CN105264679B - 发光半导体组件 - Google Patents

发光半导体组件 Download PDF

Info

Publication number
CN105264679B
CN105264679B CN201480032855.0A CN201480032855A CN105264679B CN 105264679 B CN105264679 B CN 105264679B CN 201480032855 A CN201480032855 A CN 201480032855A CN 105264679 B CN105264679 B CN 105264679B
Authority
CN
China
Prior art keywords
intensive aspect
shell
carrier
compound
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480032855.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105264679A (zh
Inventor
T.格布尔
C.齐赖斯
M.齐茨尔斯珀格
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN105264679A publication Critical patent/CN105264679A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105264679B publication Critical patent/CN105264679B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种光电组件,包括:支承体(2),其具有安装表面(3);至少一个发光元件(6),其被布置在安装表面(3)上并且被以导电方式连接到支承体(2);以及至少一个加强体(12),被集成在光电组件(1)中。

Description

发光半导体组件
技术领域
本发明涉及光电组件。
本专利申请要求德国专利申请10 2013 206 186.2的优先权,其公开内容被通过引用合并到此。
背景技术
可以例如被布置在照明系统中的光电组件通常包括具有安装表面的载体,至少一个发光元件被布置在安装表面上并且借助被布置在安装表面上的接触表面而被导电地连接到载体。发光元件可以包括发光芯片(例如发光半导体芯片)。载体可以被涂敷有由聚合物材料(例如环氧化合物或硅酮化合物)组成的包封化合物。因为所发生的包封化合物的反应收缩以及在包封化合物与载体的材料之间的更进一步的不同的膨胀行为,所以可能发生载体的或者甚至整个组件的不想要的形变或弯曲。形变或弯曲可能有时导致处理可靠性问题和/或组件的质量降低。组件就其面积而言越大,它们能够被加载的就越少,这更进一步地是因为它们的小的厚度所致。
为了避免这些缺点,已知的是例如通过组件或组件的单独部分的后续热处置和/或机械处置来减少在组件中发生的弯曲或形变。机械处置特别是表示针对组件或组件的各部分的大的载荷,从而裂缝形成或剥离可能发生在组件中。更进一步已知的是通过有时以高浓度添加玻璃颗粒来使包封化合物的膨胀系数适配于载体的材料的膨胀系数。然而,添加玻璃颗粒使得实质上更加难以处理组件的相应部分。更进一步已知的是通过增加组件尺寸(例如增加组件的总体高度或增加载体的厚度)来改进组件的机械性质。
发明内容
各个实施例提供一种光电组件,其在相同的组件尺寸的情况下具有改进的几何稳定性、减少的机械载荷以及同时具有良好的组件可加工性。
在各个实施例中,光电组件可以具有:载体,其包括安装表面;至少一个发光元件,其被布置在所述安装表面上,并且被导电地连接到所述载体,以及至少一个加强体,被集成在所述光电组件中。
在从属权利要求中指明本发明的有利实施例和适宜细化。
通过将一个或多个加强体引入到光电组件中,因为光电组件的材料组分的改进的机械弯曲强度,所以可以实现特别良好的几何稳定性而不增加组件的尺寸、不增加组件上的机械载荷和/或不损伤组件的可加工性。由于可以借助于一个或多个加强体来改进光电组件的各单独部分的刚度并且因此还改进整个光电组件的刚度,因此可以避免光电组件的形变或弯曲。更进一步地,为了增加组件的稳定性,将加强体布置在组件中对于组件的各单独部分而言减少了应力,因为它们没有被暴露于附加的热和/或机械载荷。将一个或多个加强体布置在组件中导致组件的总体加强,从而可以减少光电组件的断裂的风险。加强体可以具有任何想要的形状;加强体可以例如以伸长的加强肋的形式被配置。也可以在生产所述光电组件期间将加强体在各个位置中引入到组件中。还可能的是将多个加强体布置在组件中的各个位置中,从而例如还可以实现光电组件的各单独区域的弯曲强度的受控制的增加。
可以由金属材料、半金属材料、纤维材料、陶瓷材料、聚合物材料和/或晶体材料来制成加强体。作为金属材料,可以例如使用铝(例如阳极化的铝)。作为半金属材料,可以例如使用硅。作为纤维材料,可以例如使用玻璃纤维、芳纶纤维和/或碳纤维。作为晶体材料,可以例如使用蓝宝石。还可能的是将具有分别不同的性质的多个这些材料彼此组合以便形成加强体,以便能够在组件中在使用期间使加强体的性质优化地适配于针对所述加强体的要求。
可以通过将所述加强体布置在形成于所述光电组件中的凹部中或者布置在形成于所述光电组件中的表面上来执行将加强体集成到光电组件中。可以例如在具有比加强体自身更小的厚度的光电组件的各部分的情况下执行将所述加强体布置在表面上。如果光电组件的其中布置有加强体的部分与加强体相比具有更大的厚度,则加强体可以被布置在形成于所述部分中的凹部中。
在加强体已经被布置在形成于所述组件中的凹部中或者被布置在形成于所述组件中的表面上之后,加强体可以被至少部分地涂敷有包封化合物或模制化合物,从而可以利用包封化合物或模制化合物来至少部分地包封或包住加强体。例如,硅酮化合物或环氧化合物可以被用作包封化合物。更进一步地,可以利用包封化合物或模制化合物来至少部分地包封或包住载体和发光元件。在包封或包住之前,可以例如借助于粘接接合来将加强体固定在载体上。
例如,加强体可以被布置在光电组件的载体上。如果加强体被布置在载体上,则加强体例如被放置在载体的表面上并且在那里被牢固地固定到位。载体可以例如被配置为采用薄冲压铜片材的形式的引线框。然而,载体也可以被配置为印制电路板。
光电组件可以更进一步地包括壳体,在此情况下,载体和至少一个发光元件可以被布置在壳体中。壳体可以例如包括腔体,载体和至少一个发光元件可以被布置在腔体中。如果在光电组件中提供有多个发光元件,并且如果所有发光元件被布置在壳体的腔体中,则光电组件可以被配置为所谓的LED封装。然而,还可能的是腔体被分配给壳体中的每个发光元件,从而每个发光元件被布置在壳体的分离的腔体中。
如果光电组件具有壳体,则加强体可以被布置在壳体中。例如,加强体可以被布置在形成于壳体中的凹部中,凹部例如被与壳体中的一个或多个腔体分离地布置,载体和发光元件可以被布置在腔体中。一个或多个加强体在壳体中的布置可以被提供为光电组件的仅有的加强,或者替换地,除了被布置在载体上的一个或多个加强体之外,可以还提供一个或多个加强体在壳体中的布置。
附图说明
本发明的示例性实施例被表示在各图中并且将在下面被更详细地解释。
图1示出光电组件的示意性表示;
图2示出根据第一示例性实施例的具有加强体的光电组件的以及载体板的被配置为引线框的载体的示意性表示;
图3示出沿着直线A-A的在图2中示出的表示的示意性截面表示;
图4示出具有被布置于引线框上的加强体的所述引线框的示意性表示;
图5示出根据第二实施例的载体板的示意性表示;
图6示出根据第三实施例的载体板的示意性表示;
图7示出在包封加强体之后沿着直线C-C的在图6中示出的载体板的示意性截面表示;
图8示出光电组件的示意性表示;
图9示出具有被布置于另一引线框上的加强体的所述另一引线框的示意性表示;
图10示出具有加强体的光电组件的壳体的示意性表示;
图11示出沿着直线B-B的在图4中示出的表示的示意性截面表示;
图12示出没有加强体的光电组件的壳体的另一示意性表示;
图13示出具有被放置于在图6中示出的壳体中的加强体的壳体的示意性表示;
图14示出在图7中示出的壳体的示意性表示,其中利用包封材料来至少部分地包封加强体;
图15示出具有两个发光元件和加强体的光电组件的示意性表示;以及
图16示出沿着直线D-D的在图15中示出的表示的示意性截面表示。
具体实施方式
在下面的详细描述中,将参照随附附图,附图为该描述的一部分,并且其中为了图解而示出其中可以实现本发明的特定实施例。在这点上,参照所描述的一个或多个图的定向来使用方向术语(诸如‌“上‌”、‌“下‌”、‌“向前‌”、‌“向后‌”、‌“前面‌”、‌“后面‌”等)。由于实施例的组成部分可以被定位在很多不同的定向上,因此方向术语被用于图解并且绝不是限制性的。要理解的是,可以使用其它实施例,并且可以在不脱离本发明的保护范围的情况下执行结构的或逻辑的修改。要理解的是,在此所描述的各个示例性实施例的特征可以被彼此组合,除非具体地另外指示。因此,下面的详细描述并不是在限制性的意义上被解释,并且本发明的保护范围由所附权利要求限定。
在该描述的范围中,诸如“连接”或“耦合”的术语被用于描述直接和间接连接以及直接或间接耦合这两者。在各图中,相同或相似的元件被提供有相同的标号(在这是适宜的前提下)。
图1示出光电组件1,其包括载体2,载体2具有安装表面3,第一接触表面4和第二接触表面5形成在安装表面3上。存在被布置在第一接触表面4上的发光元件6,发光元件6经由其下侧被导电地连接到第一接触表面4,并且借助于导电连接元件7(例如接合布线)而经由其上侧被导电地连接到第二接触表面5,从而发光元件6被导电地连接到载体2。载体2和发光元件6被一起布置在壳体9的腔体8中,并且被至少部分地由包封化合物10包封或包住。
图2示出在图1中示出的光电组件1的载体2,载体2被以由薄冲压铜片材形成的引线框的形式来配置。两个被伸长地配置的加强体12被布置在载体2的表面11上,加强体12具有与宽度相比实质上更长的长度。加强体12在此情况下被布置为在载体2的同一表面11上彼此相对,从而加强体12被布置为彼此平行。加强体12分别被布置为与载体2的边沿区域相邻,从而加强体12不干扰载体2。
在生产期间,加强体12首先被布置在载体2的表面11上并且被牢固地固定到位,并且载体2连同加强体12、以及被布置在载体2上的发光元件6一起随后被至少部分地由包封化合物10包住或包封。然而,作为对于在包住或包封之前引入加强体12的替选,也可以稍后将它们插入或引入到为其提供的凹部中。
更准确地,图2示出用于并行生产多个光电组件1的载体板100。在此情况下,引线框110包括被由分离的直线105界定多个载体2。以此方式,可以针对所有光电组件1并行执行用于生产光电组件1所要求的处理步骤,与各单独的光电组件1的分离的生产相比,这允许更快速且更经济的生产。
除了引线框110之外,载体板100还包括壳体板120。壳体板120至少部分地包围引线框120,并且包括壳体包封化合物20,其可以例如是灌注化合物或模制化合物。可以已经通过注入模制或注入压缩模制方法生产了壳体板120。用于制作壳体板120的合适材料是例如硅酮、环氧树脂或塑料(例如热塑料(诸如聚肽酰胺))。
壳体板120包括多个发射器腔体21。这些发射器腔体21可以例如被布置成矩形矩阵形状,并且在两个空间方向上具有均匀的间隔。在图2中,发射器腔体21中的一个被相应地形成在每个载体2上。在发射器腔体21的底部,载体2的安装表面3是可接入的,从而发光元件6可以被放置在那里并且被导电地连接到载体2。为此,通过发射器腔体21暴露第一接触表面4和第二接触表面5这两者。
可以配置引线框110和壳体板120,以便促进沿着分离直线105分离载体板100。可以例如在载体板100中生产的光电组件1的单独化的过程中执行分离。在分离直线105的区域中,引线框110可以例如仅具有连接引线框的单独载体2的薄分离网部。这简化了单独化,可以例如借助于锯切或折断来执行单独化。在单独化之前,可以对发光元件6进行配合,并且这些发光元件6可以被包封化合物包封。
引线框110可以被再划分为组件区域103和边沿区域102。组件区域103包括其中布置有载体2的第一接触表面4和第二接触表面5的区域。壳体板120的发射器腔体21也被布置在组件区域103中。边沿区域102包围组件区域103。可以例如对其进行配置,以便在生产光电组件1期间使得拾取并且传送载体板100更容易。
加强体12在图2中被布置在引线框110的边沿区域102中。以此方式,以没有光电组件1还包括加强体12或加强体12的一部分这样的方式在光电组件1的单独化期间分离加强体12。
在图2中,加强体12具有在多个载体2上延伸的纵向延伸106。它们被布置在载体2的安装表面3上,并且可以因此在处理期间加强引线框110。它们被更进一步地由壳体板120包围,并且它们可以例如被包封在壳体板120中。通过应用具有大纵向延伸106的加强体12,例如,可以减少在生产光电组件1期间引线框110或载体板100的弯曲。
图3示出沿着图2中示出的直线A-A的截面表示,其中布置在载体2的表面11上的加强体12连同载体2一起被至少部分地包住或包封。
载体2可以是引线框110的部分,并且例如,载体2的安装表面3可以被用作为表面11。壳体包封化合物20例如在加强体12的各侧表面中的五个上包围它,而第六侧表面承载在引线框110上。
图4示出根据第二示例性实施例的具有布置在引线框110上的加强体12的引线框110。引线框110包括多个载体2,多个载体2由图4中指示的分离直线105界定。在每个载体2上制备光电组件1,从而形成由多个连接的组件1构成的载体板100。以下将借助引线框110的左下角中的载体来描述并且解释载体2的各部分,所有其它载体2以相似方式具有所描述的部分。
对载体2的每个进行配置,以便接触两个发光元件6。为此,载体2包括四个单独的电极112,单独的电极112中的相应两个的安装表面3被配置为第一接触表面4,并且其它两个单独的电极112的安装表面3被配置为第二接触表面5。
载体2在其边沿处包括多个连接网部111,其建立对分别相邻地布置的载体2的连接。单独的电极112和连接网部111被以如下这样的方式构型并且彼此连接:在基于引线框110而单独化光电组件1之后,在各单独的电极112之间不再存在任何导电连接。连接网部111被沿着分离直线105布置,并且被配置以便是窄的。以此方式,可以促进在光电组件1的单独化期间分离连接网部111。
三个加强体12被布置在引线框110上。它们具有与宽度相比更大的纵向延伸106,即它们是以杆的形状被配置的。更进一步地,加强体12具有在多个载体2上延伸的纵向延伸106。加强体可以例如在整个引线框110上在一个方向上延伸。加强体12可以导致引线框110在该方向上的加强和加硬。特别是,可以防止在载体板100的处理期间引线框110的弯曲或断裂。加强体12可以例如通过粘接接合在引线框110上被牢固地定位到位。
图5示出根据第二示例性实施例的载体板100,包括具有如图4中表示的加强体12和壳体板120的引线框110。所表示的壳体板120包括用于光电组件1的彼此连接的总共二十个壳体9。壳体9分别由分离直线105界定。每个壳体9被配置以便容纳两个发光元件6并且具有一个发射器腔体21。在发射器腔体21的底部,用于接触要被布置于那里的发光元件的两个第一接触表面4和两个第二接触表面5是可接入的。
壳体板120包括壳体包封化合物20,并且可以已经通过利用壳体包封化合物20来包封、包住引线框110和加强体12或者在引线框110和加强体12周围进行模制而被制备。在所表示的示例性实施例中,壳体板120完全包围加强体12。在光电组件1的单独化之后,加强体12的各部分余留在已完成的光电组件1中。加强体12的其余部分可以于是附加地加强并且加硬光电组件1,特别是在横穿各单独的电极112之间的分离结合处的方向上。
图6示出具有加强体12、壳体板120和引线框110的载体板100的第三示例性实施例。载体板100包括六个单独的壳体9,其再次被分离直线105界定。在该示例性实施例中,配置每个壳体9,以便分别容纳一个发光元件6。壳体板120的发射器腔体20因此允许分别对每壳体9的第一接触表面4和第二接触表面5的接入。
图6中示出的实施例中的加强体12被布置在壳体板120的开孔124中。开孔124在此情况下暴露壳体9的载体2的安装表面3,从而加强体12可以被布置在安装表面3上。加强体12在该示例性实施例以及所有其它示例性实施例中可以被放置在安装表面3上,或例如通过粘接接合而在其上牢固地固定到位。
在图6中,加强体12具有在多个载体2上延伸的纵向延伸106。以此方式,加强体12可以导致载体板100在纵向延伸106的方向上的加硬。加强体12沿着分离直线105在壳体9的单独化之后余留在光电组件1中,加强体12的其余部分也可以导致已完成的组件1的加强。
可以通过利用壳体包封化合物20来包封、包住引线框110或者在引线框110周围进行模制来制备在图6中表示的载体板100。同时,除了发射器腔体21之外,还形成开孔124。随后,加强体12被布置在开孔124中。加强体12可以于是被加强体包封化合物26包封。图7示出在利用加强体包封化合物26来包封加强体12之后沿着直线C-C的示意性截面表示。
通过沿着分离直线105的单独化,可以从图5和图6中表示的示例性实施例的载体板100制备单独的光电组件1。图8示出这样的光电组件1的示意性表示,其中除了其它方面以外未表示发光元件6以及包围发光元件6的包封化合物10。加强体12类似地在单独化期间被分离,并且因此余留在单独的光电组件1中的各部分中。加强体12的各部分于是在一个方向上具有与光电组件1在该方向上的延伸对应的纵向延伸106。加强体12的各部分的各端部在此情况下延伸通过光电组件1的第一侧表面15以及相对侧表面24。
图9示出根据第四示例性实施例的由用于制备载体板100的引线框110和多个加强体12构成的布置。引线框110包括六个单独的载体2,其分别被配置用于接触两个发光元件6并且分别包括两个第一接触表面4和两个第二接触表面5。在该实施例中,每一载体2两个加强体12被布置在引线框110上。加强体12在此情况下具有比载体2在该方向上的延伸更短的纵向延伸106。
可以利用壳体包封化合物20来包封引线框110以及布置在其上的加强体12,以用于通过注入模制方法来生产载体板100。在从载体板100制备的光电组件1的单独化之后,通过沿着分离直线105分离载体板100,加强体12余留并且因为它们的更短的纵向延伸而被壳体包封化合物20包围。
图10示出光电组件1的配置,其中两个加强体12被布置在光电组件1的壳体9中。针对每个加强体12,在壳体9中提供其中被放置或插入有加强体12的凹部13。凹部13被布置得与壳体9的腔体8分离,凹部13在壳体9中被形成于在此示出的配置中的腔体8的两个相互相对的侧上。图11示出沿着图10中示出的配置的直线B-B的截面表示。
可以通过利用壳体包封化合物20在图9中所表示的引线框110以及加强体12周围进行模制并且随后沿着分离直线105进行单独化来生产如图10中示意性示出的光电组件1的配置,其中除了其它方面以外未表示发光元件6和连接元件7。
通过利用壳体包封化合物20在加强体12周围进行模制来形成其中布置有加强体12的凹部13。由于加强体12的纵向延伸106小于载体2和壳体9在对应方向上的延伸,因此加强体12完全被壳体9包围,并且这样既不触碰第一侧表面15也不触碰与第一侧表面15相对的侧表面16。这导致具有均匀外观的侧表面。这更进一步地避免连续的平坦界定表面被形成在光电组件1中,这将妨碍壳体包封化合物20在载体和布置于其上的加强元件12上的粘接。由于不需要在光电组件1的单独化期间分离加强体12,因此利用更短的纵向延伸106来配置加强体可以促进单独化。
如在沿着直线B-B的图11中所表示的截面图中示出那样,加强体13在第一接触表面4和第二接触表面5的区域中承载在载体2的安装表面3上。凭借载体2的各单独表面的稳固连接,这些表面被稳定化并且被加硬。以此方式,在具有光电组件1的相等的刚度的同时,可以使载体2更薄。
图12-图14示出在光电组件1的壳体9中布置加强体12的过程的实施例。
图12示出具有腔体9和凹部13的壳体1,进一步的组件尚未被布置在腔体9中,并且组件尚未被布置在凹部13中。
在图13中,被配置为加强肋的加强体12被放置在壳体2的凹部13中。
在放置之后,利用包封化合物10至少部分地包封或包住凹部13中所布置的加强体12,从而利用包封化合物10填充凹部13,如图14中示出那样。
由包封化合物10形成的加强体包封化合物26在此情况下可以包括特别适配于光电组件1的加强和加硬的材料,或者其可以包括与用于包封发光元件6的透明包封化合物相同的材料。
除了形成用于发光元件6的腔体8的发射器腔体21之外,图12-图14的示例性实施例的壳体9还包括加强体腔体22,其形成用于布置加强体12的凹部13。如在图9-图11的示例性实施例中那样,加强体12加硬并且加强单独化的光电组件1,其中其在单独的电极112中的两个之间建立稳固的连接。
图15示出光电组件1的示意性表示,其中,加强体12被布置在为了在壳体9中容纳发光元件6而配置的发射器腔体21内部。光电组件1的载体2包括第一串联连接接触表面17、第二串联连接接触表面18和第三串联连接接触表面19。发光元件6分别被布置在第一串联连接接触表面18和第二串联连接接触表面19上。串联连接接触表面17、18、19和发光元件6借助于连接元件7以发光元件6被串联连接这样的方式而被彼此连接。
加强体12被以如下这样的方式布置在第一腔体21中:加强体12减少第一串联连接接触表面17相对于第二串联连接接触表面18的移动,并且因此导致光电组件1的加硬。
图16示出根据图15的示例性实施例的沿着通过光电组件1的直线D-D的截面表示。利用可以由透射包封化合物25形成的包封化合物10来包封发光元件6。也可以在所表示的光电组件1的所有其它实施例中执行利用透射包封化合物25的发光元件6的这样的包封。在图15-图16中所表示的实施例中,利用透射包封化合物25来包封发光元件6和加强体12这两者。
加强体12可以以其在空间方向30上掩蔽发光元件6这样的方式被布置在发光元件6的附近。为此,加强体12的面朝发光元件6的侧表面107可以被配置为吸收光。为了实现在空间方向30上的优化掩蔽,加强体12可以具有与发光元件6相同的高度或比其更大的高度。
然而,布置在发射器腔体21中的加强体12可以还包括被配置为反射的面朝发光元件6的侧表面107。以此方式,除了加强光电组件1之外,加强体12还可以导致所发射的光的准直。
一种用于生产光电组件1的方法,作为一个步骤包括:提供由每个均具有安装表面3的彼此连接的多个载体2构成的引线框110。作为进一步的步骤,所述方法包括:在引线框110上布置一个或多个加强体12。在所述方法的进一步的步骤中,通过利用壳体包封化合物20来包封、包住引线框110或在引线框110周围进行模制来制备壳体板120。这生产出包括引线框110和壳体板120的载体板100。
壳体板120在此情况下包括发射器腔体21,在进一步的步骤中,在发射器腔体21中布置发光元件6。随后,利用透射包封化合物25来包封发光元件6。最后,所述方法包括:单独化载体板100,以便生产单独的光电组件1。
在所述方法的一个实施例中,在生产壳体板120之前,加强体12被布置在引线框110上。加强体12在此情况下可以被布置在载体的安装表面3上并且被放置在引线框110的边沿区域100或组件103中。可以例如附加地通过例如粘接接合在引线框上将它们牢固地固定到位。随后,加强体12连同引线框110一起被壳体包封化合物20包封、包住或者被由壳体包封化合物20在其周围进行模制。为此,例如,可以使用传递模制方法。
在该实施例中,其中布置有加强体12的凹部13其自身在包封加强体12的壳体包封化合物20期间被形成,并且加强体12与壳体包封材料20为材料接触。如果加强体12被布置在引线框110的组件区域103中,则它们至少有些部分被余留在单独化的光电组件1中,并且可以导致单独化的光电组件1的加强或加硬。
如果加强体12被布置在引线框110的组件区域103中,则它们可以具有在引线框的多个载体2上延伸的纵向延伸106,或者它们具有分别仅覆盖载体2中的一个的纵向延伸106。
如果加强体12在多个载体2上延伸,则需要更少的加强体12以便覆盖引线框110,这使得更容易利用加强体12来装配引线框110。更进一步地,在引线框110的大部分上延伸的加强体12可以特别有效地减少其在处理期间的弯曲。
如果加强体12分别仅覆盖一个载体2,则那么壳体包封化合物20在单独化之后仍如在单独化之前那样包住加强体12,如在图10中表示的那样。以此方式,边沿表面15、16归因于加强体12而不包括中断,这沿着加强体12抵消壳体包封化合物20的剥离或断裂。更进一步地,由于在单独化期间不必须分离(例如锯穿)加强体12,因此与长的加强体12相比,光电组件1的单独化被简化。
在所述方法的另一实施例中,在生产壳体板120之后,加强体12被布置在引线框110上,这可以例如借助于传递模制方法而被执行。为此,可能的是在壳体板120中形成加强体腔体22或凹部124,其然后分别形成用于容纳加强体12的凹部13。然而,加强体12也可以被布置在发光元件6的第一腔体21的内部。同样在该实施例中,加强体12的纵向延伸106可以在多个载体2上延伸,或者仅分别覆盖单个载体2。
如果在生产壳体板120之后加强体12被布置在引线框110上,则那么可以利用包封化合物将它们包封在凹部13中。可以通过加强体包封化合物26来形成该包封化合物,其性质可以被特别地适配于加强或加硬引线框110以及例如在加强体包封化合物26、加强体12与壳体包封化合物20之间的良好粘接。
首要的是,如果加强体12被布置在发射器腔体21中,则也可以利用还包住发光元件6的透射包封化合物25来包封它们。这使得可能在一个工作步骤中利用透射包封化合物20来包封加强体12和发光元件6。
加强体包封化合物26和透射包封化合物25可以例如包括环氧树脂或硅酮。此外,透射包封化合物25可以包含散射颗粒或转换器颗粒。
在相对于组件厚度具有大的长度和/或宽度的大面积光电组件1的情况下,对所完成的光电组件1的加强是特别有利的。例如,光电组件1可以具有从1mm到10mm的长度和宽度以及从0.2mm到0.8mm的厚度。由于在包括多于一个发光元件6的光电组件1的情况下载体2具有特别大数量的中断,因此在这样的光电组件1的情况下,加强是特别有利的。光电组件1可以例如被配置为所谓的“方形扁平无引线”组件(QFN组件),其中用于外部接触的接触表面被平直地引入到光电组件1的侧表面。
引线框110并且因此载体2可以例如具有0.1mm至0.4mm的厚度。这可以促进生产具有特别小的总体高度的光电组件1。
加强体12可以由非导电材料制成,并且例如包括塑料、蓝宝石、陶瓷材料、玻璃纤维材料或芳纶材料。它们可以还包括导电材料(诸如金属或半导体材料)。如果光电组件1中余留的加强体12的各部分使载体2的要被彼此电绝缘的多个部分成扇形散开,则那么至少加强体12的表面要被配置为例如通过合适的涂敷而成为绝缘的。
加强体12不需要为了导致引线框110和/或光电组件1的加硬和加强而被配置成杆的形状。它们也可以是成角度的(例如成直角),或者被配置为矩形框。如果它们被配置为框,则发光元件6可以例如被布置在框内部。
加强体12可以被布置在载体2的与其上布置有用于布置发光元件6的安装表面3的一侧相同的一侧上。在此情况下,光电组件1在相对侧上具有平坦的接触表面,从而可以例如借助于焊接而将光电组件1直接地固定在印制电路板上。平坦的接触表面还允许作为QFN组件来配置光电组件1。
除了其它方面以外在汽车技术的领域中发现大面积光电组件1的应用领域,其中它们可以被用在头灯或尾灯中。特别是在头灯的情况下,有利的是例如在用于车辆的近光灯的照明中掩蔽发光元件6。
标号列表
1 光电组件
2 载体
3 安装表面
4 第一接触表面
5 第二接触表面
6 发光元件
7 连接元件
8 腔体
9 壳体
10 包封化合物
11 表面
12 加强体
13 凹部
15 第一侧表面
16 第二侧表面
17 第一串联连接接触表面
18 第二串联连接接触表面
19 第三串联连接接触表面
20 壳体包封化合物
21 发射器腔体
22 加强体腔体
23 第一侧表面
24 相对侧表面
25 透射包封化合物
26 加强体包封化合物
30 空间方向
100 载体板
102 边沿区域
103 组件区域
105 分离直线
106 纵向延伸
107 侧表面
110 引线框
111 连接网部
112 单独电极
120 壳体板
124 壳体板的开孔。

Claims (15)

1.一种光电组件(1),具有:
载体(2),其包括安装表面(3),
至少一个发光元件(6),其被布置在所述安装表面(3)上,并且被导电地连接到所述载体(2),
至少一个加强体(12),被集成在所述光电组件(1)中,
壳体(9),由壳体包封化合物(20)或壳体模制化合物构成,其中发光元件(6)被布置在所述壳体(9)的发射器腔体(21)中,并且其中所述壳体(9)至少部分地包围所述载体(2),
透射包封化合物(25),其填充所述发射器腔体(21)并且包封所述发光元件(6),以及
加强体腔体,其中所述加强体(12)被布置为被利用加强体包封化合物(26)完全地或部分地包封或包住。
2.如权利要求1所述的光电组件(1),
其中,所述加强体(12)被布置在所述载体(2)上并且被配置为伸长的杆。
3.如权利要求1至2之一所述的光电组件(1),
其中,所述加强体被配置为非导电的,并且包括纤维材料、陶瓷材料、晶体材料和/或塑料材料,特别是聚合物材料。
4.如权利要求1至2之一所述的光电组件(1),
其中,所述加强体(12)具有从所述光电组件(1)的第一侧表面(15)延伸到所述光电组件(1)的相对侧表面(16)的纵向延伸(106)。
5.一种用于生产光电组件(1)的载体板(100),具有引线框(110)和壳体板(120),其中
—所述引线框(110)具有彼此连接的多个载体(2),并且其中,所述载体(2)具有安装表面(3),
—所述壳体板(120)包括壳体包封化合物(20)或壳体模制化合物,壳体包封化合物(20)或壳体模制化合物部分地或完全地包围所述引线框(110),并且所述壳体板(120)包括发射器腔体(21),所述发射器腔体(21)被配置用于将发光元件(6)布置在所述安装表面(3)上并且使所述发光元件(6)与所述载体(2)电接触,
—所述载体板(100)包括被所述壳体板(120)完全地或部分地包围的至少一个加强体(12),以及
—所述加强体(12)被布置在所述壳体板(10)的加强体腔体(22)中。
6.如权利要求5所述的载体板(100),
其中,所述加强体(12)被配置为是非导电的,并且/或者包括纤维材料、陶瓷材料、晶体材料和/或塑料材料,特别是聚合物材料。
7.如权利要求5至6之一所述的载体板(100),
其中,所述加强体(12)被布置在所述安装表面(3)上并且被配置为伸长的杆。
8.如权利要求5至6之一所述的载体板(100),
其中,所述加强体(12)被布置在所述引线框(110)的边沿区域(102)中。
9.如权利要求5至6之一所述的载体板(100),
其中,所述加强体(12)被布置在所述引线框(110)的组件区域(103)中。
10.如权利要求5至6之一所述的载体板(100),
其中,所述加强体(12)具有在多个载体(2)上延伸的纵向延伸(106)。
11.如权利要求5至6之一所述的载体板(100),
其中,所述载体板(100)包括多个加强体(12),以及
其中,至少一个加强体(12)分别被布置在每个载体(2)上。
12.一种用于生产如权利要求1至4之一所述的光电组件(1)的方法,包括以下步骤:
提供包括彼此连接的多个载体(2)的引线框(110),所述多个载体(2)分别包括安装表面(3),
将一个或多个加强体(12)布置在所述引线框(110)的表面(11)上,
通过利用壳体包封化合物(20)或壳体模制化合物包封、包住所述引线框(110)或者利用壳体包封化合物(20)或壳体模制化合物在所述引线框(110)周围进行模制来生产壳体板(120),所述壳体板(120)包括发射器腔体(21),所述发射器腔体(21)被配置用于将发光元件(6)布置在所述安装表面(3)上并且使所述发光元件(6)与所述载体(2)电接触,
将发光元件(6)布置在所述发射器腔体(21)中并且在已经生产所述壳体板之后利用透射包封化合物(25)来包封所述发光元件(6),以及
分离所述引线框(110)的所述载体(2),
所述加强体(12)被完全地或部分地由所述壳体板(120)包围。
13.如权利要求12所述的方法,
其中,所述加强体(12)被布置在所述安装表面(3)上并且被配置为伸长的杆。
14.如权利要求12和13之一所述的方法,
其中,在生产所述壳体板(120)之前,将所述加强体(12)布置在所述引线框(110)上,并且
在生产所述壳体板(120)期间,所述加强体(12)被利用所述壳体包封化合物(20)或壳体模制化合物部分地或完全地包封、被利用所述壳体包封化合物(20)或壳体模制化合物部分地或完全地在其周围进行模制、或者被利用所述壳体包封化合物(20)或壳体模制化合物部分地或完全地包住。
15.如权利要求12至13之一所述的方法,
其中,在生产所述壳体板(120)之后,所述加强体(12)被布置在所述壳体板(120)的所述发射器腔体(21)中,并且
所述加强体(12)被利用所述透射包封化合物(25)包封。
CN201480032855.0A 2013-04-09 2014-04-09 发光半导体组件 Active CN105264679B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013206186.2 2013-04-09
DE102013206186.2A DE102013206186A1 (de) 2013-04-09 2013-04-09 Optoelektronisches Bauelement
PCT/EP2014/057196 WO2014167021A1 (de) 2013-04-09 2014-04-09 Lichtemittierendes halbleiterbauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105264679A CN105264679A (zh) 2016-01-20
CN105264679B true CN105264679B (zh) 2018-09-18

Family

ID=50479169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480032855.0A Active CN105264679B (zh) 2013-04-09 2014-04-09 发光半导体组件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9614134B2 (zh)
JP (1) JP6223544B2 (zh)
KR (1) KR20150140369A (zh)
CN (1) CN105264679B (zh)
DE (2) DE102013206186A1 (zh)
WO (1) WO2014167021A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015107660A1 (de) * 2015-05-15 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
DE102015112757A1 (de) * 2015-08-04 2017-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102016114571A1 (de) * 2016-08-05 2018-02-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Filament mit einem träger
KR102335216B1 (ko) * 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
JP7089167B2 (ja) * 2018-04-23 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005193638A (ja) * 2003-12-08 2005-07-21 Suzuka Fuji Xerox Co Ltd Ledプリントヘッド及びledプリントヘッドの製造方法
CN1917244A (zh) * 2000-04-26 2007-02-21 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 带有荧光变换元件的辐射半导体组件
CN102203940A (zh) * 2008-10-28 2011-09-28 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于半导体元件的支撑体、半导体元件和用于制造支撑体的方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2697743B2 (ja) * 1989-05-29 1998-01-14 富士通株式会社 樹脂封止型半導体装置
JPH0498858A (ja) * 1990-08-16 1992-03-31 Nec Kyushu Ltd 半導体装置用リードフレーム
JP2761193B2 (ja) * 1994-03-10 1998-06-04 日本モトローラ株式会社 外部リードを固定したリードフレーム及びこれを利用した半導体装置並びにその製造方法
DE10214121C1 (de) * 2002-03-28 2003-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit mehreren Halbleiterchips
JP2004193294A (ja) 2002-12-11 2004-07-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体用中空樹脂パッケージ
JP2006237289A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Toppan Printing Co Ltd リードフレーム構造体及びその製造方法
DE202007018552U1 (de) * 2007-08-15 2008-10-23 Zender, Arnold Verformbares Beleuchtungsmodul
DE102009031008A1 (de) 2009-06-29 2010-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
KR101114197B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JPWO2012049854A1 (ja) * 2010-10-14 2014-02-24 パナソニック株式会社 発光装置及びこれを用いた面光源装置
US8933548B2 (en) 2010-11-02 2015-01-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements
DE102011056810B4 (de) * 2011-12-21 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1917244A (zh) * 2000-04-26 2007-02-21 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 带有荧光变换元件的辐射半导体组件
JP2005193638A (ja) * 2003-12-08 2005-07-21 Suzuka Fuji Xerox Co Ltd Ledプリントヘッド及びledプリントヘッドの製造方法
CN102203940A (zh) * 2008-10-28 2011-09-28 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于半导体元件的支撑体、半导体元件和用于制造支撑体的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016516309A (ja) 2016-06-02
JP6223544B2 (ja) 2017-11-01
CN105264679A (zh) 2016-01-20
US9614134B2 (en) 2017-04-04
DE102013206186A1 (de) 2014-10-09
KR20150140369A (ko) 2015-12-15
DE112014001884A5 (de) 2015-12-24
WO2014167021A1 (de) 2014-10-16
DE112014001884B4 (de) 2024-05-02
US20160043291A1 (en) 2016-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105264679B (zh) 发光半导体组件
JP5365751B2 (ja) Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム
KR101843402B1 (ko) 표면 장착 가능한 광전자 소자 그리고 표면 장착 가능한 광전자 소자를 제조하기 위한 방법
CN1550044A (zh) 表面可装配的光耦合器预装件
JP5971552B2 (ja) Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム
JP2020502779A (ja) Qfn表面実装型rgb−ledパッケージモジュール及びその製造方法
US20130119411A1 (en) Light emitting diode package structure
US20120248482A1 (en) Led package and method for manufacturing the same
TWI549250B (zh) 用於光半導體裝置之引線框架及使用其之光半導體裝置
JP7425350B2 (ja) 樹脂付リードフレームおよびその製造方法
JP5904001B2 (ja) Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム
KR20090121956A (ko) Led 패키지
CN104022215A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
CN106876543A (zh) 一种qfn表面贴装rgb‑led封装体及其制造方法
US9041022B2 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same
CN206340568U (zh) 一种qfn表面贴装rgb‑led封装体
KR101202169B1 (ko) 다중 몰딩부재를 갖는 발광 다이오드 패키지 제조방법
JP2013235872A (ja) 樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、樹脂付リードフレームの製造方法およびledパッケージの製造方法
JP6071034B2 (ja) Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム
CN104103748A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
KR100926931B1 (ko) 패키지 베이스용 리드프레임, 이를 이용한 전기전자소자패키지 및 그 제조방법
JP5884789B2 (ja) リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
CN201853435U (zh) 超薄led点阵屏封装结构
CN104022214A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
KR20110126096A (ko) 다중 몰딩부재를 갖는 발광 다이오드 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant