CN105514246B - Led用电子封装圆片的热校平方法 - Google Patents

Led用电子封装圆片的热校平方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105514246B
CN105514246B CN201410498813.8A CN201410498813A CN105514246B CN 105514246 B CN105514246 B CN 105514246B CN 201410498813 A CN201410498813 A CN 201410498813A CN 105514246 B CN105514246 B CN 105514246B
Authority
CN
China
Prior art keywords
led
electronic packaging
disk
heating furnace
smoothing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410498813.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105514246A (zh
Inventor
代海
朱玉斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Shanghai for Science and Technology
Original Assignee
University of Shanghai for Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Shanghai for Science and Technology filed Critical University of Shanghai for Science and Technology
Priority to CN201410498813.8A priority Critical patent/CN105514246B/zh
Publication of CN105514246A publication Critical patent/CN105514246A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105514246B publication Critical patent/CN105514246B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供了一种LED用电子封装圆片的热校平方法，包括：第一步骤，将多片LED用电子封装圆片对其整齐地摆放在加热炉的校平模具板之间；第二步骤，在校平模具板的最上面放置配重块；第三步骤，设置加热炉的校平温度和保温时间，并且启动加热炉以便对所述多片LED用电子封装圆片进行热校平处理；第四步骤，使得所述多片LED用电子封装圆片在加热炉中冷却，随后取出冷却后的所述多片LED用电子封装圆片。其中在第三步骤中，热校平处理时，校平温度介于700～1500℃之间，升温速度为5～15°/min，保温时间为1～7小时，气氛为纯氢气。

Description

LED用电子封装圆片的热校平方法
技术领域
本发明涉及LED(Light Emitting Diode，发光二极管)制造领域，更具体地说，本发明涉及一种LED用电子封装圆片的热校平方法。
背景技术
LED灯芯片中的半导体层可将电流转化为光，半导体层由电子区(即N型掺杂区)和空穴区(即P型掺杂区)组成，电流通过半导体层，电子与空穴结合，以光子形式发出光。剩余能量以热辐射形式释放，温度可达85℃或更高。现有LED的基片衬底由于是蓝宝石或硅片组成，衬底的散热问题是LED灯寿命较小的最大因素。而且，随着对亮度的要求不断提高，对散热的需求会越来越大。
钼铜、钨铜、纯钼具有良好的高温性能和低膨胀系数，同以蓝宝石、硅片为代表的基板具有相同或相近的热膨胀系数，从而此材料作为基板的理想替代材料或理想补充材料。作为电子封装及热沉材料，对于材料的质量和性能具有更高的要求，不仅要求高的纯度和组织均匀、高的导电导热性和严格控制的热膨胀系数，还要求其具有良好的表面以及较低的平面度。
LED用电子封装圆片在使用时要进行切割划片，如果产品平面度不好，势必会影响最终芯片的尺寸。因此为了保证最终产品具有良好的平面度，必须进行校平。
校平工艺有机械校平和热校平。当金属变形抗力相当大，难以达到很高的平面度时，常常使用模具进行热校平。热校平的原理是将材料加热到金属再结晶温度以下某个适当的温度，这时由于材料变形抗力随温度升高而急剧下降，通过施加很小的外力，就能使板材内部的各层纤维组织趋于一致，达到校平的目的。同时，由于材料的组织没有发生转变，所以材料的机械性能没有显著降低。采用热校平工艺，具有质量稳定的优点，适合于大批量生产。
采用热校平工艺时，必须注意两个要点：一是合理的校平模具，模具材料屈服极限应高于板件热校平的抗力；二是热校平温度，热校平温度是金属再结晶温度以下的某一温度。但是，现有技术中压力加工后的LED用电子封装圆片平面度并不好。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的压力加工后的LED用电子封装圆片平面度不好的问题，提出了一种热校平方法。通过这种方法使得最终LED用圆片具有良好的平面度，而且环保无害，具有很高的生产效率。
为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种LED用电子封装圆片的热校平方法，包括：第一步骤，将多片LED用电子封装圆片对其整齐地摆放在加热炉的校平模具板之间；第二步骤，在校平模具板的最上面放置配重块；第三步骤，设置加热炉的校平温度和保温时间，并且启动加热炉以便对所述多片LED用电子封装圆片进行热校平处理；第四步骤，使得所述多片LED用电子封装圆片在加热炉中冷却，随后取出冷却后的所述多片LED用电子封装圆片。
优选地，在第三步骤中，热校平处理时，校平温度介于700～1500℃之间，升温速度为5～15°/min，保温时间为1～7小时。
优选地，第三步骤中，热校平处理时，校平温度为780℃，升温速度为10°/min，保温时间为2小时。
优选地，第三步骤中，热校平处理时的气氛为纯氢、氩气、真空。
优选地，所述校平模具的尺寸大于LED用电子封装圆片的尺寸。
优选地，所述校平模具是TZM合金板、氧化锆板、氧化铝板、碳化硅板和/或氮化硅板。
优选地，每个LED用电子封装圆片的厚度为0.04～0.5mm。
优选地，所述LED用电子封装圆片的尺寸为2寸、4寸、6寸和8寸。
优选地，所述LED用电子封装圆片的材质包括任意配比的钼铜合金、任意配比的钨铜合金或纯钼。
通过采用本发明的热校平处理的校平温度、升温速度和保温时间，可以最佳地消除产品的内应力、位错和空穴等缺陷，而且还能加速原子扩散、均匀组织和促进亚组织转变，能够改善产品的各项异性。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的LED用电子封装圆片的热校平方法的流程图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的LED用电子封装圆片的热校平方法的流程图。
具体地说，如图1所示，根据本发明优选实施例的LED用电子封装圆片的热校平方法包括：
第一步骤S1，将多片LED用电子封装圆片对其整齐地摆放在加热炉的校平模具板之间。
优选地，所采用的校平模具为TZM(钼钛锆合金)板，所采用的校平模具的尺寸大于LED用电子封装圆片的尺寸。例如，校平模具的规格为5*230*320mm。实际上，所述校平模具可以为诸如TZM合金板、氧化锆板、氧化铝板、碳化硅板和/或氮化硅板之类的较为平整透气性好的材料形成的板。
优选地，所述LED用电子封装圆片的材质包括任意配比的钼铜合金、任意配比的钨铜合金或纯钼。
第二步骤S2，在校平模具板的最上面放置配重块。
例如，可以在第一步骤S1中将厚度为例如0.02～0.5mm的85钼铜(和/或钨铜和/或纯钼)的6寸圆片共50片一叠放置在TZM板上，一共放置6层，随后将它们放置在加热炉中；在第二步骤S2中在最上面的校平模具板上面附上50公斤配重块。
第三步骤S3，设置加热炉的校平温度和保温时间(即，温度上升到校平温度之后将温度保持为校平温度的时间)，并且启动加热炉以便对所述多片LED用电子封装圆片进行热校平处理。
优选地，在第三步骤S3中，热校平处理时，校平温度介于700～1500℃之间，升温速度为5～15°/min，保温时间为1～7小时，气氛为纯氢气。进一步优选地，第三步骤S3中，热校平处理时，校平温度为780℃，升温速度为10°/min，保温时间为2小时，气氛为纯氢气。
第四步骤S4，使得所述多片LED用电子封装圆片在加热炉中冷却，随后取出冷却后的所述多片LED用电子封装圆片。
在进行热校平时，要选择适当的校平温度和时间。发明人有利地发现，在适当的温度下校平，能够有效地消除产品的内应力、位错和空穴等缺陷，而且还能加速原子扩散、均匀组织和促进亚组织转变，能够改善产品的各项异性。校平温度太高，金属会发生再结晶，晶粒会相互吞并长大，导致晶界杂志重新密集，机械性能严重恶化。因此，最佳的退火温度范围是金属的开始再结晶温度，在这个温度范围内退火的金属，其组织状态和加工性能最好。校平模具也很重要，其必须具有耐高温和较低的线膨胀系数及较好的透气性。通过采用本发明的热校平处理的校平温度、升温速度和保温时间，可以最佳地实现上述效果，即能够有效地消除产品的内应力、位错和空穴等缺陷，而且还能加速原子扩散、均匀组织和促进亚组织转变，能够改善产品的各项异性。
实施例1
将厚度为0.1mm的6寸85MoCu产品进行热校平处理。设备为加热炉，校平模具为TZM板，每层校平模具之间的装料量为50片，校平温度为780°，保温时间为2h，配重块质量为50kg，气氛为纯氢气。校平后平面度可以达到0.5mm以下。
实施例2
将厚度为0.1mm的6寸纯Mo产品进行热校平处理。设备为加热炉，校平模具为TZM板，每层校平模具之间的装料量为100片，校平温度为950°，保温时间为2h，配重块质量为50kg，气氛为纯氢气。校平后平面度可以达到0.4mm以下。
实施例3
将厚度为0.095mm的2寸纯Mo产品进行热校平处理。设备为加热炉，校平模具为氧化锆板，每层校平模具之间的装料量为10片，校平温度为950°，保温时间为2h，配重块质量为50kg，气氛为纯氢气。校平后平面度可以达到0.05mm以下。
实施例4
将厚度为0.2mm的4寸纯85钨铜产品进行热校平处理。设备为加热炉，校平模具为碳化硅板，每层校平模具之间的装料量为20片，校平温度为850°，保温时间为2h，配重块质量为50kg，气氛为纯氢气。校平后平面度可以达到0.1mm以下。
由此，本发明提供了LED用电子封装圆片的一种热校平方法，有效的改善了压力加工后材料变形的问题，能处理2寸、4寸、6寸和8寸LED用电子封装的热校平问题。该方法对于设备要求低、生产效率高、能耗低和环保，适于大批量生产。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (8)

1.一种LED用电子封装圆片的热校平方法，其特征在于包括：
第一步骤，将多片LED用电子封装圆片整齐地摆放在加热炉的校平模具板之间；
第二步骤，在校平模具板的最上面放置配重块；
第三步骤，设置加热炉的校平温度和保温时间，并且启动加热炉以便对所述多片LED用电子封装圆片进行热校平处理，校平温度介于700～1500℃之间，升温速度为5～15°/min，保温时间为1～7小时；
第四步骤，使得所述多片LED用电子封装圆片在加热炉中冷却，随后取出冷却后的所述多片LED用电子封装圆片。
2.根据权利要求1所述的LED用电子封装圆片的热校平方法，其特征在于，第三步骤中，热校平处理时的气氛为纯氢气为代表的还原性气体、氩气为代表的惰性气体或真空。
3.根据权利要求1所述的LED用电子封装圆片的热校平方法，其特征在于，所述校平模具的尺寸大于LED用电子封装圆片的尺寸。
4.根据权利要求1所述的LED用电子封装圆片的热校平方法，其特征在于，所述校平模具是TZM合金板、氧化锆板、氧化铝板、碳化硅板和/或氮化硅板。
5.根据权利要求1所述的LED用电子封装圆片的热校平方法，其特征在于，每片LED用电子封装圆片的厚度为0.02～0.5mm。
6.根据权利要求1所述的LED用电子封装圆片的热校平方法，其特征在于，所述LED用电子封装圆片的尺寸为2寸、4寸、6寸和8寸或更大规格。
7.根据权利要求1所述的LED用电子封装圆片的热校平方法，其特征在于，所述LED用电子封装圆片的材质包括任意配比的钼铜合金、任意配比的钨铜合金或纯钼。
8.根据权利要求1所述的LED用电子封装圆片的热校平方法，其特征在于，所述加热炉指温度可升至校平温度的气氛保护炉、真空炉、中频感应加热炉或电阻丝加热炉。
CN201410498813.8A 2014-09-25 2014-09-25 Led用电子封装圆片的热校平方法 Active CN105514246B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410498813.8A CN105514246B (zh) 2014-09-25 2014-09-25 Led用电子封装圆片的热校平方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410498813.8A CN105514246B (zh) 2014-09-25 2014-09-25 Led用电子封装圆片的热校平方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105514246A CN105514246A (zh) 2016-04-20
CN105514246B true CN105514246B (zh) 2018-07-06

Family

ID=55722075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410498813.8A Active CN105514246B (zh) 2014-09-25 2014-09-25 Led用电子封装圆片的热校平方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105514246B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105855809B (zh) * 2016-05-31 2018-05-01 潍坊市高品机械制造有限公司 一种齿型盘加工工艺

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1962106A (zh) * 2006-12-15 2007-05-16 西部金属材料股份有限公司 一种高平直度钨板的校平方法
CN101898205A (zh) * 2010-03-11 2010-12-01 常州苏晶电子材料有限公司 利用真空退火校平有应力变形金属板材的方法
CN202595190U (zh) * 2012-05-14 2012-12-12 上海六晶金属科技有限公司 一种用于热处理的校平工具
CN102861788A (zh) * 2012-10-18 2013-01-09 西部钛业有限责任公司 一种大规格钛板材的热校形方法
CN102922225A (zh) * 2012-08-16 2013-02-13 宁夏东方钽业股份有限公司 一种钼靶材的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1962106A (zh) * 2006-12-15 2007-05-16 西部金属材料股份有限公司 一种高平直度钨板的校平方法
CN101898205A (zh) * 2010-03-11 2010-12-01 常州苏晶电子材料有限公司 利用真空退火校平有应力变形金属板材的方法
CN202595190U (zh) * 2012-05-14 2012-12-12 上海六晶金属科技有限公司 一种用于热处理的校平工具
CN102922225A (zh) * 2012-08-16 2013-02-13 宁夏东方钽业股份有限公司 一种钼靶材的制备方法
CN102861788A (zh) * 2012-10-18 2013-01-09 西部钛业有限责任公司 一种大规格钛板材的热校形方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105514246A (zh) 2016-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102097461B (zh) 实质上具有晶格匹配的半导体材料及其制造方法
CN107117802B (zh) 玻璃成型模具和曲面玻璃的制造方法
CN103426724B (zh) 用于调整晶圆翘曲的方法和装置
Bae et al. Graphene-based heat spreader for flexible electronic devices
CN103871837A (zh) 改善晶圆翘曲度的方法
US11147156B2 (en) Composite member, heat radiation member, semiconductor device, and method of manufacturing composite member
CN102569039B (zh) 一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法
CN103350554A (zh) 一种对流气体剪切剥离二维层状材料的方法
CN102527747A (zh) 一种铜钼铜层状复合材料的制备方法
JP2012523111A5 (zh)
JP2012160548A (ja) 絶縁基板とその絶縁基板を有するパワーモジュール
CN105269758A (zh) 半导体封装模具、封装结构及封装方法
CN105514246B (zh) Led用电子封装圆片的热校平方法
JP2006143580A (ja) 接合体及びその製造方法
CN103042762A (zh) 高导热金属基板
CN202271584U (zh) 高导热金属基板
CN106313865B (zh) 一种铜基复合基板、覆铜板及其制备方法
TWI377331B (en) Manufacturing apparatus and manufacturing method for carbon nanotube heat sink
CN202003978U (zh) 具金刚石导热厚膜的发热组件导热基座结构
CN109565906B (zh) SiC加热器
EP3340319B1 (en) Equipment system using thermoplastic resin photoconverter to bond-package led by rolling
CN102142387B (zh) 用于半导体热处理设备的立式晶舟
CN106987215A (zh) 导热均匀型石墨贴片
CN102569163A (zh) 一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI晶圆的制作方法
CN203232859U (zh) 蓝宝石衬底贴蜡装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Thermal square calibration of electronic packaging wafer for LED

Effective date of registration: 20210406

Granted publication date: 20180706

Pledgee: The Bank of Shanghai branch Caohejing Limited by Share Ltd.

Pledgor: Shanghai Six Crystal Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2021310000025

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20221010

Granted publication date: 20180706

Pledgee: The Bank of Shanghai branch Caohejing Limited by Share Ltd.

Pledgor: Shanghai Six Crystal Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2021310000025

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right