CN105304287A - 集成变压器 - Google Patents

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Abstract

集成变压器包括均具有螺旋平面布置的线圈的初级绕组和次级绕组。介电材料的介电部介于初级绕组与次级绕组之间。场板绕组与初级绕组电耦合。场板绕组包括具有大于初级绕组的初级外侧线圈的第二横向延伸的第一横向延伸的至少一个场板线圈。场板线圈在平面图中与初级绕组的初级外侧线圈叠置。

Description

集成变压器
优先权要求
本申请要求2014年6月16日提交的意大利专利申请No.MI2014A001088的优先权，该申请的公开内容通过引用并入。
技术领域
本发明涉及电子领域。更详细地，本发明涉及集成感应部件、特别是集成变压器。
背景技术
变压器是电子工业中、特别是射频电子装置(例如，收发器)和电力电子装置(例如，电压转换器)中广泛使用的部件。
电子电路的小型化(缩放)的恒定工艺和(电子)片上系统(SoC)器件(即，集成在芯片半导体材料(例如，硅)上的复杂电子系统)的随后发展导致了提供小型化集成电感器，并且结果是导致了提供允许制造包括这样的(集成)射频电路部和/或(集成)功率电路部的SoC的集成变压器。
一般情况下，集成变压器(以下简称为“变压器”)包括两个或更多个(集成)电感器，每个借助于具有螺旋布置的金属性材料(例如，铝或铜)条带形成。例如，电感器的金属性材料被包括在集成电路的金属性层中，电感器是该集成电路的一部分。
归因于这些电感器的极小尺寸，电感器在它们的操作期间所经受的操作电压可以导致其劣化(导致它们的操作效率的降低)，直到它们完全毁坏(阻止了它们被集成在其中的SoC的正确运行)。
例如，通过考虑电压转换器电路，它通常包括初级绕组和次级绕组，初级绕组包括由对应的金属性层形成的电感器，次级绕组包括由对应的不同金属性层形成的另一电感器。两个绕组通过一层(或多层)绝缘材料分开。在该类型的结构中，存在于变压器的两个绕组之间的操作电压、或变压器被连接所在的电网上的非寻常事件(诸如电源电压中的峰值等)或在变压器上(用于其电流隔离(galvanicisolation)的认证所需)执行测试期间施加的电压应力可能需要两个绕组之间的电场，该电场产生对变压器有害的影响。特别地，与形成经受高强度电压(例如，由电网络提供或来自电源模块)的初级绕组(即，被施加具有较大值的电位差的变压器绕组)的电感器的一个(或多个)外侧线圈相对应地，可能发生称作边缘效应(fringingeffect)的物理现象。
边缘效应引起与形成上侧绕组(因此称作初级绕组)的电感器的外侧线圈的边沿(或边缘)相对应的电场的局部集中。由于边沿的效应而引起的电场的该局部集中可以引起初级绕组的劣化、直到坏掉(或烧毁)，由此损害了或者甚至阻止了变压器(以及因此电路所属于的SoC)的操作。
发明内容
概括地讲，根据一个或多个实施例的技术方案提供了变压器结构，该变压器结构被适配成抑制或至少显著缓解与归因于两个绕组之间存在的电压所产生的电场的边缘效应相关联的缺点。
更具体地，根据实施例的技术方案的一个方面提供一种集成变压器。集成变压器包括：初级绕组和次级绕组，均由金属性材料制成并且具有包括对应的多个线圈的螺旋平面布置；和介于初级绕组与次级绕组之间的介电材料的介电部。在根据实施例的技术方案中，集成变压器进一步包括与初级绕组电耦合的场板绕组。场板绕组包括具有大于初级绕组的初级外侧线圈的横向延伸的横向延伸的至少一个场板线圈，其中至少一个场板线圈在平面图中与初级绕组的初级外侧线圈叠置。场板绕组被适配成与初级绕组的初级外侧线圈的面向次级绕组的边沿相对应地将操作电场的一个等位面与其他等位面分开。
另一方面提供了一种包括至少一个上述变压器的片上系统。
不同方面提供了一种包括至少上述片上系统的电子设备。
另外的方面提供了一种用于在半导体材料的芯片中集成这样的变压器的方法。
附图说明
本公开的技术方案以及附加特征及其优点将参照待结合附图(其中对应的元件用相同或相似的附图标记来表示，并且为简洁起见不重复其说明)阅读的纯粹借助于指示而非限制的方式给出的以下详细描述而变得更好理解。在这方面，明确地意在：附图并不一定按比例(具有可能被夸大和/或被简化的一些细节)，并且除非另有指示，否则它们仅用于概念性地图示出所描述的结构和过程。具体而言：
图1A是包括了根据实施例的集成变压器的片上系统的一部分的示意性截面侧视图；
图1B是包括了图1A的集成变压器的片上系统的一部分的示意性平面图；
图2是包括了根据另一实施例的集成变压器的片上系统的一部分的示意性截面侧视图；
图3是在归因于边缘效应的电场峰值方面图示出图1A、图1B和图2的变压器的优点的质量分析图表；
图4是包括了根据不同实施例的集成变压器的片上系统的一部分的示意性截面侧视图；以及
图5是包括了根据备选实施例的集成变压器的片上系统的一部分的示意性截面图。
具体实施方式
参照附图，图1A和图1B分别是包括了根据实施例的集成变压器105的片上系统100的一部分的示意性截面图和平面图。
片上系统100包括集成部110，该集成部110包括其中形成有片上系统100的半导体电子部件(为简单起见未示出)的一个或多个半导体材料层。
片上系统100还包括范围从第一金属性层M1至最后一个金属性层MN(在图1A的示例中N＝5)的多个金属性层105(例如，在图1A的示例中为五个)，最后一个金属性层MN典型地用于形成电接触焊盘，其中只有焊盘115在图1A和图1B中可见，用于将集成部110内的电子部件与随附的外部元件电耦合(例如经由连接导线耦合至电连接端子)。
形成在集成部110中的电子部件经由穿过介于集成部110与第一金属性层M1之间的介电材料的绝缘层1301的半导体材料的立柱或过孔1251被电耦合至形成在第一金属性层M1中的电连接元件1201。依次地，各金属性层的电连接元件1201、1202和1203可以借助于跨越介于金属性层M1、M2、M3和M4之间的介电材料中的相应的绝缘层1302、1303和1304的对应过孔1252、1253和1254被电耦合至分别形成在相应的上侧金属性层(即，每个与前一个相比更远离集成部110)中的电连接元件1202、1203和1204。
反之，形成在倒数第二个金属层MN-1(在图1A的示例中为M4)中的电连接元件1204通过跨越对应绝缘层1305的对应过孔1255被电耦合至形成在最后一个金属性层MN(在图1A的示例中为M5)中的焊盘115。
在根据实施例的技术方案中，集成变压器105包括形成在倒数第二个金属层MN-1中的初级绕组135(即，感应元件)和形成在第一金属层M1中的次级绕组140(即，另外的感应元件)。初级绕组135和次级绕组140具有平面形状，并且包括具有基本螺旋布置(即，围绕中心点卷绕的布置)的金属性材料条带，其中初级绕组135包括多个初级线圈137并且次级绕组包括多个次级线圈142—其中“线圈”是指其端部限定了相对于螺旋布置的中心点的圆周角的初级137或次级142绕组部。在图1B中的示例中，初级绕组135的和次级绕组140的中心点相互对齐(即，在平面图中彼此重叠)，并因此初级绕组135和次级绕组140在平面图中被叠置；然而，绕组的其他布置是可以的。
优选地，但不是必须地，在初级绕组135与次级绕组140之间未供应电互连元件；换言之，初级绕组135和次级绕组140通过绝缘层1301、1302、1303和1304分开。因此，初级绕组135和次级绕组140通过具有厚度Td的介电部145(包括绝缘层1301、1302、1303和1304)隔开。
另外，集成变压器105包括形成在最后一个金属性层MN中的场板绕组、以下简称为板绕组150。
板绕组150包括具有在平面图中与初级绕组135的初级外侧线圈137a叠置的布置的至少一个外侧板线圈152a(例如，金属性材料条带)。此外，外侧板线圈152a的横向延伸xa以如下方式大于初级绕组135的初级外侧线圈137a的横向延伸xp，使得：外侧板线圈152a在相对于初级绕组135的其他线圈137的位置的相反方向上在平面图中以延伸距离d延伸超过初级外侧线圈137a。
例如，板绕组150包括具有基本螺旋布置的金属性材料条带，基本螺旋布置包括多个线圈152以便在平面图中对应于初级绕组135(即，围绕与初级绕组135的中心点叠置的中心点卷绕，其中板绕组150的各线圈152在平面图中与初级绕组135的线圈137叠置)。
优选地，初级绕组135的各线圈137例如借助于对应过孔155被电耦合至板绕组150的对应且覆盖在上面的线圈152,对应过孔155穿过介于线圈137与线圈152间的绝缘层1305。
成对的变压器焊盘160a和160b(图1B可见)被设置为电接触初级绕组135和板绕组150。优选地，第一变压器焊盘160a与初级绕组135和板绕组150卷绕所围绕的中心点相对应地设置，并且被电耦合至它们的最内侧线圈137b和157b，而第二变压器焊盘160b与绕组135和150的外侧线圈137a和152a的端部对应地设置，并且被电耦合至该端部。
反之，次级绕组包括成对的电连接部(未示出)，其中一个被耦合至次级绕组140的外侧线圈142a并且另一个被电耦合至最内侧线圈(在图1A和图1B中不可见)。电连接部通常被电耦合至集成部110中的电子部件。
最后，片上系统100包括覆盖最外侧绝缘层1305的表面和板绕组150的用于保护它们免受外部环境影响的绝缘表面层165，使得焊盘115的至少一部分和变压器焊盘160a和160b的一部分被暴露(用于允许电连接)。
由于刚刚描述的集成变压器105的结构，能够显著降低与集成变压器105的操作期间可能与初级绕组135的初级外侧线圈137a相对应地发生的边缘效应相关联的电场峰值，由此相对于公知的变压器为集成变压器105提供了较大的鲁棒性。
在实施例中，当在变压器的绕组137和152之间施加电位差(电)V1(例如，以数千伏特的数量级，如1kV≤V1≤10kV)时，边缘效应在绕组135和150的外侧线圈137a和152a的下边沿之间以分布的方式(即，面向次级绕组140)发展。
板绕组150的存在允许相对于公知的变压器的情况有利地改变由变压器的两个绕组137与152之间所施加的电位差V1产生的电场E1。实际上，外侧线圈137a和152a的下边沿位于相同等位面(equipotentialsurface)上；因此，电场E1分布在两个外侧线圈137a和152a上，并且不像现有技术中一样集中在单个线圈上。
外侧板线圈152a(在平面图中)超过初级外侧线圈137a的延伸距离d(即，板绕组150的横向延伸xa与初级绕组135的横向延伸xp之间的在与其他线圈137相反的方向上的差异)引起电场E1的弛豫(即，电场E1的等位面以大于公知技术中的分开距离布置)。在该情况中，分别归因于在绕组135和150的两个外侧线圈137a和152a的下边沿处的边缘效应而发展出电场峰值E1p135和E1p150。外侧线圈137a与152a之间的延伸距离d可以被限定为使得电场峰值E1p135和E1p150不能引起集成变压器105的劣化。
详细地，电场E1的等位面的分布依赖于外侧板线圈152a超过(在平面图中)初级外侧线圈137a的延伸距离d的值。特别地，电场E1的等位面的分布在对于小的延伸距离(即，d→0)而言等位面集中在初级外侧线圈137a处时的分布与对于大的延伸距离d(即比将初级绕组135与板绕组150分开的绝缘层1305的厚度ti大得多的距离(诸如大于10×ti的延伸距离d))而言等位面集中在外侧板线圈152a处时的分布之间变化。在第一种情况(即，小的延伸距离d)中，与初级外侧线圈137a的下边沿(即，面朝次级绕组140并朝向初级绕组135的外侧)相对应地聚集的等位面的集中确定了该区域中的主导强度的电场峰值E1p135(以与公知技术中所发生的方式类似的方式)。在第二种情况(即，大的延伸距离d)中，等位面的集中与外侧板线圈152a的下边沿153相对应地聚集，确定了该区域中的主导强度的电场峰值E1p150。
因此，能够以如下方式限定外侧板线圈152a超过初级外侧线圈152a(与其他线圈137和152相比在相反方向上)的延伸距离d(例如，2×ti≤d≤4×ti)，使得：电场的等位面被布置在包围外侧线圈137a和152a的空间中，其中与其他线圈之中的一个线圈的距离比现有技术中公知的情况大(在该情况中，它们彼此靠近地聚集在初级绕组的与其其他线圈相反的外侧线圈的下底部处)。
在实施例中，提供了集成变压器150的较大鲁棒性的延伸距离d似乎是电场峰值E1p135与E1p150相等(即，如下面描述的图3中可见的E1p135＝E1p150)时的延伸距离d。以该方式，获得了与公知的变压器中对于变压器的绕组之间施加的相同电位差V1而言将发生的电场峰值Epn相比显著降低了的成对的电场峰值E1p135和E1p150(例如，E1p135＝E1p150≤85％Epn)。
根据实施例的集成变压器105能够还是以绕组135与140之间施加的高电压值V1操作，抑制了或至少显著缓解了与初级绕组135上的归因于电场E1的边缘效应相关联的诸如击穿(或烧毁)等的缺点。
现在转到图2，它是包括了根据本发明的另一实施例的集成变压器205的片上系统200的一部分的示意性截面侧视图。
集成变压器205与上述集成变压器105的区别如下(其中相似的元件用相似的附图标记指示出并且为简洁起见不重复其描述)。
在集成变压器200中，介电材料的衰减层270设置在板绕组150的下方并且与其线圈152的下表面接触。衰减层270包括具有大于介电部145的介电系数εd(如果有更多不同材料则取平均值)的介电系数εa的介电材料(典型地，本领域技术人员称为“高k材料”)。例如，介电部145可以由二氧化硅SiO2形成并且具有εd＝3.9的介电系数，而衰减层270可以由氮化硅Si3N4形成并因此具有εa＝7.5＞3.9的介电系数(适用于在根据备选实施例的变压器中使用的备选介电材料的示例包括但不限于氧化铝Al2O3、ε＝9和碳氮化硅SiCN、ε＝5)。
在实施例中，衰减层270被提供用于改变在板绕组150的外侧板线圈152a的下边沿153处由变压器的绕组135与140之间施加的电位差V2产生的电场E2。
特别地，衰减层270的从与板绕组150的下表面接触的位置朝向集成部110延伸的厚度ta被以如下方式形成尺寸：使得增加外侧板线圈152a的下边沿153处的在电场E2的等位面之间的距离。实际上，高的介电系数εa(即，大于介电系数εd)在所设置的衰减层内引起等位面与电场E2之间的较大分开，特别是，与外侧板线圈152a的边沿153下方的区域相对应地—即，面向相对于剩余线圈152的位置的相反方向，并且在那里在没有衰减层270情况下将发生电场E2的等位面之间的较大接近性—并因此进一步降低了其中产生的电场峰值E2p150(与之前的情况相比)。
有利地，衰减层270的厚度ta被以如下方式形成尺寸：使得对应于其中电场E2的等位面在没有衰减层270(如图1A和图1B中示出的集成变压器105的情况中一样)的对应集成变压器(即，具有相似结构和尺寸)中最靠近的区域的延伸。发明人发现，利用这样的厚度，能够将外侧板线圈152a的下边沿153处产生的电场峰值E2p150降低至最小值(即，其不能通过进一步增加厚度ta而提高)。以该方式，获得了与关于图1A和图1B所说明的之前的情况相比显著降低了的成对的电场峰值E2p135和E2p150，并因此与在公知的变压器中对于在集成变压器205的绕组135与140之间施加的相同电位差V2而言将发生的电场峰值Epn(以MV/cm的数量级)相比被进一步降低(例如，E2p135＝E2p150≤75％Epn)。因此，根据实施例的集成变压器205允许以与之前的情况相比较大的效率(由于衰减层270)抑制或至少显著缓解与归因于电场E2的边缘效应相关联的缺点。
还应该注意的是，与集成变压器205中的各线圈152的下表面接触布置的衰减层270也允许改变在板绕组150的各线圈152的剩余边沿处的电场E2；结果，也降低了可能与集成变压器205中的各线圈152的剩余边沿相对应地产生的次级电场峰值。
在备选实施例(未示出)中，可以设置完全覆盖板绕组的各线圈的备选的衰减层。
图3是在归因于边缘效应的电场峰值方面图示出图1A、图1B和图2的变压器的优点的质量分析图表。
图表绘制出了作为延伸距离d(在横坐标上)的函数的电场峰值E1p135、E1p150、E2p135和E2p150(在纵坐标上)的趋势的曲线图。
详细地，曲线305代表电场峰值E1p135的趋势、曲线310代表电场峰值E1p150的趋势、曲线315代表电场峰值E2p135的趋势并且曲线320代表电场曲线的E2p150趋势。
如上所述，曲线305与310之间的交叉点对应于延伸距离d1，对于延伸距离d1，两个电场峰值E1p135和E1p150相等，并且对于相对于图1A和图1B描述的变压器105而言，具有电场E1的等位面的更加均匀且隔开的分布。
相似地，曲线315与320之间的交叉点对应于两个峰值E2p135和E2p150相等时的延伸距离d2，并且对于相对于图2描述的变压器205而言，具有电场E2的等位面的更加均匀且隔开的分布。
能够理解集成变压器205(包括衰减层270)的结构如何允许获得电场峰值E2p135和E2p150的强度的曲线315与320之间的交叉点，所述电场峰值E2p135和E2p150的强度基本上低于对于对应的板绕组150而言产生曲线305与310(称为集成变压器105)之间的交叉点的电场峰值E2p135和E2p150的强度。
现在转到图4，它是包括了根据不同实施例的集成变压器405的片上系统400的一部分的侧面部分的示意图。
集成变压器405与之前描述的集成变压器105和205的区别如下(其中相似的元件用相似的附图标记来指示并且为了简洁起见不重复其描述)。
集成变压器405不包括任何板绕组并且初级绕组435设置在最后一个金属性层MN中(在图4的示例中N＝4)。
在集成变压器405中，介电材料的衰减层470设置在初级绕组435的下方并且与其线圈437的下表面接触。与集成变压器205的情况相似，衰减层470包括具有大于介电部145的介电系数εd(如果有多个不同介电材料则取平均值)的介电系数εa的介电材料。
在实施例中，衰减层470被提供用于改变与初级绕组435的初级外侧线圈437a的下边沿439相对应地由变压器焊盘(未示出)之间施加的电位差V4产生的电场E4。
与上面所述相似地，衰减层470的从与初级绕组435的下表面的接触位置朝向集成部110延伸的厚度tb被以如下方式形成尺寸：使得增加初级外侧线圈437a的下边沿439处的电场E4的等位面之间的距离。实际上，高的介电系数εa(即，大于介电系数εd)在所设置的衰减层470内引起电场E4的等位面之间的较大分开，特别是，与初级外侧线圈437a的边沿439下方的区域对应地(即，在那里将发生电场E4的等位面之间的较大接近性)，并因此能够降低其中产生的电场峰值E4p。
有利地，衰减层470的厚度tb被以如下方式形成尺寸：使得对应于其中电场E4的等位面在未设置衰减层470的对应集成变压器中更加靠近的区域的延伸。利用该厚度，能够将与初级外侧线圈437a的边沿439相对应地产生的电场峰值E4p降低至最小值(其不能通过增加厚度tb来提高)。以该方式，获得了与在公知的变压器中对于绕组435与140之间施加的相同电位差V4而言将发生的电场峰值Epn(MV/cm数量级的)相比显著降低了的电场峰值E4p(例如，E4p≤85％Epn)。
现在转到图5，它是包括了根据备选实施例的集成变压器505的片上系统500的一部分的侧面部分上的示意图。
集成变压器505与上述集成变压器405的区别如下(其中相似的元件用相似的附图标记来指示并且为了简洁起见不重复其描述)。
在集成变压器505中，介电材料的衰减层570被以使得包围初级绕组535的各线圈537并与其线圈的表面接触的方式设置。衰减层570包括具有大于介电部145的介电系数εd(如果有多个不同介电材料则取平均值)的介电系数εa的介电材料。
在实施例中，衰减层570是通过在初级绕组535形成所在的金属性层的前面的绝缘层(在图5的示例中为绝缘层1304)上沉积出第一层具有高介电系数的材料而形成。随后，在过孔1254的形成之后，在第一层具有高介电系数的材料上形成集成变压器505(具有焊盘115)的初级绕组535。可能的是，将第一层具有高介电系数的材料的未被初级绕组535的线圈537(且未被焊盘115)在顶上覆盖的一部分去除。最后，将第二层具有高介电系数的材料以使得一体地覆盖其各线圈537(和焊盘115，从该焊盘上部分地去除高介电系数的材料，以便允许电连接)并且以获得衰减层570的方式沉积在第一绕组535上。
衰减层570(特别是还沿着初级外侧线圈537a的与其下边沿539相邻的侧面布置的衰减层570)允许获得在初级外侧线圈537a的边沿539处的由绕组535与140之间施加的电位差V5产生的电场E5的更加均质的改变。
有利地，衰减层570的厚度tc被以如下方式形成尺寸：使得对应于其中电场E5的等位面在未设置衰减层570的对应变压器中朝向集成部110并在横向延伸的方向上(即，在图5的示例中朝向焊盘115)都相互更加靠近的区域的延伸。利用该厚度，能够以比相对于图4描述的集成变压器405的情况中更加均质的方式来降低与初级绕组535的初级外侧线圈537a的边沿539相对应地产生的电场峰值E5p。
由于这些实施例，能够获得其中不会由于边缘效应而产生能够损坏变压器或能够危及变压器的或集成有这样的变压器的片上系统的操作的电场峰值的集成变压器。
另外，上述各种实施例可以在不脱离本发明的范围的情况下组合到一起。例如，本发明的实施例包括其中衰减层设置于板绕组的下方和初级绕组的下方的变压器。另一实施例包括衰减层设置于初级绕组的下方但未设置于板绕组下方的变压器。另外的实施例提供了完全包围板绕组的和/或初级绕组的线圈的衰减层(以与关于图5所描述的类似的方式)。

Claims (15)

1.一种集成变压器，包括：
初级绕组；
次级绕组；
其中所述初级绕组和所述次级绕组由金属性材料制成并且具有包括对应的多个线圈的螺旋平面布置；
介于所述初级绕组与所述次级绕组之间的介电材料的介电部；以及
场板绕组，所述场板绕组与所述初级绕组电耦合并且包括至少一个场板线圈，所述至少一个场板线圈具有大于所述初级绕组的初级外侧线圈的第二横向延伸的第一横向延伸；
其中所述至少一个场板线圈在平面图中与所述初级绕组的所述初级外侧线圈重叠。
2.根据权利要求1所述的集成变压器，其中所述场板绕组被配置成与所述初级绕组的所述初级外侧线圈的面向所述次级绕组的边沿相对应地将操作电场的等位面分开。
3.根据权利要求1所述的集成变压器，其中所述至少一个场板线圈的所述横向延伸比所述初级外侧线圈的所述横向延伸大一定距离，使得所述操作电场的等位面的分布与所述初级外侧线圈的面向所述次级绕组的所述边沿和所述至少一个场板线圈的面向所述初级绕组的边沿相对应地产生相等值的电场峰值。
4.根据权利要求1所述的集成变压器，其中所述场板绕组包括具有基本螺旋布置的金属性材料条带，所述基本螺旋布置包括多个线圈以便在平面图中对应于所述初级绕组，其中各场板线圈被电连接至所述初级绕组的对应线圈。
5.根据权利要求1所述的集成变压器，进一步包括将所述场板绕组与所述初级绕组分开的绝缘材料的层。
6.根据权利要求5所述的集成变压器，其中所述至少一个场板线圈的所述横向延伸比所述初级外侧线圈的所述横向延伸大如下距离，所述距离大于所述绝缘材料的厚度。
7.根据权利要求5所述的集成变压器，其中所述至少一个绝缘材料的层包括具有大于所述介电部的介电系数的介电系数的衰减层。
8.根据权利要求7所述的集成变压器，其中所述衰减层被布置为与所述至少一个场板线圈的下表面接触。
9.根据权利要求7所述的集成变压器，其中所述衰减层具有对应于其中所述操作电场的等位面在没有所述衰减层的对应变压器中更加靠近的区域的延伸的厚度。
10.一种集成变压器，包括：
初级绕组；
次级绕组；
其中所述初级绕组和所述次级绕组由金属性材料制成并且具有包括对应的多个线圈的螺旋平面布置；
介于所述初级绕组与所述次级绕组之间的介电材料的介电部；和
介于所述初级绕组与所述介电材料的所述介电部之间的具有大于所述介电部的介电系数的介电系数的衰减层。
11.根据权利要求10所述的集成变压器，其中所述衰减层包围所述初级绕组的所述线圈。
12.根据权利要求10所述的集成变压器，其中所述衰减层被布置为与所述初级绕组的下表面接触。
13.一种在半导体材料的芯片中形成集成变压器的方法，包括以下步骤：
形成金属性材料的并具有包括多个线圈的螺旋平面布置的初级绕组；
形成金属性材料的并具有包括多个线圈的螺旋平面布置的次级绕组；
形成介于所述初级绕组与所述次级绕组之间的介电材料的介电部；
提供与所述初级绕组电耦合的场板绕组，所述场板绕组包括至少一个场板线圈，所述至少一个场板线圈具有大于所述初级绕组的初级外侧线圈的第二横向延伸的第一横向延伸，其中所述至少一个场板线圈在平面图中与所述初级绕组的所述初级外侧线圈叠置。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述场板绕组被配置成与所述初级绕组的所述初级外侧线圈的面向所述次级绕组的边沿相对应地将操作电场的等位面分开。
15.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：
形成与所述至少一个场板线圈的下表面接触的介电材料的衰减层，所述衰减层包括具有大于所述介电部的介电系数的介电系数的介电材料。
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