CN105514227A - 一种使用红光荧光粉的高色域白光led实现方法 - Google Patents
一种使用红光荧光粉的高色域白光led实现方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105514227A CN105514227A CN201610049159.1A CN201610049159A CN105514227A CN 105514227 A CN105514227 A CN 105514227A CN 201610049159 A CN201610049159 A CN 201610049159A CN 105514227 A CN105514227 A CN 105514227A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fluorescent powder
- packaging plastic
- red light
- chip
- light fluorescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 92
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 64
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 63
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 60
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 59
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 58
- HIZCTWCPHWUPFU-UHFFFAOYSA-N Glycerol tribenzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OCC(OC(=O)C=1C=CC=CC=1)COC(=O)C1=CC=CC=C1 HIZCTWCPHWUPFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 16
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 8
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 7
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 7
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 claims description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 abstract 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7706—Aluminates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:1)根据芯片发射波长,称量不同荧光粉并加入混合封装胶中,所述芯片为紫外芯片或蓝光芯片;2)将步骤1)得到的混合物搅拌均匀后,滴入设置有芯片的LED支架杯壳内;3)固化封装胶,即得到白光LED灯珠。本发明所采用的红色荧光粉为MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉,其色纯度高,可显著提高LED背光灯珠的色域值至82%以上,将此高色域白光LED用于液晶背光,可使显示屏色彩还原度大幅提升。
Description
技术领域
本发明属于白光LED背光技术领域,具体地说涉及一种使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法。
背景技术
进入二十一世纪,背光源发展迅速,不断有新技术、新产品推出,LED背光逐渐进入产业化,有了较大生产规模,与传统的CCFL背光源相比,LED背光具有高色域、高亮度、长寿命、节能环保、实时色彩可控等诸多优点,高色域的LED背光源使应用其的电视、手机、平板电脑等电子产品屏幕具有更加鲜艳的颜色,色彩还原度更高。
为了使显示屏色彩更加完美,颜色程度更丰富、更接近真实世界的颜色,众多研发技术人员致力于寻找提高LED背光显示屏的色域值,所谓色域值,即是显示器的色彩表现范围,该值越大,显示屏显示的颜色越丰富、色彩也就越艳丽,液晶本身不发光,而是靠背光LED灯珠实现发光,液晶显示屏的色域值受LED灯珠影响很大,目前,常见的液晶显示屏色域值一般仅为NTSC72%左右,因此,提高背光LED灯珠的色域值是当前的研究重点,也是提升液晶显示屏幕色彩还原度的最佳选择。
目前,LED实现白光的方式主要包括光转换法、多色组合法和量子阱法,后两种由于成本较高、技术难度大等因素尚未商业化使用;光转换法是利用发光芯片和可被芯片所发光激发的荧光粉组合得到,实现工业化应用的白光LED大部分是蓝光芯片与黄色荧光粉(如YAG:Ce3+)配合得到,然而采用这种方式得到的白光由于缺少红色部分而导致其存在色域值较低,色彩还原度较差,还存在激发效率较低、粒径难以控制的缺点,不利于后期应用。
发明内容
为此,本发明所要解决的技术问题在于现有技术中的白光LED背光源色域值较低、色彩还原度较差,激发效率低、粒径难以控制,从而提出一种使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:
本发明提供一种使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,所述红光荧光粉为MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉。
作为优选,所述M为Li、Na、K、Ag中的至少一种。
作为优选,所述实现方法包括如下步骤:
1)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为发射光波长300-400nm的紫外芯片,按照质量比(1~10):1:(1~15),分别称取MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、绿光荧光粉和蓝光荧光粉,将三种荧光粉加入混合封装胶中,三种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的15-70%;
2)将步骤1)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
3)烘烤所述LED支架使封装胶固化,即得到白光LED灯珠。
作为优选,所述实现方法包括如下步骤:1)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为发射光波长430-470nm的蓝光芯片,按照质量比(1~10):1,分别称取MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、绿光荧光粉,将两种荧光粉加入所述混合封装胶中,两种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的10-65%;
2)将步骤1)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有蓝光芯片的LED支架杯壳内;
3)烘烤所述LED支架使封装胶固化,即得到白光LED灯珠。
作为优选,所述混合封装胶由封装胶A和封装胶B组成,所述封装胶A与所述封装胶B的质量比为1-20:1;所述封装胶A、所述封装胶B均为环氧类封装胶、有机硅类封装胶、聚氨酯封装胶中的一种。
作为优选,所述绿光荧光粉、所述蓝光荧光粉均选自氮化物、氟化物、硅酸盐或铝酸盐中的一种。
作为优选,所述混合封装胶的粘度为600-8000mPa·S,折射率不小于1.3。
作为优选,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的发射光峰值波长为600-620nm,所述绿光荧光粉的发射光峰值波长为510-550nm,所述蓝光荧光粉的发射光峰值波长为420-480nm。
作为优选,所述步骤3)中烘烤的具体工艺为:首先于35-85℃下脱泡烘烤0.5-3h,再升温至120-180℃烘烤1-12h。
作为优选,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的粒径为3-15μm。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
(1)本发明所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,根据不同芯片,将不同光色荧光粉混合后加入混合封装胶中,搅拌均匀后固化即得到白光LED灯珠,所采用的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉激发效率高,可显著提高LED背光灯珠的色域值至82%以上,将此高色域白光LED用于液晶背光,可使显示屏色彩还原度大幅提升。
(2)本发明所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,所用的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉粒径分布均匀,可与封装胶水均匀混合,有利于后续向LED支架中的点胶操作,批量生产中能提高LED灯珠的色区一致性。
(3)本发明所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,所采用的原料易得,对设备要求低,封装工艺简单,节能环保,适于工业化生产。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解,下面根据本发明的具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中
图1是本发明实施例11所述的白光LED实现方法得到的LED灯珠的发射光谱图。
具体实施方式
本发明所述的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉采用如下方法制备:
(1)称取一定量的Al(NO3)3·9H2O颗粒置于高压容器中,高压容器材质为聚四氟乙烯内衬、不锈钢外壳,压力范围为0~10Mpa,按填充比为10%-80%,C2H5O:H2O=0.1-0.6:1的体积比,向高压容器中加入C2H5O和H2O,待Al(NO3)3·9H2O颗粒充分溶解后,形成Al3+浓度为0.2-1.0mol/L的Al(NO3)3溶液;
(2)按照M:Al:Si=1:1:1的摩尔比,称取M2O(或MOH、MNO3等)和SiO2(或Si(OC2H5)4),所述M为Li、Na、K、Ag中的至少一种;按照Pr3+的摩尔浓度为0.2-5mol%(所述摩尔浓度为Pr3+占MAlSiO4基质的摩尔浓度),称取Pr(NO3)3·6H2O粉体,将M2O(或MOH、MNO3等)、SiO2(或Si(OC2H5)4)、Pr(NO3)3·6H2O粉体共同加入步骤(1)的高压容器中;
(3)将步骤(2)的高压容器置于磁力搅拌器上,控制磁力转子转速为240rpm,在50℃下,搅拌并加热30min,使各反应物充分混合;
(4)将步骤(3)中的高压容器置于烘箱中,以5℃/min的升温速度,升温至100-200℃,保温1-6h,再以0.1-0.3℃/min的缓慢降温速度,降温至60℃,然后随炉冷却至室温后取出;
(5)将步骤(4)所得水热产物于60℃下,大气气氛中进行干燥,然后置于研钵中研磨均匀,即得到水热反应物;
(6)将步骤(5)所得水热反应物置于电阻炉内,以5℃/min的升温速度升温至320-380℃保温3-10h,再以2℃/min的升温速度升温至700-1000℃煅烧3-12h,随炉冷却后取出,进行研磨,即得MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉,得到的所述荧光粉粒径为3-15μm。
本发明所采用的绿光荧光粉、蓝光荧光粉均为市售氮化物、氟化物、硅酸盐或铝酸盐荧光粉中的一种。
实施例1
本实施例提供一种使用MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:
1)按照质量比为3:1的比例,称取7.20g封装胶A与2.40g封装胶B,并混合均匀,得到混合封装胶,所述封装胶A、所述封装胶B均为环氧类封装胶,所述混合封装胶的粘度为3000mPa·S,折射率为1.45;
2)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为紫外芯片,发射光峰值为365nm,按照质量比4:1:5,分别称取1.28g峰值波长为600nm的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、0.32g峰值波长为540nm的硅酸盐绿光荧光粉和1.60g峰值波长为458nm的氮化物蓝光荧光粉,将三种荧光粉加入所述混合封装胶中,三种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的25%,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉为AgAlSiO4:0.01Pr3+,其通过前面所述方法制备;
3)将步骤2)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
4)将所述LED支架置于烘箱中于75℃下脱泡烘烤3h,再升温至180℃烘烤2h,使封装胶固化,即得白光LED灯珠。
实施例2
本实施例提供一种使用MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:
1)按照质量比为10:1的比例,称取5.80g封装胶A与0.58g封装胶B,并混合均匀,得到混合封装胶,所述封装胶A、所述封装胶B均为有机硅类封装胶,所述混合封装胶的粘度为3700mPa·S,折射率为1.51;
2)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为紫外芯片,发射光峰值为300nm,按照质量比10:1:4.5,分别称取4.00g峰值波长为610nm的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、0.40g峰值波长为525nm的硅酸盐绿光荧光粉和1.80g峰值波长为472nm的氮化物蓝光荧光粉,将三种荧光粉加入所述混合封装胶中,三种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的49%,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉为Li0.25K0.75AlSiO4:0.002Pr3+,其通过前面所述方法制备;
3)将步骤2)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
4)将所述LED支架置于烘箱中于60℃下脱泡烘烤1h,再升温至155℃烘烤1h,使封装胶固化,即得白光LED灯珠。
实施例3
本实施例提供一种使用MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:
1)按照质量比为2:1的比例,称取5.40g封装胶A与2.70g封装胶B,并混合均匀,得到混合封装胶,所述封装胶A为环氧类封装胶,所述封装胶B为有机硅类封装胶,所述混合封装胶的粘度为6000mPa·S,折射率为1.43;
2)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为紫外芯片,发射光峰值为350nm,按照质量比1:1:2.5,分别称取1.53g峰值波长为620nm的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、1.53g峰值波长为544nm的硅酸盐绿光荧光粉和3.83g峰值波长为480nm的铝酸盐蓝光荧光粉,将三种荧光粉加入所述混合封装胶中,三种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的46%,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉为KAlSiO4:0.035Pr3+,其通过前面所述方法制备;
3)将步骤2)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
4)将所述LED支架置于烘箱中于45℃下脱泡烘烤1.5h,再升温至120℃烘烤12h,使封装胶固化,即得白光LED灯珠。
实施例4
本实施例提供一种使用MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:
1)按照质量比为20:1的比例,称取6.00g封装胶A与0.30g封装胶B,并混合均匀,得到混合封装胶,所述封装胶A、所述封装胶B均为环氧类封装胶,所述混合封装胶的粘度为3500mPa·S,折射率为1.50;
2)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为紫外芯片,发射光峰值为396nm,按照质量比5:1:15,分别称取3.50g峰值波长为615nm的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、0.70g峰值波长为545nm的铝酸盐绿光荧光粉和10.50g峰值波长为420nm的硅酸盐蓝光荧光粉,将三种荧光粉加入所述混合封装胶中,三种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的70%,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉为NaAlSiO4:0.005Pr3+,其通过前面所述方法制备;
3)将步骤2)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
4)将所述LED支架置于烘箱中于35℃下脱泡烘烤2.5h,再升温至140℃烘烤9h,使封装胶固化,即得白光LED灯珠。
实施例5
本实施例提供一种使用MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:
1)按照质量比为6:1的比例,称取4.98g封装胶A与0.83g封装胶B,并混合均匀,得到混合封装胶,所述封装胶A、所述封装胶B均为环氧类封装胶,所述混合封装胶的粘度为5200mPa·S,折射率为1.35;
2)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为紫外芯片,发射光峰值为330nm,按照质量比3:1:4.5,分别称取0.36g峰值波长为605nm的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、0.12g峰值波长为530nm的氮化物绿光荧光粉和0.54g峰值波长为460nm的氮化物蓝光荧光粉,将三种荧光粉加入所述混合封装胶中,三种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的15%,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉为NaAlSiO4:0.05Pr3+,其通过前面所述方法制备;
3)将步骤2)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
4)将所述LED支架置于烘箱中于85℃下脱泡烘烤0.5h,再升温至155℃烘烤4h,使封装胶固化,即得白光LED灯珠。
实施例6
本实施例提供一种使用MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:
1)按照质量比为4:1的比例,称取3.80g封装胶A与0.95g封装胶B,并混合均匀,得到混合封装胶,所述封装胶A、所述封装胶B均为聚氨酯类封装胶,所述混合封装胶的粘度为4500mPa·S,折射率为1.45;
2)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为蓝光芯片,发射光峰值为445nm,按照质量比3:1,分别称取2.18g峰值波长为602nm的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、0.73g峰值波长为534nm的硅酸盐绿光荧光粉,将两种荧光粉加入所述混合封装胶中,两种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的38%,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉为LiAlSiO4:0.02Pr3+,其通过前面所述方法制备;
3)将步骤2)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
4)将所述LED支架置于烘箱中于55℃下脱泡烘烤2h,再升温至160℃烘烤5h,使封装胶固化,即得白光LED灯珠。
实施例7
本实施例提供一种使用MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:
1)按照质量比为12:1的比例,称取4.20g封装胶A与0.35g封装胶B,并混合均匀,得到混合封装胶,所述封装胶A为聚氨酯类封装胶、所述封装胶B为环氧类封装胶,所述混合封装胶的粘度为5500mPa·S,折射率为1.30;
2)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为蓝光芯片,发射光峰值为460nm,按照质量比4.5:1,分别称取0.41g峰值波长为610nm的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、0.09g峰值波长为510nm的氮化物绿光荧光粉,将两种荧光粉加入所述混合封装胶中,两种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的10%,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉为Ag0.2K0.8AlSiO4:0.02Pr3+,其通过前面所述方法制备;
3)将步骤2)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
4)将所述LED支架置于烘箱中于85℃下脱泡烘烤0.5h,再升温至155℃烘烤4h,使封装胶固化,即得白光LED灯珠。
实施例8
本实施例提供一种使用MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:
1)按照质量比为20:1的比例,称取6.00g封装胶A与0.30g封装胶B,并混合均匀,得到混合封装胶,所述封装胶A为有机硅类封装胶、所述封装胶B为聚氨酯类封装胶,所述混合封装胶的粘度为8000mPa·S,折射率为1.50;
2)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为蓝光芯片,发射光峰值为430nm,按照质量比1:1,分别称取3.85g峰值波长为604nm的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、3.85g峰值波长为535nm的铝酸盐绿光荧光粉,将两种荧光粉加入所述混合封装胶中,两种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的55%,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉为LiAlSiO4:0.01Pr3+,其通过前面所述方法制备;
3)将步骤2)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
4)将所述LED支架置于烘箱中于35℃下脱泡烘烤2.5h,再升温至140℃烘烤9h,使封装胶固化,即得白光LED灯珠。
实施例9
本实施例提供一种使用MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:
1)按照质量比为10:1的比例,称取5.80g封装胶A与0.58g封装胶B,并混合均匀,得到混合封装胶,所述封装胶A为有机硅类封装胶、所述封装胶B均聚氨酯类封装胶,所述混合封装胶的粘度为5000mPa·S,折射率为1.50;
2)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为蓝光芯片,发射光峰值为448nm,按照质量比4:1,分别称取3.40g峰值波长为609nm的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、0.85g峰值波长为532nm的氟化物绿光荧光粉,将两种荧光粉加入所述混合封装胶中,两种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的40%,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉为Li0.24K0.76AlSiO4:0.08Pr3+,其通过前面所述方法制备;
3)将步骤2)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
4)将所述LED支架置于烘箱中于46℃下脱泡烘烤2h,再升温至155℃烘烤1h,使封装胶固化,即得白光LED灯珠。
实施例10
本实施例提供一种使用MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:
1)按照质量比为5:1的比例,称取5.50g封装胶A与1.10g封装胶B,并混合均匀,得到混合封装胶,所述封装胶A为有机硅类封装胶、所述封装胶B为环氧类封装胶,所述混合封装胶的粘度为6000mPa·S,折射率为1.42;
2)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为蓝光芯片,发射光峰值为455nm,按照质量比10:1,分别称取4.00g峰值波长为616nm的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、0.40g峰值波长为550nm的硅酸盐绿光荧光粉,将两种荧光粉加入所述混合封装胶中,两种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的40%,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉为NaAlSiO4:0.05Pr3+,其通过前面所述方法制备;
3)将步骤2)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
4)将所述LED支架置于烘箱中于45℃下脱泡烘烤1h,再升温至120℃烘烤12h,使封装胶固化,即得白光LED灯珠。
实施例11
本实施例提供一种使用MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,包括如下步骤:
1)按照质量比为1:1的比例,称取3.20g封装胶A与3.20g封装胶B,并混合均匀,得到混合封装胶,所述封装胶A、所述封装胶B均为聚氨酯类封装胶,所述混合封装胶的粘度为600mPa·S,折射率为1.45;
2)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为蓝光芯片,发射光峰值为450nm,按照质量比4:1,分别称取9.52g峰值波长为604nm的MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、2.38g峰值波长为535nm的硅酸盐绿光荧光粉,将两种荧光粉加入所述混合封装胶中,两种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的65%,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉为KAlSiO4:0.004Pr3+,其通过前面所述方法制备;
3)将步骤2)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
4)将所述LED支架置于烘箱中于75℃下脱泡烘烤3h,再升温至180℃烘烤2h,使封装胶固化,即得白光LED灯珠。
实验例
实验例1
测试实施例1-11中所述的实现方法得到的LED灯珠的色坐标及色域值,结果如表1所示。
表1
由上述数据可以看出,本发明所述的白光LED实现方法得到的LED灯珠发光颜色均处于白光区,且色域值高,均在82%以上。
实验例2
测试采用实施例11的实现方法得到的灯珠发射光谱,结果如图1所示,在450nm波长的蓝光芯片激发下,KAlSiO4:0.004Pr3+红光荧光粉配合绿光荧光粉得到的LED灯珠可以发出450-604nm可见光,复合后可发出高色域白光,图1中三个发射峰分别为蓝光芯片发出的450nm的蓝光、绿色荧光粉发出的535nm的绿光和红色荧光粉发出的604nm的红光。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,其特征在于,所述红光荧光粉为MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉。
2.根据权利要求1所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,其特征在于,所述M为Li、Na、K、Ag中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,其特征在于,所述实现方法包括如下步骤:
1)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为发射光波长300-400nm的紫外芯片,按照质量比(1~10):1:(1~15),分别称取MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、绿光荧光粉和蓝光荧光粉,将三种荧光粉加入混合封装胶中,三种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的15-70%;
2)将步骤1)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有紫外芯片的LED支架杯壳内;
3)烘烤所述LED支架使封装胶固化,即得到白光LED灯珠。
4.根据权利要求2所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,其特征在于,所述实现方法包括如下步骤:1)根据芯片发射波长,称量荧光粉:所述芯片为发射光波长430-470nm的蓝光芯片,按照质量比(1~10):1,分别称取MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉、绿光荧光粉,将两种荧光粉加入所述混合封装胶中,两种荧光粉的质量占荧光粉与混合封装胶总质量的10-65%;
2)将步骤1)得到的混合物脱泡搅拌均匀后,滴入设置有蓝光芯片的LED支架杯壳内;
3)烘烤所述LED支架使封装胶固化,即得到白光LED灯珠。
5.根据权利要求3或4所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,其特征在于,所述混合封装胶由封装胶A和封装胶B组成,所述封装胶A与所述封装胶B的质量比为1-20:1;所述封装胶A、所述封装胶B均为环氧类封装胶、有机硅类封装胶、聚氨酯封装胶中的一种。
6.根据权利要求5所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,其特征在于,所述绿光荧光粉、所述蓝光荧光粉均选自氮化物、氟化物、硅酸盐或铝酸盐中的一种。
7.根据权利要求6所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,其特征在于,所述混合封装胶的粘度为600-8000mPa·S,折射率不小于1.3。
8.根据权利要求7所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,其特征在于,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的发射光峰值波长为600-620nm,所述绿光荧光粉的发射光峰值波长为510-550nm,所述蓝光荧光粉的发射光峰值波长为420-480nm。
9.根据权利要求8所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,其特征在于,所述步骤3)中烘烤的具体工艺为:首先于35-85℃下脱泡烘烤0.5-3h,再升温至120-180℃烘烤1-12h。
10.根据权利要求9所述的使用红光荧光粉的高色域白光LED实现方法,其特征在于,所述MAlSiO4:Pr3+红光荧光粉的粒径为3-15μm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610049159.1A CN105514227B (zh) | 2016-01-25 | 2016-01-25 | 一种使用红光荧光粉的高色域白光led实现方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610049159.1A CN105514227B (zh) | 2016-01-25 | 2016-01-25 | 一种使用红光荧光粉的高色域白光led实现方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105514227A true CN105514227A (zh) | 2016-04-20 |
CN105514227B CN105514227B (zh) | 2018-08-24 |
Family
ID=55722057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610049159.1A Active CN105514227B (zh) | 2016-01-25 | 2016-01-25 | 一种使用红光荧光粉的高色域白光led实现方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105514227B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108400222A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-08-14 | 珠海市圣大光电有限公司 | 一种高显指led灯的制作方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1730608A (zh) * | 2004-09-27 | 2006-02-08 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 将紫光二极管的紫光转换成白光的稀土三基色发光材料 |
JP2009108223A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | National Institute For Materials Science | 蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光器具 |
-
2016
- 2016-01-25 CN CN201610049159.1A patent/CN105514227B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1730608A (zh) * | 2004-09-27 | 2006-02-08 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 将紫光二极管的紫光转换成白光的稀土三基色发光材料 |
JP2009108223A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | National Institute For Materials Science | 蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光器具 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
石文杰: "Eu3+掺杂铝硅酸钾发光材料的合成及性能研究", 《中国稀土学报》 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108400222A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-08-14 | 珠海市圣大光电有限公司 | 一种高显指led灯的制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105514227B (zh) | 2018-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102760820B (zh) | 一种白光led光源 | |
CN106746687B (zh) | 一种采用丝网印刷法制备led封装用荧光玻璃片的方法 | |
CN105529388A (zh) | 一种使用红光荧光粉的高色域白光led实现方法 | |
CN103881706B (zh) | 一种氮氧化物荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置 | |
CN106190124A (zh) | 一种led芯片发光灯条基板材料及led球泡灯 | |
CN103756674A (zh) | 氮氧化物橙-红色荧光物质,包括其的发光膜或发光片及发光器件 | |
CN102136541A (zh) | 一种透明陶瓷白光led器件 | |
CN110335935A (zh) | 一种近紫外激发单芯片全光谱led及其制备方法 | |
CN105778913A (zh) | 一种单基质三掺杂白色荧光材料及其制备方法与应用 | |
CN105514251A (zh) | 一种使用红光荧光粉的高色域白光led实现方法 | |
CN103865530B (zh) | 一种近紫外激发的红色荧光粉及其制备方法 | |
CN105514227A (zh) | 一种使用红光荧光粉的高色域白光led实现方法 | |
CN105552198B (zh) | 一种使用MxSr1‑xTiO3:Eu2+,Mn2+蓝光荧光粉的高色域白光LED实现方法 | |
CN110240900B (zh) | 一种Eu2+掺杂的窄带绿色发光材料、制备方法及照明与显示光源 | |
CN107384383A (zh) | 一种uv激发白光led用复合型荧光粉 | |
CN104073254A (zh) | 荧光粉及包含其的发光装置 | |
CN104893720B (zh) | 白光led用蓝绿光荧光粉及其制备方法和白光led发光装置 | |
CN105702839B (zh) | 一种使用绿光荧光粉的高色域白光led实现方法 | |
CN104830335B (zh) | 一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉及其制备方法 | |
CN103013502B (zh) | 一种硅酸盐基荧光材料及其合成方法 | |
CN109536169A (zh) | 一种白光led用单基质硅酸盐白光荧光粉及其制备方法 | |
CN104876441A (zh) | 一种量子点玻璃荧光粉及其制备方法和应用 | |
CN105702812B (zh) | 一种使用MAlSiO4:Tb3+,Eu2+黄光荧光粉的白光LED实现方法 | |
CN106367062A (zh) | 白光led用全光谱荧光粉及其制备方法和白光led发光装置 | |
CN207818600U (zh) | 一种可调色温的led封装器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Zhang Zhikuan Inventor after: Gao Danpeng Inventor after: Tong Wenpeng Inventor after: Xing Qibin Inventor before: Gao Danpeng Inventor before: Tong Wenpeng Inventor before: Xing Qibin |
|
COR | Change of bibliographic data | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |