CN105261631A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示装置及其制造方法，显示装置具有：第一基板；在第一基板的上方与像素对应地配置的像素电极；覆盖像素电极的端部的第一分隔壁；覆盖像素电极的端部的、比第一分隔壁低的第二分隔壁；配置在第一分隔壁和第二分隔壁的上方的固体的填充材；和第二基板，其与第一基板相对的第二基板，该第二基板利用第一分隔壁、第二分隔壁和填充材保持与第一基板的间隔。
Description
相关申请的交叉参考
本申请请求基于2014年7月10日在日本提出申请的日本专利申请2014-142371号的优先权，在本申请中引用其所有内容。
技术领域
本发明涉及表示装置和表示装置的制造方法，公开的一个实施方式涉及被贴合的基板间的结构。
背景技术
近年来，在用于便携式(可移动)设备的发光表示装置中，对高精细化和低消耗电力化的要求变强。作为可移动用途的表示装置，采用使用液晶表示装置(LCD：LiquidCrystalDisplayDevice)或有机EL表示装置等的自发光元件(OLED：OrganicLight-EmittingDiode、有机发光二极管)的表示装置、电子纸等。
其中，有机EL表示装置或电子纸不需要在液晶表示装置中必须的背光源和偏光板。进一步，由于发光元件的驱动电圧低，所以作为低消耗电力且薄型的发光表示装置倍受瞩目。特别是通过作为发光元件使用白色的发光元件和彩色滤光片实现全彩色的、上面出射型(也称为顶部发光型)的有机EL表示装置的开发获得进步。上述顶部发光型的有机EL表示装置由于能够同时实显像素的开口率的提高和高精细化，所以倍受瞩目。
已知在高精细的顶部发光型有机EL表示装置的情况下，如果在多个像素中发光层与相对基板的距离不同，则会产生起因于光路长度的差异的显示不均。因此，为了抑制上述显示不均，在配置有发光层和晶体管层的阵列基板与相对基板之间配置间隔部件的技术在进步(例如，日本特开2006-252988号公报)。此处，在间隔部件的高度和填充于阵列基板与相对基板之间的填充材的厚度相同或比该填充材的厚度高的情况下，能够按间隔部件的高度控制阵列基板与相对基板的间隔。
另一方面，在高精细的表示装置的情况下，如果配置在阵列基板与相对基板之间的填充材厚，则从发光层发出的光通过相邻的像素而向外部放出的现象(相邻的像素间的漏光)成为问题。特别是在相对基板侧配置有彩色滤光片的结构的情况下，会发生相邻的像素间的漏光引起的混色。为了抑制混色，需要缩短发光层与彩色滤光片的距离。例如，开发有代替现有技术中使用的间隔部件、将划定像素的分隔壁和填充材作为间隔部件使用的结构。在该结构中，对阵列基板与相对基板的间隔而言，需要在基板面内均匀地控制间隔部件的高度和间隔部件上的填充材的厚度。
发明内容
本发明的一个实施方式的表示装置包括：第一基板；在第一基板的上方与像素对应地配置的像素电极；覆盖像素电极的端部的第一分隔壁；覆盖像素电极的端部的、比第一分隔壁低的第二分隔壁；配置在第一分隔壁和第二分隔壁的上方的固体的填充材；和与第一基板相对的第二基板，该第二基板利用第一分隔壁、第二分隔壁和填充材保持与第一基板的间隔。
此外，在另一方式中，第二分隔壁上的填充材比第一分隔壁上的填充材厚。
此外，在另一方式中，第一分隔壁配置在由第二分隔壁包围的区域的内侧和外侧的区域。
此外，在另一方式中，第二分隔壁配置成环状。
此外，在另一方式中，也可以还包括配置在填充材的周围的密封材。
此外，在另一方式中，第二分隔壁沿密封材配置。
此外，在另一方式中，也可以还包括在填充材与第二基板之间与像素对应地配置的、透过特定波长的光的彩色滤光片，相邻的彩色滤光片透过的光的波长不同。
此外，在另一方式中，也可以在相邻的像素间配置有遮光层。
此外，在另一方式中，发光层也可以发出白色光。
本发明的一个实施方式的表示装置的制造方法为，在第一基板的上方形成与像素对应地配置的像素电极，形成覆盖像素电极的端部的第一分隔壁，形成覆盖像素电极的端部的比第一分隔壁低的第二分隔壁，在第二基板的上方形成填充材，以利用第一分隔壁、第二分隔壁和填充材保持与第一基板的间隔的方式将第一基板与第二基板贴合。
此外，在另一方式中，第一分隔壁和第二分隔壁也可以在同一工序中形成。
此外，在另一方式中，第一分隔壁和第二分隔壁也可以使用多灰度(灰度等级)掩模形成。
此外，在另一方式中，也可以在将第一基板与第二基板贴合了的状态下，调整形成填充材的位置，以使得配置有第二分隔壁的位置的填充材比配置有第一分隔壁的位置的填充材厚。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的表示装置的平面图的图。
图2是表示本发明的实施方式1的表示装置的A-B截面图的图。
图3是表示本发明的实施方式1的表示装置的制造方法的流程图的图。
图4是表示在本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，在阵列基板上形成晶体管层和像素电极的工序的图。
图5是表示本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，使用多灰度掩模对树脂层进行曝光的工序的图。
图6是表示本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，形成分隔壁的工序的图。
图7是表示本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，形成发光层和共通电极的工序的图。
图8是表示本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，形成保护层的工序的图。
图9是表示本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，在相对基板侧形成填充材的工序的图。
图10是表示本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，贴合阵列基板和相对基板的工序的图。
图11是表示本发明的实施方式1的表示装置的阵列基板和相对基板的贴合工序中，在相对基板上涂敷密封材的工序的图。
图12是表示本发明的实施方式1的表示装置的阵列基板和相对基板的贴合工序中，在相对基板上涂敷填充材的工序的图。
图13是表示本发明的实施方式1的表示装置的阵列基板和相对基板的贴合工序中，在真空中对阵列基板和相对基板进行贴合的工序的图。
图14是表示本发明的实施方式1的表示装置的阵列基板和相对基板的贴合工序中，将阵列基板按压于相对基板而使填充材延伸的工序的图。
图15是表示本发明的实施方式1的表示装置的阵列基板和相对基板的贴合工序中，利用大气压对阵列基板和相对基板进行按压的工序的图。
图16是表示比较例的表示装置的平面图的图。
图17是表示比较例的表示装置的C-D截面图的图。
发明内容
以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。另外，公开内容只不过是一个例子而已，本行业的从业者关于确保发明的主旨的基础上的适当变更能够容易地想到的内容当然包含在本发明的范围内。此外，附图用于更明确地进行说明，所以与实际的方式相比存在对各部的宽度、厚度、形状等进行示意性地表示的情况，也只不过是一个例子而已，并不限制本发明的解释。此外，在本说明书和各图中，对与关于所附的图已述的内容相同的要素，标注相同的附图标记，适当地省略详细的说明。
(实施方式1)
[实施方式1的显示装置10的结构]
使用图1和2对本发明的实施方式1的显示装置10的结构进行说明。实施方式1的显示装置10对于在顶部发光型的有机EL表示装置中、使用分隔壁和填充材保持阵列基板与相对基板的间隔的结构进行说明。
图1是表示本发明的实施方式1的表示装置的平面图的图。如图1所示，显示装置10在贴合阵列基板和相对基板而得到的贴合基板900的周边部配置有密封材(密封材料)110，在密封材110的内侧配置有填充材(填充材料)120。换言之，显示装置10具有配置在填充材120的周围的密封材110。此处，填充材120从贴合基板900的内侧分为第一区域121、第二区域122、第三区域123。在图1中，第一区域121至第三区域123由边界线(虚线)分开，这些区域间的边界未必一定明确。关于上述第一区域121至第三区域123的结构上的不同点，使用图2进行详细说明。
此处，如在实施方式1中说明的那样，将密封材110和填充材120形成于阵列基板100或相对基板200，因此在利用将阵列基板100和相对基板200贴合的制造方法制作显示装置10的情况下，存在第二区域122的填充材120与第一区域121和第三区域123的填充材120相比形成得厚的问题。
图2是表示本发明的实施方式1的表示装置的A-B截面图的图。根据图2，显示装置10包括：阵列基板100；在阵列基板100的上方，与多个像素分别对应地配置的晶体管层130和像素电极140；划定各像素，覆盖像素电极140的图案端部的分隔壁150；配置在像素电极140和分隔壁150的上方，发出光的发光层160；对发光层160供给电力的共通电极340；配置在发光层160和共通电极340的上方的透湿性低的保护层170；配置在保护层170上(即分隔壁150的上方)的固体的填充材180；和相对基板200，其与阵列基板100相对，通过分隔壁150和填充材180保持与阵列基板100的间隔。在图2中，相对基板200包括：配置在相邻的像素间的遮光层210；与各像素对应地配置，使特定波长的光透过的彩色滤光片(滤色片)230；以及覆盖遮光层210和彩色滤光片230的覆盖层250。
覆盖层250形成在相对基板200上(在图2中在相对基板200的纸面下方)，缓和由于遮光层210和彩色滤光片220、230、240形成的凹凸。即，覆盖层250将贴合前的相对基板200侧的上表面平坦化。
此处，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的晶体管层130分别称为晶体管层131、132、133。此外，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的像素电极140分别称为像素电极141、142、143。此外，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的分隔壁150分别称为分隔壁151、152、153。此外，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的发光层160分别称为发光层161、162、163。此外，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的共通电极340分别称为共通电极341、342、343。此外，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的保护层170分别称为保护层171、172、173。此外，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的填充材180分别称为填充材181、182、183。此处，将分隔壁151的上方的填充材181的厚度称为填充材厚度184，将分隔壁152的上方的填充材182的厚度称为填充材厚度185，将分隔壁153的上方的填充材183的厚度称为填充材厚度186。
此外，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的遮光层210分别称为遮光层211、212、213。此外，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的彩色滤光片(B)220分别称为彩色滤光片(B)221、222、223。此外，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的彩色滤光片(G)230分别称为彩色滤光片(G)231、232、233。此外，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的彩色滤光片(R)240分别称为彩色滤光片(R)241、242、243。此外，将第一区域121、第二区域122、第三区域123的覆盖层250分别称为覆盖层251、252、253。
此处，分隔壁152比分隔壁151和分隔壁153低。此外，填充材厚度185比填充材厚度184和填充材厚度186厚。如上所述，第一至第三区域的分隔壁的高度和填充材的厚度不同，由此，填充材181、182和183的上表面(与覆盖层250相接触的面)成为大致一定的高度。
因为分隔壁151和分隔壁153为截面形状、平面形状都几乎相同，所以也可以不区别两者。即，能够将分隔壁151和分隔壁153一并称为第一分隔壁。另一方面，能够将比分隔壁151和分隔壁153低的分隔壁152称为第二分隔壁。此外，因为填充材181和填充材183以大致相同的厚度形成，所以也可以不区别两者。即，能够将填充材181和填充材183一并称为第一填充材。另一方面，能够将比填充材181和填充材183厚的填充材182称为第二填充材。
此处，在阵列基板100与晶体管层130之间，也可以配置抑制来自阵列基板100的杂质扩散至晶体管层130的阻挡层。作为阻挡层，能够使用氮化硅膜(SiNx膜)、氧化硅膜(SiOx膜)、氮氧化硅膜(SiNxOy膜)、氧氮化硅膜(SiOxNy膜)、氮化铝膜(AlNx膜)、氧化铝膜(AlOx膜)、氮氧化铝膜(AlOxNy膜)、氧氮化铝膜(AlOxNy膜)等(x、y为任意的数)。此外，也可以使用将这些膜层叠而得到的结构。
此外，作为在晶体管层130使用的晶体管，能够使用一般结构的晶体管。例如，能够使用在晶体管的沟道层使用非晶硅、多晶硅、单晶硅、氧化物半导体、有机半导体等的、底栅型晶体管或顶栅型晶体管。
此外，作为在像素电极140使用的导电性材料，能够使用一般的导电性材料。因为实施方式1所示的表示装置是顶部发光型的有机EL表示装置，所以作为像素电极140能够选择反射率高的材料。例如能够使用铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)、银(Ag)或他们的合金。此外，也可以为将使用上述材料的膜层叠而得到的结构。
此外，在实施方式1中，为了便于说明而以使得晶体管层130和像素电极140具有相同的平面形状的方式进行描绘，但是晶体管层130和像素电极140并不限定为相同的平面形状。即，晶体管层130和像素电极140也可以具有不同的平面形状，例如也可以在不存在晶体管层130的区域中形成像素电极140。
此外，发光层160使用发出白色光的材料，从发光层160发出的白色光通过彩色滤光片(B)220、彩色滤光片(G)230、彩色滤光片(R)240，分别作为蓝色光、绿色光、红色光被使用者视认。如上所述，在显示装置10，相邻的像素的彩色滤光片的透过的光的波长不同。
此外，发出白色光的发光层160既可以由单层的有机EL层构成，也可以由多个有机EL层层叠构成。作为层叠有多个有机EL层的结构，例如能够使用发出蓝色光的有机EL层和发出黄色光的有机EL层层叠的结构、使发出蓝色光的有机EL层和发出绿色光的有机EL层以及发出红色光的有机EL层层叠的结构。此外，并不限定于上述的结构，还能够以多个发光色的层叠结构构成发出白色光的发光层。此处，白色光为至少具有蓝色光、绿色光、红色光的各自的波长的光即可，并不限定为严格意义上的白色。
实施方式1所示那样的、顶部发光型的有机EL表示装置的共通电极340能够使用透光性高的导电性材料。作为透光性高的导电性材料，例如能够使用ITO(氧化铟锡)、ZnO(氧化锌)、IZO(氧化铟锡与氧化锌的复合材料)等。
此外，保护层170以至少覆盖发光层160的方式配置，能够使用对于水分和杂质的阻隔能力高的材料。例如，能够与配置在阵列基板100与晶体管层130之间的阻挡层同样地使用SiNx膜、SiOx膜、SiNxOy膜、SiOxNy膜、AlNx膜、AlOx膜、AlOxNy膜、AlOxNy膜等(x、y为任意的数)。此外，也可以使用将这些膜层叠的结构。
此外，作为遮光层210，既可以使用Cr等金属材料，也可以使用被着色为黑色的树脂材料。遮光层210配置在配置有像素的显示区域和配置有驱动回路的周边区域。遮光层210在显示区域的划定各像素的区域中配置在与配线和晶体管等重叠的位置。此外，遮光层210在周边区域中配置在显示区域与密封材之间的区域。
此外，在上述说明中，例示了各像素使使用者视认RGB三色的光的结构，但是并不限定于该结构。例如，也可以为不仅使使用者视认RGB三色而且使使用者视认白色光W的结构。使使用者视认白色光W的像素也可以为未设置彩色滤光片等的结构，或者还可以为设置有调整白色的色度的滤光片的结构。此外，在图2例示了彩色滤光片220、230、240相互不重叠的结构，但是并不限定于该结构。例如也可以为相邻的彩色滤光片的一部分(端部)相互重叠的结构。例如也可以使得彩色滤光片220的一部分和彩色滤光片230的一部分在遮光层210上交叠。
在图2中，对在遮光层210上配置有彩色滤光片220、230、240的结构进行了说明，但是并不限定于此。例如也可以在彩色滤光片220、230、240上配置遮光层210。此外，也可以在相对基板200与遮光层210之间或在相对基板200与彩色滤光片220、230、240之间配置有其它层。此外，也可以在遮光层210与彩色滤光片220、230、240之间配置有其它层。此外，彩色滤光片220、230、240至少配置R、G、B三种，也可以在三种彩色滤光片的任意彩色滤光片之间配置遮光层。例如，也可以在相对基板200上配置彩色滤光片(R)240、彩色滤光片(G)230，在它们之上配置遮光层210，在遮光层210之上配置彩色滤光片(B)220。
此外，也可以在覆盖层250上配置对成为发光元件劣化的原因的气体和水分进行阻隔(阻挡)的保护膜。作为保护膜，能够与在阵列基板100与晶体管层130之间形成的阻挡层同样地使用SiNx膜、SiOx膜、SiNxOy膜、SiOxNy膜、AlNx膜、AlOx膜、AlOxNy膜、AlOxNy膜等(x、y为任意的数)。此外，也可以使用将这些膜层叠的结构。
接着，参照图1和图2双方，对分隔壁151、分隔壁152和分隔壁153的配置进行说明。根据图1和图2，分隔壁151和填充材181配置在配置有分隔壁152和填充材182的第二区域122的内侧的第一区域121。此外，分隔壁153和填充材183配置在第二区域122的外侧的第三区域123。此处，在如上述那样将分隔壁151和分隔壁153一并称为第一分隔壁、将分隔壁152称为第二分隔壁、将填充材181和填充材183一并称为第一填充材、将填充材182称为第二填充材的情况下，第一分隔壁和第一填充材能够配置在配置有第二分隔壁和第二填充材的第二区域122的内侧和外侧的第一区域121和第三区域123。
此外，根据图1和图2，分隔壁152和填充材182也能够在第二区域122中配置成环状。此外，换言之，分隔壁152和填充材182也能够沿密封材110配置。
如上所述，根据本发明的实施方式1的表示装置，在第一区域121、第二区域122、第三区域123中，发光层160与相对基板200的距离被保持为大致一定。即，由于光从产生光的发光层160被发出至显示装置10的外部的相对基板200的背面侧的光路长度在面内成为大致一定，所以能够抑制显示不均。根据上述的结构，在为了抑制混色而利用分隔壁和填充材作为间隔部件的高精细的表示装置中，即使在基板面内在填充材180的厚度方面产生分布的情况下，也能够通过以缓和该分布的方式调整分隔壁150的高度来抑制显示不均。
[实施方式1的显示装置10的制造方法]
使用图3至图10，对本发明的实施方式1的显示装置10的制造方法进行说明。图3是表示本发明的实施方式1的表示装置的制造方法的流程图。此外，在图4至图10表示图3所示的步骤S301至S306、S311至S315和S321的各处理的截面图。以下，使用图4至图10对图3所示的各步骤进行说明。
首先，使用图4至图8对阵列基板100侧的制造方法进行说明。图4是表示在发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，在阵列基板上形成晶体管层和像素电极的工序的图。如图4所示，首先准备阵列基板100(步骤S301)，在阵列基板100上形成晶体管层130(晶体管层131、132、133)(步骤S302)，在晶体管层130上形成像素电极140(像素电极141、142、143)(步骤S303)。
像素电极140通过在整个面形成导电层后，利用抗蚀剂覆盖要剩下的导电层的区域、对此以外的区域的导电层进行蚀刻除去而形成。蚀刻的方法能够根据像素电极的材料适当地选择。例如，对于铝，能够利用使用以磷酸、醋酸为基础的蚀刻剂的湿蚀刻。此外，对于钛，能够利用使用氯类气体、氟类气体的干蚀刻。在任一蚀刻方法中均优选按像素电极140与像素电极140的下层的选择比大的蚀刻条件进行处理。但是，蚀刻条件并不限定于上述的选择比大的条件，例如也可以使用上述的选择比小的蚀刻条件，使用对像素电极140的下层进行过蚀刻的条件。
此外，在实施方式1中，为了便于说明，以晶体管层130和像素电极140具有相同的平面形状的方式进行描绘。但是晶体管层130和像素电极140也可以不为相同的平面形状。即，晶体管层130和像素电极140也可以具有不同的平面形状。例如也可以在不存在晶体管层130的区域形成像素电极140。
接着，对形成分隔壁150的工序(步骤S304)进行说明。图5是表示在本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，使用多灰度(灰度等级)掩模对树脂层进行曝光的工序的图。此外，图6是表示在本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中形成分隔壁的工序的图。如图6所示，分隔壁150(分隔壁151、152、153)以覆盖晶体管层130和像素电极140的图案端部的方式形成(步骤S304)。
此处，使用图5对分隔壁150的形成方法进行详细说明。首先，利用旋涂法(spin-coated)等方法将在之后成为分隔壁的树脂材料按所期望的厚度形成。树脂材料能够溶解于溶剂，通过树脂材料和添加剂的浓度调整控制其粘度。进一步，能够通过调整包含树脂材料的溶剂的涂敷时的基板的旋转速度来控制膜厚。在将树脂材料涂敷于阵列基板100之后，通过进行加热而使溶剂蒸发，形成成为分隔壁150的基础的树脂层159。此处，作为树脂材料，例如能够使用感光性树脂。此处，对使用感光性树脂作为树脂材料的例子进行说明。
为了将树脂层159图案化形成分隔壁150，使用光掩模进行曝光、显影。此处，对使用多灰度掩模作为光掩模的例子进行说明。作为多灰度掩模能够列举灰色调掩模(GRAYTONEMASK)和半色调掩模(HALFTONEMASK)。灰色调掩模为制作曝光机的分辨率以下的隙缝，该隙缝部遮挡光的一部分，实现中间曝光。另一方面，半色调掩模利用“半透过”的膜进行中间曝光。无论哪种方式，均在一次曝光中表现出“曝光部分”、“中间曝光部分”和“未曝光部分”这三种曝光水平，在显影后能够制作多个种类的厚度的感光性树脂。此处，“中间曝光部分”能够通过调整光通过或透过的量来进行多个灰度(灰度等级)的曝光。即，在一次曝光中能够表现出三种以上的曝光水平。在图5中说明使用半色调掩模对正型感光性树脂曝光的例子。
如图5所示，与半色调掩模190的开口部191对应的区域的树脂层159在深度方向上全部感光。另一方面，与半色调掩模190的半透过区域192对应的树脂层159因为被照射的光的强度弱，所以仅从表面至一定的深度感光。其结果是，形成比树脂层159薄的、未感光的树脂层157。此处，树脂层157的高度通过半透过区域192的透过率和曝光条件控制。此外，与半色调掩模190的遮光区域193对应的树脂层159由于未被照射光而未感光，形成树脂层158。
如上所述，通过对使用半色调掩模190曝光了的树脂层159进行显影处理，被感光而对于显影液可溶性地发生变化的树脂层被除去，余下未感光的树脂层157、158。此处，因为与半透过区域192对应的树脂层159的上层部被感光，通过显影处理被除去。其结果是，显影处理后的树脂层157与树脂层158的高度不同。在图5中，例示了使用半色调掩模形成高度不同的树脂层的处理，但是并不限定于该处理，也可以为使用灰色调掩模或其它多灰度(灰阶、灰度等级)掩模形成高度不同的树脂层的处理。
通过对利用图5所示的方法曝光了的树脂层159进行显影处理、热处理，能够获得图6所示那样划定各像素、以覆盖像素电极140的图案端部的方式配置的分隔壁150。此处，树脂层158与分隔壁151、153对应，树脂层157与分隔壁152对应。即，分隔壁152的高度通过半透过区域192的光的透过量决定。这样，根据图5和图6所示的方法，能够使用多灰度掩模在同一工序形成高度不同的分隔壁151、153和分隔壁152。
图7是表示在本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，形成发光层和共通电极的工序的图。如图7所示，形成分隔壁150后，在显示区域形成由单个或多个膜构成的发光层160(发光层161、162、163)和共通电极340(共通电极341、342、343)(步骤S305)。在白色发光元件的情况下，发光层不需要进行图案化，能够在显示区域的整个面形成。此外，在发光层160为低分子材料的情况下，能够通过使用对应于显示区域的部分被开口的金属掩模的蒸镀，形成发光层160。
此时，分隔壁150也可以作为金属掩模的间隔部件(定位部件(支承部件))使用。此外，在发光层160为高分子材料的情况下，能够通过喷墨方式等形成。此外，在各像素形成RGB发光元件的情况下，对各像素形成具有RGB发光色的发光层。在发光层为低分子材料的情况下，使用被加工有精细图案的金属掩模等，在各像素形成具有不同的发光色的发光层。特别是在使用金属掩模按每像素形成不同的发光层的情况下，通过将分隔壁150作为金属掩模与形成发光层的基板之间的间隔部件使用，能够使金属掩模与基板接近。其结果是，能够形成更正确地反映金属掩模的图案的发光层。
此外，在形成共通电极340时，能够使用离子镀(ionplating)装置或对向靶型溅射(facingtargetsputtering)装置等。离子镀装置和对向靶型溅射装置因为等离子体不与基板直接接触，所以能够抑制对发光层160的损伤。此外，也可以在发光层160上蒸镀薄的金属膜，在该薄的金属膜之上通过溅射法形成共通电极340。在这样的情况下，薄的金属膜作为保护层发挥作用，因此利用溅射法形成共通电极340也能够降低对发光层160的损伤。
图8是表示在本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，形成保护层的工序的图。如图8所示，在形成发光层160和共通电极340之后，以覆盖发光层160的方式形成保护层170(保护层171、172、173)(步骤S306)。此处，由于保护层170的形成在发光层160的形成后进行，所以优选以发光层160中使用的有机EL层的玻璃转变温度(transitiontemperature)以下的温度形成。
此外，存在利用上述那样的无机材料形成的保护层170在基底结构的台阶差部分(例如，像素电极140与分隔壁150的边界部)形成密度低的区域的情况。就膜密度低的区域而言，会从此处混入水分和杂质，引起晶体管特性的变动、发光层的劣化等，因此重要的是在那样的位置也以良好的覆盖性形成保护层170。
接着，使用图9对相对基板200侧的制造方法进行说明。图9是表示在本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，在相对基板侧形成填充材的工序的图。如图9所示，首先准备相对基板200(步骤S311)，在相对基板200上以将各个像素开口的方式形成遮断(遮挡)光的遮光层210(遮光层211、212、213)(步骤S312)，在相对基板200和遮光层210上形成与各个像素的颜色对应的彩色滤光片(B)220(彩色滤光片(B)221、222、223)、彩色滤光片(G)230(彩色滤光片(G)231、232、233)、彩色滤光片(R)240(彩色滤光片(R)241、242、243)(步骤S312)，以覆盖遮光层210和彩色滤光片220、230、240的方式形成覆盖层250(步骤S313)。而且，虽然在图9中未图示，但是在相对基板200的周边区域的覆盖层250上形成密封材(步骤S314)，在相对基板200的显示区域的覆盖层250上形成填充材280(填充材281、282、283)(步骤S315)。关于对相对基板的填充材的形成方法和阵列基板与相对基板的贴合方法，在之后进行详细说明。
在图9中，对在遮光层210之上形成彩色滤光片220、230、240的制造方法进行了说明，但是并不限定于此，也可以先形成彩色滤光片220、230、240，在其上形成遮光层210。此外，也可以在相对基板200与遮光层210或彩色滤光片220、230、240之间形成其它层，在遮光层210与彩色滤光片220、230、240之间形成其它层。此外，彩色滤光片220、230、240至少形成R、G、B三种，也可以在三种彩色滤光片中的任意彩色滤光片之间形成遮光层。例如也可以首先在相对基板200上形成彩色滤光片(R)240、彩色滤光片(G)230，在它们之上形成遮光层210，在其上形成彩色滤光片(B)220。
作为填充材280，能够使用树脂材料。作为用作填充材280的树脂材料，能够使用利用紫外线或热逐渐固化的延迟固化型树脂材料。例如，对图9所示的状态的填充材280照射紫外线，在填充材280固化之前将阵列基板100和相对基板200贴合(步骤S321)。
图10是表示在本发明的实施方式1的表示装置的制造方法中，将阵列基板和相对基板贴合的工序的图。通过步骤S321的贴合，能够从图9的块状的未固化状态的填充材280获得图10所示那样的层状的固化了的填充材180。此处，第二区域122的填充材182形成为比第一区域121和第三区域123的填充材181和183厚。但是，因为第二区域122的分隔壁152与第一区域121和第三区域123的分隔壁151和153相比形成得低，所以填充材182与填充材181、183的表面成为大致相同的高度。即，在第一区域121、第二区域122、第三区域123中，发光层160与相对基板200的距离被保持为大致一定。
如上所述，通过使用多灰度掩模在同一工序中制作高度不同的分隔壁，能够缩短处理。其结果是，能够以更低的制造成本制作抑制了显示不均的显示装置。
[实施方式1的显示装置10的贴合方法]
使用图11至图15，对本发明的实施方式1的表示装置的贴合方法进行详细说明。特别对在相对基板200形成密封材110和填充材120的方法以及阵列基板100与相对基板200的贴合方法进行详细说明。在图11至图15中，在各图面的纸面上方表示平面图，在各图面的纸面下方表示平面图的E-F截面图。此外，在图11至图15中，为了便于说明，省略阵列基板上的晶体管层、像素电极、发光层和保护层。此外，省略相对基板上的遮光层、彩色滤光片和覆盖层。
图11是表示在本发明的实施方式1的表示装置的阵列基板和相对基板的贴合工序中，在相对基板上涂敷密封材的工序的图。首先，在相对基板200的周边部形成用于使阵列基板100与相对基板200粘接的密封材110。密封材110的厚度例如能够在50μm以上300μm以下的范围进行适当调整。此处，密封材110也可以具有成为间隔物的颗粒。该颗粒能够使用直径为2μm以上10μm以下的大小的颗粒。但是，即使密封材110和颗粒为上述的范围外，也能够根据目的适当地调整。以下，对密封材110的厚度为约150μm、颗粒的尺寸为约4.5μm的情况进行说明。
图12是表示在本发明的实施方式1的表示装置的阵列基板和相对基板的贴合工序中，在相对基板上涂敷填充材的工序的图。如图12所示，在相对基板200形成的填充材280在多个区域配置成块状。此处，涂敷填充材280的位置在将阵列基板100和相对基板200贴合时、也可以按使得第二区域122的配置有分隔壁152的位置的填充材182比第一区域121的配置有分隔壁151的位置的填充材181厚的方式进行调整。例如也可以以等间隔配置相邻的块状的填充材280。此处，作为用作填充材280的树脂材料，能够使用利用紫外线或热逐渐固化的延迟固化型的树脂材料。此处，紧接着液滴滴下后的块状的填充材280的高度为约200μm。
图13是表示在本发明的实施方式1的表示装置的阵列基板和相对基板的贴合工序中，在真空中贴合阵列基板与相对基板的工序的图。在贴合之前(图12所示的状态)对填充材280照射紫外线，在填充材280固化前将阵列基板100和相对基板200进行对位而贴合。此处，阵列基板100与相对基板200的贴合在真空中进行。此外，也可以在图13所示的状态追加进行阵列基板100与相对基板200的对位。
图14是表示在本发明的实施方式1的表示装置的阵列基板和相对基板的贴合工序中，将阵列基板按压于相对基板、使填充材延伸的工序的图。从图13所示的状态，阵列基板100和相对基板200向相互接近的方向被按压，由此图13所示的填充材280和密封材110向两个基板的基板面方向延伸(延展)。其结果是，形成将两个基板的周边区域密封的密封材110以及填充被两个基板和密封材110包围的区域的层状的填充材180。图14所示的对两个基板进行按压的工序也在真空中进行。通过在真空中进行按压，能够在块状的填充材280延伸而形成层状的填充材180时，抑制在两个基板间形成气泡的情况。此处，通过两个基板的按压，密封材110的厚度从约150μm变薄为约100μm。
图15是表示在本发明的实施方式1的表示装置的阵列基板和相对基板的贴合工序中，在大气压中对阵列基板和相对基板进行按压的工序的图。通过将图14所示的状态的贴合基板的气氛从真空变为大气压，阵列基板100和相对基板200在大气压中被按压，密封材110和填充材180被压缩而进一步变薄。此处，通过利用大气压进行的按压，密封材110变薄至被密封材110中所含的颗粒支承的程度。即，密封材110的厚度从约100μm变薄至约4.5μm。
如上所述，通过在阵列基板100与相对基板200的贴合后的按压时利用大气压，能够以均匀的力按压基板面内。其结果是，能够抑制由按压两个基板的力的大小的差异导致的填充材180的膜厚分布。
(比较例)
此处，使用图16和17，对本发明的实施方式1的比较例进行说明。图16是表示比较例的表示装置的平面图的图。图16中因为与图1相同所以省略详细的说明，但是第二区域122的填充材120比第一区域121和第三区域123的填充材120形成得厚。
图17是表示比较例的表示装置的C-D截面图的图。图17与图2类似，但是在第二区域122的分隔壁352的高度与第一区域121的分隔壁351和第三区域123的分隔壁353的高度大致相同这方面与图2不同。在图17中，分隔壁351至分隔壁353的高度大致相同，第二区域122的填充材382的填充材厚度385比第一区域121的填充材381的填充材厚度384和第三区域123的填充材383的填充材厚度386厚。其结果是，填充材382的表面位置(与覆盖层250接触的位置)比填充材381和填充材383的表面位置高。即，从产生光的发光层160至该光被发出至表示装置11的外部的相对基板200的背面侧的光路长度在第二区域122与第一区域121和第三区域123不同。由于该影响，在比较例的表示装置11，产生起因于上述的光路长度的不同的显示不均。
如上所述，根据比较例的表示装置，由于第二区域122与第一区域121和第三区域123的填充材的厚度的不同，会产生显示不均。另一方面，根据本发明的表示装置，如在实施方式1中说明的那样，能够与填充材的厚度的差异相应地使分隔壁的高度变化，由此能够抑制显示不均。
另外，本发明并不限定于上述的实施方式，能够在不脱离主旨的范围内进行适当变更。
Claims (13)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
第一基板；
在所述第一基板的上方与像素对应地配置的像素电极；
覆盖所述像素电极的端部的第一分隔壁；
覆盖所述像素电极的端部的、比所述第一分隔壁低的第二分隔壁；
配置在所述第一分隔壁和所述第二分隔壁的上方的固体的填充材；和
与所述第一基板相对的第二基板，所述第二基板利用所述第一分隔壁、所述第二分隔壁和所述填充材保持与所述第一基板的间隔。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述第二分隔壁上的所述填充材比所述第一分隔壁上的所述填充材厚。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述第一分隔壁配置在由所述第二分隔壁包围的区域的内侧和外侧的区域。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于：
所述第二分隔壁配置成环状。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于：
还包括配置在所述填充材的周围的密封材。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述第二分隔壁沿所述密封材配置。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
还包括在所述填充材与所述第二基板之间与所述像素对应地配置的、透过特定波长的光的彩色滤光片，
相邻的所述彩色滤光片透过的光的波长不同。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
在相邻的所述像素间配置有遮光层。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
所述像素发出白色光。
10.一种显示装置的制造方法，其特征在于：
在第一基板的上方形成与像素对应地配置的像素电极，
形成覆盖所述像素电极的端部的第一分隔壁，形成覆盖所述像素电极的端部的比所述第一分隔壁低的第二分隔壁，
在第二基板的上方形成填充材，
以利用所述第一分隔壁、所述第二分隔壁和所述填充材保持与所述第一基板的间隔的方式将所述第一基板与所述第二基板贴合。
11.如权利要求10所的述显示装置的制造方法，其特征在于：
所述第一分隔壁和所述第二分隔壁在同一工序中形成。
12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述第一分隔壁和所述第二分隔壁使用多灰度掩模形成。
13.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
在将所述第一基板与所述第二基板贴合了的状态下，调整形成所述填充材的位置，以使得配置有所述第二分隔壁的位置的所述填充材比配置有所述第一分隔壁的位置的所述填充材厚。
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