CN105301856A - 阵列基板行驱动结构及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种阵列基板行驱动(GOA)结构及显示面板，其是通过以一透明导电层替代现有的阵列基板行驱动(GOA)结构中夹心电容的多晶硅层，来改进现有技术中所述多晶硅层因不能被掺杂(Dopping)而不能被作为所述夹心电容的电极的问题。

Description

阵列基板行驱动结构及显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示技术，具体涉及一种阵列基板行驱动(GateDriveronArray，GOA)结构及显示面板。
背景技术
随着薄膜晶体管液晶显示器(Thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，TFT-LCD)的迅速发展，各生产厂家采用新技术提高产品的市场竞争力以及降低产品成本。
其中，阵列基板行驱动(GateDriveronArray，GOA)技术作为新技术的代表，是将栅极(Gate)开关电路集成在阵列基板上，以去掉栅极驱动集成电路部分，从而节省材料并且减少工艺步骤，达到降低产品成本的目的。
请参照图1，其是现有的基于LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)NMOS(N-typemetaloxidesemiconductor，N型金属氧化物半导体)工艺的阵列基板行驱动(GOA)电路的结构示意图。在图1中，第一电容1是用于保持节点Q电位和输出自举；第二电容2是用于保持节点P电位。所述第一电容1是由节点Q与输出TFT的栅极形成，其面积较大。所述第二电容2由于可以直接做在低恒压源VGL走线上，所以对阵列基板行驱动(GOA)电路所占空间的贡献较小。
请参照图2A和图2B，图2A是现有的阵列基板行驱动(GOA)结构10的部分剖视结构示意图；图2B是图2A中多晶硅层102、第一金属层104和第二金属层106之间堆栈关系的俯视图。在图2A和图2B中，所述现有的阵列基板行驱动(GOA)结构10由下而上依序包含：一缓冲层101、一多晶硅层102、一栅极绝缘层103、第一金属层104、层间介质层105及第二金属层106。所述第二金属层106与所述多晶硅层102之间具有至少一过孔107。所述多晶硅层102、所述第一金属层104和所述第二金属层106形成一夹心电容。所述多晶硅层102、所述第一金属层104和所述第二金属层106是分别作为所述夹心电容的第一层(最下极)、第二层和第三层。
再蚀刻(Re-etch)工艺是一种用于减少LTPSNMOS工艺中光照数量的工艺。然而，当所述现有的阵列基板行驱动(GOA)结构10通过所述LTPSNMOS工艺和所述再蚀刻工艺来制作时，由于被所述第一金属层104覆盖的所述多晶硅层102不能被掺杂(Dopping)，故所述多晶硅层102不能被作为所述夹心电容的电极(最下极)。因此，有必要提供一种新的阵列基板行驱动(GOA)结构，来解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种阵列基板行驱动(GOA)结构及显示面板。通过以透明导电层替代现有的阵列基板行驱动(GOA)结构中夹心电容的多晶硅层，来改进现有技术中所述多晶硅层因不能被掺杂(Dopping)而不能被作为所述夹心电容的电极的问题。
用于实现本发明的前述目的，本发明提供一种阵列基板行驱动结构，其整合在一显示面板中，所述阵列基板行驱动结构包含：
一缓冲层；
一栅极绝缘层，设置于所述缓冲层上；
一第一金属层，设置于所述栅极绝缘层上；
一层间介质层(interlayerdielectric，ILD)，设置于所述第一金属层上；
一第二金属层，设置于所述层间介质层上，所述第二金属层区分为第一部份及第二部份，所述第二金属层的第一部份与所述第二金属层的第二部份之间具有一间隙，所述第二金属层的第一部份与所述第一金属层之间具有至少一第一过孔；
一钝化层(Passivation，PV)，设置于所述第二金属层上；以及
一透明导电层，设置于所述钝化层上，所述透明导电层与所述第二金属层的第一部份之间具有至少一第二过孔。
在本发明的一实施例中，所述第一过孔贯穿所述层间介质层。
在本发明的一实施例中，所述第一过孔的两端分别接触所述第二金属层的第一部份和所述第一金属层。
在本发明的一实施例中，所述第二过孔贯穿所述钝化层。
在本发明的一实施例中，所述第二过孔的两端分别接触所述透明导电层和所述第二金属层的第一部份。
在本发明的一实施例中，所述第一金属层、所述第二金属层的第二部份和所述透明导电层形成一夹心电容。
再者，本发明另提供一种显示面板，其具有多个上述阵列基板行驱动结构。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益的效果。通过上述技术方案，本发明的阵列基板行驱动(GOA)结构及显示面板至少具有下列优点及有益效果：通过以所述透明导电层替代现有的阵列基板行驱动(GOA)结构中夹心电容的多晶硅层，来改进现有技术中所述多晶硅层因不能被掺杂(Dopping)而不能被作为所述夹心电容的电极的问题。
附图说明
图1是现有的基于LTPSNMOS工艺的阵列基板行驱动(GOA)电路的结构示意图。
图2A是现有的阵列基板行驱动(GOA)结构的部分剖视结构示意图。
图2B是图2A中多晶硅层、第一金属层和第二金属层之间堆栈关系的俯视图。
图3A是本发明一实施例中阵列基板行驱动(GOA)结构的部分剖视结构示意图。
图3B是图3A中第一金属层、第二金属层和透明导电层之间堆栈关系的俯视图。
附图中的标号说明
1第一电容205b第二部份
2第二电容206钝化层
10现有的GOA结构207透明导电层
20本发明的GOA结构208第一过孔
101缓冲层209第二过孔
102多晶硅层210平坦层挖槽
103栅极绝缘层CK1第一时钟信号
104第一金属层CK2第二时钟信号
105层间介质层D2U反向扫描信号
106第二金属层G间隙
107过孔G[n]第n级水平扫描线
201缓冲层G[n+1]第n+1级水平扫描线
202栅极绝缘层G[n-1]第n-1级水平扫描线
203第一金属层P、Q节点
204层间介质层U2D正向扫描信号
205第二金属层VGH高恒压源
205a第一部份VGL低恒压源
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预订发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的阵列基板行驱动(GOA)结构及显示面板其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
请参照图3A和图3B，图3A为本发明一实施例中阵列基板行驱动(GOA)结构20的部分剖视结构示意图；图3B为图3A中第一金属层203、第二金属层205和透明导电层207之间堆栈关系的俯视图。所述阵列基板行驱动(GOA)结构20是整合在一显示面板中。所述阵列基板行驱动(GOA)结构20包含一缓冲层201、一栅极绝缘层202、一第一金属层203、一层间介质层204、一第二金属层205、一钝化层206和一透明导电层207。
所述栅极绝缘层202是设置于所述缓冲层201上。所述第一金属层203是设置于所述栅极绝缘层202上。所述层间介质层204是设置于所述第一金属层203上。所述第二金属层205是设置于所述层间介质层204上。所述钝化层206是设置于所述第二金属层205上。所述透明导电层207是设置于所述钝化层206上。所述第二金属层205区分为第一部份205a及第二部份205b，所述第二金属层205的第一部份205a与所述第二金属层205的第二部份205b之间具有一间隙G。
所述第一金属层203、所述第二金属层205的第二部份205b和所述透明导电层207形成一夹心电容。所述第一金属层203、所述第二金属层205的第二部份205b和所述透明导电层207是分别作为所述夹心电容的第一层、第二层和第三层。所述阵列基板行驱动(GOA)结构20还包含一平坦层挖槽210，其是位于电容处，用以增大所述透明导电层207与所述第二金属层205的第二部份205b之间形成的平行电容。
所述第二金属层205的第一部份205a与所述第一金属层203之间具有至少一第一过孔208。所述第一过孔208贯穿所述层间介质层204，且所述第一过孔208的两端分别接触所述第二金属层205的第一部份205a和所述第一金属层203。所述透明导电层207与所述第二金属层205的第一部份205a之间具有至少一第二过孔209。所述第二过孔209贯穿所述钝化层206，且所述第二过孔209的两端分别接触所述透明导电层207和所述第二金属层205的第一部份205a。在本发明中，为了防止所述透明导电层207与所述第一金属层203直接相连而发生的所述透明导电层207断线的问题，因此采用所述第二金属层205的第一部份205a跨接的方式使所述透明导电层207与所述第一金属层203相连。
所述缓冲层201的材质可以是氮化硅或氧化硅。所述栅极绝缘层202的材质可以是氮化硅。所述第一金属层203的材质可以是选自钼。所述层间介质层204的材质可以是氮化硅或氧化硅。所述第二金属层205的材质可以是选自钛-铝-钛。所述钝化层206的材质是氮化硅。所述透明导电层207的材质是氧化铟锡。
如上所述，本发明的阵列基板行驱动(GOA)结构20及显示面板是通过以所述透明导电层207替代现有的阵列基板行驱动(GOA)结构10(请参照图2A和图2B)中夹心电容的多晶硅层102，来改进现有技术中所述多晶硅层102因不能被掺杂(Dopping)而不能被作为所述夹心电容的电极的问题。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。

Claims (7)

1.一种阵列基板行驱动(GateDriveronArray，GOA)结构，整合在一显示面板中，其特征在于，所述阵列基板行驱动结构包含：
一缓冲层；
一栅极绝缘层，设置于所述缓冲层上；
一第一金属层，设置于所述栅极绝缘层上；
一层间介质层，设置于所述第一金属层上；
一第二金属层，设置于所述层间介质层上，所述第二金属层区分为第一部份及第二部份，所述第二金属层的第一部份与所述第二金属层的第二部份之间具有一间隙，所述第二金属层的第一部份与所述第一金属层之间具有至少一第一过孔；
一钝化层，设置于所述第二金属层上；以及
一透明导电层，设置于所述钝化层上，所述透明导电层与所述第二金属层的第一部份之间具有至少一第二过孔。
2.根据权利要求1所述的阵列基板行驱动结构，其特征在于，所述第一过孔贯穿所述层间介质层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板行驱动结构，其特征在于，所述第一过孔的两端分别接触所述第二金属层的第一部份和所述第一金属层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板行驱动结构，其特征在于，所述第二过孔贯穿所述钝化层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板行驱动结构，其特征在于，所述第二过孔的两端分别接触所述透明导电层和所述第二金属层的第一部份。
6.根据权利要求1所述的阵列基板行驱动结构，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层的第二部份和所述透明导电层形成一夹心电容。
7.一种显示面板，其特征在于，具有多个根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板行驱动结构。
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