TW201609455A - 形成下陷圖案的方法、具下陷功能材料及其製造方法、以及具有下陷圖案的製品 - Google Patents

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蔡憲宗
蔡憲龍
林志昇
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中國製釉股份有限公司
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Abstract

本揭示提供形成下陷圖案的方法，此方法包含：提供陶瓷、磁磚或玻璃載體，在載體表面之上施加面釉層，以印花製程在載體表面之上施加具下陷功能材料，以及進行燒製步驟，在面釉層中產生下陷圖案，此下陷圖案對應於具下陷功能材料施加的區域。此外，本揭示還提供具下陷功能材料及其製造方法，以及具有下陷圖案的陶瓷、磁磚或玻璃製品。

Description

形成下陷圖案的方法、具下陷功能材料及其製 造方法、以及具有下陷圖案的製品
本發明係有關於陶瓷、磁磚或玻璃製品的製造方法，特別有關於在陶瓷、磁磚或玻璃製品的表面上形成凹凸圖案的方法，此方法所使用的具下陷功能材料以及具下陷功能材料的製備方法。
為了增加陶瓷及磁磚產品的美觀，除了以不同顏色的圖案裝飾之外，還會在陶瓷及磁磚產品的表面上形成凹凸圖案，達到立體的裝飾效果。目前在陶瓷及磁磚產品的表面上形成凹凸圖案的方式包含在陶瓷及磁磚載體成型階段，使用具有凹凸花樣的模具，讓陶瓷及磁磚載體表面在上釉之前即具有凹凸形狀，然後才進行上釉及印刷上色步驟。
然而，陶瓷及磁磚載體表面的凹凸形狀之高低落差會導致後續的印刷上色步驟只能印到凸起的部位，對於凹下的部位無法印刷上色，而且陶瓷及磁磚載體表面上的凹凸形狀的位置與印刷上色的位置很容易發生對位誤差，產生錯位問題，導致陶瓷及磁磚產品的美觀受到影響，造成陶瓷及 磁磚的產品良率下降。
本揭示提供具下陷功能的材料，將具下陷功能的材料應用在陶瓷、磁磚及玻璃製品的製造上，不需要使用具有凹凸花樣的模具，即可在陶瓷、磁磚及玻璃製品的表面上產生下陷圖案，使得陶瓷、磁磚及玻璃製品的外觀具有立體凹凸圖案。
在本揭示的一些實施例中，提供形成下陷圖案的方法，此方法包含：提供載體，載體的材料包含陶瓷、磁磚或玻璃；在載體的表面之上施加面釉層；以印花製程在載體的表面之上施加具下陷功能的材料；以及進行燒製步驟，在面釉層中形成下陷圖案，其中下陷圖案對應於具下陷功能的材料所施加的區域。
在本揭示的一些實施例中，提供具下陷功能的材料，包含：對面釉層具下陷功能的粉體，此具下陷功能粉體的熔點低於面釉層的軟化點，且具下陷功能的粉體係選自於由BiVO4、Bi2Te3及GaSb所組成的群組。
在一些實施例中，具下陷功能的材料係選自於由BiVO4、Bi2Te3、GaSb、鉛(Pb)及鉈(Tl)所組成的群組。
在本揭示的一些實施例中，還提供具下陷功能材料的製造方法，此方法包含：提供複數種金屬氧化物，這些金屬氧化物的熔點低於面釉材料的軟化點，並且這些金屬氧化物係選自於由Sb2O3、Bi2O3、V2O5及TeO2所組成的群組；以及將這些金屬氧化物混合，經過鍛燒和研磨製程，得到具 下陷功能的粉體。
在本揭示的一些實施例中，提供具有下陷圖案的製品，包含：載體，載體的材料包含陶瓷、磁磚或玻璃；面釉層覆蓋於載體的表面上，此面釉層中具有下陷圖案；以及具下陷功能的材料，對應於下陷圖案的區域，且位於面釉層中。
10‧‧‧陶瓷、磁磚或玻璃載體
12‧‧‧面釉層
14‧‧‧具下陷功能材料
16‧‧‧燒製步驟
18‧‧‧下陷圖案
20‧‧‧陶瓷、磁磚或玻璃製品
22‧‧‧化粧釉層
為了讓本揭示之目的、特徵、及優點能更明顯易懂，以下配合所附圖式作詳細說明如下：第1A-1D圖顯示依據本揭示的一些實施例，在陶瓷、磁磚及玻璃製品的表面上形成下陷圖案的方法之各製造階段的局部剖面示意圖。
第2A-2D圖顯示依據本揭示的另一些實施例，在陶瓷、磁磚及玻璃製品的表面上形成下陷圖案的方法之各製造階段的局部剖面示意圖。
第3A-3D圖顯示依據本揭示的一些其他實施例，在陶瓷、磁磚及玻璃製品的表面上形成下陷圖案的方法之各製造階段的局部剖面示意圖。
第4A-4D圖顯示依據本揭示的另一些其他實施例，在陶瓷、磁磚及玻璃製品的表面上形成下陷圖案的方法之各製造階段的局部剖面示意圖。
本揭示提供的具下陷功能材料可應用在具有面釉層的陶瓷、磁磚及玻璃製品上，此具下陷功能材料的熔點低於面釉層的軟化點，在陶瓷、磁磚及玻璃的載體表面上施加面釉層以及具下陷功能的材料，經過燒製步驟後，具下陷功能材料施加的區域會在面釉層中形成下陷圖案，因此，依據本揭示的實施例，不需要使用具有凹凸花樣的模具，就可以在陶瓷、磁磚及玻璃製品上產生立體凹凸圖案。
具下陷功能的材料主要為具下陷功能粉體，此具下陷功能粉體的熔點低於面釉層的軟化點，在本揭示的一些實施例中，具下陷功能粉體可以選自於由BiVO4、Bi2Te3、GaSb、鉛(Pb)、鉈(Tl)及其他低熔點材料所組成的群組，而面釉層的材料通常包含SiO2及Al2O3，以各種重量百分比混合而成，面釉層的材料也可稱為玻璃質材料，面釉層的軟化點通常約為600℃~1000℃，此溫度為熱膨脹係數儀所測得，而具下陷功能粉體的熔點則約為450℃~700℃。
在一些實施例中，具下陷功能的粉體可以與輔助添加劑一起混合使用，輔助添加劑的作用在於施加具下陷功能材料的印花製程中，幫助具下陷功能材料均勻地施加在陶瓷、磁磚及玻璃載體的表面或釉面上，可依據各種印花製程選用適當的輔助添加劑，輔助添加劑例如為：印油、乙二醇(ethylene glycol；EG)、聚乙二醇(polyethylene glycol；PEG)、水等等，只要能將下陷功能粉體順利藉由印花製程設備均勻地施加在陶瓷、磁磚及玻璃載體的表面或釉面上即可。在一 些實施例中，具下陷功能粉體的重量百分比可約為5%~75%，而輔助添加劑的重量百分比可約為25%~95%。
在其他實施例中，具下陷功能的粉體也可以應用於水性墨水及溶劑型墨水中，可將具下陷功能的粉體與前述墨水混合，以噴墨方式施加於陶瓷、磁磚及玻璃載體的表面或釉面上。在一些實施例中，具下陷功能粉體的重量百分比可約為10%~50%，而墨水的重量百分比可約為50%~90%。
第1A-1D圖顯示依據本揭示的一些實施例，在陶瓷、磁磚及玻璃製品品的表面上形成下陷圖案的方法之各製造階段的局部剖面示意圖。參閱第1A圖，提供陶瓷、磁磚或玻璃載體10，此陶瓷、磁磚或玻璃載體10的表面可以是不具有任何凹凸圖案的平坦表面。在陶瓷、磁磚或玻璃載體10的平坦表面上塗佈面釉層12，在一些實施例中，面釉層12的厚度範圍可約為0.3mm~3mm之間。
參閱第1B圖，以印花製程在面釉層12上施加具下陷功能的材料14，在面釉層12上形成具下陷功能材料14的圖案，印花製程可以採用網版印刷、滾筒印刷、數位噴墨印刷、人工塗佈或使用轉寫紙的方式進行，在一些實施例中，具下陷功能材料14的厚度範圍可約為0.01mm~0.3mm之間。
參閱第1C圖，對表面上具有面釉層12和具下陷功能材料14之圖案的陶瓷、磁磚或玻璃載體10進行燒製步驟16，在一些實施例中，燒製步驟16的溫度範圍可以在約600℃至1300℃之間。
參閱第1D圖，經過燒製步驟16後，在面釉層 12中形成下陷圖案18，得到表面具有立體凹凸圖案的陶瓷、磁磚或玻璃製品20，其中下陷圖案18的位置係對應於具下陷功能材料14所施加的區域，亦即如第1B圖中所示之具下陷功能材料14的圖案。如第1D圖所示，在具有下陷圖案18的陶瓷、磁磚或玻璃製品20中，面釉層12對應於下陷圖案18的那些部分含有具下陷功能材料14在其中。在此實施例中，具下陷功能材料14靠近面釉層12的頂部表面。
在本揭示的一些實施例中，於第1B圖所示之形成具下陷功能材料14的圖案之前，還可以在面釉層12上額外施加另一有顏色的釉料(在第1B圖中未繪出)，視圖案效果之需求，此有顏色的釉料可以與面釉層12的顏色相同或不同，另外，此有顏色的釉料之圖案可以與陶瓷、磁磚或玻璃製品20表面上之凹凸圖案相同或不同，並且此有顏色的釉料可以與面釉層的材料相同或不同，在此所使用的有顏色釉料之膨脹係數(coefficient of expansion；簡稱C.O.E)及軟化點(softening point；簡稱S.P)與面釉層接近，藉此可以增加陶瓷、磁磚或玻璃製品20表面上之凹凸圖案的效果。可使用印花製程將此額外增加的有顏色之釉料施加在具下陷功能材料14的圖案以外的區域上，或者施加在與具下陷功能材料14的圖案一致的區域上。
在本揭示的另一些實施例中，於第1B圖所示之具下陷功能材料14的圖案形成之後，還可以使用印花製程在面釉層12上或者具下陷功能材料14的圖案上，額外施加另一有顏色的釉料(在第1B圖中未繪出)，視圖案效果之需求， 此有顏色的釉料與面釉層12的顏色可以相同或不同，另外，此有顏色的釉料之圖案可以與陶瓷或磁磚產品20表面上之凹凸圖案相同或不同，並且此有顏色的釉料可以與面釉層的材料相同或不同，在此所使用的有顏色釉料之膨脹係數及軟化點與面釉層接近，藉此增加陶瓷、磁磚或玻璃製品20表面上之凹凸圖案的效果。
第2A-2D圖顯示依據本揭示的另一些實施例，在陶瓷、磁磚及玻璃製品的表面上形成下陷圖案的方法之各製造階段的局部剖面示意圖。參閱第2A圖，提供陶瓷、磁磚或玻璃載體10，此載體10的表面可以是不具有任何凹凸圖案的平坦表面。以印花製程在載體10的平坦表面上施加具下陷功能的材料14，形成具下陷功能材料14的圖案，印花製程可以採用網版印刷、滾筒印刷、數位噴墨印刷、人工塗佈或使用轉寫紙的方式進行，在一些實施例中，具下陷功能材料14的厚度範圍可約為0.01mm~0.3mm之間。
參閱第2B圖，在載體10的平坦表面上塗佈面釉層12，並且面釉層12覆蓋了具下陷功能材料14的圖案。在一些實施例中，面釉層12的厚度範圍可約為0.3mm~3mm之間。
參閱第2C圖，對表面上有面釉層12和具下陷功能材料14之圖案的載體10進行燒製步驟16，在一些實施例中，燒製步驟16的溫度範圍可以在約600℃至1300℃之間。
參閱第2D圖，經過燒製步驟16後，在面釉層12中形成下陷圖案18，得到表面具有立體凹凸圖案的陶瓷、 磁磚或玻璃製品20，其中下陷圖案18的位置係對應於具下陷功能材料14所施加的區域，亦即如第2A圖中所示之具下陷功能材料14的圖案。如第2D圖所示，在具有下陷圖案18的陶瓷、磁磚或玻璃製品20中，面釉層12對應於下陷圖案18的那些部分含有具下陷功能材料14在其中。在此實施例中，具下陷功能材料14靠近面釉層12的底部表面。
在本揭示的一些實施例中，於第2A圖所示之在載體10的平坦表面上形成具下陷功能材料14的圖案之前，還可以在載體10的平坦表面上額外施加另一有顏色的釉料(在第2A圖中未繪出)，視圖案效果之需求，此有顏色的釉料可以與後續形成的面釉層12的顏色相同或不同，此有顏色的釉料之圖案可以與陶瓷、磁磚或玻璃製品20表面上之凹凸圖案相同或不同，並且此有顏色的釉料可以與面釉層的材料相同或不同，在此所使用的有顏色釉料之膨脹係數及軟化點與面釉層接近，藉此可以增加陶瓷、磁磚或玻璃製品20表面上之凹凸圖案的效果。可使用印花製程將此額外增加的有顏色之釉料施加在具下陷功能材料14的圖案以外的區域上，或者施加在與具下陷功能材料14的圖案一致的區域上。
在本揭示的另一些實施例中，於第2A圖所示之具下陷功能材料14的圖案形成之後，還可以使用印花製程在載體10暴露出來的表面上或是具下陷功能材料14的圖案上，額外施加另一有顏色的釉料(在第2A圖中未繪出)，視圖案效果之需求，此有顏色的釉料可以與後續形成的面釉層12的顏色相同或不同，此有顏色的釉料之圖案可以與陶瓷、磁 磚或玻璃製品20表面上之凹凸圖案相同或不同，並且此有顏色的釉料可以與面釉層的材料相同或不同，在此所使用的有顏色釉料之膨脹係數及軟化點與面釉層接近，藉此增加陶瓷、磁磚或玻璃製品20表面上凹凸圖案的效果。
參閱第3A-3D圖，在本揭示的一些其他實施例中，如第3A圖所示，於載體10的表面上塗佈面釉層12之前，還可以先在載體10的表面上塗佈化粧釉層22，接著在化粧釉層22上塗佈面釉層12，使得載體10的表面與面釉層12之間具有化粧釉層22。然後，參閱第3B至3D圖的製程步驟，以印花製程在面釉層12上施加具下陷功能的材料14，在面釉層12上形成具下陷功能材料14的圖案，經過燒製步驟16後，在面釉層12中形成下陷圖案18，得到表面具有立體凹凸圖案的陶瓷、磁磚或玻璃製品。
另外，參閱第4A-4D圖，在本揭示的另一些其他實施例中，如第4A圖所示，於載體10的表面上先塗佈化粧釉層22，接著在化粧釉層22上以印花製程施加具下陷功能的材料14，形成具下陷功能材料14的圖案。然後，參閱第4B至4D圖的製程步驟，在化粧釉層22和具下陷功能材料14的圖案上塗佈面釉層12，面釉層12覆蓋了具下陷功能材料14的圖案和化粧釉層22，經過燒製步驟16後，在面釉層12中形成下陷圖案18，得到表面具有立體凹凸圖案的陶瓷、磁磚或玻璃製品。
依據本揭示的一些實施例，陶瓷、磁磚或玻璃製品20表面的下陷圖案18之寬度和深度可以藉由具下陷功能 材料14的圖案設計來控制，當具下陷功能材料14的圖案線條越粗時，陶瓷、磁磚或玻璃製品20表面的下陷圖案18的寬度越寬且深度越深；反之，當具下陷功能材料14的圖案線條越細時，陶瓷、磁磚或玻璃製品20表面的下陷圖案18的寬度越細且深度越淺。此外，當具下陷功能材料14的用量越多時，陶瓷、磁磚或玻璃製品20表面的下陷圖案18的深度也越深；反之，當具下陷功能材料14的用量越少時，則陶瓷、磁磚或玻璃製品20表面的下陷圖案18的深度越淺。
因此，依據本揭示的實施例，藉由具下陷功能材料的圖案設計以及具下陷功能材料的用量調整，就可以控制陶瓷、磁磚或玻璃製品表面的下陷圖案的寬度和深度，如此可以輕易且快速地改變陶瓷、磁磚或玻璃製品表面的下陷圖案。
本揭示之具下陷功能材料可由複數種低熔點、單獨使用具有毒性的金屬氧化物原料製備而成，這些金屬氧化物的熔點低於面釉材料的軟化點，面釉材料為一種矽酸鹽玻璃，由玻璃網絡形成劑(包含SiO2、B2O3、P2O3、As2O3或GeO2)、中間離子和變性劑三大要素構成的混合物，在一些實施例中，這些金屬氧化物原料包含Sb2O3、Bi2O3、V2O5以及TeO2，可選用兩種或兩種以上的金屬氧化物加以混合、鍛燒，並經過研磨、水洗、乾燥及粉碎後，得到具下陷功能的粉體。在一些實施例中，經由上述製備方法所得到的具下陷功能粉體包含BiVO4、Bi2Te3、GaSb或前述的組合。在一些其他實施例中，本揭示之具下陷功能材料還可選自於由BiVO4、 Bi2Te3、GaSb、鉛(Pb)、鉈(Tl)及其他低溫材料所組成的群組。
上述金屬氧化物原料的混合步驟可使用乾式或濕式混合方式進行，若採用濕式混合，則在混合完成之後需經過乾燥及粉碎後，才進行下一道鍛燒步驟。在一些實施例中，鍛燒步驟的溫度範圍可以在約200℃至1100℃之間。另外，研磨步驟也可以採用乾式或濕式研磨方式進行。
此外，在一些實施例中，於多種金屬氧化物原料的混合步驟中，還可以添加礦化劑與這些金屬氧化物原料混合，礦化劑可以是H3BO3，在混合物中礦化劑所佔的重量百分比可以約為0%~10%。
在一些實施例中，使用重量百分比為40%~95%的Bi2O3和重量百分比為5%~50%的V2O5作為金屬氧化物原料，將這些金屬氧化物與重量百分比為0%~10%的礦化劑H3BO3混合，經過鍛燒、研磨、水洗、乾燥及粉碎後，可以得到具下陷功能的粉體成品BiVO4。
依據本揭示的一些實施例所製成的具下陷功能材料具有低熔點特性，其熔點低於面釉材料的軟化點。此外，依據本揭示的一些實施例，可以將單獨使用具有毒性的金屬氧化物原料經由上述製備方法製成具下陷功能的材料，並且這些具下陷功能的材料為無毒或低危害的物質，當本揭示之具下陷功能材料應用在陶瓷、磁磚及玻璃製品時，對於人體及環境不會造成危害。
綜上所述，本揭示之實施例不需在陶瓷、磁磚或玻璃的載體成型階段使用具有凹凸花樣的模具，在陶瓷、磁 磚或玻璃載體的平坦表面上施加面釉層之前或之後，以印花製程施加具下陷功能的材料，就可以在陶瓷、磁磚及玻璃製品上產生立體凹凸圖案，並且本揭示之實施例不會出現下陷圖案的位置與印刷圖案的位置對位不良的問題，因此可提升陶瓷、磁磚及玻璃製品的生產良率。此外，本揭示之具下陷功能材料可以應用在各種印花設備上，輕易且快速地製造出具有下陷圖案的陶瓷、磁磚及玻璃製品。
雖然本發明已揭露較佳實施例如上，然其並非用以限定本發明，在此技術領域中具有通常知識者當可瞭解，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
10‧‧‧陶瓷、磁磚或玻璃載體
12‧‧‧面釉層
14‧‧‧具下陷功能材料
18‧‧‧下陷圖案
20‧‧‧陶瓷、磁磚或玻璃製品

Claims (32)

  1. 一種形成下陷圖案的方法，包括：提供一載體，該載體的材料包含陶瓷、磁磚或玻璃；在該載體的一表面之上施加一面釉層；以一印花製程在該載體的該表面之上施加一具下陷功能材料；以及進行一燒製步驟，在該面釉層中形成一下陷圖案，其中該下陷圖案對應於該具下陷功能材料施加的區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之形成下陷圖案的方法，其中施加該面釉層的步驟在施加該具下陷功能材料的步驟之前。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之形成下陷圖案的方法，在施加該面釉層的步驟之前，更包括在該載體的該表面上施加一化粧釉層。
  4. 如申請專利範圍第2或3項所述之形成下陷圖案的方法，其中在施加該面釉層的步驟之後，以及在施加該具下陷功能材料的步驟之前，更包括在該面釉層上施加一有顏色的釉料，且該有顏色的釉料與該面釉層的顏色不同。
  5. 如申請專利範圍第2或3項所述之形成下陷圖案的方法，其中在施加該面釉層的步驟之後，以及在施加該具下陷功能材料的步驟之前，更包括在該面釉層上施加一有顏色的釉料，且該有顏色的釉料與該面釉層的顏色相同。
  6. 如申請專利範圍第2或3項所述之形成下陷圖案的方法，其中在施加該具下陷功能材料的步驟之後，更包括在該具下陷功能材料上施加一有顏色的釉料，且該有顏色的釉料與該面釉層的顏色不同。
  7. 如申請專利範圍第2或3項所述之形成下陷圖案的方法，其中在施加該具下陷功能材料的步驟之後，更包括在該具下陷功能材料上施加一有顏色的釉料，且該有顏色的釉料與該面釉層的顏色相同。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之形成下陷圖案的方法，其中施加該面釉層的步驟在施加該具下陷功能材料的步驟之後。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之形成下陷圖案的方法，在施加該具下陷功能材料的步驟之前，更包括在該陶瓷或磁磚載體的該表面上施加一化粧釉層。
  10. 如申請專利範圍第8或9項所述之形成下陷圖案的方法，其中在施加該具下陷功能材料的步驟之前，更包括在該載體的該表面上施加一有顏色的釉料，且該有顏色的釉料與該面釉層的顏色相同。
  11. 如申請專利範圍第8或9項所述之形成下陷圖案的方法，其中在施加該具下陷功能材料的步驟之前，更包括在該載體的該表面上施加一有顏色的釉料，且該有顏色的釉料與該面釉層的顏色不同。
  12. 如申請專利範圍第8或9項所述之形成下陷圖案的方法，其中在施加該具下陷功能材料的步驟之後，以及在施加該面釉層的步驟之前，更包括在該具下陷功能材料上施加一有顏色的釉料，且該有顏色的釉料與該面釉層的顏色不同。
  13. 如申請專利範圍第8或9項所述之形成下陷圖案的方法，其中在施加該具下陷功能材料的步驟之後，以及在施加該面釉層的步驟之前，更包括在該具下陷功能材料上施加一有顏色的釉料，且該有顏色的釉料與該面釉層的顏色相同。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之形成下陷圖案的方法，其中該具下陷功能材料包括一具下陷功能粉體以及一輔助添加劑，且該具下陷功能粉體的熔點低於該面釉層的軟化點。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之形成下陷圖案的方法，其中該具下陷功能粉體係選自於由BiVO4、Bi2Te3、GaSb、鉛(Pb)及鉈(Tl)所組成的群組。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之形成下陷圖案的方法，其中該印花製程包括網版印刷、滾筒印刷、數位噴墨印刷、人工塗佈或使用轉寫紙。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之形成下陷圖案的方法，其中該面釉層的厚度範圍在0.3mm~3mm之間，且該具下陷功 能材料的厚度範圍在0.01mm~0.3mm之間。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之形成下陷圖案的方法，其中該面釉層的材料為矽酸鹽玻璃，該矽酸鹽玻璃是一由一玻璃網絡形成劑、一中間離子和一變性劑所組成的混合物。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之形成下陷圖案的方法，其中該玻璃網絡形成劑包括SiO2、B2O3、P2O3、As2O3或GeO2。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之形成下陷圖案的方法，其中該燒製步驟的溫度範圍在600℃至1300℃之間。
  21. 一種具下陷功能的材料，包括：一對於一面釉層具下陷功能的粉體，該具下陷功能的粉體的熔點低於該面釉層的軟化點，且該具下陷功能的粉體係選自於由BiVO4、Bi2Te3、GaSb、鉛(Pb)及鉈(Tl)所組成的群組。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之具下陷功能的材料，更包括一輔助添加劑，其中該具下陷功能粉體的重量百分比為5%~75%，且該輔助添加劑的重量百分比為25%~95%。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之具下陷功能的材料，其中該輔助添加劑包括印油、乙二醇(ethylene glycol；EG)、聚乙二醇(polyethylene glycol；PEG)或水。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之具下陷功能的材料，更包括一水性墨水或一溶劑型墨水，與該具下陷功能的粉體混合。
  25. 一種具下陷功能材料的製造方法，包括：提供複數種金屬氧化物，該些金屬氧化物的熔點低於一面釉層材料的軟化點，且該些金屬氧化物係選自於由Sb2O3、Bi2O3、V2O5及TeO2所組成的群組；以及將該些金屬氧化物混合，經過鍛燒和研磨製程，得到一具下陷功能粉體。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之具下陷功能材料的製造方法，其中該具下陷功能粉體包括BiVO4、Bi2Te3或GaSb，且該具下陷功能粉體的熔點低於該面釉層材料的軟化點。
  27. 如申請專利範圍第25項所述之具下陷功能材料的製造方法，更包括提供鉛(Pb)及鉈(Tl)與該具下陷功能粉體混合。
  28. 如申請專利範圍第25項所述之具下陷功能材料的製造方法，更包括提供一礦化劑與該些金屬氧化物混合，其中該礦化劑包括H3BO3，且該礦化劑與該些金屬氧化物混合的重量百分比為0%至10%之間。
  29. 如申請專利範圍第27項所述之具下陷功能材料的製造方法，其中該些金屬氧化物包括重量百分比為40%~95%的Bi2O3以及重量百分比為5%~50%的V2O5。
  30. 如申請專利範圍第25項所述之具下陷功能材料的製造方法，其中該些金屬氧化物的鍛燒製程的溫度範圍在200℃至1100℃之間。
  31. 一種具有下陷圖案的製品，包括： 一載體，該載體的材料包含陶瓷、磁磚或玻璃；一面釉層，覆蓋於該載體的一表面上，該面釉層具有一下陷圖案；以及一具下陷功能材料，對應於該下陷圖案的區域，且位於該面釉層中。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之具有下陷圖案的物品，其中該具下陷功能材料的熔點低於該面釉層的軟化點，且該具下陷功能材料係選自於由BiVO4、Bi2Te3、GaSb、鉛(Pb)及鉈(Tl)所組成的群組。
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