CN110068967A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置,所述显示装置包括:第一基体基底(BS)、面对第一BS的第二BS、设置在第一BS与第二BS之间的液晶层、滤色器层、像素电极、遮光柱间隔件、共电极和捕获电极。第一BS包括显示区域和非显示区域。滤色器层设置在显示区域中的第一BS上。像素电极设置在滤色器层上。遮光柱间隔件设置在非显示区域中的第一BS上并包括遮光材料。共电极设置在第二BS上并面对像素电极。液晶层设置在共电极与像素电极之间。捕获电极设置在遮光柱间隔件的下部上并面对共电极。
Description
本申请要求于2018年1月22日提交的第10-2018-0007871号韩国专利申请的优先权和权益,出于所有目的,该韩国专利申请通过引用包含于此,如同在此充分阐述的一样。
技术领域
一个或更多个示例性实施例总体上涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种能够防止(或至少减少)液晶层由于离子杂质而被污染的显示装置。
背景技术
通常,显示装置可以包括其上设置有多个像素的第一基底、面对第一基底的第二基底以及设置在第一基底与第二基底之间并由多个像素驱动的图像显示层。可以使用诸如液晶层、电润湿层和电泳层等的各种图像显示层来作为图像显示层。
每个像素可以包括连接到薄膜晶体管以接收数据电压的像素电极以及面对像素电极并被构造为接收共电压的共电极。图像显示层可以由形成在已经接收了数据电压的像素电极与已经接收了共电压的共电极之间的电场驱动,从而显示图像。
第一基底和第二基底中的任何一个可以包括设置在显示区域的非像素区域和非显示区域中的黑矩阵以防止漏光。另外,为了保持第一基底与第二基底之间的盒间隙,柱间隔件可以设置在第一基底和第二基底之间。通常,柱间隔件可以设置在形成有黑矩阵的区域内部以防止显示装置的开口率的减小。
该部分中公开的上述信息仅用于对发明构思的背景的理解,因此,可能包含不形成现有技术的信息。
发明内容
一些示例性实施例提供一种显示装置,所述显示装置能够防止(或至少减少)液晶层由于其中设置有遮光柱间隔件或低反射柱间隔件的结构中的离子杂质而被污染。
将在下面的详细描述中阐述另外的方面,另外的方面部分地将通过公开而明显,或者可以通过发明构思的实践而获知。
根据一些示例性实施例,显示装置包括第一基体基底、面对第一基体基底的第二基体基底、设置在第一基体基底与第二基体基底之间的液晶层、滤色器层、像素电极、遮光柱间隔件、共电极以及捕获电极。第一基体基底包括显示区域和非显示区域。滤色器层设置在显示区域中的第一基体基底上。像素电极设置在滤色器层上。遮光柱间隔件设置在非显示区域中的第一基体基底上并包括遮光材料。共电极设置在第二基体基底上并面对像素电极。液晶层设置在共电极与像素电极之间。捕获电极设置在遮光柱间隔件的下部上并面对共电极。
在一些示例性实施例中,共电极可以被构造为接收共电压,并且捕获电极可以被构造为接收具有比共电压的电位低的电位的捕获电压。
在一些示例性实施例中,显示装置还可以包括:密封构件,设置在第一基体基底与第二基体基底之间,密封构件将第一基体基底和第二基体基底结合并且密封液晶层。密封构件可以设置在非显示区域中的遮光柱间隔件上。
在一些示例性实施例中,显示装置还可以包括:第一取向层,设置在非显示区域中的遮光柱间隔件上,并且与密封构件间隔开以在平面图中不与密封构件叠置;以及第二取向层,设置在非显示区域中的共电极上,并且与密封构件间隔开以在平面图中不与密封构件叠置。
在一些示例性实施例中,显示区域可以具有在第一方向和与第一方向垂直的第二方向上限定的四边形形状,并且捕获电极可以设置为与显示区域的四个角相邻。
在一些示例性实施例中,显示装置还可以包括:栅极线,设置在显示区域中的第一基体基底上并且在第一方向上延伸;数据线,设置在显示区域中的第一基体基底上并且在第二方向上延伸;以及栅极驱动器,设置在非显示区域上,栅极驱动器被构造为将栅极信号提供到栅极线。
在一些示例性实施例中,栅极驱动器可以包括分别连接到栅极线的相对端的第一栅极驱动器和第二栅极驱动器中的至少一个。第一栅极驱动器和第二栅极驱动器中的每个可以包括:移位寄存器,被构造为输出栅极信号;以及第一截止电压线,被构造为将第一截止电压提供到移位寄存器。
在一些示例性实施例中,捕获电极可以电连接到第一截止电压线并且可以被构造为接收第一截止电压。
在一些示例性实施例中,显示装置还可以包括:屏蔽电极,设置在显示区域中的第一基体基底上并且沿着栅极线和数据线中的至少一者延伸,屏蔽电极被构造为接收具有与共电压的电位相等的电位的屏蔽电压。
在一些示例性实施例中,捕获电极中的每个可以包括:第一子捕获电极,电连接到第一截止电压线并且被构造为接收第一截止电压;以及第二子捕获电极,电连接到屏蔽电极并且被构造为接收屏蔽电压。
在一些示例性实施例中,第一子捕获电极和第二子捕获电极可以在第一方向和第二方向上交替地设置。
在一些示例性实施例中,捕获电极中的每个可以包括:第一子捕获电极,电连接到第一截止电压线并且被构造为接收第一截止电压;以及第二子捕获电极,处于电浮置状态。
在一些示例性实施例中,第一子捕获电极和第二子捕获电极可以在第一方向和第二方向上交替地设置。
在一些示例性实施例中,第一栅极驱动器和第二栅极驱动器中的每个可以包括:第三截止电压线,被构造为将第二截止电压提供到移位寄存器。
在一些示例性实施例中,捕获电极可以电连接到第三截止电压线,并且可以被构造为接收第二截止电压。
在一些示例性实施例中,捕获电极中的每个可以包括:第一子捕获电极,电连接到第一截止电压线并且被构造为接收第一截止电压;以及第二子捕获电极,电连接到第三截止电压线并且被构造为接收第二截止电压。
在一些示例性实施例中,显示区域可以包括像素区域和位于像素区域外部的非像素区域。滤色器层可以包括:红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器,设置在像素区域和非像素区域的相应的部分上;以及虚设滤色器,设置在非像素区域中的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器上。
在一些示例性实施例中,虚设滤色器可以设置在非像素区域中的形成有晶体管的区域中,遮光柱间隔件可以包括突出部,所述突出部在形成有虚设滤色器的区域中支撑第二基体基底。
在一些示例性实施例中,显示装置还可以包括覆盖滤色器层的有机绝缘层。像素电极和捕获电极可以设置在有机绝缘层上。
在一些示例性实施例中,在平面图中,捕获电极中的每个可以具有四边形形状。
在一些示例性实施例中,在平面图中,捕获电极中的每个可以具有“L”形状。
根据一些示例性实施例,显示装置包括第一基体基底、第二基体基底、液晶层、滤色器层、像素电极、低反射柱间隔件、共电极以及捕获电极。第一基体基底包括显示区域和非显示区域。第二基体基底面对第一基体基底。液晶层设置在第一基体基底与第二基体基底之间。滤色器层设置在显示区域和非显示区域中的第一基体基底上。像素电极设置在显示区域中的滤色器层上。低反射柱间隔件设置在非显示区域中的第一基体基底上,低反射柱间隔件包括低反射材料。共电极设置在第二基体基底上并面对像素电极。液晶层设置在共电极与像素电极之间。捕获电极设置在非显示区域中的滤色器层上并面对共电极。
在一些示例性实施例中,显示区域可以包括像素区域和位于像素区域外部的非像素区域。滤色器层可以包括:红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器,设置在像素区域和非像素区域的相应的部分上;以及第一虚设滤色器,设置在非像素区域中的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器上。
在一些示例性实施例中,低反射柱间隔件可以设置在非像素区域中的第一虚设滤色器上,并且可以支撑第二基体基底。
在一些示例性实施例中,滤色器层可以包括:第二虚设滤色器,设置在在非显示区域中的第一基体基底上;以及第三虚设滤色器,设置在非显示区域中的第二虚设滤色器上。
在一些示例性实施例中,捕获电极可以设置在第三虚设滤色器上使得第三虚设滤色器堆叠在捕获电极与第一基体基底之间。
在一些示例性实施例中,显示装置还可以包括覆盖滤色器层的有机绝缘层。像素电极和捕获电极可以设置在有机绝缘层上。
在一些示例性实施例中,捕获电极可以包括使有机绝缘层暴露的开口部分。
在一些示例性实施例中,共电极可以被构造为接收共电压,捕获电极可以被构造为接收具有比共电压的电位低的电位的捕获电压。
在一些示例性实施例中,显示装置还可以包括:密封构件,设置在第一基体基底与第二基体基底之间,密封构件将第一基体基底和第二基体基底结合并且密封液晶层。密封构件可以设置在非显示区域中的低反射柱间隔件上。
在一些示例性实施例中,显示装置还可以包括:第一取向层,设置在非显示区域中的低反射柱间隔件上,并且与密封构件间隔开以在平面图中不与密封构件叠置;以及第二取向层,设置在非显示区域中的共电极上,并且与密封构件间隔开以在平面图中不与密封构件叠置。
前面的大体描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的,并意图提供所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明构思的示例性实施例,并且与描述一起用于解释发明构思的原理,其中,附图被包括以提供对发明构思的进一步理解,并且附图包含在本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1示出了根据一些示例性实施例的显示装置的平面图。
图2是根据一些示例性实施例的图1的显示装置的沿着剖面线I-I′截取的剖视图。
图3是根据一些示例性实施例的图1的显示装置的第一基底的平面图。
图4是根据一些示例性实施例的图3中示出的部分A1的放大图。
图5是根据一些示例性实施例的图1的显示装置的沿着剖面线II-II′截取的剖视图。
图6是根据一些示例性实施例的包括捕获电极的显示面板的平面图。
图7是根据一些示例性实施例的图6的显示面板的沿着剖面线III-III′截取的剖视图。
图8是根据一些示例性实施例的包括捕获电极的显示面板的平面图。
图9是根据一些示例性实施例的包括捕获电极的显示面板的平面图。
图10是根据一些示例性实施例的包括捕获电极的显示装置的平面图。
图11是根据一些示例性实施例的图10中示出的部分A2的放大平面图。
图12是根据一些示例性实施例的显示装置的剖视图。
图13是示出根据一些示例性实施例的与图12中示出的显示装置关联应用的捕获电极的平面图。
图14是根据一些示例性实施例的图13的显示装置的沿着剖面线IV-IV′截取的剖视图。
图15是根据一些示例性实施例的与图12中示出的显示装置关联应用的捕获电极的平面图。
图16是根据一些示例性实施例的图15的显示装置的沿着剖面线V-V′截取的剖视图。
图17是示出根据一些示例性实施例的与图12中示出的显示装置关联应用的捕获电极的平面图。
具体实施方式
在下面的描述中,出于解释的目的,阐述了许多具体细节以提供对各种示例性实施例的透彻的理解。然而,明显的是,可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种示例性实施例。在其它情况下,以框图形式示出公知的结构和装置,以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外,各种示例性实施例可以是不同的,但不必是排它性的。例如,在不脱离发明构思的情况下,可以在另一示例性实施例中使用或实现示例性实施例的具体形状、构造和特性。
除非另有说明,否则示出的示例性实施例将被理解为提供一些示例性实施例的不同细节的示例性特征。因此,除非另有说明,否则在不脱离发明构思的情况下可以另外组合、分离、互换和/或重新布置各种实例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(在下文中单独地或共同地称作“元件”)。
通常提供在附图中使用交叉影线和/或阴影来使相邻元件之间的边界清楚。如此,除非被指定,否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任意其它特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外,在附图中,出于清楚和/或描述的目的,可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现示例性实施例时,可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如,可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外,同样的附图标记表示同样的元件。
当元件被称作“在”另一元件“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件时,该元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到或者直接结合到所述另一元件,或者可以存在中间元件。然而,当元件被称作“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件时,不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其它术语和/或短语应该以类似的方式来解释,例如,“在……之间”与“直接在……之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在……上”与“直接在……上”等。此外,术语“连接”可以指物理连接、电连接和/或流体连接。出于本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个(者/种)”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个(者/种)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(者/种)或更多个(者/种)的任意组合(诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)。如这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。
虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语用来将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离公开的教导的情况下,可以将下面讨论的第一元件命名为第二元件。
出于描述的目的,在这里可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“在……之下”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如,如在“侧壁”中)等的空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件与另一(另一些)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外,空间相对术语还意在包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外,设备可以被另外定位(例如,旋转90度或者在其它方位),如此相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是出于描述特定实施例的目的,而不意图成为限制。如这里所使用的,除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式的“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外,术语“包含”和/或“包括”及其变型用在本说明书中时,说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组,但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是,如这里所使用的,术语“基本上”、“约(大约)”和其它类似术语用作近似术语而不是用作程度术语,并且如此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
这里参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。如此,将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此,这里公开的示例性实施例不应被解释为局限于区域的具体示出的形状,而是将包括由例如制造导致的形状的偏差。以这样的方式,附图中示出的区域本质上可以是示意性的,这些区域的形状可不反映装置的区域的实际形状,如此,不必意图成为限制。
除非另有定义,否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。术语(诸如通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释,除非这里如此清楚地定义。
如领域中的惯例,根据功能块、单元和/或模块,附图中描述和示出了一些示例性实施例。本领域技术人员将领会的是,这些块、单元和/或模块通过电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬连线电路、存储元件、布线连接等)物理地实现,所述电子(或光学)电路可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术来形成。在通过微处理器或其它类似硬件实现块、单元和/或模块的情况下,它们可以使用软件(例如,微代码)来被编程并被控制以执行这里所讨论的各种功能,并且可以选择地被固件和/或软件驱动。还考虑的是,每个块、单元和/或模块可以通过专用硬件来实现,或者可以实现为执行某些功能的专用硬件和执行其它功能的处理器(例如,一个或更多个编程的微处理器和相关电路)的组合。此外,在不脱离发明构思的范围的情况下,一些示例性实施例中的每个块、单元和/或模块可以物理地被分成两个或更多个交互的且离散的块、单元和/或模块。另外,在不脱离发明构思的情况下,一些示例性实施例中的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
在下文中,将参照附图详细描述关于发明构思的示例性实施例。
图1示出了根据一些示例性实施例的显示装置的平面图。图2是根据一些示例性实施例的图1的显示装置的沿着剖面线I-I′截取的剖视图。
参照图1和图2,根据一些示例性实施例的显示装置500包括显示面板100、栅极驱动器210和220、数据驱动器300和驱动电路基底400。显示面板100可以是液晶显示面板,所述液晶显示面板包括第一基底110、面对第一基底110的第二基底120以及设置在第一基底110与第二基底120之间的液晶层LC。
显示面板100可以具有矩形形状,所述矩形形状具有在第一方向DR1上延伸的长边和在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸的短边。显示面板100可以是相对于第一方向DR1弯曲的弯曲显示面板;然而,发明构思不限于此。例如,显示面板100可以是平坦显示面板。
显示面板100包括多条栅极线GL1至GLm、多条数据线DL1至DLn以及多个像素PX,其中,“m”和“n”是大于0的整数。然而,注意的是,“m”和“n”可以彼此相等或不相等。栅极线GL1至GLm和数据线DL1至DLn彼此绝缘,并且设置为彼此交叉(或相交)。栅极线GL1至GLm在第一方向DR1上延伸以连接到栅极驱动器210和220。数据线DL1至DLn在第二方向DR2上延伸以连接到数据驱动器300。
显示面板100的平面区域包括其上(或其中)显示图像的显示区域DA以及设置在显示区域DA外部的非显示区域NDA,例如,非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。非显示区域NDA是其上(或其中)不显示图像的区域。像素PX可以以矩阵形式布置在显示区域DA上,所述矩阵可以包括与第一方向DR1平行的多个行和与第二方向DR2平行的多个列。然而,注意的是,像素PX的任何其它合适的布置可以与至少一个示例性实施例结合来使用。像素PX设置在由彼此交叉的栅极线GL1至GLm和数据线DL1至DLn划分的区域处。像素PX可以以“m”行和“n”列的矩阵来布置。
每个像素PX连接到多条栅极线GL1至GLm中的至少一条对应的栅极线和多条数据线DL1至DLn中的至少一条对应的数据线。每个像素PX可以显示原色中的一种。原色可以包括例如红色、绿色、蓝色和白色。然而,原色不限于此,并且可以包括任何合适的颜色。例如,原色可以附加地或可选择地包括诸如黄色、青色和品红色的颜色。
栅极驱动器210和220可以包括第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220。第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220可以设置在显示面板100的非显示区域NDA上。例如,第一栅极驱动器210设置在显示区域DA与显示面板100的短边中的与栅极线GL1至GLm的一端相邻的短边之间的非显示区域NDA上。第二栅极驱动器220设置在显示区域DA与显示面板100的短边中的与栅极线GL1至GLm的另一端相邻的短边之间的非显示区域NDA上。换言之,显示区域DA可以设置在第一栅极驱动器210与第二栅极驱动器220之间。
栅极驱动器210和220可以通过与像素PX的晶体管的工艺相同的工艺同时形成,并且可以以非晶硅薄膜晶体管(TFT)栅极驱动器电路(ASG)型或氧化硅TFT栅极驱动器电路(OSG)型安装在显示面板100上。然而,发明构思不限于此,栅极驱动器210和220可以以多个驱动芯片形式安装在柔性印刷电路板上,然后以例如带载封装(TCP)形式连接到显示面板100。作为另一示例,第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220可以以多个驱动芯片安装在显示面板100上的玻璃上芯片(chip-on-glass)(COG)形式或塑料上芯片(chip-on-plastic)(COP)形式来设置。
第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220从安装在驱动电路基底400上的时序控制器(未示出)接收栅极控制信号。尽管未示出,但是时序控制器可以以集成电路(IC)芯片形式安装在驱动电路基底400上以连接到数据驱动器300以及第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220。
第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220中的每个可以响应于栅极控制信号而产生多个栅极信号。栅极信号可以顺序地被输出;然而,示例性实施例不限于此。栅极信号可以通过栅极线GL1至GLm逐行地被提供到像素PX。结果,可以逐行地驱动像素PX。
尽管图1示出了栅极驱动器提供为第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220的结构,但是发明构思不限于此。例如,栅极驱动器可以包括连接到多条栅极线GL1至GLm的一端的仅一个栅极驱动器,或者可以包括任何其它合适的结构。另外,尽管图1示出了第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220将栅极信号同时输出到同一栅极线的结构,但是第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220可以连接到不同的栅极线,并且可以交替地输出栅极信号。
数据驱动器300包括多个数据驱动芯片310。多个数据驱动芯片310可以分别安装在柔性电路基底320上,并且可以分别电连接到驱动电路基底400和显示面板100。显示面板100的平面区域还可以包括垫(pad,或称为“焊盘”)区域PDA,所述垫区域PDA设置在显示面板100的一个长边与非显示区域NDA之间,并且柔性电路基底320附着到该垫区域PDA。数据驱动器300可以以TCP形式连接到显示面板100。然而,发明构思不限于此。例如,数据驱动器300可以以多个驱动芯片安装在显示面板100上的COG形式来设置。
数据驱动器300从时序控制器接收图像信号和数据控制信号。数据驱动器300响应于数据控制信号而产生与图像信号对应的模拟数据电压。数据电压通过数据线DL1至DLn被提供到多个像素PX。
像素PX响应于通过多条栅极线GL1至GLm提供的栅极信号而接收通过多条数据线DL1至DLn提供的数据电压。像素PX可以通过显示与数据电压对应的灰度级来显示图像。
如图2中所见,第一基底110包括第一基体基底SUB1、栅极金属层GML、栅极绝缘层GIL、有源层AL、数据金属层DML、滤色器层CF、有机绝缘层OL、像素电极PE、遮光柱间隔件BCS和第一取向层PI1。第二基底120包括第二基体基底SUB2、共电极CE和第二取向层PI2。液晶层LC设置在第一基体基底SUB1与第二基体基底SUB2之间。
第一基体基底SUB1和第二基体基底SUB2中的每个可以是透明或不透明的绝缘基底,并且可以由例如硅、玻璃、塑料等形成。第一基体基底SUB1的显示区域DA可以包括多个像素区域PA和围绕像素区域PA设置的多个非像素区域NPA。
栅极金属层GML设置在非像素区域NPA的第一基体基底SUB1上。栅极金属层GML可以包括多条栅极线GL1至GLm(见图1)和从多条栅极线GL1至GLm延伸的多个栅电极。每个栅电极可以是包括在像素PX中的相应的晶体管的控制电极。栅极绝缘层GIL设置在第一基体基底SUB1上以覆盖栅极金属层GML。栅极绝缘层GIL可以是包括无机材料的无机绝缘层。
有源层AL设置在覆盖栅极金属层GML的栅极绝缘层GIL上。有源层AL可以是在晶体管的输入电极与输出电极之间形成导电沟道的半导体层。尽管在附图中未示出,但是第一基底110还可以包括形成在有源层AL上的欧姆接触层。有源层AL可以从例如非晶硅、多晶硅和金属氧化物半导体中选择。
数据金属层DML可以设置在有源层AL上。数据金属层DML包括多条数据线DL1至DLn(见图1)和多个数据电极。数据电极中的每个可以包括晶体管的输入电极和输出电极。当为了减少掩模而使有源层AL和数据金属层DML同时图案化时,有源层AL可以设置在数据金属层DML的下部上。然而,当通过不同的工艺分别使有源层AL和数据金属层DML图案化时,有源层AL设置在晶体管形成的位置处,并且有源层AL可以不设置在数据线DL1至DLn的下部上。
滤色器层CF可以设置为覆盖数据金属层DML。滤色器层CF包括设置在显示区域DA的像素区域PA中的红色滤色器R、绿色滤色器G和蓝色滤色器B。滤色器层CF可以设置在显示区域DA的非像素区域NPA中。非像素区域NPA中的滤色器层CF还可以包括虚设滤色器Dum。例如,在其中红色滤色器R设置在像素区域PA中的红色像素中,蓝色滤色器B可以在红色像素的非像素区域NPA中设置为虚设滤色器Dum。作为另一示例,在其中绿色滤色器G设置在像素区域PA中的绿色像素中,红色滤色器R可以在非像素区域NPA中设置为虚设滤色器Dum。每个像素PX的虚设滤色器Dum可以由具有与设置在对应的像素区域PA中的滤色器的颜色不同的颜色的滤色器中的一个滤色器来形成。在一些示例性实施例中,滤色器层CF可以不形成在非显示区域NDA中。
有机绝缘层OL可以设置在显示区域DA中的滤色器层CF上。尽管作为示例示出了滤色器层CF被有机绝缘层OL覆盖的结构,但是滤色器层CF可以被由无机材料形成的钝化层覆盖。显示面板100可以选择性地包括钝化层和有机绝缘层OL或者作为另一示例包括它们两者。当显示面板100包括钝化层和有机绝缘层OL两者时,有机绝缘层OL可以设置在钝化层上。另一方面,位于没有滤色器层CF的非显示区域NDA中的数据金属层DML可以被有机绝缘层OL覆盖。在非显示区域NDA中,钝化层还可以附加地设置在数据金属层DML上,或者可以被设置以置换有机绝缘层OL。
有机绝缘层OL可以包括用于使数据金属层DML暴露的接触部。接触部可以包括用于使像素PX中的晶体管的输出电极暴露的像素接触孔PCH以及为了第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220中的每个元件的电接触而用于使电极暴露的栅极接触孔GCH。例如,在形成有像素接触孔PCH的区域中,具有比像素接触孔PCH的尺寸大的尺寸的接触孔可以形成在滤色器层CF中以使数据金属层DML和栅极绝缘层GIL的部分暴露。像素接触孔PCH可以设置在非像素区域NPA中。
像素电极PE设置在有机绝缘层OL上。像素电极PE设置在像素PX的像素区域PA中,并且部分地延伸到非像素区域NPA,以通过像素接触孔PCH电连接到对应的像素PX的晶体管的输出电极。
连接电极CNE设置在非显示区域NDA中的有机绝缘层OL上。连接电极CNE通过栅极接触孔GCH接触暴露的电极,以使栅极驱动器210和220的元件彼此电连接。
与非显示区域NDA和非像素区域NPA对应,遮光柱间隔件BCS形成在有机绝缘层OL的一部分、像素电极PE和连接电极CNE上。遮光柱间隔件BCS可以由包括可以阻光的阻光材料(例如,碳等)的有机材料形成。遮光柱间隔件BCS可以具有黑颜色。
当从顶部(例如,在平面图中)观看时,遮光柱间隔件BCS可以在非像素区域NPA中覆盖像素电极PE和有机绝缘层OL的一部分。遮光柱间隔件BCS可以保持第一基底110与第二基底120之间的盒间隙。例如,在形成有虚设滤色器Dum的区域中,有机绝缘层OL的顶表面可以设置为比有机绝缘层OL的在其它区域中的顶表面高(例如,距离第一基底SUB1更远)。因此,在形成有虚设滤色器Dum的区域中,设置在有机绝缘层OL上的遮光柱间隔件BCS也设置为比其它区域中的遮光柱间隔件BCS高。
例如,虚设滤色器Dum可以设置在非像素区域NPA中的晶体管上。非像素区域NPA的其中设置有晶体管的部分形成为比非像素区域NPA的其中未设置晶体管的其它部分高。因此,由于晶体管引起的阶梯差和由于虚设滤色器Dum引起的阶梯差都有助于提供遮光柱间隔件BCS中的用于保持盒间隙的突出部BCS-P。换言之,虚设滤色器Dum和晶体管与遮光柱间隔件BCS叠置,因此,遮光柱间隔件BCS可以设置有可以支撑第二基底120的突出部BCS-P。
当从顶部观看时,遮光柱间隔件BCS在非显示区域NDA中设置为覆盖连接电极CNE和有机绝缘层OL的一部分。
第一取向层PI1设置为覆盖遮光柱间隔件BCS、有机绝缘层OL的一部分、像素电极PE和连接电极CNE。第一取向层PI1设置在非像素区域NPA中的遮光柱间隔件BCS的顶表面上。例如,第一取向层PI1的设置在突出部BCS-P的顶表面上的部分可以与第二基底120的第二取向层PI2接触。
每个像素PX的晶体管由通过栅极线GL1至GLm中的对应的栅极线接收的栅极信号而导通。导通的晶体管将通过数据线DL1至DLn中的对应的数据线接收的数据电压提供到像素电极PE。共电压被施加到共电极CE。水平电场通过数据电压与共电压之间的电压差形成在像素电极PE与共电极CE之间,并且液晶层LC通过水平电场来驱动。通过由液晶层LC中的水平电场驱动的液晶分子来调节透光率,因此,可以显示图像。
根据一些示例性实施例的显示面板100还可以包括被构造为使第一基底110和第二基底120结合的密封构件SLT,并密封第一基底110与第二基底120之间的空间。密封构件SLT可以设置在非显示区域NDA中的遮光柱间隔件BCS上。
为了加强密封构件SLT与第一基底110之间的接触力,第一取向层PI1在平面图中形成为不与密封构件SLT叠置。换言之,第一取向层PI1设置为与密封构件SLT间隔开预定距离。因此,遮光柱间隔件BCS的顶表面可以在密封构件SLT与第一取向层PI1之间被暴露。类似地,为了加强密封构件SLT与第二基底120之间的接触力,第二取向层PI2在平面图中形成为不与密封构件SLT叠置。
图3是根据一些示例性实施例的图1的显示装置的第一基底的平面图。图4是根据一些示例性实施例的图3中示出的部分A1的放大图。
参照图3和图4,第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220设置在第一基底110的非显示区域NDA中。第一栅极驱动器210连接到栅极线GL1至GLm的一端,第二栅极驱动器220连接到栅极线GL1至GLm的另一端。第一栅极驱动器210包括第一移位寄存器SR1和将第一栅极控制信号提供到第一移位寄存器SR1的第一控制信号线。第二栅极驱动器220包括第二移位寄存器SR2和将第二栅极控制信号提供到第二移位寄存器SR2的第二控制信号线。
第一移位寄存器SR1包括与栅极线GL1至GLm一一对应连接的多个级,第二移位寄存器SR2包括与栅极线GL1至GLm一一对应连接的多个级SRC2-1、SRC2-2和SRC2-3。
第一控制信号线可以通过柔性电路基底320中的一个柔性电路基底接收第一栅极控制信号。第一控制信号线可以沿着第二方向DR2延伸,以将第一栅极控制信号提供到多个级。第一控制信号线可以包括第一时钟信号线(未示出)、第一时钟条信号线(未示出)和第一截止电压线VSSL1-1等。第一时钟信号线和第一时钟条信号线设置在第一移位寄存器SR1与显示面板100的设置有第一移位寄存器SR1的一个短边之间的区域中,第一截止电压线VSSL1-1设置在第一移位寄存器SR1与显示区域DA之间。
第二控制信号线可以通过柔性电路基底320中的一个柔性电路基底接收第二栅极控制信号。第二控制信号线可以沿着第二方向DR2延伸,以将第二栅极控制信号提供到多个级。第二控制信号线可以包括第二时钟信号线(未示出)、第二时钟条信号线(未示出)和第二截止电压线VSSL1-2等。第二时钟信号线和第二时钟条信号线设置在第二移位寄存器SR2与显示面板100的设置有第二移位寄存器SR2的另一个短边之间的区域中,第二截止电压线VSSL1-2设置在第二移位寄存器SR2与显示区域DA之间。第一截止电压线VSSL1-1和第二截止电压线VSSL1-2接收第一截止电压。作为示例,第一截止电压可以具有比施加到共电极CE(见图2)的共电压的电位低的电位。
捕获电极TE1至TE4设置在第一基底110的非显示区域NDA中。在一些示例性实施例中,显示区域DA具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的四边形形状,捕获电极TE1至TE4设置为与显示区域DA的四个角部相邻。捕获电极TE1至TE4中的每个可以在平面图中具有四边形形状。例如,捕获电极TE1至TE4中的每个具有正方形形状或矩形形状,但是示例性实施例不限于此,并且可以以各种方式进行修改。
捕获电极TE1至TE4中的与第一栅极驱动器210相邻设置的第一捕获电极TE1和第三捕获电极TE3电连接到第一截止电压线VSSL1-1,以从第一截止电压线VSSL1-1接收第一截止电压。捕获电极TE1至TE4中的与第二栅极驱动器220相邻设置的第二捕获电极TE2和第四捕获电极TE4电连接到第二截止电压线VSSL1-2,以从第二截止电压线VSSL1-2接收第一截止电压。
如图4中所示,第二移位寄存器SR2包括与栅极线GL1、GL2和GL3一一对应连接的多个级SRC2-1、SRC2-2和SRC2-3。多个级SRC2-1、SRC2-2和SRC2-3中的每个连接到第二截止电压线VSSL1-2并接收第一截止电压。从多个级SRC2-1、SRC2-2和SRC2-3输出的栅极信号顺序地具有高周期,并且在低周期期间保持处于第一截止电压。
第二捕获电极TE2形成为与第二截止电压线VSSL1-2叠置并且通过第一接触孔CNT1电连接到第二截止电压线VSSL1-2。因此,第二捕获电极TE2可以从第二截止电压线VSSL1-2接收第一截止电压。
尽管在图4中未示出,但是第四捕获电极TE4(见图3)也可以设置为与第二截止电压线VSSL1-2叠置并且通过对应的接触孔电连接到第二截止电压线VSSL1-2。
图5是根据一些示例性实施例的图1的显示装置的沿着剖面线II-II′截取的剖视图。
关于图1、图3和图5,捕获电极TE1至TE4设置在非显示区域NDA中的有机绝缘层OL上,并且被遮光柱间隔件BCS覆盖。捕获电极TE1至TE4可以与像素电极PE设置在同一层上,可以由与像素电极PE的材料相同的材料形成,并且可以与像素电极PE通过同一工艺来图案化;然而,示例性实施例不限于此。
另外,捕获电极TE1至TE4面对共电极CE以形成电场。共电压被施加到共电极CE,并且具有与共电压的电位不同的电位的第一截止电压被施加到捕获电极TE1至TE4。作为示例,第一截止电压可以具有比共电压的电位低的电位。例如,共电压可以是7V,第一截止电压可以是-7V。
当从顶部观看时,第一取向层PI1设置为与密封构件SLT间隔开预定距离以不与密封构件SLT叠置,遮光柱间隔件BCS的与密封构件SLT相邻的顶表面未覆盖有第一取向层PI1并被暴露。这里,遮光柱间隔件BCS的暴露的部分可以被限定为开口区域OP。从遮光柱间隔件BCS流出的离子杂质可能通过开口区域OP而移动到第一基底110与第二基底120之间的空间。这里,离子杂质可以在电场空间中通过形成在捕获电极TE1至TE4与共电极CE之间的电场来捕获。例如,具有负极性的离子杂质可以固定到具有相对正极性的共电极CE,具有正极性的离子杂质可以固定到具有相对负极性的捕获电极TE1至TE4的顶部。因此,可以防止或至少减少离子杂质移动到显示区域DA侧而污染液晶的现象。
图6是根据一些示例性实施例的包括捕获电极的显示面板的平面图。图7是根据一些示例性实施例的图6的显示面板的沿着剖面线III-III′截取的剖视图。
关于图1、图6和图7,根据一些示例性实施例的显示面板100_1还包括在显示区域DA中的沿着栅极线GL1至GLm和数据线DL1至DLn形成的屏蔽电极SSE。屏蔽电极SSE可以以网格型形成在显示区域DA中,但是不限于此。作为其它示例,屏蔽电极SSE可以以条纹型沿着数据线DL1至DLn在第二方向DR2上形成,或者可以以条纹型沿着栅极线GL1至GLm在第一方向DR1上形成。
屏蔽电极SSE形成在栅极线GL1至GLm和数据线DL1至DLn的顶部上。作为示例,屏蔽电极SSE设置在有机绝缘层OL上,并且可以通过与形成像素电极PE的工艺相同的工艺来形成。具有与施加到共电极CE的共电压的电位相同的电位的屏蔽电极电压可以被施加到屏蔽电极SSE。如此,非电场区域形成在屏蔽电极SSE与共电极CE之间。在非电场区域中,液晶层LC的液晶未取向。因此,提供到非电场的光不穿透液晶层LC并被屏蔽。因此,屏蔽电极SSE可以形成屏蔽光的区域,结果,遮光柱间隔件BCS可以不形成在其中形成有屏蔽电极SSE的区域中。然而,作为另一示例,为了双重执行遮光功能,遮光柱间隔件BCS还可以形成在屏蔽电极SSE上,或者屏蔽电极SSE的一部分可以与遮光柱间隔件BCS叠置。
捕获电极TE1至TE4中的每个可以包括第一子捕获电极TE2-1和第二子捕获电极TE2-2。第一子捕获电极TE2-1通过第一接触孔CNT1电连接到第二截止电压线VSSL1-2以接收第一截止电压。第二子捕获电极TE2-2通过第二接触孔CNT2电连接到屏蔽电极SSE以接收屏蔽电压。屏蔽电极SSE与施加到共电极CE的共电压具有相同的电位以形成非电场区域。
如图6和图7中所示,第二捕获电极TE2可以被分成两个捕获区域TA1和TA2。在第一捕获区域TA1中,第一子捕获电极TE2-1和第二子捕获电极TE2-2在第一方向DR1上交替设置,在第二捕获区域TA2中,第一子捕获电极TE2-1和第二子捕获电极TE2-2在第二方向DR2上交替地设置。
在第一捕获区域TA1中,其中共电极CE与第一子捕获电极TE2-1彼此面对的捕获区域TA和其中共电极CE与第二子捕获电极TE2-2彼此面对的非电场区域NFA可以交替地形成。在第二捕获区域TA2中,其中共电极CE与第一子捕获电极TE2-1彼此面对的捕获区域TA和其中共电极CE与第二子捕获电极TE2-2彼此面对的非电场区域NFA可以在第二方向DR2上交替地形成。
从遮光柱间隔件BCS流出的离子杂质可能通过开口区域OP而移动到第一基底110_1与第二基底120之间的空间。离子杂质可以通过形成在第一子捕获电极TE2-1与共电极CE之间的电场来捕获。例如,具有负极性的离子杂质可以固定到具有相对正极性的共电极CE,具有正极性的离子杂质可以固定到具有相对负极性的第一子捕获电极TE2-1的顶部。因此,可以防止或至少减少离子杂质移动到显示区域DA侧而污染液晶的现象。
图8是根据一些示例性实施例的包括捕获电极的显示面板的平面图。
关于图8,捕获电极TE1至TE4中的每个可以包括第一子捕获电极TE2-1和第三子捕获电极TE2-3。第一子捕获电极TE2-1通过第一接触孔CNT1电连接到第二截止电压线VSSL1-2以接收第一截止电压。第三子捕获电极TE2-3可以是处于浮置状态的电极。换言之,第三子捕获电极TE2-3可以是不从外部接收任何信号的处于岛形式的电极。
如图8中所示,第二捕获电极TE2可以被分成两个捕获区域TA1和TA2。在第一捕获区域TA1中,第一子捕获电极TE2-1和第三子捕获电极TE2-3在第一方向DR1上交替地设置,在第二捕获区域TA2中,第一子捕获电极TE2-1和第三子捕获电极TE2-3在第二方向DR2上交替地设置。
在第一捕获区域TA1中,其中共电极CE(图7中示出)与第一子捕获电极TE2-1彼此面对的捕获区域TA和其中共电极CE与第三子捕获电极TE2-3彼此面对的浮置区域可以在第一方向DR1上交替地形成。在第二捕获区域TA2中,其中共电极CE与第一子捕获电极TE2-1彼此面对的捕获区域TA和其中共电极CE与第三子捕获电极TE2-3彼此面对的浮置区域可以在第二方向DR2上交替地形成。
离子杂质可以通过形成在第一子捕获电极TE2-1与共电极CE之间的电场来捕获。例如,具有负极性的离子杂质可以固定到具有相对正极性的共电极CE,具有正极性的离子杂质可以固定到具有相对负极性的第一子捕获电极TE2-1的顶部。因此,可以防止或至少减少离子杂质移动到显示区域DA侧而污染液晶的现象。
图9是根据一些示例性实施例的包括捕获电极的显示面板的平面图。
关于图9,根据一些示例性实施例的第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220(图1和图3中示出)还可以接收第二截止电压。第二截止电压可以具有比第一截止电压的电平低的电平。
第二栅极驱动器220(见图1和图3)还包括连接到第二移位寄存器SR2的第三截止电压线VSSL2。第三截止电压线VSSL2沿着多个级SRC2-1、SRC2-2和SRC2-3在第二方向DR2上延伸,并且将第二截止电压提供到多个级SRC2-1、SRC2-2和SRC2-3。
第二截止电压线VSSL1-2设置在第二移位寄存器SR2与显示区域DA之间,而第三截止电压线VSSL2设置在显示面板100的短边与第二移位寄存器SR2之间的区域中。然而,示例性实施例不限于此。
捕获电极TE1至TE4(见图1和图3)中的每个可以接收第二截止电压。如图9中所示,第二捕获电极TE2电连接到第三截止电压线VSSL2,以从第三截止电压线VSSL2接收第二截止电压。第二捕获电极TE2可以与第三截止电压线VSSL2叠置,并且可以通过第三接触孔CNT3电连接到第三截止电压线VSSL2。因此,第二捕获电极TE2可以从第三截止电压线VSSL2接收第二截止电压。
尽管图9中未示出,但是第四捕获电极TE4(见图3)也可以与第三截止电压线VSSL2叠置,并且可以通过对应的接触孔电连接到第三截止电压线VSSL2,以从第三截止电压线VSSL2接收第二截止电压。
图10是根据一些示例性实施例的包括捕获电极的显示装置的平面图。图11是根据一些示例性实施例的图10中示出的部分A2的放大平面图。在图10中示出的元件中,与图1中示出的元件相同的元件用相同的附图标记来表示,并且将主要省略重复的详细描述。
参照图10,显示装置510包括根据一些示例性实施例的捕获电极TE5至TE8。捕获电极TE5至TE8设置在与显示区域DA的四个角部相邻的非显示区域NDA中。显示区域DA具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的四边形形状,捕获电极TE5至TE8中的每个可以在平面图中具有字符“L”形状,所述字符“L”形状可以基于捕获电极TE5至TE8的相应的位置而旋转。
捕获电极TE5至TE8中的第五捕获电极TE5和第七捕获电极TE7设置为与第一栅极驱动器210相邻,第六捕获电极TE6和第八捕获电极TE8设置为与第二栅极驱动器220相邻。第五捕获电极TE5和第六捕获电极TE6参照穿过显示面板100的中心的中心线CL具有对称的形状,第七捕获电极TE7和第八捕获电极TE8参照中心线CL具有对称的形状。
如图11中所示,第六捕获电极TE6包括与第一方向DR1平行地延伸的第一捕获部分TE6-1和从第一捕获部分TE6-1的一端与第二方向DR2平行地延伸的第二捕获部分TE6-2。第一捕获部分TE6-1与第二截止电压线VSSL1-2叠置,并且通过第一接触孔CNT1电连接到第二截止电压线VSSL1-2,以从第二截止电压线VSSL1-2接收第一截止电压。尽管第一捕获部分TE6-1与第二截止电压线VSSL1-2叠置的结构在图11中示出,但是第二捕获部分TE6-2和第二截止电压线VSSL1-2可以根据显示装置510的设计而彼此叠置。尽管在图11中未示出,但是第八捕获电极TE8(见图10)也可以与截止电压线VSSL1-2叠置,并且可以通过对应的接触孔电连接到第二截止电压线VSSL1-2。
图12是根据一些示例性实施例的显示装置的剖视图。在显示装置的显示面板105的图12中示出的元件中,与图2中示出的元件相同的元件用相同的附图标记来表示,并且将主要省略它们的详细描述。
关于图12,第一基底110_2包括第一基体基底SUB1、栅极金属层GML、栅极绝缘层GIL、有源层AL、数据金属层DML、滤色器层CF、有机绝缘层OL、像素电极PE、低反射柱间隔件LCS和第一取向层PI1。第二基底120包括第二基体基底SUB2、共电极CE和第二取向层PI2。液晶层LC设置在第一基体基底SUB1与第二基体基底SUB2之间。
滤色器层CF可以设置为覆盖数据金属层DML。滤色器层CF包括红色滤色器R、绿色滤色器G和蓝色滤色器B。滤色器层CF可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中。滤色器层CF可以设置在显示区域DA的像素区域PA和非像素区域NPA中。
非像素区域NPA中的滤色器层CF还可以包括第一虚设滤色器Dum1。例如,在其中红色滤色器R设置在像素区域PA中的红色像素中,蓝色滤色器B可以在红色像素的非像素区域NPA中设置为第一虚设滤色器Dum1。作为另一示例,在其中绿色滤色器G设置在像素区域PA中的绿色像素中,红色滤色器(未示出)可以在绿色像素的非像素区域NPA中设置为第一虚设滤色器Dum1。每个像素PX的第一虚设滤色器Dum1可以由具有与设置在对应的像素区域PA中的滤色器的颜色不同的颜色的滤色器中的一个来形成。
非显示区域NDA中的滤色器层CF包括第二虚设滤色器Dum2和第三虚设滤色器Dum3。第二虚设滤色器Dum2可以设置在栅极绝缘层GIL上,第三虚设滤色器Dum3可以设置在第二虚设滤色器Dum2上。作为示例,红色滤色器R可以设置为第二虚设滤色器Dum2,蓝色滤色器B可以作为第三虚设滤色器Dum3设置在第二虚设滤色器Dum2上,但是发明构思不限于此。
有机绝缘层OL可以设置在滤色器层CF上。尽管作为示例示出了滤色器层CF被有机绝缘层OL覆盖的结构,但是滤色器层CF可以被由无机材料形成的钝化层覆盖。显示面板105可以选择性地包括钝化层和有机绝缘层OL,或者包括它们两者作为另一示例。当显示面板105包括钝化层和有机绝缘层OL两者时,有机绝缘层OL可以设置在钝化层上。另一方面,在未设置有滤色器层CF的区域中,数据金属层DML或栅极绝缘层GIL可以被有机绝缘层OL覆盖。
有机绝缘层OL可以包括使数据金属层DML暴露的接触部分。接触部分可以包括使像素PX中的晶体管的输出电极暴露的像素接触孔PCH以及使用于栅极驱动器210和220中的每个元件的电接触的电极暴露的栅极接触孔GCH。例如,在形成有像素接触孔PCH的区域中,具有比像素接触孔PCH的尺寸大的尺寸的接触孔形成在滤色器CF中,以使数据金属层DML和栅极绝缘层GIL的部分暴露。像素接触孔PCH可以位于非像素区域NPA中。
像素电极PE设置在有机绝缘层OL上。像素电极PE设置在像素PX的像素区域PA中,并且部分地延伸到非像素区域NPA,以通过像素接触孔PCH与对应的像素的晶体管的输出电极电接触。
连接电极CNE设置在非显示区域NDA中的有机绝缘层OL上。连接电极CNE通过栅极接触孔GCH与暴露的电极接触,以使栅极驱动器210和220的元件彼此电连接。
与非显示区域NDA和非像素区域NPA对应,低反射柱间隔件LCS设置在有机绝缘层OL的一部分、像素接触孔PCH和栅极接触孔GCH上。低反射柱间隔件LCS可以由包括低反射材料的有机材料形成。
低反射柱间隔件LCS可以保持第一基底110_2与第二基底120之间的盒间隙。例如,在形成有第一虚设滤色器Dum1的区域中,有机绝缘层OL的顶表面设置得比其它区域中有机绝缘层OL的顶表面高。因此,当低反射柱间隔件LCS在其中形成有第一虚设滤色器Dum1的区域中形成在有机绝缘层OL上时,低反射柱间隔件LCS可以支撑第二基底120。
根据一些示例性实施例,第一虚设滤色器Dum1可以设置在非像素区域NPA中的晶体管上。非像素区域NPA的其中设置有晶体管的部分形成为比非像素区域NPA的其中未设置有晶体管的其它部分高。因此,由于晶体管引起的阶梯差和由于虚设滤色器Dum1引起的阶梯差都有助于低反射柱间隔件LCS的突出形状。
另外,低反射柱间隔件LCS可以形成在像素接触孔PCH和栅极接触孔GCH上以覆盖像素电极PE和连接电极CNE。低反射柱间隔件LCS设置为覆盖位于非像素区域NPA中的像素电极PE,并且设置为覆盖位于非显示区域NDA中的连接电极CNE。因此,防止外部光被像素电极PE和连接电极CNE反射以使外部光不被用户视觉识别到。
第一取向层PI1设置为覆盖低反射柱间隔件LCS、有机绝缘层OL的一部分、像素电极PE和连接电极CNE。第一取向层PI1设置在晶体管区域中的低反射柱间隔件LCS的顶表面上。因此,第一取向层PI1的设置在低反射柱间隔件LCS的顶表面上的部分可以与第二基底120的第二取向层PI2接触。
当从顶部观看时,低反射柱间隔件LCS可以在非显示区域NDA中与密封构件SLT叠置。为了加强与第一基底110_2的接触力,密封构件SLT在平面图中不与第一取向层PI1叠置。换言之,第一取向层PI1与密封构件SLT间隔开预定距离。因此,低反射柱间隔件LCS的顶表面可以在密封构件SLT与第一取向层PI1之间被暴露。类似地,为了加强与第二基底120的接触力,第二取向层PI2在平面图中不与密封构件SLT叠置。
图13是示出根据一些示例性实施例的与图12中示出的显示装置关联应用的捕获电极的平面图。图14是根据一些示例性实施例的图13的显示装置的沿着剖面线IV-IV′截取的剖视图。
参照图12、图13和图14,图12中示出的显示装置包括捕获电极TE5和TE6。如图13和图14中所示,第六捕获电极TE6包括与第一方向DR1平行地延伸的第三捕获部分TE6-3和从第三捕获部分TE6-3的一端与第二方向DR2平行地延伸的第四捕获部分TE6-4。第三捕获部分TE6-3与第二截止电压线VSSL1-2叠置,并且通过第三接触孔CNT3电连接到第二截止电压线VSSL1-2,以从第二截止电压线VSSL1-2接收第一截止电压。尽管第三捕获部分TE6-3与第二截止电压线VSSL1-2叠置的结构在图13中被示出,但是第四捕获部分TE6-4和第二截止电压线VSSL1-2可以根据显示装置的设计而叠置。
另外,第六捕获电极TE6面对共电极CE以形成电场。共电压施加到共电极CE,具有与共电压的电位不同的电位的第一截止电压施加到第六捕获电极TE6。作为示例,第一截止电压可以具有比共电压的电位低的电位。例如,共电压可以是7V,第一截止电压可以是-7V。
当从顶部观看时,第一取向层PI1与密封构件SLT间隔开预定距离以不与密封构件SLT叠置,因此,低反射柱间隔件LCS的与密封构件SLT相邻的顶表面未被第一取向层PI1覆盖并被暴露。低反射柱间隔件LCS的暴露的部分可以被限定为开口区域OP。从低反射柱间隔件LCS流出的离子杂质可以通过开口区域OP移动到第一基底110_2与第二基底120之间的空间。这里,离子杂质可以在电场空间中通过形成在第六捕获电极TE6与共电极CE之间的电场来捕获。例如,具有负极性的离子杂质可以固定到具有相对正极性的共电极CE,具有正极性的离子杂质可以固定到具有相对负极性的第六捕获电极TE6的顶部分。因此,可以防止或至少减少离子杂质移动到显示区域DA侧而污染液晶的现象。
根据一些示例性实施例,第三捕获部分TE6-3可以在第二方向DR2上具有第一宽度W1,第四捕获部分TE6-4可以在第一方向DR1上具有第二宽度W2。如图14中所示,低反射柱间隔件LCS不设置在第三捕获部分TE6-3和第四捕获部分TE6-4上。当第三捕获部分TE6-3的第一宽度W1和第四捕获部分TE6-4的第二宽度W2增加时,外部光被第三捕获部分TE6-3和第四捕获部分TE6-4反射而被用户视觉识别到。因此,第三捕获部分TE6-3的第一宽度W1和第四捕获部分TE6-4的第二宽度W2可以设置在反射光不被视觉识别到的范围内。
图15是根据一些示例性实施例的与图12中示出的显示装置关联应用的捕获电极的平面图。图16是根据一些示例性实施例的图15的显示装置的沿着剖面线V-V′截取的剖视图。
如图15和图16中所示,第一基底110_3包括第六捕获电极TE6,第六捕获电极TE6具有与第一方向DR1平行地延伸的第五捕获部分TE6-5和从第五捕获部分TE6-5的一端与第二方向DR2平行地延伸的第六捕获部分TE6-6。第五捕获部分TE6-5可以在第二方向DR2上具有第三宽度W3,第六捕获部分TE6-6可以在第一方向DR1上具有第四宽度W4。第三宽度W3可以比第三捕获部分TE6-3的第一宽度W1大,并且第四宽度W4可以比第四捕获部分TE6-4的第二宽度W2大。
在一些示例性实施例中,第五捕获部分TE6-5和第六捕获部分TE6-6可以包括开口部分VH。开口部分VH可以在平面图中被限定为四边形形状,但是示例性实施例不限于此,并且可以具有任何适合的多边形形状。开口部分VH被限定为除去了捕获电极的区域。因此,即使第五捕获部分TE6-5的第三宽度W3和第六捕获部分TE6-6的第四宽度W4分别比第三捕获部分TE6-3的第一宽度W1和第四捕获部分TE6-4的第二宽度W2大,形成有第六捕获电极TE6的总区域也由于开口部分VH而不大幅增大。因此,可以增强离子杂质的捕获效应,同时可以减少外部光的反射现象。
图17是示出根据一些示例性实施例的与图12中示出的显示装置关联应用的捕获电极的平面图。
关于图17,根据一些示例性实施例的显示装置还包括第三截止电压线VSSL2,第三截止电压线VSSL2将第二截止电压提供到第一栅极驱动器210和第二栅极驱动器220(见图1和图3)。第三截止电压线VSSL2沿着多个级SRC2-1、SRC2-2和SRC2-3在第二方向DR2上延伸,并且将第二截止电压提供到多个级SRC2-1、SRC2-2和SRC2-3。
显示装置可以包括连接到第三截止电压线VSSL2以接收第二截止电压的第一子捕获电极STE1以及连接到第二截止电压线VSSL1-2以接收第一截止电压的第二子捕获电极STE2。如图17中所示,第一子捕获电极STE1通过第五接触孔CNT5电连接到第三截止电压线VSSL2,第二子捕获电极STE2通过第四接触孔CNT4电连接到第二截止电压线VSSL1-2。第一子捕获电极STE1包括在第一方向DR1上延伸的第一子捕获部分STE1-1和从第一子捕获部分STE1-1的一端在第二方向DR2上延伸的第二子捕获部分STE1-2。第二子捕获电极STE2包括在第一方向DR1上延伸的第三子捕获部分STE2-1和从第三子捕获部分STE2-1的一端在第二方向DR2上延伸的第四子捕获部分STE2-2。第三子捕获部分STE2-1与第一子捕获部分STE1-1平行,并且设置得比第一子捕获部分STE1-1更靠近显示区域DA,第四子捕获部分STE2-2与第二子捕获部分STE1-2平行,并且设置得比第二子捕获部分STE1-2更靠近显示区域DA。
当第二截止电压施加到栅极驱动器210和220中的每个时,分别接收第一截止电压和第二截止电压的两个子捕获电极STE1和STE2可以设置为与显示区域DA的每个角部相邻。通过这种方式,当应用两个子捕获电极STE1和STE2时,可以增强捕获效应而不宽地形成子捕获电极STE1和STE2的宽度捕获。另外,子捕获电极STE1和STE2具有相对薄的宽度,因此,可以减少外部光的反射现象。
根据各种示例性实施例,可以通过形成在捕获电极与共电极之间的电场来捕获离子杂质。为此,离子杂质中的具有负极性的离子杂质可以固定(或以其它方式吸引)到具有相对正极性的共电极,具有正极性的离子杂质可以固定(或以其它方式吸引)到具有相对负极性的捕获电极的上部。因此,可以防止或至少减少离子杂质移动到显示区域侧而污染液晶的现象。如此,可以避免显示缺陷并且可以确保显示质量。
虽然这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式,但是其它实施例和修改将通过该描述是明显的。因此,发明构思不限于这样的实施例,而是受限于所附权利要求以及如对于本领域普通技术人员来说将明显的各种明显的修改和等同布置的较宽范围。
Claims (10)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一基体基底,包括显示区域和非显示区域;
第二基体基底,被构造为面对所述第一基体基底;
液晶层,设置在所述第一基体基底与所述第二基体基底之间;
滤色器层,设置在所述显示区域中的所述第一基体基底上;
像素电极,设置在所述滤色器层上;
遮光柱间隔件,设置在所述非显示区域中的所述第一基体基底上,所述遮光柱间隔件包括遮光材料;
共电极,设置在所述第二基体基底上,并且被构造为面对所述像素电极,所述液晶层设置在所述共电极与所述像素电极之间;以及
捕获电极,设置在所述遮光柱间隔件的下部上并且面对所述共电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述共电极被构造为接收共电压;并且
所述捕获电极被构造为接收具有比所述共电压的电位低的电位的捕获电压。
3.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括:
密封构件,设置在所述第一基体基底与所述第二基体基底之间,所述密封构件将所述第一基体基底和所述第二基体基底结合并且密封所述液晶层,
其中,所述密封构件设置在所述非显示区域中的所述遮光柱间隔件上。
4.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一取向层,设置在所述非显示区域中的所述遮光柱间隔件上,并且与所述密封构件间隔开以在平面图中不与所述密封构件叠置;以及
第二取向层,设置在所述非显示区域中的所述共电极上,并且与所述密封构件间隔开以在所述平面图中不与所述密封构件叠置。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述显示区域具有在第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上限定的四边形形状;并且
所述捕获电极设置为与所述显示区域的四个角相邻。
6.根据权利要求5所述的显示装置,所述显示装置还包括:
栅极线,设置在所述显示区域中的所述第一基体基底上,并且在所述第一方向上延伸;
数据线,设置在所述显示区域中的所述第一基体基底上,并且在所述第二方向上延伸;以及
栅极驱动器,设置在所述非显示区域中的所述第一基体基底上,所述栅极驱动器被构造为将栅极信号提供到所述栅极线。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中:
所述栅极驱动器包括分别连接到所述栅极线的相对端的第一栅极驱动器和第二栅极驱动器中的至少一个;
所述第一栅极驱动器和所述第二栅极驱动器中的每个包括:
移位寄存器,被构造为输出所述栅极信号;以及
第一截止电压线,被构造为将第一截止电压提供到所述移位寄存器。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述捕获电极电连接到所述第一截止电压线,并且被构造为接收所述第一截止电压。
9.根据权利要求7所述的显示装置,所述显示装置还包括:
屏蔽电极,设置在所述显示区域中的所述第一基体基底上,并且沿着所述栅极线和所述数据线中的至少一者延伸,
其中,所述共电极被构造为接收共电压,
所述屏蔽电极被构造为接收具有与所述共电压的电位相等的电位的屏蔽电压。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述捕获电极中的每个包括:
第一子捕获电极,电连接到所述第一截止电压线,并且被构造为接收所述第一截止电压;以及
第二子捕获电极,电连接到所述屏蔽电极,并且被构造为接收所述屏蔽电压。
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