CN105301854A - 像素结构及显示面板 - Google Patents

Abstract

一种像素结构，包括数据线、第一扫描线、共享线、第一主动元件、第二主动元件、覆盖第一、二主动元件的绝缘层、配置于绝缘层上的彩色滤光图案、配置于彩色滤光图案上的第一、二像素电极以及保护图案。彩色滤光图案具有沟槽。第一像素电极填入沟槽，以和第一主动元件电性连接。第一像素电极具有与共享线重迭且位于沟槽中的部份。第二像素电极填入沟槽，以和第二主动元件电性连接。第二像素电极具有与共享线重迭且位于沟槽中的部份。保护图案填入沟槽，以覆盖部份的第一、二像素电极。保护图案为绝缘透光材料。

Description

像素结构及显示面板

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构及半导体装置，且特别是有关于一种像素结构及显示面板。

背景技术

随着科技的进步，体积庞大的阴极射线管(CathodeRayTube，CRT)显示器已逐渐走入历史。体积精简的平面显示器，例如：液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)、有机发光二极管显示面板(OrganicLightEmittingDiodedisplay，OLEDdisplay)、电泳显示面板(Electro-PhoreticDisplay，EPD)、电浆显示面板(PlasmaDisplayPanel，PDP)等，则取代阴极射线管显示器成为显示器的主流。

近年来，业界更提出将彩色滤光图案整合于像素阵列基板上(ColorFilteronArray，COA)的技术。组立COA基板与另一对向基板，并于二者之间填入显示介质，便可形成显示面板。由于彩色滤光图案是直接形成在像素阵列基板上，因此彩色滤光图案与像素结构之间的对位精度不受组立COA基板与对向基板的工艺能力限制。换言之，COA技术很适合用来制造高分辨率的显示面板。

一般而言，在COA基板中，位于彩色滤光图案上方的多个像素电极需穿过彩色滤光图案的多个开口，以和彩色滤光图案下方的薄膜晶体管电性连接。此外，COA基板的彩色滤光图案还需预留另外多个开口，以露出像素电极与共享线的重迭区域。借此，激光方可顺利通过所述彩色滤光图案的开口熔接像素电极与共享线的重迭区域，进而完成像素结构的修补(即暗点化)。然而，上述多个开口之间需保持一定的规范距离，而使像素结构的布局(layout)受限。因此，在达成高分辨率的前提下，采用上述多个彩色滤光图案开口的设计十分不易设计出开口率高的显示面板。此外，在提高开口率的考虑下，让出像素电极与共享线重迭区域的彩色滤光图案开口的面积往往也设计的较小，但此举却使得像素结构修补不易(即激光不易通过较小的彩色滤光图案开口)，而修补成功率偏低。

发明内容

本发明提供一种像素结构及显示面板，其开口率高。

本发明的一种像素结构包括数据线、扫描线、共享线、第一主动元件、第二主动元件、绝缘层、彩色滤光图案、第一像素电极、第二像素电极以及保护图案。扫描线与数据线交错。绝缘层覆盖第一主动元件以及第二主动元件。彩色滤光图案配置于绝缘层上且具有沟槽。沟槽沿着与扫描线平行的方向延伸且跨越数据线。第一像素电极配置于彩色滤光图案上且填入沟槽，以和第一主动元件电性连接。第一像素电极与共享线重迭的部位于沟槽中。第二像素电极配置于彩色滤光图案上且填入沟槽，以和第二主动元件电性连接。第二像素电极与共享线重迭的部份位于沟槽中。保护图案填入沟槽，以覆盖部份的第一像素电极与部份的第二像素电极。保护图案为绝缘透光材料。

本发明的另一种像素结构包括多条数据线、与数据线交错的多条扫描线、多条共享线、与数据线及扫描线电性连接的多个主动元件、覆盖主动元件的绝缘层、配置于绝缘层上且包括多个彩色滤光块的彩色滤光图案、以及分别配置于彩色滤光块上的多个像素电极以及多个保护图案。彩色滤光块沿着与数据线平行的方向排成多行且沿着与扫描线平行的方向排成多列。位于同一列的多个彩色滤光块彼此相接。相邻二列的彩色滤光块相隔开，以定义出多个沟槽。每一彩色滤光块具有与数据线平行的第一边、与扫描线平行的第二边以及连接第一边与第二边的一斜边。位于同一列且相邻的二个彩色滤光图案的第一边相接。相邻二个彩色滤光图案的二斜边分开，以定义出一缺口。缺口与对应的沟槽相通。每一像素电极填入对应的一个沟槽而与对应的一个主动元件电性连接。每一像素电极具有修补部。修补部与对应的一条共享线重迭且位于沟槽中。保护图案为绝缘透光材料。每一保护图案包括主体部与分支部。主体部填入对应的一个沟槽，以覆盖对应的一个像素电极的修补部。分支部与主体部连接且填入对应的一个缺口。

本发明的显示面板包括上述像素阵列基板、位于像素阵列基板对向侧的对向基板以及位于像素阵列基板与对向基板之间的显示介质。像素阵列基板包括多个像素结构，其中每一像素结构如上述像素结构。

在本发明的一实施例中，上述的第一像素电极与共享线重迭的部分与第二像素电极与共享线重迭的部分与共享线电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构配置于第一基板上。像素结构更包括间隙物。间隙物配置于彩色滤光图案上。间隙物的顶点与第一基板的距离大于保护图案的顶面与第一基板的距离。保护图案与间隙物的材质相同。

在本发明的一实施例中，上述的第一像素电极与共享线重迭的部分以及第二像素电极与共享线重迭的部分位于第一扫描线的同一侧。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构更包括分享开关元件以及分享电容。分享开关元件与第一主动元件电性连接。分享电容与分享开关元件电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的分享电容包括第一电极以及第二电极。第一电极为分享开关元件的漏极。第二电极配置于绝缘层上且与第一电极重迭。第二电极填入绝缘层的接触窗而与共享线电性连接。接触窗位于沟槽的面积之内。

在本发明的一实施例中，上述的分享开关元件的漏极具有相对的第一侧与第二侧。第一像素电极与共享线重迭的部分位于分享开关元件的漏极的第一侧。第二像素电极与共享线重迭的部分以及数据线位于分享开关元件的漏极的第二侧。

在本发明的一实施例中，上述的第一像素电极与共享线重迭的部分、第二像素电极与共享线重迭的部分以及数据线位于分享开关元件的漏极的同一侧。

在本发明的一实施例中，上述的保护图案填满沟槽，且保护图案的边缘超出沟槽的边缘。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构更包括间隙物。间隙物配置于彩色滤光图案上。间隙物抵顶对向基板，而保护图案与间隙物的材质相同。

在本发明的一实施例中，上述的对向基板包括遮光图案。遮光图案遮蔽彩色滤光图案的沟槽。

基于上述，在本发明一实施例的像素结构及显示面板中，彩色滤光图案具有沿着与第一扫描线平行的方向延伸且跨越数据线的沟槽。第一像素电极配置于彩色滤光图案上且填入彩色滤光图案的沟槽，以和第一主动元件电性连接。第二像素电极配置于彩色滤光图案上且填入彩色滤光图案的沟槽，以和第二主动元件电性连接。第一像素电极的与共享线重迭的第一修补部以及第二像素电极的与共享线重迭的第二修补部也位于沟槽中。换言之，第一像素电极以及第二像素电极需穿过彩色滤光图案的部分(例如：第一像素电极与第一主动元件的漏极接触的区域、第二像素电极与第二主动元件的漏极接触的区域)以及第一像素电极与第二像素电极需避开彩色滤光图案的部分(例如：第一、二修补部)均设置在同一开口(即，彩色滤光图案的同一沟槽)中。借此，不需像习知技术般，在彩色滤光图案中设置『多个』开口，因此，不需考虑习知技术中彩色滤光图案多个开口之间距离的规范，从而使像素结构的布局(layout)更具弹性，而有助于设计出开口率高的像素阵列基板及显示面板。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明一实施例的像素阵列基板的上视示意图。

图2为本发明一实施例的像素阵列基板的剖面示意图。

图3为本发明一实施例的像素阵列基板的剖面示意图。

图4为本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。

图5为本发明另一实施例的像素阵列基板的上视示意图。

图6为本发明另一实施例的像素阵列基板的剖面示意图。

图7为本发明另一实施例的像素阵列基板的剖面示意图。

图8为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。

图9为本发明另一实施例的像素阵列基板的上视示意图。

图10为本发明另一实施例的像素阵列基板的剖面示意图。

图11为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。

图12示出本发明一实施例的像素阵列基板的彩色滤光图案及保护图案。

图13示出本发明一实施例的像素阵列基板的彩色滤光图案及保护图案。

其中，附图标记：

100、100A、100B：像素阵列基板

110：第一基板

120、120A、120B：像素结构

122、125、GI：绝缘层

122a、125a、122b、125b：开口

122c、125c：接触窗

124：彩色滤光图案

124a、124c：沟槽

124b：缺口

124ae：边缘

126a：保护图案

126a1：主体部

126a2、126a3：分支部

126ae：边缘

126b：间隙物

128：导电图案

200：对向基板

300：显示介质

400：共享电极

1000、1000A、1000B：显示面板

A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’、G-G’、H-H’、I-I’：剖线

BM：遮光图案

C：列

CF：彩色滤光块

CFa、CFb、CFc：边

C1：第一储存电容

C2：第二储存电容

C3：分享电容

CLs、CLs+1：共享线

CH1、CH2、CH3：通道

DL：数据线

D1、D2、D3：漏极

G1、G2、G3：栅极

H1、H2：距离

P1：顶点

P2：顶面

PE1：第一像素电极

PE1r、PE1rA：第一修补部

PE2：第二像素电极

PE2r、PE2rA：第二修补部

R：列

SLn：第一扫描线

SLn+1：第二扫描线

S1、S2、S3：源极

T1：第一主动元件

T2：第二主动元件

T3：分享开关元件

W：熔接点

X：方向

θ：倾斜角

具体实施方式

图1为本发明一实施例的像素阵列基板的上视示意图。请参照图1，像素阵列基板100包括第一基板110及配置于第一基板110上的像素结构120。在本实施例中，第一基板110例如为透光基板，透光基板的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或其它可适用材料。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，第一基板110也可以是不透光/反射基板，不透光/反射基板的材质可为导电材料、晶圆、陶瓷或其它可适用的材料。需说明的是，虽图1仅示出一个像素结构120为代表，但本领域具有通常知识者根据图1的像素结构120及下述说明可依照实际需求将多个像素结构120以适当的方式配置于第一基板110上，以实现所需像素阵列基板。

图2为本发明一实施例的像素阵列基板的剖面示意图。特别是，图2对应于图1的剖线A-A’、B-B’。图3为本发明一实施例的像素阵列基板的剖面示意图。特别是，图3对应于图1的剖线C-C’、D-D’。请参照图1，每一像素结构120包括数据线DL、第一扫描线SLn、共享线CLs、CLs+1、第一主动元件T1、第二主动元件T2、绝缘层122(绘于图2、图3)、彩色滤光图案124、第一像素电极PE1、第二像素电极PE2以及保护图案126a。

请参照图1，第一主动元件T1具有栅极G1、与栅极G1重迭的通道CH1以及分别与通道CH1的相对二侧电性连接的源极S1与漏极D1。第一主动元件T1的源极S1与数据线DL电性连接。第一主动元件T1的漏极D1与第一像素电极PE1电性连接。部份第一像素电极PE1与共享线CLs重迭，以构成第一储存电容C1。第二主动元件T2具有栅极G2、与栅极G2重迭的通道CH2以及分别与通道CH2的相对二侧电性连接的源极S2与漏极D2。第二主动元件T2具有栅极G2。第二主动元件T2的源极S2与数据线DL电性连接。第二主动元件T2的漏极D2与第二像素电极PE2电性连接。部份第二像素电极PE2与共享线CLs+1重迭，以构成第二储存电容C2。如图2所示，像素结构120更可包括位于栅极G1与通道CH1之间以与门极G2与通道CH2之间的绝缘层GI。绝缘层GI又可称为栅极绝缘层。绝缘层GI的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料或上述组合。

在本实施例中，第一主动元件T1的栅极G1与第一扫描线SLn电性连接，且第二主动元件T2的栅极G2与第一扫描线SLn电性连接。换言之，相邻二主动元件(即第一、二主动元件T1、T2)可选择性地电性连接至同一扫描线(即第一扫描线SLn)。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，相邻二主动元件也选择性电性连接至不同二扫描线，以下将在后续段落中配合图9～图11举例说明。此外，在本实施例中，通道CH1与通道CH2电性相连，换言之，通道CH1及通道CH2是相连接的同一膜层，以该方式构成的像素阵列基板也在本发明所欲保护的范畴内。

请参照图1，在本实施例中，像素结构120可选择性地包括与第一扫描线SLn平行的第二扫描线SLn+1、与第二扫描线SLn+1以及第一主动元件T1电性连接的分享开关元件T3以及与分享开关元件T3电性连接的分享电容C3。详言之，分享开关元件T3具有栅极G3、与栅极G3重迭的通道CH3以及分别与通道CH3的相对二侧电性连接的源极S3与漏极D3。分享开关元件T3的栅极G3与第二扫描线SLn+1电性连接。分享开关元件T3的源极S3与第一主动元件T1的漏极D1电性连接。请参照图1及图2，分享开关元件T3的漏极D3与导电图案128重迭。导电图案128填入绝缘层122、125的接触窗122c、125c而电性连接至共享线CLs+1。接触窗122c、125c位于彩色滤光图案124的沟槽124a的面积以内，且和部分共享线CLs+1重迭，换句话说，部分共享线CLs+1延伸至彩色滤光图案124的沟槽124a的面积以内。如图2所示，分享开关元件T3的漏极D3可视为分享电容C3的第一电极，导电图案128可视为分享电容C3的第二电极，漏极D3、导电图案128以及夹设于漏极D3与导电图案128之间的部分绝缘层122、125可构成分享电容C3。绝缘层122、125的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料或上述组合。

请参照图1，在假设像素结构120的功能正常而无熔接点W的前提下，可先将扫描讯号输入至第一扫描线SLn，此时，第一、二主动元件T1、T2开启，而使第一、二像素电极PE1、PE2可接收到来自数据线DL的同一驱动讯号，进而使第一、二储存电容C1、C2储存指定的电荷。接着，再将扫描讯号输入至第二扫描线SLn+1，此时，分享开关元件T3开启而第一、二主动元件T1、T2关闭。由于分享开关元件T3的源极S3与第一像素电极PE1电性连接，因此当第三主动元件T3开启时，原本储存在具有第一像素电极PE1的第一储存电容C1中的电荷并会被分散至分享电容C3，而使得分别对应第一像素电极PE1、第二像素电极PE2的二区域呈现不同的亮度，进而改善色偏(colorwashout)的问题。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，也可以不采用第二扫描线SLn+1、分享开关元件T3及分享电容C3的设计。

请参照图1，数据线DL与第一扫描线SLn、第二扫描线SLn+1交错且属于不同膜层。更进一步地说，在本实施例中，第一扫描线SLn、第二扫描线SLn+1、第一、二主动元件T1、T2的栅极G1、G2、分享开关元件T3的栅极G3、共享线CLs、CLs+1可属于同一膜层，其中扫描线SLn、SLn+1与共享线CLs、CLs+1隔开。第一、二主动元件T1、T2的通道CH1、CH2以及分享开关元件T3的通道CH3可属于同一膜层。数据线DL、第一、二主动元件T1、T2的源极S1、S2、漏极D1、D2分享开关元件T3的源极S3、漏极D3可属于同一膜层。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2以及导电图案128可属于同一膜层。更详细地说，在本实施例中，如图2所示，栅极G1可位于通道CH1与第一基板110之间。通道CH1可位于源极S1与栅极G1之间。源极S1可位于第一像素电极PE1与通道CH1之间。换言之，在本实施例中，第一主动元件T1、第二主动元件T2以及分享开关元件T3可选择性地为底部栅极型薄膜晶体管(bottomgateTFT)。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，第一主动元件T1、第二主动元件T2以及分享开关元件T3也可为顶部栅极型薄膜晶体管(topgateTFT)或其它适当型式的薄膜晶体管。此外，如图1所示，在本实施例中，第一主动元件T1与第二主动元件T2电性连接至同一条扫描线(第一扫描线SLn)与同一条数据线DL。换言之，本实施例的像素结构120为1D1G的架构，其中『D』指数据线、『G』指扫描线。然而，本发明不限于此，本领域具有通常知识者可根据本发明的精神将像素结构改为2D1G的架构、2D2G的架构、HSD(halfsourcedriving)的架构或其它所欲架构。该些架构的像素结构及包括所述像素结构的显示面板均在本发明所欲保护的范畴内。

在本实施例中，第一扫描线SLn、第二扫描线SLn+1、栅极G1、G2、G3、共享线CLs、CLs+1、数据线DL、源极S1、S2、S3与漏极D1、D2、D3例如是使用金属材料。然而，本发明不限于此，根据其它实施例，第一扫描线SLn、第二扫描线SLn+1、栅极G1、G2、G3、共享线CLs、CLs+1、数据线DL、源极S1、S2、S3与漏极D1、D2、D3也可以使用其它导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆栈层。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2以及导电图案128例如是透明导电层，其包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。然而，本发明不限于此，根据其它实施例，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2以及导电图案128也可以是反光导电层、或者是反光导电层与透明导电层的组合。

请参照图1及图2，绝缘层122(绘于图2)覆盖第一主动元件T1与第二主动元件T2。在本实施例中，绝缘层122更覆盖第三主动元件T3、数据线DL、第一扫描线SLn、第二扫描线SLn+1、共享线CLs、CLs+1。彩色滤光图案124配置于绝缘层122上且具有沟槽124a。如图1所示，彩色滤光图案124的沟槽124a沿着与第一扫描线SLn平行的方向X延伸且跨越数据线DL。在本实施例中，沟槽124a可暴露出第一主动元件T1的漏极D1、第二主动元件T2的漏极D2、第二扫描线SLn+1、分享开关元件T3、分享电容C3、及部份的共享线CLs+1。若以整个像素阵列基板100的观点来看，位于同一列的多个像素结构120的沟槽124a可是彼此连接且相通的，而位于同一列的多个像素结构120的多个沟槽124a连接成长条状开口，所述长条状开口在平行于第一扫描线SLn的方向X上延伸且跨越像素阵列基板100的所有数据线DL。

请参照图1及图2，在本实施例中，像素结构120可选择性包括绝缘层125(绘示于图2)。绝缘层125覆盖彩色滤光图案124以及被彩色滤光图案124的沟槽124a暴露出的元件(例如：第二扫描线SLn+1、分享开关元件T3、分享电容C3、第一主动元件T1的漏极D1、第二主动元件T2的漏极D2以及部份的共享线CLs+1)。在本实施例中，绝缘层GI、122、125均透光。

请参照图1及图3，第一像素电极PE1配置于彩色滤光图案124上且填入沟槽124a，以和第一主动元件T1电性连接。详言之，位于沟槽124a中的部分绝缘层122、125具有相通的开口122a、125a。第一像素电极PE1由彩色滤光图案124及绝缘层125上延伸至沟槽124a中，进而覆盖被沟槽124a暴露的部分绝缘层122、125并填入绝缘层122、125的开口122a、125a，以和第一主动元件T1的漏极D1电性接触。值得注意的是，第一像素电极PE1除了具有与彩色滤光图案124重迭的主体部之外，第一像素电极PE1更具有与共享线CLs+1重迭的第一修补部PE1r，换句话说，部分共享线CLs+1延伸至彩色滤光图案124的沟槽124a的面积以内，和第一像素电极PE1重迭构成第一修补部PE1r。第一修补部PE1r也位于彩色滤光图案124的沟槽124a中，且不与彩色滤光图案124的实体、第一主动元件T1的漏极D1以及第二扫描线SLn+1重迭。

请参照图1及图2，类似地，第二像素电极PE2配置于彩色滤光图案124上且填入沟槽124a，以和第二主动元件T2电性连接。详言之，位于沟槽124a中的部分绝缘层122、125具有相通的开口122b、125b。第二像素电极PE2由彩色滤光图案124及绝缘层125上延伸至沟槽124a中，进而覆盖被沟槽124a暴露的部分绝缘层122、125并填入绝缘层122、125的开口122b、125b，以和第二主动元件T2的漏极D2电性接触。值得注意的是，第二像素电极PE2除了具有与彩色滤光图案124重迭的主体部之外，第二像素电极PE2更具有与共享线CLs+1重迭的第二修补部PE2r，换句话说，部分共享线CLs+1延伸至彩色滤光图案124的沟槽124a的面积以内，和第二像素电极PE2重迭构成第二修补部PE2r。第二修补部PE2r也位于彩色滤光图案124的沟槽124a中，且不与彩色滤光图案124的实体、第二扫描线SLn+1以及第二主动元件T2的漏极D2重迭。

请参照图1，在本实施例中，分享开关元件T3的漏极D3具有相对的第一侧与第二侧，第一像素电极PE1的第一修补部PE1r位于分享开关元件T3的漏极D3的第一侧(右侧)，而第二像素电极PE2的第二修补部PE2r及数据线DL位于分享开关元件T3的漏极D3的第二侧(左侧)。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，第一、二修补部也可以其它适当方式配置，以下将于后续段落中举例说明。

值得一提的是，相较于习知中：第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2需穿过彩色滤光图案124的部分(例如：第一像素电极PE1与漏极D1接触的区域、第二像素电极PE2与漏极D2接触的区域)以及第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2需避开彩色滤光图案124的部分(例如：第一修补部PE1r、第二修补部PE2r)，本发明的设计，将这些原本需要在彩色滤光片上分别设置多个开口的位置，均设置于同一个彩色滤光片的开口(即，沟槽124a)中。换言之，像素结构120不需像习知技术般，在彩色滤光图案中分别设置『多个』开口，以使像素电极分别穿过多个开口与多个薄膜晶体管电性连接，并使像素电极的部份区域避开彩色滤光图案，因此，像素结构120不需考虑习知技术中多个彩色滤光图案开口的间距离的规范，从而使像素结构120的布局(layout)更具弹性，而有助于设计出开口率(apertureratio)高的像素阵列基板100。

此外，如图1所示，在本实施例中，更可将第一像素电极PE1的第一修补部PE1r以及第二像素电极PE2的第二修补部PE2r设置在第一扫描线SLn的同一侧。换言之，第一修补部PE1r及第二修补部PE2r可与同一条共享线CLs+1重迭，而另一共享线CLs可不再设置与第一像素电极PE1重迭且用以修补(或者说，熔接)的保留区，从而像素结构120的开口率可更进一步地提升。

请参照图1及图2，保护图案126a填入彩色滤光图案124的沟槽124a，以覆盖部份的第一像素电极PE1与部份的第二像素电极PE2。详言之，保护图案126a覆盖了被沟槽124a暴露出的构件。举例而言，(即，第一像素电极PE1与第一漏极D1接触的区域、第一像素电极PE1的第一修补部PE1r、第二像素电极PE2与第二漏极D2接触的区域以及第二像素电极PE2的第二修补部PE2r)。然而，本发明并不限定保护图案126a一定要覆盖被沟槽124a暴露出的所有构件，在其它实施例中，保护图案也可覆盖被沟槽124a暴露出的部份构件而暴露出另一部份的构件。

在本实施例中，保护图案126a更覆盖了第二扫描线SLn+1、分享开关元件T3以及分享电容C3。更进一步地说，如图2所示，在本实施例中，保护图案126a可填满彩色滤光图案124的沟槽124a，且保护图案126a的边缘126ae可超出沟槽124a的边缘124ae。换言之，保护图案126a可与彩色滤光图案124的倾斜角(tapeangle)θ重迭，且暴露出大部分的第一像素电极PE1与大部分的第二像素电极PE2。然而，本发明并不限定保护图案126a的边缘126ae一定要超出沟槽124a的边缘124ae。在未绘示的另一实施例中，保护图案126a的相对二边缘126ae可刚好位于定义出沟槽124a的彩色滤光图案124侧壁上，也有其它实施例，保护图案126a的二边缘126ae并未超出沟槽124a的边缘124ae而位于沟槽124a内部；或者，保护图案126a的相对二边缘126ae其中之一可位于定义出沟槽124a的彩色滤光图案124侧壁上、超出沟槽124a的边缘124ae或并未超出沟槽124a的边缘124ae而位于沟槽124a内部，而另一边缘126ae可不位于定义出沟槽124a的彩色滤光图案124侧壁上，或超出沟槽124a的边缘124ae，或并未超出沟槽124a的边缘124ae而位于沟槽124a内部，此设计更可增加开口率。

值得一提的是，填入沟槽124a的保护图案126a除了能够保护被沟槽124a暴露出的构件之外，由于保护图案126a是采用绝缘透光材料，因此，若像素结构120异常而需使用激光熔接(welding)第一修补部PE1r与共享线CLs+1、第二修补部PE2r与共享线CLs+1、或上述二者，以暗点化像素结构120时，修补者的视线可穿过透光的保护图案126a而清楚的看见第一修补部PE1r与共享线CLs+1重迭处、及/或第二修补部PE2r与共享线CLs+1重迭处，进而完成修补动作。另一方面，相较于习知技术，由于第一修补部PE1r与共享线CLs+1重迭处、第二修补部PE2r与共享线CLs+1重迭处是被面积大的沟槽124a暴露，因此激光可轻易地射入面积大的沟槽124a中进而完成熔接动作，从而提升像素结构120的修补(即暗点化)成功率。如图1、图2所示，在本实施例中，是熔接(welding)第一修补部PE1r与共享线CLs+1而形成熔接点W，以使二者电性连接为示例。然而，本发明不以此为限，有熔接第二修补部PE2r与共享线CLs+1的像素结构、同时熔接第一修补部PE1r与共享线CLs+1、第二修补部PE2r与共享线CLs+1的像素结构、以及无任何熔接点W的像素结构也在本发明所欲保护的范畴内。

请参照图1及图3，在本实施例中，像素结构120更包括间隙物(Spacer)126b。间隙物126b配置于彩色滤光图案124上。间隙物126b的顶点(或说顶面)P1与第一基板110的距离H1大于保护图案126a的顶面P2与第一基板110的距离H2，而保护图案126a与间隙物126b的材质相同。举例而言，可用半调式(halftone)光罩图案化透光绝缘层，而同时形成高度不同的保护图案126a与间隙物126b。换言之，保护图案126a与间隙物126b的工艺可整合在一起，而不需为了制作保护图案126a，额外花费一道工序。

图4为本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图4，显示面板1000包括前述的像素阵列基板100、位于像素阵列基板100对向侧的对向基板200与位于像素阵列基板100与对向基板200之间的显示介质300。在本实施例中，显示介质300例如为液晶。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，显示介质300也可以是有机电致发光层、电泳显示介质或其它适当材料。

显示面板1000可进一步包括共享电极400。共享电极400与第一像素电极PE1之间的电压差、共享电极400与第二像素电极PE2之间的电压差可驱动显示介质300，进而使显示面板1000显示影像。在本实施例中，共享电极400可配置在对向基板200上，间隙物126b可抵顶对向基板200上的共享电极400。然而，本发明不限于此，在未绘示的另一实施例中，共享电极400与像素结构120也可配置在同一第一基板110上，而间隙物126b可直接抵顶对向基板200。此外，显示面板1000更可包括遮光图案BM。遮光图案BM遮蔽彩色滤光图案124的沟槽124a。更进一步地说，遮光图案BM遮蔽每一像素结构120的彩色滤光图案124至沟槽124a的边缘124ae。在本实施例中，遮光图案BM可配置于对向基板200上(即，对向基板200与显示介质300之间)，但本发明不以此为限。由于显示面板1000采用前述具有像素结构120的像素阵列基板100，因此显示面板1000也具有高开口率、易修补等优点。

图5为本发明另一实施例的像素阵列基板的上视示意图。请参照图5，像素阵列基板100A包括第一基板110以及配置于第一基板110上的像素结构120A。图6为本发明另一实施例的像素阵列基板的剖面示意图。特别是，图6对应于图5的剖线E-E’、F-F’。图7为本发明另一实施例的像素阵列基板的剖面示意图。特别是，图7对应于图5的剖线G-G’。请参照图5，像素结构120A与图1的像素结构120类似，因此相同或相对应的元件，以相同或相对应的标号表示。像素结构120A与像素结构120的主要差异在于：像素结构120A的第一、二修补部PE1rA、PE2rA与像素结构120的第一、二修补部PE1r、PE2r的配置方式不同，以下主要就此差异处做说明二者相同处，还请依照图5、图6、图7中的标号参考前述说明，于此便不再重述。

请参照图5、图6及图7，像素结构120A包括数据线DL、第一扫描线SLn、共享线CLs、CLs+1、第一主动元件T1、第二主动元件T2、绝缘层122(绘示于图6、图7)、彩色滤光图案124、第一像素电极PE1、第二像素电极PE2以及保护图案126a。第一扫描线SLn与数据线DL交错。第一主动元件T1与数据线DL以及第一扫描线SLn电性连接。第二主动元件T2与数据线DL以及第一扫描线SLn电性连接。绝缘层122覆盖第一主动元件T2以及第二主动元件T2。彩色滤光图案124配置于绝缘层122上且具有沟槽124a。沟槽124a沿着与第一扫描线SLn平行的方向延伸且跨越数据线DL。第一像素电极PE1配置于彩色滤光图案124上且填入沟槽124a，以和第一主动元件T1电性连接。第一像素电极PE1具有与共享线CLs+1重迭的第一修补部PE1rA。第一修补部PE1rA位于沟槽124a中。第二像素电极PE2配置于彩色滤光图案124上且填入沟槽124a，以和第二主动元件T2电性连接。第二像素电极PE2具有与共享线CLs+1重迭的第二修补部PE2rA。第二修补部PE2rA位于沟槽124a中。保护图案126a填入沟槽124a，以覆盖部份的第一像素电极PE1与部份的第二像素电极PE2。保护图案126a为绝缘透光材料。在本实施例中，保护图案126a与间隙物126b之间的间距d例如是介于0～100微米(μm)，但本发明不以此为限。

与图1的像素结构120不同的是，如图5所示，在像素结构120A中，第一像素电极PE1的第一修补部PE1rA、第二像素电极PE2的第二修补部PE2rA以及数据线DL位于分享开关元件T3的漏极D3的同一侧。对应地，像素结构120A也具有与像素结构120类似的功效与优点，于此便不再重述。

图8为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图8，显示面板1000A与显示面板1000类似，因此相同或相对应的元件，以相同或相对应的标号表示。显示面板1000A包括前述的像素阵列基板100A、位于像素阵列基板100A对向侧的对向基板200以及位于像素阵列基板100A与对向基板200之间的显示介质300。显示面板1000A也具有与显示面板1000类似的功效与优点，于此便不再重述。

图9为本发明另一实施例的像素阵列基板的上视示意图。图10为本发明另一实施例的像素阵列基板的剖面示意图。特别是，图10对应于图9的剖线H-H’、I-I’。图9的像素结构120B与图1的像素结构120类似，因此相同或相对应的元件，以相同或相对应的标号表示。像素结构120B与像素结构120的差异在于：在像素结构120B中，第一主动元件T1的栅极G1与第二主动元件T2的栅极G2是分别电性连接至不同二条扫描线SLn；此外，在像素结构120B中，第一主动元件T1的通道CH1与第二主动元件T2的通道CH1也可不相连接。以下主要说明此差异，二者相同处请图9、图10中的标号参照前述说明，于此便不再重述。

请参照图9及图10，像素阵列基板100B包括第一基板110及配置于第一基板110上的像素结构120B。每一像素结构120B包括数据线DL、扫描线SLn、共享线CLs、CLs+1、第一主动元件T1、第二主动元件T2、绝缘层122(绘于图12)、彩色滤光图案124、第一像素电极PE1、第二像素电极PE2以及保护图案126a。扫描线SLn与数据线DL交错。第一主动元件T1具有栅极G1、与栅极G1重迭的通道CH1、位于通道CH1二侧的源极S1与漏极D1。第二主动元件T2具有栅极G2、与栅极G2重迭的通道CH2、位于通道CH2二侧的源极S2与漏极D2。第一主动元件T1的源极S1及第二主动元件T2的源极S2与数据线DL电性连接。与像素结构120不同的是，第一主动元件T1的栅极G1及第二主动元件T2的栅极G2可分别与不同条扫描线SLn电性连接。

绝缘层122覆盖第一主动元件T1以及第二主动元件T2。彩色滤光图案124配置于绝缘层122上且具有沟槽124a。沟槽124a沿着与扫描线SLn平行的方向X延伸且跨越数据线DL。第一像素电极PE1配置于彩色滤光图案124上且填入沟槽124a，以和第一主动元件T1的漏极D1电性连接。第一像素电极PE1具有与共享线CLs重迭的第一修补部PE1。第一修补部PE1位于沟槽124a中。第二像素电极PE2配置于彩色滤光图案124上且填入沟槽124a，以和第二主动元件T2电性连接。第二像素电极PE1具有与共享线CLs+1重迭的第二修补部PE2r。第二修补部PE2r位于沟槽124a中。保护图案126a填入沟槽124a，以覆盖部份的第一像素电极PE1。保护图案126a填入沟槽124a，以覆盖部份的第二像素电极PE2。保护图案126a为绝缘透光材料。像素结构120B具有与像素结构120类似的功效与优点，于此便不再重述。

图11为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图11，显示面板1000B与显示面板1000类似，因此相同或相对应的元件，以相同或相对应的标号表示。显示面板1000B包括前述的像素阵列基板100B、位于像素阵列基板100B对向侧的对向基板200以及位于像素阵列基板100B与对向基板200之间的显示介质300。显示面板1000B也具有与显示面板1000类似的功效与优点，于此便不再重述。

图12示出本发明一实施例的像素阵列基板(例如但不限于，图1的像素阵列基板100、图5的像素阵列基板100A或图9的像素阵列基板100B)的彩色滤光图案以及保护图案。请参照图12，在本发明一实施例的像素素阵列基板100(100A、或100B)中，彩色滤光图案124包括多个彩色滤光块CF。请参照图1及图12(或图5及图12)(或图9及图12)多个彩色滤光块CF沿着与数据线DL平行的方向排成多行R且沿着与扫描线SLn平行的方向排成多列C。位于同一列C的多个彩色滤光块CF彼此相接。更进一步地说，每一彩色滤光块CF具有与数据线DL平行的第一边CFa、与扫描线SLn平行的第二边CFb以及连接第一边CFa与第二边CFb的斜边CFc；在本实施例中，位于同一列C的每一个彩色滤光块CF的第一边CFa可位于相邻彩色滤光块CF的边缘区域上，而相邻二个彩色滤光块CF的第一边CFa可略微错开。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，位于同一列C的任意相邻二个彩色滤光块CF的第一边CFa也可刚好直接连接，而位于同一列C的相邻二个彩色滤光块CF未相堆栈(未绘示)。

请参照图1及图12(或图5及图12)(或图9及图12)，位于同一列C的多个彩色滤光块CF彼此相接且相邻二列C的彩色滤光块CF相隔开以定义出沟槽124a。值得注意的是，位于同一列C且相邻的二个彩色滤光图案CF的二第一边CFb相接而相邻二个彩色滤光图案CF的二斜边CFc分开，以定义出缺口124b。缺口124b与对应的沟槽124a相通。在本实施例中，相邻二彩色滤光图案CF的二斜边CFc例如为互为镜像的二弧线，而由互为镜像的二弧线定义出的缺口124b可近似于一个V字型缺口。但本发明不以此为限，在其它实施例中，斜边CF3、缺口124b也可为其它形状。

请参照图1及图12(或图5及图12)(或图9及图12)保护图案126a包括主体部126a1以及分支部126a2。主体部126a1填入个沟槽126a，以覆盖对应的像素电极PE1、PE2的修补部PE1r、PE2r。分支部126a2与主体部126a1连接且填入缺口124b。在本实施例中，主体部126a1可为一个长条状物体，而分支部126a2可为直接连接主体部126a1长边的三角形凸起。但本发明不以此为限，在其它实施例中，主体部126a1、分支部126a2也可为其它形状。

图13示出本发明一实施例的像素阵列基板(例如但不限于，图1的像素阵列基板100、图5的像素阵列基板100A或图9的像素阵列基板100A)的彩色滤光图案以及保护图案。请参照图13，在本发明一实施例的像素素阵列基板100(100A、或100B)中，彩色滤光图案124包括多个彩色滤光块CF。请参照图1及图13(或图5及图13)(或图9及图13)多个彩色滤光块CF沿着与数据线DL平行的方向排成多行R且沿着与扫描线SLn平行的方向排成多列C。相邻二列C的彩色滤光块CF相隔开以定义出沟槽124a。此外，相邻二行R的彩色滤光块CF也可选择性地相隔开以定义出与沟槽124a交错的另一沟槽124c。此时，保护图案除126a除了包括覆盖沟槽124a的主体部126a1之外，保护图案除126a更可进一步包括与主体部126a1交错且相连接的分支部126a3，其中分支部126a3覆盖沟槽124c。

此外，如图13所示，当相邻二行R的彩色滤光块CF相隔开而定义出另一沟槽124c时，沟槽124c会露出共享线(图1、图5或图9的CLs、CLs+1)的局部。换言之，彩色滤光块CF可能会露出共享线(图1、图5或图9的CLs、CLs+1)的局部。此时，部份保护图案除126a(例如：分支部126a3)可覆盖被彩色滤光块CF露出的共享线(图1、图5或图9的CLs、CLs+1)的局部。更进一地说，凡被所有彩色滤光块CF(即彩色滤光图案层124)露出的所有构件可选择性地皆被保护图案除126a覆盖。

综上所述，在本发明一实施例的像素结构及显示面板中，彩色滤光图案具有沿着与第一扫描线平行的方向延伸且跨越数据线的沟槽。第一像素电极配置于彩色滤光图案上且填入彩色滤光图案的沟槽，以和第一主动元件电性连接。第二像素电极配置于彩色滤光图案上且填入彩色滤光图案的沟槽，以和第二主动元件电性连接。此外，第一像素电极的与共享线重迭的第一修补部及第二像素电极的与共享线重迭的第二修补部也位于沟槽中。

换言之，第一像素电极以及第二像素电极需穿过彩色滤光图案的部分(例如：第一像素电极与第一主动元件的漏极接触的区域、第二像素电极与第二主动元件的漏极接触的区域)以及第一像素电极与第二像素电极需避开彩色滤光图案的部分(例如：第一、二修补部)均设置在同一开口(即，彩色滤光图案的同一沟槽)中。借此，不需像习知技术般，在彩色滤光图案中设置『多个』开口，而不需考虑习知技术中彩色滤光图案多个开口的间距离的规范。如此一来，像素结构的布局(layout)便可更具弹性，而有助于设计出开口率高的像素阵列基板与显示面板。

此外，填入彩色滤光图案的沟槽的保护图案除了可以保护被沟槽暴露出的构件之外，由于保护图案是采用绝缘透光材料，因此，若像素结构异常而需使用激光熔接第一修补部与共享线、第二修补部与共享线、或上述二者，以使像素结构暗点化时，修补者的视线可穿过透光的保护图案而清楚的看见第一修补部与共享线重迭处及/或第二修补部与共享线重迭处，进而完成修补动作。另一方面，相较于习知技术，由于第一修补部与共享线重迭处、第二修补部与共享线重迭处是被面积大的沟槽暴露，因此激光可轻易地射入面积大的沟槽中进而完成熔接动作，从而像素结构的修补成功率也可显著提升。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (23)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

多条数据线；

多条扫描线，与该些数据线交错；

至少一共享线；

一第一主动元件，与对应的一条数据线及对应的一条扫描线电性连接；

一第二主动元件，与对应的一条数据线及对应的一条扫描线电性连接；

一绝缘层，覆盖该第一主动元件以及该第二主动元件；

一彩色滤光图案，配置于该绝缘层上且具有一沟槽，该沟槽沿着与该些扫描线平行的方向延伸且跨越该些数据线；

一第一像素电极，配置于该彩色滤光图案上且填入该沟槽以和该第一主动元件电性连接，其中该第一像素电极与该共享线重迭的部份位于该沟槽中；

一第二像素电极，配置于该彩色滤光图案上且填入该沟槽以和该第二主动元件电性连接，其中该第二像素电极与该共享线重迭的部份位于该沟槽中；以及

一保护图案，填入该沟槽，以覆盖部份的该第一像素电极与部份的该第二像素电极，其中该保护图案为绝缘透光材料。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极与该共享线重迭的部份与该第二像素电极与该共享线重迭的部份与该共享线电性连接。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，配置于一第一基板上，该像素结构更包括：

一间隙物，配置于该彩色滤光图案上，其中该间隙物的顶点与该第一基板的距离大于该保护图案的顶面与该第一基板的距离，而该保护图案与该间隙物的材质相同。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极与该共享线重迭的部份以及该第二像素电极与该共享线重迭的部份位于其中一条扫描线的同一侧。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括：

一分享开关元件，与该第一主动元件电性连接；以及

一分享电容，与该分享开关元件电性连接。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该分享电容包括：

一第一电极，为该分享开关元件的一漏极；以及

一第二电极，配置于该绝缘层上且与该第一电极重迭，该第二电极填入该绝缘层的一接触窗而与该共享线电性连接，其中该接触窗位于该沟槽的面积之内。

7.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该分享开关元件的一漏极具有相对的一第一侧与一第二侧，该第一像素电极与该共享线重迭的部份位于该分享开关元件的该漏极的该第一侧，而该第二像素电极与该共享线重迭的部份以及该数据线位于该分享开关元件的该漏极的该第二侧。

8.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极与该共享线重迭的部份、该第二像素电极与该共享线重迭的部份以及该数据线位于该分享开关元件的该漏极的同一侧。

9.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该保护图案填满该沟槽，且该保护图案的边缘超出该沟槽的边缘。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

一像素阵列基板，包括多个像素结构，其中每一该像素结构根据权利要求1所述；

一对向基板，位于该像素阵列基板的对向侧；以及

一显示介质，位于该像素阵列基板与该对向基板之间。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该像素结构更包括：

一间隙物，配置于该彩色滤光图案上，该间隙物抵顶该对向基板，而该保护图案与该间隙物的材质相同。

12.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该对向基板包括：

一遮光图案，遮蔽该彩色滤光图案的该沟槽。

13.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该第一像素电极与该共享线重迭的部份与该第二像素电极与该共享线重迭的部份至少其中之一与该共享线电性连接。

14.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该第一像素电极与该共享线重迭的部份以及该第二像素电极与该共享线重迭的部份位于该第一扫描线的同一侧。

15.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该像素结构，更包括：

一分享开关元件，与该第一主动元件电性连接；以及

一分享电容，与该分享开关元件电性连接。

16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，该分享电容包括：

一第一电极，为该分享开关元件的一漏极；以及

一第二电极，配置于该绝缘层上且与该第一电极重迭，该第二电极填入该绝缘层的一接触窗而与该共享线电性连接，其中该接触窗位于该沟槽的面积之内。

17.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，该分享开关元件的一漏极具有相对的一第一侧与一第二侧，该第一像素电极与该共享线重迭的部份位于该分享开关元件的该漏极的该第一侧，而该第二像素电极与该共享线重迭的部份以及该数据线位于该分享开关元件的该漏极的该第二侧。

18.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，该第一像素电极与该共享线重迭的部份、该第二像素电极与该共享线重迭的部份以及该数据线位于该分享开关元件的该漏极的同一侧。

19.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该保护图案填满该沟槽，且该保护图案的边缘超出该沟槽的边缘。

20.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该保护图案填于该沟槽内，且该保护图案的边缘并未超出该沟槽的边缘。

21.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该保护图案可部份填位于该沟槽内，部分超出该沟槽的边缘。

22.一种像素结构，其特征在于，包括：

多条数据线；

多条扫描线，与该些数据线交错；

多条共享线；

多个主动元件，与该些数据线及该些扫描线电性连接；

一绝缘层，覆盖该些主动元件；

一彩色滤光图案，配置于该绝缘层上且包括多个彩色滤光块，该些彩色滤光块沿着与该些数据线平行的方向排成多行且沿着与该些扫描线平行的方向排成多列，位于同一列的多个彩色滤光块彼此相接且相邻二列的彩色滤光块相隔开以定义出多个沟槽，其中每一该彩色滤光块具有与该些数据线平行的一第一边、与该些扫描线平行的一第二边以及连接该第一边与该第二边的一斜边，位于同一列且相邻的二个彩色滤光图案的二第一边相接而该相邻二个彩色滤光图案的二斜边分开以定义出一缺口，该缺口与对应的一个沟槽相通；

多个像素电极，分别配置于该些彩色滤光块上，每一该像素电极填入对应的一个沟槽而与对应的一个主动元件电性连接；以及

多个保护图案，为绝缘透光材料，每一保护图案包括：

一主体部，填入对应的一个沟槽，以覆盖对应的一个像素电极的修补部；以及

一分支部，与该主体部连接且填入对应的一个缺口。

23.一种像素结构，其特征在于，包括：

一数据线；

一第一扫描线，与该数据线交错；

一共享线；

一第一主动元件，与该数据线以及该第一扫描线电性连接；

一第二主动元件，与该数据线以及该第一扫描线电性连接；

一绝缘层，覆盖该第一主动元件以及该第二主动元件；

一彩色滤光图案，配置于该绝缘层上且具有一沟槽，该沟槽沿着与该第一扫描线平行的方向延伸且跨越该数据线；

一第一像素电极，配置于该彩色滤光图案上且填入该沟槽以和该第一主动元件电性连接，其中该第一像素电极具有与该共享线重迭的一第一修补部，该第一修补部位于该沟槽中；

一第二像素电极，配置于该彩色滤光图案上且填入该沟槽以和该第二主动元件电性连接，其中该第二像素电极具有与该共享线重迭的一第二修补部，该第二修补部位于该沟槽中；以及

一保护图案，填入该沟槽，以覆盖部份的该第一像素电极与部份的该第二像素电极，其中该保护图案为绝缘透光材料。