CN105523779A - 形成下陷图案方法、具下陷功能材料及其制造方法和制品 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种形成下陷图案的方法、具下陷功能材料及其制造方法和制品，此形成下陷图案的方法包含：提供陶瓷、磁砖或玻璃载体，在载体表面之上施加面釉层，以印花制作工艺在载体表面之上施加具下陷功能材料，以及进行烧制步骤，在面釉层中产生下陷图案，此下陷图案对应于具下陷功能材料施加的区域。此外，本发明通过采用具下陷功能材料及其制造方法可制成下陷图案的陶瓷、磁砖或玻璃等制品。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷、磁砖或玻璃制品的制造方法，特别是涉及在陶瓷、磁砖或玻璃制品的表面上形成凹凸图案的方法，此方法所使用的具下陷功能材料以及具下陷功能材料的制备方法。
背景技术
为了增加陶瓷及磁砖产品的美观，除了以不同颜色的图案装饰之外，还会在陶瓷及磁砖产品的表面上形成凹凸图案，达到立体的装饰效果。目前在陶瓷及磁砖产品的表面上形成凹凸图案的方式包含在陶瓷及磁砖载体成型阶段，使用具有凹凸花样的模具，让陶瓷及磁砖载体表面在上釉之前即具有凹凸形状，然后才进行上釉及印刷上色步骤。
然而，陶瓷及磁砖载体表面的凹凸形状的高低落差会导致后续的印刷上色步骤只能印到凸起的部位，对于凹下的部位无法印刷上色，而且陶瓷及磁砖载体表面上的凹凸形状的位置与印刷上色的位置很容易发生对位误差，产生错位问题，导致陶瓷及磁砖产品的美观受到影响，造成陶瓷及磁砖的产品良率下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具下陷功能的材料，将具下陷功能的材料应用在陶瓷、磁砖及玻璃制品的制造上，不需要使用具有凹凸花样的模具，即可在陶瓷、磁砖及玻璃制品的表面上产生下陷图案，使得陶瓷、磁砖及玻璃制品的外观具有立体凹凸图案。
为达上述目的，在本发明的一些实施例中，提供形成下陷图案的方法，此方法包含：提供载体，载体的材料包含陶瓷、磁砖或玻璃；在载体的表面之上施加面釉层；以印花制作工艺在载体的表面之上施加具下陷功能的材料；以及进行烧制步骤，在面釉层中形成下陷图案，其中下陷图案对应于具下陷功能的材料所施加的区域。
在本发明的一些实施例中，提供具下陷功能的材料，包含：对面釉层具下陷功能的粉体，此具下陷功能粉体的熔点低于面釉层的软化点，且具下陷功能的粉体选自于由BiVO4、Bi2Te3及GaSb所组成的群组。
在一些实施例中，具下陷功能的材料选自于由BiVO4、Bi2Te3、GaSb、铅(Pb)及铊(Tl)所组成的群组。
在本发明的一些实施例中，还提供具下陷功能材料的制造方法，此方法包含：提供多种金属氧化物，这些金属氧化物的熔点低于面釉材料的软化点，并且这些金属氧化物选自于由Sb2O3、Bi2O3、V2O5及TeO2所组成的群组；以及将这些金属氧化物混合，经过锻烧和研磨制作工艺，得到具下陷功能的粉体。
在本发明的一些实施例中，提供具有下陷图案的制品，包含：载体，载体的材料包含陶瓷、磁砖或玻璃；面釉层覆盖于载体的表面上，此面釉层中具有下陷图案；以及具下陷功能的材料，对应于下陷图案的区域，且位于面釉层中。
附图说明
为了让本发明的目的、特征、及优点能更明显易懂，以下配合所附的附图作详细说明如下：
图1A-图1D为本发明的一些实施例，在陶瓷、磁砖及玻璃制品的表面上形成下陷图案的方法的各制造阶段的局部剖面示意图；
图2A-图2D为本发明的另一些实施例，在陶瓷、磁砖及玻璃制品的表面上形成下陷图案的方法的各制造阶段的局部剖面示意图；
图3A-图3D为本发明的一些其他实施例，在陶瓷、磁砖及玻璃制品的表面上形成下陷图案的方法的各制造阶段的局部剖面示意图；
图4A-图4D为本发明的另一些其他实施例，在陶瓷、磁砖及玻璃制品的表面上形成下陷图案的方法的各制造阶段的局部剖面示意图。
符号说明
10～陶瓷、磁砖或玻璃载体；
12～面釉层；
14～具下陷功能材料；
16～烧制步骤；
18～下陷图案；
20～陶瓷、磁砖或玻璃制品；
22～化妆釉层。
具体实施方式
本发明提供的具下陷功能材料可应用在具有面釉层的陶瓷、磁砖及玻璃制品上，此具下陷功能材料的熔点低于面釉层的软化点，在陶瓷、磁砖及玻璃的载体表面上施加面釉层以及具下陷功能的材料，经过烧制步骤后，具下陷功能材料施加的区域会在面釉层中形成下陷图案，因此，依据本发明的实施例，不需要使用具有凹凸花样的模具，就可以在陶瓷、磁砖及玻璃制品上产生立体凹凸图案。
具下陷功能的材料主要为具下陷功能粉体，此具下陷功能粉体的熔点低于面釉层的软化点，在本发明的一些实施例中，具下陷功能粉体可以选自于由BiVO4、Bi2Te3、GaSb、铅(Pb)、铊(Tl)及其他低熔点材料所组成的群组，而面釉层的材料通常包含SiO2及Al2O3，以各种重量百分比混合而成，面釉层的材料也可称为玻璃质材料，面釉层的软化点通常约为600℃～1000℃，此温度为热膨胀系数仪所测得，而具下陷功能粉体的熔点则约为450℃～700℃。
在一些实施例中，具下陷功能的粉体可以与辅助添加剂一起混合使用，辅助添加剂的作用在于施加具下陷功能材料的印花制作工艺中，帮助具下陷功能材料均匀地施加在陶瓷、磁砖及玻璃载体的表面或釉面上，可依据各种印花制作工艺选用适当的辅助添加剂，辅助添加剂例如为：印油、乙二醇(ethyleneglycol；EG)、聚乙二醇(polyethyleneglycol；PEG)、水等等，只要能将下陷功能粉体顺利通过印花制作工艺设备均匀地施加在陶瓷、磁砖及玻璃载体的表面或釉面上即可。在一些实施例中，具下陷功能粉体的重量百分比可约为5％～75％，而辅助添加剂的重量百分比可约为25％～95％。
在其他实施例中，具下陷功能的粉体也可以应用于水性墨水及溶剂型墨水中，可将具下陷功能的粉体与前述墨水混合，以喷墨方式施加于陶瓷、磁砖及玻璃载体的表面或釉面上。在一些实施例中，具下陷功能粉体的重量百分比可约为10％～50％，而墨水的重量百分比可约为50％～90％。
图1A-图1D显示依据本发明的一些实施例，在陶瓷、磁砖及玻璃制品品的表面上形成下陷图案的方法的各制造阶段的局部剖面示意图。参阅图1A，提供陶瓷、磁砖或玻璃载体10，此陶瓷、磁砖或玻璃载体10的表面可以是不具有任何凹凸图案的平坦表面。在陶瓷、磁砖或玻璃载体10的平坦表面上涂布面釉层12，在一些实施例中，面釉层12的厚度范围可约为0.3mm～3mm之间。
参阅图1B，以印花制作工艺在面釉层12上施加具下陷功能的材料14，在面釉层12上形成具下陷功能材料14的图案，印花制作工艺可以采用网版印刷、滚筒印刷、数字喷墨印刷、人工涂布或使用转写纸的方式进行，在一些实施例中，具下陷功能材料14的厚度范围可约为0.01mm～0.3mm之间。
参阅图1C，对表面上具有面釉层12和具下陷功能材料14的图案的陶瓷、磁砖或玻璃载体10进行烧制步骤16，在一些实施例中，烧制步骤16的温度范围可以在约600℃至1300℃之间。
参阅图1D，经过烧制步骤16后，在面釉层12中形成下陷图案18，得到表面具有立体凹凸图案的陶瓷、磁砖或玻璃制品20，其中下陷图案18的位置对应于具下陷功能材料14所施加的区域，亦即如图1B中所示的具下陷功能材料14的图案。如图1D所示，在具有下陷图案18的陶瓷、磁砖或玻璃制品20中，面釉层12对应于下陷图案18的那些部分含有具下陷功能材料14在其中。在此实施例中，具下陷功能材料14靠近面釉层12的顶部表面。
在本发明的一些实施例中，在图1B所示的形成具下陷功能材料14的图案之前，还可以在面釉层12上额外施加另一有颜色的釉料(在图1B中未绘出)，视图案效果的需求，此有颜色的釉料可以与面釉层12的颜色相同或不同，另外，此有颜色的釉料的图案可以与陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面上的凹凸图案相同或不同，并且此有颜色的釉料可以与面釉层的材料相同或不同，在此所使用的有颜色釉料的膨胀系数(coefficientofexpansion；简称C.O.E)及软化点(softeningpoint；简称S.P)与面釉层接近，由此可以增加陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面上的凹凸图案的效果。可使用印花制作工艺将此额外增加的有颜色的釉料施加在具下陷功能材料14的图案以外的区域上，或者施加在与具下陷功能材料14的图案一致的区域上。
在本发明的另一些实施例中，在图1B所示的具下陷功能材料14的图案形成之后，还可以使用印花制作工艺在面釉层12上或者具下陷功能材料14的图案上，额外施加另一有颜色的釉料(在图1B中未绘出)，视图案效果的需求，此有颜色的釉料与面釉层12的颜色可以相同或不同，另外，此有颜色的釉料的图案可以与陶瓷或磁砖产品20表面上的凹凸图案相同或不同，并且此有颜色的釉料可以与面釉层的材料相同或不同，在此所使用的有颜色釉料的膨胀系数及软化点与面釉层接近，由此增加陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面上的凹凸图案的效果。
图2A-图2D显示依据本发明的另一些实施例，在陶瓷、磁砖及玻璃制品的表面上形成下陷图案的方法的各制造阶段的局部剖面示意图。参阅图2A，提供陶瓷、磁砖或玻璃载体10，此载体10的表面可以是不具有任何凹凸图案的平坦表面。以印花制作工艺在载体10的平坦表面上施加具下陷功能的材料14，形成具下陷功能材料14的图案，印花制作工艺可以采用网版印刷、滚筒印刷、数字喷墨印刷、人工涂布或使用转写纸的方式进行，在一些实施例中，具下陷功能材料14的厚度范围可约为0.01mm～0.3mm之间。
参阅图2B，在载体10的平坦表面上涂布面釉层12，并且面釉层12覆盖了具下陷功能材料14的图案。在一些实施例中，面釉层12的厚度范围可约为0.3mm～3mm之间。
参阅图2C，对表面上有面釉层12和具下陷功能材料14的图案的载体10进行烧制步骤16，在一些实施例中，烧制步骤16的温度范围可以在约600℃至1300℃之间。
参阅图2D，经过烧制步骤16后，在面釉层12中形成下陷图案18，得到表面具有立体凹凸图案的陶瓷、磁砖或玻璃制品20，其中下陷图案18的位置对应于具下陷功能材料14所施加的区域，亦即如图2A中所示的具下陷功能材料14的图案。如图2D所示，在具有下陷图案18的陶瓷、磁砖或玻璃制品20中，面釉层12对应于下陷图案18的那些部分含有具下陷功能材料14在其中。在此实施例中，具下陷功能材料14靠近面釉层12的底部表面。
在本发明的一些实施例中，在图2A所示的在载体10的平坦表面上形成具下陷功能材料14的图案之前，还可以在载体10的平坦表面上额外施加另一有颜色的釉料(在图2A中未绘出)，视图案效果的需求，此有颜色的釉料可以与后续形成的面釉层12的颜色相同或不同，此有颜色的釉料的图案可以与陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面上的凹凸图案相同或不同，并且此有颜色的釉料可以与面釉层的材料相同或不同，在此所使用的有颜色釉料的膨胀系数及软化点与面釉层接近，由此可以增加陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面上的凹凸图案的效果。可使用印花制作工艺将此额外增加的有颜色的釉料施加在具下陷功能材料14的图案以外的区域上，或者施加在与具下陷功能材料14的图案一致的区域上。
在本发明的另一些实施例中，在图2A所示的具下陷功能材料14的图案形成之后，还可以使用印花制作工艺在载体10暴露出来的表面上或是具下陷功能材料14的图案上，额外施加另一有颜色的釉料(在图2A中未绘出)，视图案效果的需求，此有颜色的釉料可以与后续形成的面釉层12的颜色相同或不同，此有颜色的釉料的图案可以与陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面上的凹凸图案相同或不同，并且此有颜色的釉料可以与面釉层的材料相同或不同，在此所使用的有颜色釉料的膨胀系数及软化点与面釉层接近，由此增加陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面上凹凸图案的效果。
参阅图3A-图3D，在本发明的一些其他实施例中，如图3A所示，在载体10的表面上涂布面釉层12之前，还可以先在载体10的表面上涂布化妆釉层22，接着在化妆釉层22上涂布面釉层12，使得载体10的表面与面釉层12之间具有化妆釉层22。然后，参阅图3B至图3D的制作工艺步骤，以印花制作工艺在面釉层12上施加具下陷功能的材料14，在面釉层12上形成具下陷功能材料14的图案，经过烧制步骤16后，在面釉层12中形成下陷图案18，得到表面具有立体凹凸图案的陶瓷、磁砖或玻璃制品。
另外，参阅图4A-图4D，在本发明的另一些其他实施例中，如图4A所示，在载体10的表面上先涂布化妆釉层22，接着在化妆釉层22上以印花制作工艺施加具下陷功能的材料14，形成具下陷功能材料14的图案。然后，参阅图4B至图4D的制作工艺步骤，在化妆釉层22和具下陷功能材料14的图案上涂布面釉层12，面釉层12覆盖了具下陷功能材料14的图案和化妆釉层22，经过烧制步骤16后，在面釉层12中形成下陷图案18，得到表面具有立体凹凸图案的陶瓷、磁砖或玻璃制品。
依据本发明的一些实施例，陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面的下陷图案18的宽度和深度可以通过具下陷功能材料14的图案设计来控制，当具下陷功能材料14的图案线条越粗时，陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面的下陷图案18的宽度越宽且深度越深；反之，当具下陷功能材料14的图案线条越细时，陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面的下陷图案18的宽度越细且深度越浅。此外，当具下陷功能材料14的用量越多时，陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面的下陷图案18的深度也越深；反之，当具下陷功能材料14的用量越少时，则陶瓷、磁砖或玻璃制品20表面的下陷图案18的深度越浅。
因此，依据本发明的实施例，通过具下陷功能材料的图案设计以及具下陷功能材料的用量调整，就可以控制陶瓷、磁砖或玻璃制品表面的下陷图案的宽度和深度，如此可以轻易且快速地改变陶瓷、磁砖或玻璃制品表面的下陷图案。
本发明的具下陷功能材料可由多种低熔点、单独使用具有毒性的金属氧化物原料制备而成，这些金属氧化物的熔点低于面釉材料的软化点，面釉材料为一种硅酸盐玻璃，由玻璃网络形成剂(包含SiO2、B2O3、P2O3、As2O3或GeO2)、中间离子和变性剂三大要素构成的混合物，在一些实施例中，这些金属氧化物原料包含Sb2O3、Bi2O3、V2O5以及TeO2，可选用两种或两种以上的金属氧化物加以混合、锻烧，并经过研磨、水洗、干燥及粉碎后，得到具下陷功能的粉体。在一些实施例中，经由上述制备方法所得到的具下陷功能粉体包含BiVO4、Bi2Te3、GaSb或前述的组合。在一些其他实施例中，本发明的具下陷功能材料还可选自于由BiVO4、Bi2Te3、GaSb、铅(Pb)、铊(Tl)及其他低温材料所组成的群组。
上述金属氧化物原料的混合步骤可使用干式或湿式混合方式进行，若采用湿式混合，则在混合完成之后需经过干燥及粉碎后，才进行下一道锻烧步骤。在一些实施例中，锻烧步骤的温度范围可以在约200℃至1100℃之间。另外，研磨步骤也可以采用干式或湿式研磨方式进行。
此外，在一些实施例中，在多种金属氧化物原料的混合步骤中，还可以添加矿化剂与这些金属氧化物原料混合，矿化剂可以是H3BO3，在混合物中矿化剂所占的重量百分比可以约为0％～10％。
在一些实施例中，使用重量百分比为40％～95％的Bi2O3和重量百分比为5％～50％的V2O5作为金属氧化物原料，将这些金属氧化物与重量百分比为0％～10％的矿化剂H3BO3混合，经过锻烧、研磨、水洗、干燥及粉碎后，可以得到具下陷功能的粉体成品BiVO4。
依据本发明的一些实施例所制成的具下陷功能材料具有低熔点特性，其熔点低于面釉材料的软化点。此外，依据本发明的一些实施例，可以将单独使用具有毒性的金属氧化物原料经由上述制备方法制成具下陷功能的材料，并且这些具下陷功能的材料为无毒或低危害的物质，当本发明的具下陷功能材料应用在陶瓷、磁砖及玻璃制品时，对于人体及环境不会造成危害。
综上所述，本发明的实施例不需在陶瓷、磁砖或玻璃的载体成型阶段使用具有凹凸花样的模具，在陶瓷、磁砖或玻璃载体的平坦表面上施加面釉层之前或之后，以印花制作工艺施加具下陷功能的材料，就可以在陶瓷、磁砖及玻璃制品上产生立体凹凸图案，并且本发明的实施例不会出现下陷图案的位置与印刷图案的位置对位不良的问题，因此可提升陶瓷、磁砖及玻璃制品的生产良率。此外，本发明的具下陷功能材料可以应用在各种印花设备上，轻易且快速地制造出具有下陷图案的陶瓷、磁砖及玻璃制品。
虽然结合以上优选实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，在此技术领域中具有通常知识者当可了解，在不脱离本发明的精神和范围内，可做些许更动与润饰。因此，本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。
Claims (32)
1.一种形成下陷图案的方法，包括：
提供一载体，该载体的材料包含陶瓷、磁砖或玻璃；
在该载体的一表面之上施加一面釉层；
以一印花制作工艺在该载体的该表面之上施加一具下陷功能材料；以及
进行一烧制步骤，在该面釉层中形成一下陷图案，其中该下陷图案对应于该具下陷功能材料施加的区域。
2.如权利要求1所述的形成下陷图案的方法，其中施加该面釉层的步骤在施加该具下陷功能材料的步骤之前。
3.如权利要求2所述的形成下陷图案的方法，在施加该面釉层的步骤之前，还包括在该载体的该表面上施加一化妆釉层。
4.如权利要求2或3所述的形成下陷图案的方法，其中在施加该面釉层的步骤之后，以及在施加该具下陷功能材料的步骤之前，还包括在该面釉层上施加一有颜色的釉料，且该有颜色的釉料与该面釉层的颜色不同。
5.如权利要求2或3所述的形成下陷图案的方法，其中在施加该面釉层的步骤之后，以及在施加该具下陷功能材料的步骤之前，还包括在该面釉层上施加一有颜色的釉料，且该有颜色的釉料与该面釉层的颜色相同。
6.如权利要求2或3所述的形成下陷图案的方法，其中在施加该具下陷功能材料的步骤之后，还包括在该具下陷功能材料上施加一有颜色的釉料，且该有颜色的釉料与该面釉层的颜色不同。
7.如权利要求2或3所述的形成下陷图案的方法，其中在施加该具下陷功能材料的步骤之后，还包括在该具下陷功能材料上施加一有颜色的釉料，且该有颜色的釉料与该面釉层的颜色相同。
8.如权利要求1所述的形成下陷图案的方法，其中施加该面釉层的步骤在施加该具下陷功能材料的步骤之后。
9.如权利要求8所述的形成下陷图案的方法，在施加该具下陷功能材料的步骤之前，还包括在该陶瓷或磁砖载体的该表面上施加一化妆釉层。
10.如权利要求8或9所述的形成下陷图案的方法，其中在施加该具下陷功能材料的步骤之前，还包括在该载体的该表面上施加一有颜色的釉料，且该有颜色的釉料与该面釉层的颜色相同。
11.如权利要求8或9所述的形成下陷图案的方法，其中在施加该具下陷功能材料的步骤之前，还包括在该载体的该表面上施加一有颜色的釉料，且该有颜色的釉料与该面釉层的颜色不同。
12.如权利要求8或9所述的形成下陷图案的方法，其中在施加该具下陷功能材料的步骤之后，以及在施加该面釉层的步骤之前，还包括在该具下陷功能材料上施加一有颜色的釉料，且该有颜色的釉料与该面釉层的颜色不同。
13.如权利要求8或9所述的形成下陷图案的方法，其中在施加该具下陷功能材料的步骤之后，以及在施加该面釉层的步骤之前，还包括在该具下陷功能材料上施加一有颜色的釉料，且该有颜色的釉料与该面釉层的颜色相同。
14.如权利要求1所述的形成下陷图案的方法，其中该具下陷功能材料包括一具下陷功能粉体以及一辅助添加剂，且该具下陷功能粉体的熔点低于该面釉层的软化点。
15.如权利要求14所述的形成下陷图案的方法，其中该具下陷功能粉体选自于由BiVO4、Bi2Te3、GaSb、铅(Pb)及铊(Tl)所组成的群组。
16.如权利要求1所述的形成下陷图案的方法，其中该印花制作工艺包括网版印刷、滚筒印刷、数字喷墨印刷、人工涂布或使用转写纸。
17.如权利要求1所述的形成下陷图案的方法，其中该面釉层的厚度范围在0.3mm～3mm之间，且该具下陷功能材料的厚度范围在0.01mm～0.3mm之间。
18.如权利要求1所述的形成下陷图案的方法，其中该面釉层的材料为硅酸盐玻璃，该硅酸盐玻璃是由玻璃网络形成剂、中间离子和变性剂所组成的混合物。
19.如权利要求18所述的形成下陷图案的方法，其中该玻璃网络形成剂包括SiO2、B2O3、P2O3、As2O3或GeO2。
20.如权利要求1所述的形成下陷图案的方法，其中该烧制步骤的温度范围在600℃至1300℃之间。
21.一种具下陷功能的材料，包括：
对于一面釉层具下陷功能的粉体，该具下陷功能的粉体的熔点低于该面釉层的软化点，且该具下陷功能的粉体选自于由BiVO4、Bi2Te3、GaSb、铅(Pb)及铊(Tl)所组成的群组。
22.如权利要求21所述的具下陷功能的材料，还包括辅助添加剂，其中该具下陷功能粉体的重量百分比为5％～75％，且该辅助添加剂的重量百分比为25％～95％。
23.如权利要求22所述的具下陷功能的材料，其中该辅助添加剂包括印油、乙二醇(ethyleneglycol；EG)、聚乙二醇(polyethyleneglycol；PEG)或水。
24.如权利要求21所述的具下陷功能的材料，还包括水性墨水或溶剂型墨水，与该具下陷功能的粉体混合。
25.一种具下陷功能材料的制造方法，包括：
提供多种金属氧化物，该些金属氧化物的熔点低于一面釉层材料的软化点，且该些金属氧化物选自于由Sb2O3、Bi2O3、V2O5及TeO2所组成的群组；以及
将该些金属氧化物混合，经过锻烧和研磨制作工艺，得到一具下陷功能粉体。
26.如权利要求25所述的具下陷功能材料的制造方法，其中该具下陷功能粉体包括BiVO4、Bi2Te3或GaSb，且该具下陷功能粉体的熔点低于该面釉层材料的软化点。
27.如权利要求25所述的具下陷功能材料的制造方法，还包括提供铅(Pb)及铊(Tl)与该具下陷功能粉体混合。
28.如权利要求25所述的具下陷功能材料的制造方法，还包括提供矿化剂与该些金属氧化物混合，其中该矿化剂包括H3BO3，且该矿化剂与该些金属氧化物混合的重量百分比为0％至10％之间。
29.如权利要求27所述的具下陷功能材料的制造方法，其中该些金属氧化物包括重量百分比为40％～95％的Bi2O3以及重量百分比为5％～50％的V2O5。
30.如权利要求25所述的具下陷功能材料的制造方法，其中该些金属氧化物的锻烧制作工艺的温度范围在200℃至1100℃之间。
31.一种具有下陷图案的制品，包括：
载体，该载体的材料包含陶瓷、磁砖或玻璃；
面釉层，覆盖于该载体的一表面上，该面釉层具有下陷图案；以及
具下陷功能材料，对应于该下陷图案的区域，且位于该面釉层中。
32.如权利要求31所述的具有下陷图案的制品，其中该具下陷功能材料的熔点低于该面釉层的软化点，且该具下陷功能材料选自于由BiVO4、Bi2Te3、GaSb、铅(Pb)及铊(Tl)所组成的群组。
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