对光学元件20的端面3d进行光学研磨时,当研磨片擦过端面时,特别是Au金属膜,有时会发生细微的卷起,从而金属膜剥离而浮起。这样的金属膜剥离的频度达到总数的大约20%。
因此,本发明人研究了以下方法:如例如图2所示,使接合用金属膜 4A从端面3d后退,在金属膜的边缘与端面之间设置未设置有金属膜的非覆盖部5A。即、在本例的光学元件20A中,在主面3a形成规定电极,在相反侧的底面3b 上设置金属膜4A。但是,并不是在底面3b的整个面上设置金属膜4A。即、在底面3b中各端面3d侧的端部设置了未设置金属膜4A的非覆盖部5A。由此,应能够防止研磨端面3d时金属膜剥离或浮起。
但是,此时,已经知晓会发生以下问题。即、光学元件比较微小,需要从一枚晶片切割出大量的光学元件。关于这一点,参照图7进行说明。如图7(a)所示,在晶片15上设置接合用金属膜16。并且,通过蚀刻除去金属膜16的一部分,形成非覆盖部的图案17(参照图7(b))。之后,如图7(c)所示,沿切割线18、19在纵向和横向对晶片15进行切断,得到各光学元件。
在此,需要从一枚晶片15切割出多枚光学元件1。但是,用于形成非覆盖部5A的光刻精度、以及切割尺寸的精度、还有端面研磨的加工尺寸精度自然是有限度的,各非覆盖部的位置通常会产生几十μm的错位。其结果,在从光学元件的端面起设置有非覆盖部5A时会出现问题。其原因是,非覆盖部5A的宽度t较小时,如果切割端面时的尺寸稍微出现偏差,则切割时不会留有非覆盖部5A,底面将被覆盖至端面3d。
于是还研究了以下方法:如图2(c)所示,通过使非覆盖部5B的宽度t足够大,即使切割时发生错位,在端面3d跟前也会留有非覆盖部5B。但是,此时,需要增大非覆盖部5B的宽度t,接合的稳定性降低,而且,在未进行接合的区域,从光学元件向基板的散热减少。如果非覆盖部5B 的宽度增大,并且切割时发生错位,则非覆盖部5B的宽度容易显著增大,因此,特别是在端部,向基板的散热量降低,各种光学特性都会出现差异。
图3、图4表示本发明例涉及的光学部件21A。
在本例的光学元件21A中,元件主体3上形成有沟道型光波导2。元件主体3具有一对主面3a、3b、一对侧面3c和一对端面3d。本例中,光波导2在一对端面3d间延伸。
本例中,主面3a形成有规定电极,将相反侧的底面3b作为接合面,在底面上设置有金属膜。在此,如图3(b)、图4所示,在底面3b中除端面3d一侧的端部30以外的区域形成有主覆盖部6。与此同时,在底面的端面3d侧的各端部30,细长的条纹状的端部覆盖部7从主覆盖部6朝向端面3d排列多列。相邻的端部覆盖部7之间形成有狭缝状的非覆盖部8,而且处于最内侧的端部覆盖部7与主覆盖部6之间也形成有狭缝状的非覆盖部8。
根据本实施方式,在接合面3b的端部30设置金属膜的覆盖部7,在端部覆盖部7与主覆盖部6之间设置非覆盖部8,由此,即使端部覆盖部7 在光学研磨时卷起而发生剥离或浮起,也能够防止其向主覆盖部6扩展。与此同时,通过在端部30内也设置由金属膜形成的覆盖部7,在端部内也能够确保光学部件1与另外的基板的金属接合。因此,即使每个光学部件 1都发生金属膜的错位,由于在覆盖部7与主覆盖部6之间存在多个狭缝8 中的一个或者多个,因此也能够防止剥离向主覆盖部扩展。
在图5、图6所示的光学部件21B中,元件主体3形成有沟道型光波导2。元件主体3具有一对主面3a、3b、一对侧面3c和一对端面3d。本例中,光波导2在一对端面3d间延伸。
本例中,在主面3a形成有规定电极,将相反侧的底面3b作为接合面,在底面上设置有金属膜。在此,如图5(b)、图6所示,在底面3b中除端面3d一侧的端部30以外的区域形成了主覆盖部6。与此同时,在底面的端面3d侧的各端部,四边形的端部覆盖部7A从主覆盖部6朝向端面3d 排列多列,此外,在一对侧面3c间排列有多列。在沿着底面的长度方向相邻的端部覆盖部7A之间形成有狭缝状的非覆盖部8A,而且,在处于最内侧的端部覆盖部7A与主覆盖部6之间也形成有狭缝状的非覆盖部8A。在沿着底面的宽度方向相邻的端部覆盖部7A之间形成有狭缝状的非覆盖部 8B。
根据本实施方式,在接合面3b的端部30设置金属膜的覆盖部7A,在端部覆盖部7A与主覆盖部6之间设置非覆盖部8A,由此,即使端部覆盖部7A在光学研磨时卷起而发生剥离或浮起,也能够防止其向主覆盖部6 扩展。与此同时,通过在端部内也设置由金属膜形成的覆盖部7A,在端部内也能够确保光学部件1与另外的基板进行金属接合。因此,即使每个光学部件1都发生金属膜的错位,由于在处于端面侧的末端的覆盖部7A与主覆盖部6之间存在多个狭缝状的非覆盖部8A中的一个或者多个,因此,也能够可靠防止剥离向主覆盖部扩展。而且,剥离向底面的宽度方向的扩展也可以被狭缝状的非覆盖部8B抑制。
以下,对本发明的各要素进一步进行详细说明。
光学元件的种类没有特别限定,只要是起到光学功能即可。具体而言,可以列举出波长转换元件、光强度调制器、光相位调制器、光开关元件等。
形成于光学元件的光波导的种类没有限定,包括平板波导、沟道波导。此外,波导的种类可以是钛扩散法等的内扩散型光波导、脊型光波导。而且,在优选实施方式中,至少在光学元件的光波导内形成周期极化反转构造。
本发明特别适用于波长转换元件。其原因在于,吸收波长转换所产生的光而导致的发热,有时会使得波长转换元件在波导方向产生温度偏差。如果产生温度偏差,则材料折射率的温度依存性将使得用于进行波长转换的周期构造在长度方向上实际变得不均匀,从而使波长转换效率降低。为了消除温度差,以便不招致效率降低,需要使元件的背面以浮起的部位较少的方式接合于安装基板等。
光学元件具有接合面和进行了光学研磨的端面。在优选实施方式中,光学元件是板状,具有相对的一对主面。所谓主面是相比于其他面,面积相对较大的表面。此时,一个主面作为接合面发挥作用。另外,在优选实施方式中,光学元件具有相对的一对侧面。此时,在优选实施方式中,侧面未被光学研磨。
本发明中,将一对主面中的一个主面作为金属接合用接合面使用。在图3~图6的例子中,将底面3b用作接合面,但是,在底面3b侧形成控制电极时,可以将表面3a用作接合面。
一般来讲,侧面是通过划片(dicing)等切断工序形成的,不进行端面这样的精密的光学研磨。侧面通过划片而在局部产生10μm左右的缺损,但是,包括这样的部位在内,即使利用胶带进行剥离试验,也未产生金属膜的卷起、剥离、浮起。本发明解决了以进行光学研磨的端面为起点的接合用金属膜的卷起、浮起、剥离这样的未知问题。
光学元件可以形成在一体的基板3上。但是,光学元件的内部构造并没有特别限定。例如,光学元件也可以具有支撑基板、由强介电性材料构成的光学基板、以及将支撑基板和光学基板粘接起来的粘接层。
本发明的光学部件具有用于将光学元件接合于基板的金属膜。
此处所说的接合用金属膜是指与接合用金属接触的最外侧表面的金属膜,不包含处于接合用金属膜之下的底膜和中间膜。
例如,在图3~图6的例子中,在光学元件的底面3b上依次形成有底膜9、中间膜10、接合用金属膜11。底膜9和中间膜10是为了将接合用金属膜11牢固地接合于光学元件1而设置的。在图3~图6的例子中,主覆盖部6和端部覆盖部7、7A分别是指被金属膜11覆盖的部分。另一方面,在非覆盖部8、8A、8B处露出底膜9。在非覆盖部8、8A、8B处还可以露出中间膜10。
构成光学元件的光学材料没有特别限定,但是,可以列举出铌酸锂、钽酸锂、铌酸锂-钽酸锂固溶体、铌酸钾锂、KTP、GaAs以及水晶、 K3Li2Nb5O15、La3Ga5SiO14等。
为了进一步提高光波导的耐光损伤性,光学材料中可以包含选自镁 (Mg)、锌(Zn)、钪(Sc)和铟(In)中的1种以上的金属元素,特别优选镁。强电介体单晶中,作为掺杂成分可以包含稀土类元素。该稀土类元素起到激光振荡用添加元素的作用。作为该稀土类元素特别优选Nd、 Er、Tm、Ho、Dy、Pr。
接合用金属膜的材质可以列举出金、镍、铜等,但是,为了进行稳定的接合,优选金。铜和镍等的表面容易氧化,因此有时难以进行接合。此外,底膜的材质在假定表面形成金膜时,优选铬、钛、铜。另外,在使用中间膜时,其材质优选镍、铂。
在利用中间膜的情况下,在防止电腐蚀方面是有效的。但是,在金属接合后,对安装了光学部件的部件进行气密密封的情况下,即使仅是金属膜和底膜这2种金属也不会发生电腐蚀。
金属接合的方法除了钎料之外,还可以列举出金属彼此的直接接合。
本发明中,接合用金属膜包括:覆盖接合面的除端面一侧的端部以外的区域的主覆盖部、在端部内覆盖接合面的端部覆盖部,在端部设置有未被金属膜覆盖的非覆盖部。
端部覆盖部至少需要一个,优选存在多个。而且,非覆盖部也至少需要一个,优选存在多个。由此,容易吸收加工时的错位或偏差所导致的不良影响。
在优选实施方式中,非覆盖部为狭缝状。此时,从防止金属膜剥离的扩展的角度出发,非覆盖部的宽度d、dA、dB优选在1μm以上,进一步优选3μm以上。另外,从金属接合的稳定性和散热的角度出发,非覆盖部的宽度d、dA、dB优选在10μm以下,进一步优选5μm以下。
在优选实施方式中,非覆盖部从光学元件的一个侧面朝向另一个侧面延伸。图3~图6是涉及本实施方式的图。由此,能够进一步有效地防止剥离从端面向主覆盖部扩展。
另外,在优选实施方式中,非覆盖部从主覆盖部朝向端面延伸。图5、图6是涉及本实施方式的图。由此,还能够防止剥离朝向侧面方向扩展,因此,进一步优选。
另外,在优选实施方式中,在端部形成有多个端部覆盖部,各端部覆盖部被非覆盖部包围。图5、图6是涉及本实施方式的图。通过像这样利用非覆盖部来包围端部覆盖部,能够更确实地确保在端部进行的接合。
各端部覆盖部的平面形状在图3、图4的例子中是条纹状,在图5、图 6的例子中是四边形。但是,各端部覆盖部的平面形状并不限于条纹状和四边形,也可以是三角形、六边形等多边形或正圆形、椭圆形等圆形。
各端部覆盖部的宽度W从确保光学元件的金属接合的角度出发,优选在3μm以上,进一步优选5μm以上。此外,各端部覆盖部的宽度W从确保非覆盖部的空间的角度出发,优选在20μm以下,进一步优选10μm以下。
从端面3d到主覆盖部6为止的间隔R从补偿伴随尺寸精度而产生的非覆盖部的错位的角度出发,优选在50μm以上,进一步优选100μm以上。而且,间隔R从稳定金属接合强度,促进从光学元件向基板散热的角度出发,优选在200μm以下,进一步优选150μm以下。
另外,作为光学研磨优选以下方法。
在利用划片将元件从晶片切割出来以后,减小金刚石磨粒的大小,逐级进行端面研磨(lapping),在最后的精加工中,使用胶态硅石磨粒进行 CMP(Chemical mechanicalpolishing)研磨。
实施例
(比较例1)
制作图1所示的形态的光学部件。
其中,由铌酸锂形成光学元件1,在光学元件1内形成周期极化反转构造,并且形成脊型的沟道光波导2。
具体而言,在厚度0.5mm的偏角为5度的y切掺杂5%MgO的铌酸锂基板上,通过光刻法形成周期6.6μm的梳状周期电极。在该基板的背面的整个面上形成均匀电极,之后施加脉冲电压,形成周期极化反转构造。接下来,通过溅射法形成厚度0.6um的SiO2下包层。
在厚度0.5mm的铌酸锂基板上涂敷粘接剂之后,粘贴所述掺杂MgO 的铌酸锂基板。对掺杂MgO的铌酸锂基板的表面进行磨削、研磨,直至厚度达到3.7μm。在所得到的基板上形成光波导后,通过溅射法形成厚度 0.6μm的SiO2上包层。
在所得到的光学元件1的底面3b的整个面上通过溅射法形成厚度500 埃的铬膜、厚度2000埃的镍膜、厚度500埃的金膜。金膜是接合用金属膜,铬膜是底膜,镍膜是中间膜。其中,在光学元件1的底面3b的整个面上形成了铬膜、镍膜、金膜。
利用划片机(dicer)将得到的晶片如图7(c)的18所示那样进行切断,得到细长的切断物(尺寸约10mm×约30mm:较长的情况下,分割成 2部分,或者分割成3部分,并将切断物的长度统一成30mm)。将该切断物固定于端面研磨夹具,利用金刚石磨粒以及胶态硅石磨粒进行端面研磨,之后,对两端面形成防反射膜。对该细长的切断物如19那样进一步进行切断,得到宽度0.8mm的光学部件。
图8是在得到的光学部件的端面附近,将金属膜置于眼前侧进行观察而得到的照片。在图8的中央部,端面朝横向延伸,端面上方的黑色部分是空间。从端面观察,在下侧(部件的底面)形成有不存在金属(金、镍、铬)、铌酸锂基材露出的剥离部分,在其下方留有明亮的金膜。
图9是将得到的光学部件切断,并观察端面而得到的照片。箭头所示的区域能见到突起,这表示作为底膜的铬膜因光学研磨而卷起,呈现出伴随最外侧表面的金的卷起,中间层的镍、进而其底层的铬发生剥离的现象。
(比较例2)
与比较例1同样地制作光学部件。但是,在本例中,如图2(b)所示,在底面的端面侧的端部形成了非覆盖部5A,并且使铬膜露出。
在本例中,明确了:为了在端部留下非覆盖部,进行较高成品率的端面研磨,需要使非覆盖部的宽度t在50μm以上。与此相对,在使非覆盖部的宽度t为50μm以上时,利用端面研磨,会将该Cr的区域宽度加工得比较窄小或者比较宽,特别是有时会形成宽度非常大的非覆盖部,因此,光学部件间的接合后的特性差异变大。特别是在出射侧的波长转换光强烈发光的区域,如果非覆盖部的宽度较大,则未接合的区域变大,向基板散热的散热性变差。与该区域的长度相对应的部分,对波长转换没有任何贡献,导致波长转换效率降低。
(实施例1)
与比较例1同样地制作光学部件。其中,本例中,如图3、图4所示,在底面的端面侧的端部形成非覆盖部8和端部覆盖部7,并使铬膜露出。非覆盖部8为21列,宽度为2μm。此外,端部覆盖部为20列,宽度为6μm。
这样的金属膜图案能够通过如图7(b)的17所示在晶片上进行图案形成,而容易地对多个光学部件一并进行图案形成。
示出所得到的光学部件的观察结果。
图10是端面发生剥离的照片,图11是端面未发生金属膜的剥离地进行了研磨的照片。
进行光学部件的端面研磨时,如图10所示,一部分元件以金膜从端面卷起的方式发生剥离。箭头表示剥离部分。此外,在图10的照片中,端部分成三个部分,最上部是端部覆盖部7,其下方是非覆盖部8,非覆盖部8 的下方有端部覆盖部7。认为是在进行端面研磨时,柔软的Au躲避研磨片,而导致Au卷起。而且,在Au卷起的部位,底层的镍膜、铬膜也连带着被卷起。
图11示出在端面附近未发生剥离的状态的照片。
在金膜等因该端面研磨而剥离的区域,使用胶带进行剥离试验时,尽管剥离在留有金膜等的图案的端部覆盖部7扩展,但是,剥离在仅有镍膜和铬膜的非覆盖部8停止,未发生进一步的剥离。原因虽然并未明确,但是,推测是:Au膜和其下部的金属膜的紧密接合强度比铬膜与铌酸锂基材的紧密接合强度强而使得剥离扩展。
将该发生了端面剥离的光学部件利用钎料接合于另外的封装基板上,结果,在发生了金膜剥离的区域未能进行接合,但是,是从端面起仅几μm 左右的微小区域,因此,能够稳定且牢固地接合。此外,在接合后,进行波长转换元件的评价,结果,确认能够获得高效率的波长转换性能。
(实施例2)
与比较例1同样地制作光学部件。其中,本例中,如图5、图6所示,在底面的端面侧的端部形成非覆盖部8A、8B和端部覆盖部7A,并使铬膜露出。非覆盖部8A、8B分别为21列、101列,宽度为2μm。此外,端部覆盖部7A为20×100列,尺寸分别为6μm×6μm。
通过在光学元件的底面,像这样地设置狭缝,使从研磨部开始的金属剥离在长度方向和宽度方向都难以扩展,能够得到稳定的接合和稳定的波长转换元件特性。
Claims (7)
1.一种光学部件,包括光学元件和金属膜,
该光学元件具有接合面、进行了光学研磨的端面、与所述接合面相对的主面和彼此相对的一对侧面,
该金属膜形成于所述光学元件的所述接合面,用于将所述光学元件接合于基板,
其特征在于:
所述金属膜包括主覆盖部和多个端部覆盖部,该主覆盖部覆盖所述接合面的除所述端面一侧的端部以外的区域,所述多个端部覆盖部在所述端部内覆盖所述接合面,
所述多个端部覆盖部在所述侧面之间的底面的宽度方向排列,
所述端部包括未被所述金属膜覆盖的狭缝状非覆盖部,所述狭缝状非覆盖部设置在所述多个端部覆盖部之间并在宽度方向彼此相邻。
2.根据权利要求1所述的光学部件,其特征在于:
所述光学元件上形成有光波导。
3.根据权利要求1或2所述的光学部件,其特征在于:所述光学元件内形成有周期极化反转构造。
4.根据权利要求1或2所述的光学部件,其特征在于:
所述金属膜是金膜。
5.根据权利要求1或2所述的光学部件,其特征在于:
具有底膜,所述底膜形成在所述金属膜与所述接合面之间,并且所述底膜在所述非覆盖部处是露出来的。
6.根据权利要求1或2所述的光学部件,其特征在于:
所述光学元件包括:
支撑基板,
由光学材料构成的光学基板,以及
将所述支撑基板和所述光学基板粘接起来的粘接层。
7.根据权利要求1或2所述的光学部件,其特征在于,
所述端部还包含未被所述金属膜覆盖的其他的狭缝状非覆盖部,所述其他的狭缝状非覆盖部设置在所述主覆盖部和所述多个端部覆盖部之间。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
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