CN105430901B - 电子部件及其连接方法、连接体及其制造方法、缓冲材料 - Google Patents

电子部件及其连接方法、连接体及其制造方法、缓冲材料 Download PDF

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Abstract

本发明题为电子部件及其连接方法、连接体及其制造方法、缓冲材料。在输入凸点区域和输出凸点区域沿着安装面的相对置的两侧缘配置的电子部件中，消除热压接工具造成的压力差并提高连接可靠性。在与电路基板（10）连接的安装面（2），设有输出凸点（3）沿着相对置的一对侧缘的一侧（2a）排列的输出凸点区域（4），并且设有输入凸点（5）沿着一对侧缘的另一侧（2b）排列的输入凸点区域（6），在与安装面（2）相反侧的被压接工具按压的按压面（8），设有与输出凸点区域（4）和输入凸点区域（6）之间的凸点间区域（7）重叠的凹部（9）。

Description

电子部件及其连接方法、连接体及其制造方法、缓冲材料
技术领域
本发明涉及经由粘接剂连接在电路基板上的电子部件、在电路基板上连接电子部件的连接体、连接体的制造方法、电子部件的连接方法及缓冲材料，特别涉及对电路基板的安装面配置有多个凸点电极的电子部件、连接有该电子部件的连接体、连接体的制造方法、电子部件的连接方法及缓冲材料。
背景技术
一直以来，提供有对各种电子设备的电路基板连接IC芯片、LSI芯片等的电子部件的连接体。近年来，在各种电子设备中，出于细间距化、轻量薄型化等的观点，作为电子部件，使用安装面排列有突起状的电极即凸点的IC芯片或LSI芯片，并且采用将这些IC芯片等的电子部件直接安装在电路基板上的所谓COB（chip on board：板上芯片）或COG（chip onglass：玻璃上芯片）。
在COB连接或COG连接中，IC芯片隔着各向异性导电膜而热压接在电路基板的端子部上。各向异性导电膜是向热固化型的粘合剂树脂中混入导电性粒子而作成膜状的导电膜，两个导体间通过加热压接而以导电粒子取得导体间的电导通，以粘合剂树脂保持导体间的机械连接。作为构成各向异性导电膜的粘接剂，通常，会使用可靠性高的热固化性的粘接剂。另外，一方面，借助光固化性树脂进行连接或者还使用并用热固化和光固化的连接方法，但是在利用压接工具来加压的情况下，估计会包含与热固化性粘接剂同样的问题。
带有凸点的IC芯片50，例如图12的（A）、图12的（B）所示那样，在电路基板的安装面，形成有输入凸点51沿着一个侧缘50a排成一列的输入凸点区域52，并且设有输出凸点53沿着与一个侧缘50a对置的另一个侧缘50b排成两列的交错状的输出凸点区域54。凸点排列因IC芯片的种类而各种各样，但是，通常现有的带有凸点的IC芯片形成为输出凸点53的数量多于输入凸点51的数量、输出凸点区域54的面积宽于输入凸点区域52的面积、另外输入凸点51的形状大于输出凸点53的形状。
而且，在COG安装中，隔着各向异性导电膜55在电路基板56的电极端子57上搭载IC芯片50之后，经由缓冲材料60用热压接工具58来从IC芯片50的上方进行加热按压。通过利用该热压接工具58进行的热加压，各向异性导电膜55的粘合剂树脂熔化并从各输入输出凸点51、53与电路基板56的电极端子57之间流动，并且在各输入输出凸点51、53与电路基板56的电极端子57之间夹持导电性粒子，并在该状态下粘合剂树脂热固化。由此，IC芯片50电气、机械地连接在电路基板56上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004－214373号公报。
发明内容
发明要解决的课题
在此，带有凸点的IC芯片50等的电子部件，在安装面使输入凸点51沿着一个侧缘50a排列，并使输出凸点53沿着另一个侧缘50b排列，从而在中央设有未形成凸点的凸点间区域。因此，在现有的COB连接或COG连接中，利用热压接工具58来按压IC芯片50时，如图13所示，会以设在两侧缘50a、50b的各内侧的输入输出凸点51、53为支点，使中央的凸点间区域凹下的方式产生翘曲。
另外，IC芯片50中，形成在安装面的输入凸点51和输出凸点53的各凸点排列及大小有所不同，输入凸点区域52和输出凸点区域54具有面积差。而且，电子部件中，输入凸点区域52和输出凸点区域54在安装面以非对称配置。
因此，IC芯片50中，加在输入凸点51和输出凸点53的按压力会不均匀，例如在输出凸点区域54中，在另一个侧缘50b侧排列的输出凸点53和在安装面的内侧排列的输出凸点53能够产生压力差。
另外，由热压接工具58形成的压力在输入凸点区域52和输出凸点区域54的各内侧缘偏重，从而在输出凸点区域54中，对在另一个侧缘50b侧排列的输出凸点53的压力变弱，因导电性粒子的按压不足而有引起导通不良的担忧。
为了解决这样的问题，形成不使用在信号等的输入输出的所谓伪凸点，使从热压接工具施加在IC芯片整个面的应力分散并均匀。然而，在该手法中应力的支点也增加，因而技术难度变高。另外，因为形成伪凸点，所以增加电子部件的制造工时数，另外，还需要额外材料成本，因此期待不使用伪凸点的结构。
因此，本发明目的在于提供在输入凸点区域和输出凸点区域沿着安装面的相对置的两侧缘而配置的电子部件中消除由热压接工具造成的压力差并能提高连接可靠性的电子部件、连接体、连接体的制造方法、电子部件的连接方法及缓冲材料。
用于解决课题的方案
为了解决上述的课题，本发明所涉及的电子部件，在与电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着上述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，在与上述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与上述输出凸点区域和上述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部。
另外，本发明所涉及的连接体，电子部件经由粘接剂配置在电路基板上，通过用压接工具进行加压，上述电子部件连接在上述电路基板上，上述电子部件在与上述电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着上述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，在与上述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与上述输出凸点区域和上述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部。
另外，本发明所涉及的连接体的制造方法，经由粘接剂在电路基板上配置电子部件，通过用压接工具进行加压来将上述电子部件连接在上述电路基板上，在所述连接体的制造方法中，上述电子部件在与上述电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着上述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，在与上述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与上述输出凸点区域和上述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部。
另外，本发明所涉及的电子部件的连接方法，经由粘接剂在电路基板上配置电子部件，通过用压接工具进行加压来将上述电子部件连接在上述电路基板上，在所述电子部件的连接方法中，上述电子部件在与上述电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着上述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，在与上述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与上述输出凸点区域和上述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部。
另外，本发明所涉及的缓冲材料，是在与电路基板连接的安装面具有排列有输出凸点的输出凸点区域、与上述输出凸点区域对置而排列有输入凸点的输入凸点区域、以及设在上述输出凸点区域与上述输入凸点区域之间的凸点间区域的电子部件的与上述安装面相反侧的按压面与压接工具之间配置的片状的缓冲材料，其中，在与上述凸点间区域对应的位置形成有凹部。
另外，本发明所涉及的连接体的制造方法，经由粘接剂在电路基板上配置电子部件，并经由缓冲材料用压接工具进行加压，从而将上述电子部件连接在上述电路基板上，在所述连接体的制造方法中，上述电子部件在与上述电路基板连接的安装面，具有排列有输出凸点的输出凸点区域、与上述输出凸点区域对置而排列有输入凸点的输入凸点区域、以及设在上述输出凸点区域与上述输入凸点区域之间的凸点间区域，上述缓冲材料在与上述凸点间区域对应的位置形成有凹部。
另外，本发明所涉及的电子部件的连接方法，经由粘接剂在电路基板上配置电子部件，并经由缓冲材料用压接工具进行加压，从而将上述电子部件连接在上述电路基板上，在所述电子部件的连接方法中，上述电子部件在与上述电路基板连接的安装面，具有排列有输出凸点的输出凸点区域、与上述输出凸点区域对置而排列有输入凸点的输入凸点区域、以及设在上述输出凸点区域与上述输入凸点区域之间的凸点间区域，上述缓冲材料在与上述凸点间区域对应的位置形成有凹部。
发明效果
依据本发明，通过在被压接工具按压的按压面设置与输出凸点区域和输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部，使压接工具的压力集中到输出凸点区域和输入凸点区域，从而抑制了翘曲，并且输出凸点及输入凸点通过压接工具被充分地按压。因此，电子部件在输入输出凸点与设在电路基板的输入输出端子之间取得良好的导通性。
另外，依据本发明，由于在压接工具与电子部件之间配置的缓冲材料的与凸点间区域对应的位置形成有凹部，所以压接工具的压力集中到输出凸点区域和输入凸点区域，从而抑制了翘曲，并且输出凸点及输入凸点通过压接工具被充分地按压。因此，电子部件在输入输出凸点与设在电路基板的输入输出端子之间得到良好的导通性。
附图说明
图1的（A）是示出适用本发明的电子部件的连接工序的截面图，图1的（B）是示出连接体的截面图。
图2是示出IC芯片的安装面的平面图。
图3是示出IC芯片的按压面的形成例的图，图3的（A）是示出贴上辅助部件的工序的截面图，图3的（B）是示出通过贴上辅助部件形成凹部的IC芯片的截面图。
图4的（A）是示出凹部的输出凸点区域侧的端部形成在输出凸点区域上的IC芯片的截面图，图4的（B）是示出凹部的输出凸点区域侧的端部形成在凸点间区域上的IC芯片的截面图。
图5是示出在凸点间区域设置伪凸点的IC芯片的平面图。
图6是示出各向异性导电膜的截面图。
图7的（A）是示出使用形成有凹部的缓冲材料的电子部件的连接工序的截面图，图7的（B）是示出连接体的截面图。
图8是示出缓冲材料的立体图。
图9是示出形成缓冲材料的凹凸部的工序的侧面图。
图10是示出与输送方向对应的缓冲材料的结构的平面图，图10的（A）示出凹部沿着长边方向连续的缓冲材料，图10的（B）示出沿着短边方向形成的凹部及凸部沿着长边方向交替形成的缓冲材料。
图11的（A）是示出缓冲材料的凸部与IC芯片的凸点间区域重叠的状态的截面图，图11的（B）是示出缓冲材料的凹部与IC芯片的输出凸点区域重叠的状态的截面图。
图12是示出参考例所涉及的IC芯片的连接工序的图，图12的（A）是示出IC芯片的安装面的平面图，图12的（B）是示出IC芯片的热加压工序的截面图。
图13是示出在IC芯片以使凸点间区域凹下的方式发生翘曲的状态的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图，对适用本发明的电子部件、连接体、连接体的制造方法、电子部件的连接方法及缓冲材料进行详细说明。此外，本发明并不仅限于以下的实施方式，显然在不脱离本发明的要点的范围内能够进行各种变更。另外，附图是示意性的，各尺寸的比例等有不同于现实的情况。具体尺寸等应该参考以下的说明进行判断。另外，应当理解到附图相互之间也包含彼此尺寸的关系或比例不同的部分。
[连接体20]
如图1的（A）、图1的（B）所示，连接体20经由各向异性导电膜（ACF：AnisotropicConductive Film）30等的粘接剂将IC芯片1搭载到电路基板10上，利用热压接工具40经由缓冲材料15对IC芯片1的按压面8进行加热按压，从而使设在IC芯片1的安装面2的凸点和设在电路基板10的电极端子导电连接。
[IC芯片]
如图2所示，IC芯片1的连接在电路基板上的安装面2，大致呈矩形状，形成有沿着成为长边方向的相对置的一对侧缘2a、2b，排列输出凸点3的输出凸点区域4及排列输入凸点5的输入凸点区域6。IC芯片1在安装面2的一个侧缘2a侧形成有输出凸点区域4，在安装面2的另一个侧缘2b侧形成有输入凸点区域6。由此，IC芯片1中输出凸点区域4和输入凸点区域6遍及安装面2的宽度方向而分离地形成，在安装面2的中央部设有未形成凸点的凸点间区域7。
在输出凸点区域4，多个输出凸点3沿着安装面2的长边方向排列，从而例如从一个侧缘2a侧依次形成3列的输出凸点列3A、3B、3C。另外，各输出凸点列3A～3C的输出凸点3以交错状排列。
另外，在输入凸点区域6，形成有例如多个输入凸点5沿着安装面2的长边方向排成1列的输入凸点列5A。此外，输入凸点5以比输出凸点3大地形成。由此，IC芯片1中，输出凸点区域4和输入凸点区域6具有面积差，并且在安装面2以非对称配置。此外，输入输出凸点3、5也可以互相以相同尺寸形成。
输入输出凸点3、5优选采用例如铜凸点、金凸点、或者对铜凸点实施金镀层的凸点等。另外，输入输出凸点3、5以与设在电路基板10的输入输出端子对应的配置设置，IC芯片1与电路基板10对位并连接，从而经由各向异性导电膜30与输入输出端子连接。
此外，输入输出凸点3、5的排列，除了图2所示的以外，也可以在一个侧缘以一个或多个列排列，在另一个侧缘以一个或多个列排列的任一种构成。另外，输入输出凸点3、5也可以使排成一列的一部分成为多个列，也可使多个列的一部分成为一列。而且，输入输出凸点3、5也可以以多个列的各列平行且邻接的电极端子彼此并列的笔直排列形成，或者也可以以多个列的各列平行且邻接的电极端子彼此均等错开的交错排列形成。
此外，随着近年来液晶显示装置及其他电子设备的小型化、高功能化，IC芯片1等的电子部件也要求小型化、低矮化，输入输出凸点3、5的高度也变低（例如6～15μm）。
[凹部]
另外，IC芯片1在与安装面2相反侧的被压接工具按压的按压面8，设有与输出凸点区域4和输入凸点区域6之间的凸点间区域7重叠的凹部9。IC芯片1通过在与凸点间区域7重叠的位置设置凹部9，使热压接工具40的压力集中到输出凸点区域4和输入凸点区域6，从而抑制了翘曲，并且输出凸点3及输入凸点5通过热压接工具40被充分地按压。因此，IC芯片1能够在输入输出凸点3、5与设在电路基板10的输入输出端子16、17之间充分地按压导电性粒子，从而得到良好的导通性。
即，IC芯片1在输出凸点区域4与输入凸点区域6之间设有凸点间区域7，因此在利用热压接工具40对安装面2的整个面施加压力时，在输出凸点3通过排成多个列遍及宽度方向而大面积形成的输出凸点区域4中，成为与输入凸点区域6相持的内侧缘中的按压力较强、在安装面2的一个侧缘2a侧按压力变弱的压力梯度，对于在一个侧缘2a侧排列的输出凸点3的按压力有所不足。由此，存在因导电性粒子按压不足而特别是在外侧的凸点列中输出凸点3的导通电阻变高的担忧。
因此，IC芯片1在按压面8的与凸点间区域7重叠的位置设置凹部9，从而与输出凸点区域4及输入凸点区域6重叠的区域会相对突出，能够局部接受热压接工具40的按压力。由此，IC芯片50抑制了翘曲，排列有多个输出凸点列3A～3C的输出凸点区域4的宽度方向上的压力梯度缓缓地均匀，防止在该一个侧缘2a侧热压接工具40的按压力不足的情况。由此，IC芯片1也在该一个侧缘2a侧形成的外侧的输出凸点3中与形成在电路基板10的输出端子16之间可靠地夹持导电性粒子，从而能够确保导通性。
凹部9通过例如以既定尺寸切削IC芯片1的基板，例如能够以连续的直线状形成。另外，如图3所示，凹部9也可以在IC芯片1的与电路基板10的输入输出凸点区域4、6重叠的位置，设置在与凸点间区域7重叠的区域之间形成阶梯差的辅助部件11而形成。辅助部件11采用与IC芯片1的基板不同的材料、例如耐热性优异的PI膜，通过粘接部件粘接在基板10。另外，辅助部件11也可以通过涂敷并固化绝缘膏而设置。
另外，凹部9在IC芯片1的制造工序的任一个步骤中形成即可。例如，也可以在从大直径的硅晶圆切出IC芯片基板并单片化的工序之前，切削晶圆表面，从而预先形成凹部9。另外，凹部9也可以与硅晶圆等同样，通过蚀刻而形成。
[凹部深度D]
IC芯片1在用热压接工具40进行热加压时，缓冲材料15介于按压面8与热压接工具40之间（参照图1）。而且，形成在按压面8的凹部9，优选具有介于与热压接工具40之间的缓冲材料15的厚度T1以上的深度D。由此，IC芯片1在按压面8按压在热压接工具40时，也能防止因缓冲材料15按压凹部9的底面而凸点间区域7凹下这样产生翘曲。
另外，凹部9优选使IC芯片1的基板厚度T2的90％以内的深度，更优选为80％以内的深度，进一步优选为70％以内的深度。另外，IC芯片1优选使形成凹部9的区域的厚度（T2‐D）为15μm以上。若使凹部9的深度大于IC芯片1的基板厚度T2的90％，则有对IC芯片1内部的布线图案层施加负载的情况。另外，通过使凹部9为IC芯片1的基板厚度T2的70％以内的深度，在热压接工具40按压时，缓冲材料15按压凹部9的底面的情况下也能保持抑制翘曲的机械强度。
[输出凸点的内侧缘和凹部的端部的距离]
在此，如图4所示，将凹部9的输出凸点区域4侧的端部与在输出凸点区域4的最内侧排列的输出凸点列3C的内侧缘的距离设为C，将输出凸点区域4的与输出凸点3的排列方向正交的宽度方向的长度设为A。此时，IC芯片1优选使凹部9的输出凸点区域4侧的端部位于从输出凸点列3C的内侧缘向一个侧缘2a侧小于输出凸点区域4的宽度方向的长度A的12.5％的区域（图4的（A））与从输出凸点列3C的内侧缘向另一个侧缘2b侧小于输出凸点区域4的宽度方向的长度A的50％的区域（图4的（B））之间。
另外，进一步优选的是，IC芯片1使凹部9的输出凸点区域4侧的端部位于从输出凸点列3C的内侧缘向一个侧缘2a侧小于输出凸点区域4的宽度方向的长度A的7.5％的区域与从输出凸点列3C的内侧缘向另一个侧缘2b侧小于输出凸点区域4的宽度方向的长度A的37.5％的区域之间。
以使输出凸点区域4侧的端部位于上述区域的方式形成凹部9，从而利用热压接工具40按压与输出凸点区域4重叠的区域，并且也不会过度按压与凸点间区域7重叠的区域。因此，热压接工具40的压力集中于输出凸点区域4，抑制凸点间区域7中的翘曲，并且利用热压接工具40能够充分地按压各输出凸点列3A～3C。
关于IC芯片1，若凹部9的输出凸点区域4侧的端部形成至从输出凸点列3C的内侧缘向一个侧缘2a侧输出凸点区域4的宽度方向的长度A的12.5％以上的区域，则与输出凸点区域4重叠的区域中的热压接工具40的加压区域偏向一个侧缘2a侧，对于输出凸点区域4的最内侧排列的输出凸点列3C的按压力不足。
另外，关于IC芯片1，若凹部9的输出凸点区域4侧的端部位于从输出凸点列3C的内侧缘向另一个侧缘2b侧输出凸点区域4的宽度方向的长度A的50％以上的区域，则热压接工具40的加压区域扩展到与凸点间区域7重叠的区域，若IC芯片1被热压接工具40按压，则以设在输出凸点区域4的内侧的输出凸点列3C为支点，以使中央的凸点间区域7凹下的方式产生翘曲。因此，对于输出凸点区域4的最外侧排列的输出凸点列3A的按压力不足。
[电路基板]
电路基板10按照连接体20的用途而选择，例如，玻璃基板、玻璃环氧基板、陶瓷基板、柔性基板等，不管其种类如何。电路基板10形成有与设在IC芯片1的输入输出凸点3、5连接的输入输出端子16、17。
[对准标记]
此外，IC芯片1及电路基板10设有通过重叠而进行IC芯片1对电路基板10的对准的未图示的对准标记。基板侧对准标记及IC侧对准标记能够使用通过组合能取得电路基板10和IC芯片1的对准的各种标记。由于进行电路基板10的输入输出端子的布线间距、IC芯片1的输入输出凸点3、5的细间距化，所以IC芯片1和电路基板10往往要求高精度的对准调整。
[伪凸点]
另外，如图5所示，IC芯片1只要凸点布局或制造工时数的制约所允许，就在输出凸点区域4与输入凸点区域6之间，适当地设置排列有不在信号等的输入输出中使用的所谓伪凸点18的伪凸点区域19也可。
[粘接剂]
此外，作为将IC芯片1连接到电路基板10的粘接剂，能够优选使用各向异性导电膜30。如图6所示，各向异性导电膜30通常在成为基体材料的剥离膜31上形成含有导电性粒子32的粘合剂树脂层（粘接剂层）33。如图1所示，各向异性导电膜30使粘合剂树脂层33介于电路基板10与IC芯片1之间，从而使电路基板10和IC芯片1连接，并且由输入输出凸点3、5和输入输出端子16、17夹持导电性粒子32，以用于导通。
粘合剂树脂层33的粘接剂组合物由含有例如膜形成树脂、热固化性树脂、潜伏性固化剂、硅烷偶联剂等的普通粘合剂成分构成。
作为膜形成树脂，优选平均分子量为10000～80000左右的树脂，特别举出环氧树脂、改性环氧树脂、尿烷树脂、苯氧基树脂等的各种树脂。其中，出于膜形成状态、连接可靠性等的观点优选苯氧基树脂。
作为热固化性树脂无特别限定，能够使用例如市售的环氧树脂、丙烯树脂等。
作为环氧树脂，无特别限定，但是能举出例如萘型环氧树脂、联酚型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、双酚型环氧树脂、芪型环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、酚醛芳烷基型环氧树脂、萘酚型环氧树脂、二聚环戊二烯型环氧树脂、三苯基甲烷型环氧树脂等。这些既可以单独也可以组合2种以上而使用。
作为丙烯树脂，无特别限制，能够根据目的适宜选择丙烯化合物、液态丙烯酸酯等。能够举出例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸异丁酯、环氧丙烯酸酯、二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸二乙二醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二羟甲基三环葵烷二丙烯酸酯、1,4－丁二醇四丙烯酸酯、2－羟基－1,3－二丙烯酰氧基丙烷、2,2－双［4－(丙烯酰氧基甲氧基)苯基］丙烷、2,2－双［4－(丙烯酰氧基乙氧基)苯基］丙烷、二环戊烯基丙烯酸酯、三环葵基丙烯酸酯、树状(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、尿烷丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯等。此外，也能使用丙烯酸酯为甲基丙烯酸酯的材料。这些既可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
作为潜伏性固化剂，无特别限定，但是能举出加热固化型的固化剂。潜伏性固化剂通常不会反应，通过热、光、加压等的根据用途而选择的各种引发条件来激活，并开始反应。热活性型潜伏性固化剂的激活方法有：以利用加热的离解反应等生成活性种（阳离子、阴离子、自由基）的方法；在室温附近稳定地分散到环氧树脂中而在高温与环氧树脂相溶/熔化，并开始固化反应的方法；在高温熔出分子筛封入型的固化剂并开始固化反应的方法；利用微囊进行的熔出/固化方法等。作为热活性型潜伏性固化剂，有咪唑类、酰肼类、三氟化硼－胺络化物、锍盐、胺化酰亚胺、聚胺盐、双氰胺等或它们的改性物，这些既可以单独使用，也可为2种以上的混合体。作为自由基聚合引发剂，能够使用公知的材料，其中能够优选使用有机过氧化物。
作为硅烷偶联剂，无特别限定，但是能够举出例如环氧类、氨类、巯基/硫化物类、脲化物类等。通过添加硅烷偶联剂，提高有机材料和无机材料的界面中的粘接性。
[导电性粒子]
作为粘合剂树脂层33含有的导电性粒子32，能够举出各向异性导电膜中使用的公知的任意导电性粒子。即，作为导电性粒子，能举出例如镍、铁、铜、铝、锡、铅、铬、钴、银、金等的各种金属或金属合金的粒子；在金属氧化物、碳、石墨、玻璃、陶瓷、塑料等的粒子的表面镀敷金属的粒子；或者在这些粒子的表面进一步镀敷绝缘薄膜的粒子等。在向树脂粒子的表面镀敷金属的粒子的情况下，作为树脂粒子，能够举出例如环氧树脂、酚醛树脂、丙烯树脂、丙烯腈苯乙烯（AS）树脂、苯代三聚氰胺树脂、二乙烯基苯类树脂、苯乙烯类树脂等的粒子。
构成粘合剂树脂层33的粘接剂组合物，不局限于这样含有膜形成树脂、热固化性树脂、潜伏性固化剂、硅烷偶联剂等的情况，也可以由普通的用作为各向异性导电膜的粘接剂组合物的任何材料构成。
支撑粘合剂树脂层33的剥离膜31，例如，在PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯：PolyEthylene Terephthalate）、OPP（定向聚丙烯：Oriented Polypropylene）、PMP（聚4－甲基戊烯－1：Poly－4－methylpentene－1）、PTFE（聚四氟乙烯：Polytetrafluoroethylene）等上涂敷硅酮等的剥离剂而成，防止各向异性导电膜30干燥，并且维持各向异性导电膜30的形状。
各向异性导电膜30也可以用任何方法制作，但是能够通过例如以下的方法制作。调整含有膜形成树脂、热固化性树脂、潜伏性固化剂、硅烷偶联剂、导电性粒子等的粘接剂组合物。利用棒涂机、涂敷装置等在剥离膜31上涂敷调整后的粘接剂组合物，利用烤炉等来干燥，从而得到在剥离膜31支撑粘合剂树脂层33的各向异性导电膜30。
另外，上述实施方式中，作为粘接剂，以在粘合剂树脂层33以膜状成形适当含有导电性粒子32的热固化性树脂组合物的粘接膜为例进行了说明，但是本发明所涉及的粘接剂并不限定于此，例如也可为仅由粘合剂树脂层33构成的绝缘性粘接膜。另外，本发明所涉及的粘接剂，可为层叠仅由粘合剂树脂层33构成的绝缘性粘接剂层和由含有导电性粒子32的粘合剂树脂层33构成的导电性粒子含有层的结构。另外，粘接剂不局限于这样的膜成形而成的粘接膜，也可为在粘合剂树脂组合物中分散了导电性粒子32的导电性粘接膏，或者仅由粘合剂树脂组合物构成的绝缘性粘接膏。本发明所涉及的粘接剂包含上述的任一种方式。
[连接工序]
接着，对在电路基板10连接IC芯片1的连接工序进行说明。首先，将各向异性导电膜30临时贴在电路基板10的形成有输入输出端子的安装面上。接着，将该电路基板10承载于连接装置的平台上，隔着各向异性导电膜30将IC芯片1配置在电路基板10的安装面上。
接着，利用被加热到使粘合剂树脂层33固化的既定温度的热压接工具40，以既定压力、时间经由缓冲材料15热加压在IC芯片1的按压面8上。由此，各向异性导电膜30的粘合剂树脂层33显示流动性，从IC芯片1的安装面2与电路基板10的安装面之间流出，并且粘合剂树脂层33中的导电性粒子32被夹持在输出凸点3与输出端子16之间、以及输入凸点5与输入端子17之间而压碎。
此时，依据适用了本发明的IC芯片1，由于在按压面8设有与凸点间区域7重叠的凹部9，所以热压接工具40的压力集中于输出凸点区域4和输入凸点区域6，不仅抑制翘曲，而且输出凸点3及输入凸点5通过热压接工具40被充分地按压。
其结果，通过在输入输出凸点3、5与电路基板10的输入输出端子16、17之间夹持导电性粒子32而电连接，在该状态下被热压接工具40加热的粘合剂树脂固化。因此，IC芯片1也能在该一个侧缘2a侧的输出凸点列3A中与形成在电路基板10的输出端子16之间可靠地确保导通性。
不在输入输出凸点3、5与电路基板10的输入输出端子16、17之间的导电性粒子32，分散于粘合剂树脂中，维持电绝缘的状态。由此，仅在IC芯片1的输出凸点3及输入凸点5与电路基板10的输入输出端子16、17之间实现电导通。此外，作为粘合剂树脂，通过使用自由基聚合反应类的速固化型树脂，在较短的加热时间也能使粘合剂树脂速固化。另外，作为各向异性导电膜30，不限于热固化型，只要进行加压连接，就能够使用光固化型或光热并用型的粘接剂。
[实施例]
接着，对本发明的实施例进行说明。在本实施例中，改变IC芯片的形成在按压面的凹部的深度D、凹部的输出凸点区域侧的端部与在输出凸点区域的最内侧排列的输出凸点列的内侧缘的距离C及凹部的输入凸点区域侧的端部与在输入凸点区域排列的输入凸点列的内侧缘的距离J、以及缓冲材料的厚度T1而形成连接体样品，测定、评价了内侧的输出凸点列及外侧的输出凸点列中的导电性粒子的变形量（参照图1、图4）。
[评价用IC芯片]
本实施例所使用的IC芯片为20mm×1.5mm、基板的最大厚度为160μm，在安装面的一个侧缘设有输出凸点沿着长边方向排列的输出凸点区域，在另一个侧缘形成有输入凸点沿着长边方向排列的输入凸点区域。在输出凸点区域遍及安装面的宽度方向而并排3列的输出凸点列，在输入凸点区域形成有1列的输入凸点列。另外，使输出凸点区域的宽度方向的长度A为400μm，使输入凸点区域的宽度方向的长度为140μm。此外，构成三个输出凸点列的各输出凸点以交错状排列（参照图2）。另外，输出凸点区域与输入凸点区域之间的凸点间区域的宽度为800μm。
[评价用基板]
搭载有评价用的IC芯片的电路基板为厚度200μm的玻璃基板，在安装面，由所谓的实布线形成Al层。
[缓冲材料/各向异性导电膜]
IC芯片的安装是这样进行的，即，在玻璃基板的安装面贴上各向异性导电膜之后，利用热压接工具以既定温度、压力、时间经由缓冲材料加热按压IC芯片的按压面。作为缓冲材料使用TEFLON（注册商标），准备厚度50μm及100μm的材料。
各向异性导电膜为环氧类热固化型的导电膜，使用搅拌装置以使苯氧基树脂（PKHH，巴工业株式会社制）25质量份、环氧树脂（EP828，三菱化学株式会社制）10质量份、阳离子类固化剂（SI－60L，三新化学工业株式会社制）10质量份、硅烷偶联剂（A－187，Momentive Performance Materials公司制）2质量份、导电性粒子（AUL703，积水化学工业株式会社制，在丙烯树脂粒子的表面形成有Ni/Au镀层覆膜的金属覆膜树脂粒子，平均粒径3.0μm）30质量份均匀的方式进行混合。以使干燥后的平均厚度成为10μm的方式将混合后的混合物涂敷在剥离处理后的PET膜上并加以干燥而制作。另外，用热压接工具进行的IC芯片的压接条件，设为150℃、90MPa、5秒。
[第1实施例]
在第1实施例中，使凹部的端部与输入输出凸点列的内侧缘的距离C、J恒定，形成改变凹部相对于缓冲材料的厚度的深度D的连接体样品，测定了外侧的输出凸点列及内侧的输出凸点列中，压缩变形的导电性粒子的直径。然后，使两输出凸点列中的变形后的导电性粒子直径为2.4μm以下的情况为“◎”，使一个或两个输出凸点列中的变形后的导电性粒子直径大于2.4μm且2.6μm以下的情况为“○”，并且使一个或两个输出凸点列中的变形后的导电性粒子直径为2.7μm以上的情况为“×”。
[实施例1]
实施例1中，使凹部深度D为50μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为50μm（图4的（B））。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例1所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.6μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[实施例2]
实施例2中，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为50μm（图4的（B））。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例2所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.4μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[实施例3]
实施例3中，使凹部深度D为100μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为50μm（图4的（B））。另外，使用厚度100μm的缓冲材料。
实施例3所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.5μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[实施例4]
实施例4中，使凹部深度D为110μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为50μm（图4的（B））。另外，使用厚度100μm的缓冲材料。
实施例4所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.3μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[比较例1]
比较例1中，在IC芯片的按压面没有设置凹部。另外，使用了厚度50μm的缓冲材料。
比较例1所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.8μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.1μm。
[比较例2]
比较例2中，使凹部深度D为40μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为50μm（图4的（B））。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
比较例2所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.7μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.3μm。
[比较例3]
比较例3中，使凹部深度D为90μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为50μm（图4的（B））。另外，使用厚度100μm的缓冲材料。
比较例3所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.8μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[表1]
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如表1所示，实施例1～4所涉及的IC芯片由于凹部深度D具有缓冲材料的厚度以上的深度，所以在按压面被热压接工具按压时，缓冲材料也不会按压凹部的底面，能够防止凸点间区域凹下这样发生翘曲。因此，实施例1～4所涉及的连接体样品，在外侧的输出凸点列中压缩变形后的导电性粒子直径也为2.6μm以下，具有良好的导通性。
另一方面，比较例1中由于没有设置凹部，所以凸点间区域以输入凸点列及内侧的输出凸点列的各内侧缘为支点凹下地发生翘曲，而比较例2及3中由于凹部深度D为小于缓冲材料的厚度的深度，所以热压接工具的按压力经由缓冲材料传递到凸点间区域，凸点间区域以输入凸点列及内侧的输出凸点列的各内侧缘为支点凹下发生翘曲。因此，比较例1～3所涉及的连接体样品，在外侧的输出凸点列中热压接工具的按压力会不足，压缩变形后的导电性粒子直径成为2.7μm以上，有可能出现导通不良。
[第2实施例]
在第2实施例中，形成改变了凹部的端部与输入输出凸点列的内侧缘的距离C、J的连接体样品，并测定了在外侧的输出凸点列及内侧的输出凸点列中，压缩变形的导电性粒子的直径。压缩变形后的导电性粒子直径的评价与第1实施例相同。
[实施例5]
实施例5中，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为－30μm。即，实施例5所涉及的IC芯片，凹部的端部形成到与输入输出凸点区域重叠30μm的位置（图4的（A））。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向一个侧缘侧7.5％的位置。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例5所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.5μm。
[实施例6]
实施例6中，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为－20μm。即，实施例6所涉及的IC芯片，凹部的端部形成到与输入输出凸点区域重叠20μm的位置（图4的（A））。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向一个侧缘侧5％的位置。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例6所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.3μm。
[实施例7]
实施例7中，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为0μm。即，实施例7所涉及的IC芯片，凹部的端部形成到与输入输出凸点区域的内侧缘重叠的位置。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向一个侧缘侧0％的位置。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例7所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.1μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.0μm。
[实施例8]
实施例8中，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为50μm（图4的（B））。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向另一个侧缘侧12.5％的位置。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例8所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.4μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[实施例9]
实施例9中，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为100μm（图4的（B））。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向另一个侧缘侧25％的位置。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例9所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.5μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.3μm。
[实施例10]
实施例10中，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为150μm（图4的（B））。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向另一个侧缘侧37.5％的位置。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例10所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.6μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.1μm。
[比较例4]
比较例4中，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为－50μm。即，比较例4所涉及的IC芯片，凹部的端部形成到与输入输出凸点区域重叠50μm的位置（图4的（A））。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向一个侧缘侧12.5％的位置。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
比较例4所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.7μm。
[比较例5]
比较例5中，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J为200μm（图4的（B））。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向另一个侧缘侧50％的位置。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
比较例5所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.8μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[表2]
Figure DEST_PATH_IMAGE002
如表2所示，实施例5～10所涉及的IC芯片，凹部的输出凸点区域侧的端部，位于从最内侧的输出凸点列的内侧缘向一个侧缘侧小于输出凸点区域的宽度方向的长度A的12.5％的区域与从最内侧的输出凸点列的内侧缘向另一个侧缘侧小于输出凸点区域的宽度方向的长度A的50％的区域之间。因此，实施例5～10所涉及的连接体样品中，利用热压接工具经由缓冲材料按压与输出凸点区域重叠的区域，并且与凸点间区域重叠的区域也不会被过度按压。因此，热压接工具的压力集中于输出凸点区域，抑制凸点间区域中的翘曲，并且还能利用热压接工具充分地按压外侧及内侧的输出凸点列。因此，实施例5～10所涉及的连接体样品，在外侧的输出凸点列中压缩变形后的导电性粒子直径也成为2.6μm以下，会具有良好的导通性。
另一方面，比较例4所涉及的IC芯片，由于凹部形成为使凹部的输出凸点区域侧的端部直到从最内侧的输出凸点列的内侧缘向一个侧缘侧为输出凸点区域的宽度方向的长度A的12.5％的位置，所以与输出凸点区域重叠的区域中的热压接工具的加压区域偏向一个侧缘侧，针对输出凸点区域的最内侧排列的输出凸点列的按压力不足。因此，比较例4所涉及的连接体样品中，内侧的输出凸点列中热压接工具的按压力会不足，压缩变形后的导电性粒子直径成为2.7μm，有可能出现导通不良。
另外，比较例5所涉及的IC芯片，由于凹部形成为使凹部的输出凸点区域侧的端部直到从最内侧的输出凸点列的内侧缘向另一个侧缘侧为输出凸点区域的宽度方向的长度A的50％的位置，所以热压接工具的按压力经由缓冲材料传递到凸点间区域，凸点间区域以输入凸点列及内侧的输出凸点列的各内侧缘为支点凹下地发生翘曲。因此，比较例5所涉及的连接体样品，外侧的输出凸点列中热压接工具的按压力会不足，压缩变形后的导电性粒子直径成为2.7μm以上，有可能出现导通不良。
[第3实施例]
在第3实施例中，形成改变凹部的输出凸点区域侧的端部与输出凸点列的内侧缘的距离C、和凹部的输入凸点区域侧的端部与输入凸点列的内侧缘的距离J后的连接体样品，并测定了在外侧的输出凸点列及内侧的输出凸点列中，压缩变形的导电性粒子的直径。压缩变形后的导电性粒子直径的评价与第1实施例相同。
[实施例11]
实施例11所涉及的IC芯片，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的输出凸点区域侧的端部的距离C为－30μm。即，凹部的输出凸点区域侧的端部形成到与输出凸点区域重叠30μm的位置。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向一个侧缘侧7.5％的位置。另外，实施例11所涉及的IC芯片，使输入凸点列的内侧缘与凹部的输入凸点区域侧的端部的距离J为150μm。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例11所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.3μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.6μm。
[实施例12]
实施例12所涉及的IC芯片，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的输出凸点区域侧的端部的距离C为－20μm。即，凹部的输出凸点区域侧的端部形成到与输出凸点区域重叠20μm的位置。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向一个侧缘侧5％的位置。另外，实施例12所涉及的IC芯片，使输入凸点列的内侧缘与凹部的输入凸点区域侧的端部的距离J为50μm。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例12所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.3μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.4μm。
[实施例13]
实施例13所涉及的IC芯片，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的输出凸点区域侧的端部的距离C为50μm。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向另一个侧缘侧12.5％的位置。另外，实施例13所涉及的IC芯片，使输入凸点列的内侧缘与凹部的输入凸点区域侧的端部的距离J为－20μm。即，凹部的输入凸点区域侧的端部形成到与输入凸点区域重叠20μm的位置。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例13所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.4μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[实施例14]
实施例14所涉及的IC芯片，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的输出凸点区域侧的端部的距离C为150μm。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向另一个侧缘侧37.5％的位置。另外，实施例14所涉及的IC芯片，使输入凸点列的内侧缘与凹部的输入凸点区域侧的端部的距离J为－30μm。即，凹部的输入凸点区域侧的端部形成到与输入凸点区域重叠30μm的位置。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
实施例14所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.6μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[比较例6]
比较例6所涉及的IC芯片，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的输出凸点区域侧的端部的距离C为－50μm。即，凹部的输出凸点区域侧的端部形成到与输出凸点区域重叠50μm的位置。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向一个侧缘侧12.5％的位置。另外，比较例6所涉及的IC芯片，使输入凸点列的内侧缘与凹部的输入凸点区域侧的端部的距离J为200μm。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
比较例6所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.7μm。
[比较例7]
比较例7所涉及的IC芯片，使凹部深度D为60μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的输出凸点区域侧的端部的距离C为200μm。这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（400μm）的向另一个侧缘侧50％的位置。另外，比较例7所涉及的IC芯片，使输入凸点列的内侧缘与凹部的输入凸点区域侧的端部的距离J为－50μm。即，凹部的输入凸点区域侧的端部形成到与输入凸点区域重叠50μm的位置。另外，使用厚度50μm的缓冲材料。
比较例7所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.8μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.1μm。
[表3]
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如表3所示，实施例11～14所涉及的IC芯片，使凹部的输出凸点区域侧的端部，位于从最内侧的输出凸点列3内侧缘向一个侧缘侧小于输出凸点区域的宽度方向的长度A的12.5％的区域与从最内侧的输出凸点列的内侧缘向另一个侧缘侧小于输出凸点区域的宽度方向的长度A的50％的区域之间。因此，实施例11～14所涉及的连接体样品，与凹部的输入凸点区域侧的端部的位置无关地，与上述的实施例5～10同样地，利用热压接工具经由缓冲材料按压与输出凸点区域重叠的区域，并且与凸点间区域重叠的区域也不会被过度按压。因此，热压接工具的压力集中于输出凸点区域，抑制凸点间区域中的翘曲，并且还能通过热压接工具充分地按压外侧及内侧的输出凸点列。因此，实施例11～14所涉及的连接体样品，在外侧的输出凸点列中压缩变形后的导电性粒子直径也成为2.6μm以下，会具有良好的导通性。
另一方面，比较例6所涉及的IC芯片，由于凹部形成为使凹部的输出凸点区域侧的端部直到从最内侧的输出凸点列的内侧缘向一个侧缘侧为输出凸点区域的宽度方向的长度A的12.5％的位置，所以与输出凸点区域重叠的区域中的热压接工具的加压区域偏向一个侧缘侧，针对输出凸点区域的最内侧排列的输出凸点列的按压力不足。因此，比较例6所涉及的连接体样品中，内侧的输出凸点列中热压接工具的按压力会不足，压缩变形后的导电性粒子直径成为2.7μm，有可能出现导通不良。
另外，比较例7所涉及的IC芯片，由于凹部形成为使凹部的输出凸点区域侧的端部直到从最内侧的输出凸点列的内侧缘向另一个侧缘侧为输出凸点区域的宽度方向的长度A的50％的位置，所以热压接工具的按压力经由缓冲材料传递到凸点间区域，凸点间区域以输入凸点列及内侧的输出凸点列的各内侧缘为支点凹下地发生翘曲。因此，比较例7所涉及的连接体样品，外侧的输出凸点列中热压接工具的按压力会不足，压缩变形后的导电性粒子直径成为2.7μm以上，有可能发生导通不良。
[缓冲材料的变形例]
接着，对本发明的第2实施方式进行说明。此外，以下的说明中，对于与上述的IC芯片1、电路基板10、连接体20的结构相同的结构，标注相同的标号并省略其详细说明。
本发明也可以不在IC芯片1的按压面8设置凹部9，而在缓冲材料41设置凹部42。缓冲材料41与上述的缓冲材料15同样，在将IC芯片1各向异性导电连接到电路基板10时，介于IC芯片1的按压面8与热压接工具40之间。
如图7的（A）所示，缓冲材料41在与IC芯片1的按压面8密合的面，设有与输出凸点区域4和输入凸点区域6之间的凸点间区域7重叠的凹部42。如图8所示，缓冲材料41以矩形状形成，在宽度方向的两侧遍及长边方向而形成与IC芯片1的输入输出凸点区域4、6重叠的凸部43，并且在凸部43之间遍及长边方向而形成与凸点间区域7重叠的凹部42。
缓冲材料41通过在与凸点间区域7重叠的位置设置凹部42，使与输出凸点区域4及输入凸点区域6重叠的凸部43相对突出，能够局部地传递热压接工具40的按压力。
由此，缓冲材料41使热压接工具40的压力集中于输出凸点区域4和输入凸点区域6，从而抑制IC芯片1的翘曲，并且使排列多个输出凸点列3A～3C的输出凸点区域4的宽度方向上的压力梯度缓缓地均匀，防止在该一个侧缘2a侧中热压接工具40的按压力不足的情况。因此，IC芯片1在该一个侧缘2a侧形成的外侧的输出凸点3中也能在与电路基板10形成的输出端子16之间可靠地夹持导电性粒子，从而确保导通性。
这样，由于隔着形成有凹部42的缓冲材料41，IC芯片1中输出凸点3及输入凸点5会被热压接工具40充分地按压，能够在输入输出凸点3、5与设于电路基板10的输入输出端子16、17之间充分地按压导电性粒子，从而得到良好的导通性。
具有凹部42的缓冲材料41，能够使用例如聚酰亚胺、硅酮橡胶、聚四氟乙烯等一般在使用各向异性导电膜连接时用作为缓冲材料的公知的材料来制造，另外，能够通过例如注射模塑成形、挤压成形来制造。
另外，缓冲材料41能够通过切削表面来形成凹部42。另外，如图9所示，缓冲材料41也可以在与输入输出凸点区域4、6重叠的位置设置在与凸点间区域7重叠的区域之间形成阶梯差的辅助部件44而形成。辅助部件44使用能够在缓冲材料41使用的材料，例如耐热性优异的PI膜，并通过粘接部件粘接在缓冲材料41。另外，辅助部件44也可以通过涂敷绝缘膏并固化而设置。实际使用中，缓冲材料41优选为单一部件。这是因为由于连结进行各向异性连接，所以单一的情况比组合多个部件更易作到同一条件。
形成凹部42及凸部43的缓冲材料41，如图10的（A）所示，以膜状形成，并且凹部42沿着长边方向连续。或者。如图10的（B）所示，缓冲材料41以膜状形成，并且沿着短边方向形成的凹部42及凸部43沿着长边方向交替形成。而且，缓冲材料41能以卷筒状卷绕而保管，在连接体20的制造工序中从卷筒体引出，配置在热压接工具与IC芯片1、各向异性导电膜30之间而使用。
[凹部深度D]
凹部42优选具有缓冲材料41的全厚度T3的25％以上的深度D1。由此，缓冲材料41在被热压接工具40按压时，凹部42也不会按压按压面8，能够防止在IC芯片1出现如凸点间区域7凹下这样翘曲。
另一方面，若凹部42的深度D1小于缓冲材料41的全厚度T3的25％，则缓冲材料41在被热压接工具40按压时凹部42挠曲而会抵接到按压面8，从而热压接工具40的按压力传递到凸点间区域，能够在IC芯片1出现如凸点间区域7凹下这样翘曲。因此，IC芯片1在外侧的输出凸点列中热压接工具40的按压力不足，有可能出现导通不良。
[输出凸点的内侧缘与凹部的端部的距离]
在此，设凹部42的输出凸点区域4侧的端部与输出凸点区域4的最内侧排列的输出凸点列3C的内侧缘的距离为C’、输出凸点区域4的与输出凸点3的排列方向正交的宽度方向的长度为A。此时，如图11的（A）所示，缓冲材料41优选使凹部42的输入输出凸点区域4侧的端部位于凸点间区域内，并使凸部43和凸点间区域重叠的范围直到凸点间区域的宽度G的50％（每一侧25％）。另外，如图11的（B）所示，缓冲材料41优选使凹部42的输出凸点区域4侧的端部位于从输出凸点列3C的内侧缘向一个侧缘2a侧小于输出凸点区域4的宽度方向的长度A的20％的区域。
以使输出凸点区域4侧的端部位于上述区域的方式配置凹部42，从而利用热压接工具40以充分的压力按压与输出凸点区域4重叠的区域，并且也不会过度按压与凸点间区域7重叠的区域。因此，热压接工具40的压力集中于输出凸点区域4，从而抑制凸点间区域7中的翘曲，并且利用热压接工具40能够充分地按压各输出凸点列3A～3C。
缓冲材料41使凹部42的输入输出凸点区域4侧的端部位于靠近凸点间区域的中心，若凸部43和凸点间区域重叠的范围超过凸点间区域的宽度G的50％，则热压接工具40的加压区域会扩展到与凸点间区域7重叠的区域，当由热压接工具40按压IC芯片1时，会以输出凸点区域4的内侧设置的输出凸点列3C为支点，以使中央的凸点间区域7凹下的方式发生翘曲。因此，针对输出凸点区域4的最外侧排列的输出凸点列3A的按压力不足。
另外，缓冲材料41在凹部42的输出凸点区域4侧的端部配置在从输出凸点列3C的内侧缘向一个侧缘2a侧为输出凸点区域4的宽度方向的长度A的20％以上的区域时，与输出凸点区域4重叠的区域中的热压接工具40的加压区域会偏向一个侧缘2a侧，针对输出凸点区域4的最内侧排列的输出凸点列3C的按压力会不足。
[连接工序]
接着，对利用缓冲材料41将IC芯片1各向异性导电连接到电路基板10的连接工序进行说明。首先，向IC芯片1的按压面8与用于临时粘贴的加热至低温的热压接工具（未图示）之间输送缓冲材料41，使各向异性导电膜30临时粘贴到电路基板10的形成输入输出端子的安装面上。接着，将该电路基板10承载于连接装置的平台上，经由各向异性导电膜30将IC芯片1配置在电路基板10的安装面上。
接着，通过加热到使粘合剂树脂层33固化的既定温度的热压接工具40，以既定压力、时间经由缓冲材料41热加压在IC芯片1的按压面8上。由此，各向异性导电膜30的粘合剂树脂层33显示流动性，从IC芯片1的安装面2与电路基板10的安装面之间流出，并且粘合剂树脂层33中的导电性粒子32被夹持在输出凸点3与输出端子16之间、以及输入凸点5与输入端子17之间而压碎。
在此，如上所述缓冲材料41形成为膜状并且从卷筒体引出，输送到热压接工具的下方而加以利用。此时，在缓冲材料41的输送方向P1和搭载各向异性导电膜30、IC芯片1的电路基板的输送方向P2相同的情况下，如图10的（A）所示，使用凹部42沿着长边方向连续的缓冲材料41。在该情况下，缓冲材料41以与各向异性导电膜30平行的方式被输送，因此能够以与通常的各向异性导电连接同样的方法进行配置。
另外，在缓冲材料41的输送方向P1与搭载各向异性导电膜30、IC芯片1的电路基板的输送方向P2正交的情况下，如图10的（B）所示，使用沿着短边方向形成的凹部42及凸部43沿着长边方向交替形成的缓冲材料41。
依据适用本发明的缓冲材料41，由于设有与IC芯片1的凸点间区域7重叠的凹部42，热压接工具40的压力会集中于输出凸点区域4和输入凸点区域6，从而能抑制翘曲，并且输出凸点3及输入凸点5通过热压接工具40被充分地按压。
其结果，通过在输入输出凸点3、5与电路基板10的输入输出端子16、17之间夹持导电性粒子32而电连接，在该状态下被热压接工具40加热的粘合剂树脂固化。因此，IC芯片1在该一个侧缘2a侧的输出凸点列3A中与形成在电路基板10的输出端子16之间也能可靠地确保导通性。
不在输入输出凸点3、5与电路基板10的输入输出端子16、17之间的导电性粒子32，分散到粘合剂树脂中，维持电绝缘的状态。由此，仅在IC芯片1的输出凸点3及输入凸点5与电路基板10的输入输出端子16、17之间实现电导通。
[第4实施例]
在第4实施例中，利用改变凹部深度D1及凹部的端部与输入输出凸点列的内侧缘的距离C’、J’的缓冲材料，形成将IC芯片连接在玻璃基板的连接体样品，测定了外侧的输出凸点列及内侧的输出凸点列中，压缩变形的导电性粒子的直径。压缩变形后的导电性粒子直径的评价与第1实施例相同。
[评价用IC芯片]
本实施例所使用的IC芯片为20mm×1.6mm、厚度0.2mm，在安装面的一个侧缘设有输出凸点沿着长边方向排列的输出凸点区域，在另一个侧缘形成有输入凸点沿着长边方向排列的输入凸点区域。在输出凸点区域输出凸点列遍及安装面的宽度方向而并排3列，在输入凸点区域形成1列的输入凸点列。另外，使输出凸点区域的宽度方向的长度A为350μm、输入凸点区域的宽度方向的长度为60μm。另外，输出凸点区域及输入凸点区域与外侧缘的距离分别为70μm。此外，构成三个输出凸点列的各输出凸点以交错状排列（参照图2）。另外，输出凸点区域与输入凸点区域之间的凸点间区域的宽度G约为1000μm。
[评价用基板]
搭载评价用的IC芯片的电路基板为厚度200μm的玻璃基板，在安装面以所谓的实布线形成有Al层。
[缓冲材料/各向异性导电膜]
IC芯片的安装是这样进行的，即，将各向异性导电膜贴在玻璃基板的安装面之后，利用热压接工具以既定温度、压力、时间经由缓冲材料加热按压IC芯片的按压面。作为缓冲材料使用聚酰亚胺，通过粘贴聚酰亚胺带，形成不同深度的凹部，并且准备使全厚度为100μm的多个样品。
各向异性导电膜使用与第1实施例相同的导电膜。另外，热压接工具的IC芯片的压接条件也与第1实施例相同。
[实施例15]
实施例15中，使凹部深度D1为50μm、从IC芯片的输出凸点侧的侧缘2a到凹部的距离L1为470μm、从IC芯片的输入凸点侧的侧缘2b到凹部的距离L2为180μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C’及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J’为50μm。即，实施例15所涉及的缓冲材料，使凹部的端部位于IC芯片的凸点间区域内，凸部重叠到凸点间区域宽度G（1000μm）的10％（每一侧50μm）（参照图11的（A））。
实施例15所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.3μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[实施例16]
实施例16中，除了使用凹部深度D1为75μm的缓冲材料之外，条件与实施例15相同。
实施例16所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.3μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[实施例17]
实施例17中，除了使用凹部深度D1为25μm的缓冲材料之外，条件与实施例15相同。
实施例17所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.4μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[实施例18]
实施例18所涉及的连接体样品中，使凹部深度D1为50μm、从IC芯片的输出凸点侧的侧缘2a到凹部的距离L1为670μm、从IC芯片的输入凸点侧的侧缘2b到凹部的距离L2为380μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C’及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J’为250μm。即，实施例18所涉及的缓冲材料，使凹部的端部位于IC芯片的凸点间区域内，凸部重叠到凸点间区域宽度G（1000μm）的50％（每一侧250μm）（参照图11的（A））。
实施例18所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.5μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.1μm。
[实施例19]
实施例19中，除了使用凹部深度D1为25μm的缓冲材料之外，条件与实施例18相同。
实施例19所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.5μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[比较例8]
比较例8中，使用没有形成凹部的缓冲材料。比较例8所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.9μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.1μm。
[比较例9]
比较例9中，除了使用凹部深度D1为10μm的缓冲材料之外，条件与实施例15相同。
比较例9所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.8μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.1μm。
[比较例10]
比较例10所涉及的连接体样品中，使凹部深度D1为50μm、从IC芯片的输出凸点侧的侧缘2a到凹部的距离L1为820μm、从IC芯片的输入凸点侧的侧缘2b到凹部的距离L2为530μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C’及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J’为400μm。即，比较例10所涉及的缓冲材料，使凹部的端部位于IC芯片的凸点间区域内，凸部重叠到凸点间区域宽度G（1000μm）的80％（每一侧400μm）（参照图11的（A））。
比较例10所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.8μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.2μm。
[比较例11]
比较例11所涉及的连接体样品中，使凹部深度D1为50μm、从IC芯片的输出凸点侧的侧缘2a到凹部的距离L1为345μm、从IC芯片的输入凸点侧的侧缘2b到凹部的距离L2为55μm、最内侧的输出凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离C’及输入凸点列的内侧缘与凹部的端部的距离J’为－75μm。即，比较例11所涉及的缓冲材料，使凹部的端部位于IC芯片的输入输出凸点区域（参照图11的（B）），这成为输出凸点区域的宽度方向的长度A（350μm）的向一个侧缘侧21.4％的位置。
比较例11所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.1μm，内侧的输出凸点列中的导电性粒子直径为2.7μm。
[表4]
如表4所示，实施例15～19所涉及的缓冲材料，具有全厚度T3的25％以上的深度D1，并且凹部的端部位于IC芯片的凸点间区域的50％以内，凸部与凸点间区域的重叠面积为凸点间区域的50％以下。因此，实施例15～19所涉及的连接体样品中，经由缓冲材料输出凸点区域被热压接工具充分地按压，并且凸点间区域也不会被过度按压。因此，热压接工具的压力集中于输出凸点区域，从而能抑制凸点间区域中的翘曲，并且外侧及内侧的输出凸点列也能通过热压接工具被充分地按压。因此，实施例15～19所涉及的连接体样品，在外侧的输出凸点列中压缩变形后的导电性粒子直径也成为2.6μm以下，会具有良好的导通性。
另一方面，比较例8所涉及的缓冲材料由于没有形成凹部，热压接工具的按压力传递到凸点间区域而在IC芯片如凸点间区域凹下这样发生翘曲。因此，比较例8所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中热压接工具的按压力会不足，压缩变形后的导电性粒子直径成为2.9μm，有可能出现导通不良。
另外，比较例9所涉及的缓冲材料中凹部的深度浅到全厚度T3的10％，被热压接工具按压时凹部挠曲而抵接到IC芯片的按压面，从而热压接工具的按压力传递到凸点间区域而在IC芯片如凸点间区域凹下这样发生翘曲。因此，比较例9所涉及的连接体样品中，外侧的输出凸点列中热压接工具的按压力会不足，压缩变形后的导电性粒子直径成为2.8μm，有可能出现导通不良。
另外，比较例10所涉及的缓冲材料，使凹部的端部位于靠近凸点间区域宽度G的中央，凸部与凸点间区域的重叠面积为凸点间区域的80％，因此热压接工具的按压力会经由缓冲材料传递到凸点间区域，会以输入凸点列及内侧的输出凸点列的各内侧缘为支点如凸点间区域凹下这样发生翘曲。因此，比较例10所涉及的连接体样品，在外侧的输出凸点列中热压接工具的按压力会不足，压缩变形后的导电性粒子直径成为2.8μm，有可能出现导通不良。
另外，比较例11所涉及的缓冲材料，使凹部的端部位于输出凸点区域的21％内侧，凸部与输出凸点区域的重叠面积较少，与输出凸点区域重叠的区域中的热压接工具的加压区域偏向一个侧缘侧，针对输出凸点区域的最内侧排列的输出凸点列的按压力会不足。因此，比较例11所涉及的连接体样品中，在内侧的输出凸点列中热压接工具的按压力会不足，压缩变形后的导电性粒子直径成为2.7μm，有可能出现导通不良。
这样，得知通过使缓冲材料的形状处于适当的范围，与IC芯片的背面加工同样，能进行稳定的各向异性连接。缓冲材料与IC芯片相比廉价，因此能够有助于成本的降低。另外，存在各种的IC芯片的凸点布局，但是能见到效果的缓冲材料的凹凸尺寸的适用范围有容限，因此，可知即便IC芯片的凸点布局发生变更，较少变更缓冲材料即可，由此也能有助于成本的降低。
标号说明
1　IC芯片；2　安装面；2a　一个侧缘；2b　另一个侧缘；3　输出凸点；3A～3C输出凸点列；4　输出凸点区域；5　输入凸点；5A　输入凸点列；6　输入凸点区域；7　凸点间区域；8　按压面；9　凹部；10　电路基板；15　缓冲材料；18　伪凸点；19　伪凸点区域；20　连接体；30　各向异性导电膜；31　剥离膜；32　导电性粒子；33　粘合剂树脂；40　热压接工具；41　缓冲材料；42　凹部；43　凸部。

Claims (24)

1.一种电子部件，其中，
在与电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着所述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，
在与所述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与所述输出凸点区域和所述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部，
所述凹部的所述输出凸点区域或输入凸点区域的一侧的端部，位于从所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、一个凸点区域的最内侧排列的凸点列的内侧缘向所述一个凸点区域的与所述凸点的排列方向正交的宽度方向的设有所述一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的12.5％的区域、与向所述一个凸点区域的所述宽度方向的设有所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、另一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的50％的区域之间。
2.如权利要求1所述的电子部件，其中，所述凹部的所述输出凸点区域或输入凸点区域的一侧的端部，位于从所述一个凸点区域的最内侧排列的凸点列的内侧缘向所述一个凸点区域的与所述凸点的排列方向正交的宽度方向的设有所述一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的7.5％的长度的区域、与向所述一个凸点区域的所述宽度方向的设有所述另一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的37.5％的区域之间。
3.如权利要求1或2所述的电子部件，其中，所述一个凸点区域为输出凸点区域。
4.一种电子部件，其中，
在与电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着所述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，
在与所述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与所述输出凸点区域和所述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部，
所述凹部在所述按压面的与所述输出凸点区域及所述输入凸点区域重叠的位置设有在与所述凸点间区域之间形成阶梯差的辅助部件而形成。
5.如权利要求1或4所述的电子部件，其中，所述凹部通过切削按压面而形成。
6.如权利要求1或4所述的电子部件，其中，所述凹部的深度为形成该凹部的基板的厚度的90％以下。
7.一种连接体，电子部件经由粘接剂配置在电路基板上，通过用压接工具进行加压，所述电子部件连接在所述电路基板上，在所述连接体中，
所述电子部件，
在与所述电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着所述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，
在与所述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与所述输出凸点区域和所述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部，
所述凹部的所述输出凸点区域或输入凸点区域的一侧的端部，位于从所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、一个凸点区域的最内侧排列的凸点列的内侧缘向所述一个凸点区域的与所述凸点的排列方向正交的宽度方向的设有所述一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的12.5％的区域、与向所述一个凸点区域的所述宽度方向的设有所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、另一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的50％的区域之间。
8.一种连接体，电子部件经由粘接剂配置在电路基板上，通过用压接工具进行加压，所述电子部件连接在所述电路基板上，在所述连接体中，
所述电子部件，
在与所述电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着所述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，
在与所述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与所述输出凸点区域和所述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部，
所述凹部在所述按压面的与所述输出凸点区域及所述输入凸点区域重叠的位置设有在与所述凸点间区域之间形成阶梯差的辅助部件而形成。
9.如权利要求7或8所述的连接体，其中，所述凹部的深度为形成该凹部的基板的厚度的90％以下。
10.一种连接体的制造方法，经由粘接剂在电路基板上配置电子部件，通过用压接工具进行加压来将所述电子部件连接在所述电路基板上，在所述连接体的制造方法中，
所述电子部件，
在与所述电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着所述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，
在与所述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与所述输出凸点区域和所述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部，
所述凹部的所述输出凸点区域或输入凸点区域的一侧的端部，位于从所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、一个凸点区域的最内侧排列的凸点列的内侧缘向所述一个凸点区域的与所述凸点的排列方向正交的宽度方向的设有所述一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的12.5％的区域、与向所述一个凸点区域的所述宽度方向的设有所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、另一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的50％的区域之间。
11.一种连接体的制造方法，经由粘接剂在电路基板上配置电子部件，通过用压接工具进行加压来将所述电子部件连接在所述电路基板上，在所述连接体的制造方法中，
所述电子部件，
在与所述电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着所述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，
在与所述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与所述输出凸点区域和所述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部，
所述凹部在所述按压面的与所述输出凸点区域及所述输入凸点区域重叠的位置设有在与所述凸点间区域之间形成阶梯差的辅助部件而形成。
12.如权利要求10或11所述的连接体的制造方法，其中，使用比所述凹部的深度薄的缓冲材料来压接所述电子部件。
13.如权利要求10或11所述的连接体的制造方法，其中，所述凹部的深度为形成该凹部的基板的厚度的90％以下。
14.一种电子部件的连接方法，经由粘接剂在电路基板上配置电子部件，通过用压接工具进行加压来将所述电子部件连接在所述电路基板上，在所述电子部件的连接方法中，
所述电子部件，
在与所述电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着所述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，
在与所述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与所述输出凸点区域和所述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部，
所述凹部的所述输出凸点区域或输入凸点区域的一侧的端部，位于从所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、一个凸点区域的最内侧排列的凸点列的内侧缘向所述一个凸点区域的与所述凸点的排列方向正交的宽度方向的设有所述一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的12.5％的区域、与向所述一个凸点区域的所述宽度方向的设有所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、另一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的50％的区域之间。
15.一种电子部件的连接方法，经由粘接剂在电路基板上配置电子部件，通过用压接工具进行加压来将所述电子部件连接在所述电路基板上，在所述电子部件的连接方法中，
所述电子部件，
在与所述电路基板连接的安装面，设有输出凸点沿着相对置的一对侧缘的一侧排列的输出凸点区域，并且设有输入凸点沿着所述一对侧缘的另一侧排列的输入凸点区域，
在与所述安装面相反侧的被压接工具按压的按压面，设有与所述输出凸点区域和所述输入凸点区域之间的凸点间区域重叠的凹部，
所述凹部在所述按压面的与所述输出凸点区域及所述输入凸点区域重叠的位置设有在与所述凸点间区域之间形成阶梯差的辅助部件而形成。
16.如权利要求14或15所述的电子部件的连接方法，其中，使用比所述凹部的深度薄的缓冲材料来压接所述电子部件。
17.如权利要求14或15所述的电子部件的连接方法，其中，所述凹部的深度为形成该凹部的基板的厚度的90％以下。
18.一种缓冲材料，是在与电路基板连接的安装面具有排列有输出凸点的输出凸点区域、与所述输出凸点区域对置而排列有输入凸点的输入凸点区域、以及设在所述输出凸点区域与所述输入凸点区域之间的凸点间区域的电子部件的与所述安装面相反侧的按压面与压接工具之间配置的片状的缓冲材料，其中，
在与所述凸点间区域对应的位置形成有凹部，
所述凹部的所述输出凸点区域或输入凸点区域的一侧的端部，位于从所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、一个凸点区域的最内侧排列的凸点列的内侧缘向所述一个凸点区域的与所述凸点的排列方向正交的宽度方向的设有所述一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的12.5％的区域、与向所述一个凸点区域的所述宽度方向的设有所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、另一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的50％的区域之间。
19.如权利要求18所述的缓冲材料，其中，所述电子部件设有沿着相对置的一对侧缘的一侧排列所述输出凸点的所述输出凸点区域，并且设有沿着所述一对侧缘的另一侧排列所述输入凸点的所述输入凸点区域。
20.如权利要求18或19所述的缓冲材料，其中，所述输出凸点区域并排多个排列有所述输出凸点的凸点列。
21.如权利要求18或19所述的缓冲材料，大致以矩形状形成，并且沿着长边方向形成有所述凹部。
22.如权利要求18或19所述的缓冲材料，大致以矩形状形成，并且沿着短边方向形成的所述凹部沿着长边方向形成多个。
23.一种连接体的制造方法，经由粘接剂在电路基板上配置电子部件，并经由缓冲材料用压接工具进行加压，从而将所述电子部件连接在所述电路基板上，在所述连接体的制造方法中，
所述电子部件在与所述电路基板连接的安装面，具有排列有输出凸点的输出凸点区域、与所述输出凸点区域对置而排列有输入凸点的输入凸点区域、以及设在所述输出凸点区域与所述输入凸点区域之间的凸点间区域，
所述缓冲材料在与所述凸点间区域对应的位置形成有凹部，
所述凹部的所述输出凸点区域或输入凸点区域的一侧的端部，位于从所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、一个凸点区域的最内侧排列的凸点列的内侧缘向所述一个凸点区域的与所述凸点的排列方向正交的宽度方向的设有所述一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的12.5％的区域、与向所述一个凸点区域的所述宽度方向的设有所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、另一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的50％的区域之间。
24.一种电子部件的连接方法，经由粘接剂在电路基板上配置电子部件，并经由缓冲材料用压接工具进行加压，从而将所述电子部件连接在所述电路基板上，在所述电子部件的连接方法中，
所述电子部件在与所述电路基板连接的安装面，具有排列有输出凸点的输出凸点区域、与所述输出凸点区域对置而排列有输入凸点的输入凸点区域、以及设在所述输出凸点区域与所述输入凸点区域之间的凸点间区域，
所述缓冲材料在与所述凸点间区域对应的位置形成有凹部，
所述凹部的所述输出凸点区域或输入凸点区域的一侧的端部，位于从所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、一个凸点区域的最内侧排列的凸点列的内侧缘向所述一个凸点区域的与所述凸点的排列方向正交的宽度方向的设有所述一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的12.5％的区域、与向所述一个凸点区域的所述宽度方向的设有所述输出凸点区域和所述输入凸点区域中的、另一个凸点区域的侧缘侧小于所述一个凸点区域的所述宽度方向的长度的50％的区域之间。
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