CN105261546A - 用于产生载能中性粒子的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

用于产生载能中性粒子的系统和方法包括被配置为在等离子体区域中产生等离子体的远程等离子体发生器。离子萃取器被配置为从该等离子体萃取高能离子。衬底支撑件被布置处理室中且被配置为支撑衬底。中性粒子萃取器和气体分散装置被布置在该等离子体区域和该衬底支撑件之间。中性粒子萃取器和气体分散装置被配置为从该高能离子萃取载能中性粒子以将该载能中性粒子供应至衬底以及将前体气体分散到该处理室中。

Description

用于产生载能中性粒子的系统和方法
相关申请交叉参考
本申请要求于2014年7月14日提交的美国临时申请No.62/024,080的权益。上述申请的全部公开内容通过参考被并入此处。
技术领域
本公开涉及衬底处理系统，更具体地涉及用于衬底处理系统的用于产生载能中性粒子(energeticneutrals)的系统和方法。
背景技术
此处提供的背景技术描述是出于大体上呈现本公开的背景的目的。当前署名的发明人的工作，就其在该技术背景部分以及说明书方面中所描述的、可能不符合作为提交时的现有技术的工作而言，既不明示地也不暗示地承认是本公开的现有技术。
就纳米技术应用而言，半导体工业使用远程等离子体源来产生自由基。远程等离子体源可包括感应耦合等离子体(ICP)发生器、变压器耦合等离子体(TCP)发生器、电容耦合等离子体(CCP)发生器和/或微波等离子体发生器。
在一些应用中，喷头或等离子体栅被用于中性化等离子体以及只允许中性粒子通过。用这些方法产生的自由基通常具有低能量(～0.01eV)。所以，就原子层沉积(ALD)或原子层蚀刻(ALE)工艺的膜致密化而言，自由基具有有限的活化能。
当使用原位等离子体致密化方法时，离子能量往往太高。高离子能量会对衬底中的器件造成损害。离子的方向性还降低了侧壁膜致密化的效率。就载能中性粒子的产生而言，现有方法只能处理有限的衬底面积且通常不能用于较大的面积，比如300mm或450mm直径的晶片。
发明内容
一种用于产生载能中性粒子的系统包括被配置为在等离子体区域中产生等离子体的远程等离子体发生器。离子萃取器被配置为从该等离子体萃取高能离子。衬底支撑件被布置处理室中且被配置为支撑衬底。中性粒子萃取器和气体分散装置被布置在该等离子体区域和该衬底支撑件之间。中性粒子萃取器和气体分散装置被配置为从该高能离子萃取载能中性粒子以将该载能中性粒子供应至衬底以及将前体气体分散到该处理室中。
在其他特征中，加热器被配置为将衬底加热到预定温度。中性粒子萃取器和气体分散装置包括喷头。所述喷头限定喷头中的第一充气室，用于接收前体气体。所述喷头在其面向衬底的表面中包括与所述第一充气室流体连通的第一多个孔。
在其他特征中，所述喷头和所述衬底之间的距离被选定处于所述载能中性粒子的寿期内。所述喷头进一步包括从所述喷头的面向离子萃取器的表面延伸到所述喷头的面向衬底的表面的第二多个孔。
在其他特征中，所述喷头由陶瓷制成。电极邻近所述喷头的所述面向离子萃取器的表面被布置。所述电极被地参考电位偏置。所述电极包括与所述第二多个孔对准的第三多个孔。
在其他特征中，所述等离子体发生器包括被布置为与所述中性粒子萃取器和气体分散装置间隔开的电极。所述等离子体区域位于所述电极和所述中性粒子萃取器和气体分散装置之间。气体输送系统被配置为将等离子体气体供应至所述等离子体区域。RF功率发生器选择性地输出RF功率给所述电极以产生等离子体。
在其他特征中，所述离子萃取器包括选择性地输出DC电压给所述电极的DC功率发生器。所述DC电压是恒定的正DC电压或脉冲式的正DC电压。所述喷头被配置为独立于所述载能中性粒子将前体气体输送至所述衬底。在其他特征中，所述喷头由金属制成。所述喷头包括布置在其至少一个表面上的介电层。
在其他特征中，所述载能中性粒子具有从1eV至100eV范围内的能量。所述载能中性粒子具有从5eV至10eV范围内的能量。
在其他特征中，控制器被配置为控制气体输送系统以供应等离子体气体至所述等离子体区域以及供应所述前体气体，控制RF发生器以点燃所述等离子体区域中的所述等离子体，以及控制DC功率发生器以输出DC电压至所述离子萃取器。
一种用于产生载能中性粒子的方法包括在等离子体区域中远程地产生等离子体；从所述等离子体萃取高能离子；从所述高能离子萃取载能中性粒子；将所述载能中性粒子供应至处理室中的衬底；以及将前体气体供应至所述处理室。
在其他特征中，所述方法包括将所述衬底加热至预定温度。所述方法包括使用喷头萃取所述载能中性粒子以及供应所述前体气体。所述喷头和所述衬底之间的距离被选定处于所述载能中性粒子的寿期内。
在其他特征中，所述方法包括限定所述喷头中的第一充气室用于接收所述前体气体。所述喷头中的第一多个孔与所述第一充气室连通且被布置在其面向衬底的表面上。所述喷头进一步包括从所述喷头的面向离子萃取器的表面通到所述喷头的面向衬底的表面的第二多个孔。在其他特征中，所述喷头由陶瓷制成。所述方法包括邻近所述喷头的所述面向离子萃取器的表面布置电极。
在其他特征中，远程地产生等离子体进一步包括：在所述等离子体区域中提供电极；将等离子体气体供应至所述等离子体区域；以及选择性地输出RF功率给所述电极以产生等离子体。
在其他特征中，所述方法包括选择性地输出DC电压给所述电极以萃取所述载能中性粒子。所述DC电压是恒定的正DC电压或脉冲式的正DC电压。
在其他特征中，所述方法包括独立于所述载能中性粒子将所述前体气体输送至所述处理室。所述喷头由金属制成。所述喷头包括布置在其至少一个表面上的介电层。
在其他特征中，所述载能中性粒子具有从1eV至100eV范围内的能量。所述载能中性粒子具有从5eV至10eV范围内的能量。
从详细描述、权利要求和附图，本公开的进一步的应用领域会变得显而易见。详细描述和具体实施例旨在仅是说明目的而非限制本公开的范围。
附图说明
从详细描述和附图，会变得更全面地理解本公开，其中：
图1是根据本公开的衬底处理系统的一实施例的功能框图；
图2A是根据本公开的衬底处理系统的另一实施例的功能框图；
图2B是图2A的喷头的剖视图；以及
图3示出了根据本公开的用于处理衬底的方法的实施例。
在附图中，附图标记可被重复使用以指示类同和/或相同的元素。
具体实施方式
根据本公开的系统和方法在相对较大的表面面积上实现了载能中性粒子的产生。所述系统和方法可在诸如原子层沉积(ALD)、原子层蚀刻(ALE)等工艺或纳米技术工艺中被使用。根据本公开的系统和方法减少了与现有方法相关的问题，比如只产生低能中性粒子(如小于0.5eV的中性粒子)，或者用于非常小的表面面积(如具有小于100mm直径的表面面积)的中性粒子束。
根据本公开的系统和方法提供了高密度载能中性粒子(自由基)以改进针对ALD/ALE的侧壁致密化效率。由于中性粒子的各向同性性质，针对具有高深宽比沟槽的小的纳米级特征，沉积(和蚀刻)可更加共形，这对一些衬底工艺而言会是希望的要求。根据本公开的系统和方法还在大面积(比如具有300mm、450mm或更大的直径的衬底)上提供了载能中性粒子的一致源。
现在参考图1，衬底处理系统10的实施例被示出。等离子体发生器11位于处理室12上游。在一些实施例中，等离子体发生器11产生等离子体13以创造高密度离子。等离子体发生器11可包括电容耦合等离子体(CCP)发生器、感应耦合等离子体(ICP)发生器、微波等离子体发生器或其他适合的等离子体发生器11。
离子萃取器14从等离子体13萃取高能离子15。举例来说，仅就CCP发生器的配置而言，离子萃取器14可包括被偏置RF功率和高的正DC偏置(例如高至千伏范围)的电极(参见例如图2A)。高的正DC偏置可以是恒定的或脉冲式的DC电压。
中性粒子萃取器和气体分散装置16从离子萃取器14接收高能离子15且从气体输送系统18接收一或多种气体前体17。中性粒子萃取器和气体分散装置16从高能离子15萃取高能中性粒子19。中性粒子萃取器和气体分散装置16横贯被布置在衬底支撑件22上的衬底20的暴露表面分配高能中性粒子19和前体气体17。举例来说，衬底支撑件22可包括基架、静电卡盘、卡盘、台板或其他适合的衬底支撑件。
由离子萃取器14施加给电极的恒定的DC电压偏置提高了等离子体电位且形成大的离子鞘以加速朝向中性粒子萃取器和气体分散装置16的离子，同时电子从中性粒子萃取器和气体分散装置16排斥开。中性粒子萃取器和气体分散装置16暴露于被加速的离子的表面可包括被选定以耐受可能的离子溅射的材料。
由离子萃取器14施加的恒定的DC偏置可用脉冲式的DC电压偏置代替。脉冲式的DC电压偏置可允许更高峰值的DC电压被施加且因此可允许更高的离子能量。在一些实施例中，平均DC电流消耗可被维持在合理低的值以免熄灭RF等离子体。
衬底支撑件22的温度可利用加热器26进行控制以使反应增强。衬底支撑件22根据处理室12中的压强被布置为贴近中性粒子萃取器和气体分散装置16下方、在中性粒子的寿期内。
现在参考图2A，衬底处理系统28的实施例被示出且包括处理室30。衬底支撑件34被布置在处理室30中以对衬底38(比如半导体晶片)提供支撑。喷头39限定第一充气室40，第一充气室40接收包括一或多种前体的气体混合物。第一充气室40在其下表面中包括多个孔42以横贯衬底38的面向上的表面均匀分散所述气体混合物。喷头39进一步包括孔46，孔46从喷头39的第一表面(比如顶壁)通到喷头39的与第一表面相对的第二表面(比如底壁)。孔46提供从上部等离子体区域到下游区域的流体连通路径但不与第一充气室40或孔42流体连通。
在一些实施例中，电极52被提供且邻近喷头39的第一表面被布置。如果被提供，电极52可由诸如金属之类的导体材料制成且可被接地。电极52包括与喷头39的孔46对准的多个孔56。
加热器67可被提供以控制衬底支撑件34和衬底38的温度。电极66可按相对于喷头39和电极52间隔开的关系被布置以限定上游等离子体区域69。电极66可由诸如金属之类的导体材料制成。
在该实施例中，通过对电极66施加由RF功率发生器70通过匹配网络72供应的射频(RF)功率而产生电容耦合等离子体(CCP)。此外，恒定的或脉冲式的DC电压通过DC功率发生器76被供应给电极66。
提供给喷头39的第一气体混合物可通过气体输送系统78供应，第一气体输送系统78包括一或多个气体源80、一或多个质量流量控制器(MFC)82、一或多个阀84和一或多个歧管86。第二气体混合物可通过气体输送系统88供应，第二气体输送系统88包括一或多个气体源92、一或多个质量流量控制器(MFC)94、一或多个阀96和至上游等离子体区域的一或多个歧管98。
控制器100可被提供以控制工艺。例如，控制器100控制与气体输送系统78和88相关联的阀和MFC。此外，控制器100可控制通过RF功率发生器70的RF功率产生以及来自DC功率发生器76的恒定的或脉冲式的DC电压。控制器100还可控制加热器67。此外，控制器100可利用温度传感器、压力传感器或其他类型的传感器监控上游等离子体区域69或喷头39下游的区域中的一或多个工艺参数。
在操作中，气体输送系统88供应第二气体混合物至位于电极66和喷头39之间的上游等离子体区域69。RF功率发生器70供应RF功率至电极66。等离子体在上游等离子体区域69中被点燃。DC功率发生器76可供应恒定的或脉冲式的DC电压至电极66以执行离子萃取。
高能离子可在喷头39的孔46的表面上部分中性化以变成快速中性粒子而电荷交换可在离子通过目标气态介质时发生。目标气态介质的种类被选定以优化电荷交换效率。电荷交换可在喷头39的孔46内或者在喷头39之后发生。
喷头39中的孔46的数量和所述孔的尺寸被优化以具有对中性粒子/自由基而言大的透过性以及低重组损耗。由于载能中性粒子在较高的速率被萃取，所以它们的碰撞截面通常较低；因此，至处理区域中，较少的重组和较多的萃取可发生。载能中性粒子在具高能量情况下被输送至衬底。
在一些实施例中，喷头39是双区(充气室)喷头，具有独立于高能中性粒子将前体输送至处理区域的能力。中性粒子和自由基通过孔46被过滤。孔42将前体输送至下游处理区域。如果喷头39由诸如金属之类的导体材料制成，则喷头39可被接地而电极52可被省略。如果喷头由诸如陶瓷之类的非导体材料制成，则电极52可被提供并接地。
就ICP和微波等离子体而言，DC偏置电极也可被加入从而以类似方式提高等离子体电位。
如果喷头由金属制成，则喷头39面向上游等离子体区域的表面可被部分覆盖具有与孔46对准的开口的介电材料层。结果，必要的电极表面面积被减小。该方法可诱导在喷头39处较高的RF鞘电压以在DC偏置效应之外还促进离子加速。如果喷头由陶瓷制成，则电极52可被设计为达到相同的效果。
现在参考图2B，喷头39包括周向侧壁120和多个内部壁124。周向的侧壁120和多个内部壁124从喷头39面向上游等离子体区域的顶壁130或表面(图2A)延伸到喷头39面向衬底38的底壁或表面126。孔46通过顶壁130、内部壁124和底壁126。喷头39的底壁表面126包括多个孔42以允许气流从充气室40穿过底壁126至衬底38。
现在参考图3，用于处理衬底的方法200的实施例被示出。在204，在上游等离子体区域中产生等离子体。在208，从所述等离子体萃取高能离子。在212，从所述高能离子产生高能中性粒子并将所述中性粒子输送至下游区域。在216，将一或多种前体气体供应至下游区域。在220，将衬底暴露于所述高能中性粒子和所述一或多种前体。
在常规系统中，远程等离子体源与接地充气室一起被使用，且具有低能中性粒子(～0.01eV)。相较之下，本文所描述的系统和方法使用等离子体源、离子萃取器、双充气室和中性粒子萃取器。本文所描述的系统和方法提供了具有高活化能却没有电荷损坏的载能中性粒子(从～1eV至100eV)。载能中性粒子可在大面积上被提供以支撑均匀的工艺。例如，诸如具有300mm、450mm以及更大的直径的这些衬底可被接受。所述系统和方法适于高压(～托)且适用于范围宽广的工艺。
仅举例而言，大约5-10eV的中性粒子能量会是恰当的，因为低得多的能量可能无法驱动希望的反应，而高得多的能量可能造成损害。压强应当足够高以在晶片处产生中性粒子的各向同性空间分布(即，没有高方向性)，但不能高到使得晶片处的中性粒子通量因与背景气体一起散射而低到不能接受。
前面的描述本质上仅仅是说明性的且完全无意于限制本公开及其应用或使用。本公开的广泛教导可以多种形式实现。因此，虽然本公开包括特定实施例，但本公开的真实范围不应受此限制，因为基于对附图、说明书和接下来的权利要求的学习，其他修改方案会变得显而易见。应当理解，方法中的一或多个步骤可在不改变本公开的原理的情况下以不同顺序(或同时)执行。此外，虽然上面描述每种实施方式具有某些特征，但是联系本公开的任何实施方式描述的这些特征中的任何一个或多个可在其他实施方式中的任何一种中实施或者与其他实施方式中的任何一种的特征结合起来实施，即使这种结合没有被明文描述。换句话说，所述实施方式不是相互排斥的，一或多种实施方式与另一种实施方式的置换仍然在本公开的范围内。
元素之间(例如，模块、电路元件、半导体层等之间)的空间和功能关系利用各种术语，包括“连接”、“啮合”、“耦合”、“邻近”、“靠近”、“在……上面”、“上方”、“下方”和“置于”进行描述。除非明确描述为“直接”，否则当本公开中描述第一和第二元素之间的关系时，该关系既可以是在第一和第二元素之间不存在其他中间元素的直接关系，也可以是在第一和第二元素之间存在一或多个中间元素(空间上或功能上)的间接关系。如本文所使用的，短语A、B和C中的至少一个应当使用非排他性逻辑或(OR)解释为意味着逻辑(A或B或C)，且不应当解释为意味着“A中的至少一个、B中的至少一个、以及C中的至少一个”。
在一些实施方式中，控制器是系统的组成部分，该系统可以是上述实施例的组成部分。这种系统可包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一或多个处理工具、一或多个室、用于处理的一或多个平台、和/或具体处理部件(晶片基架、气体流系统等)。这些系统可与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、之中以及之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可指“控制器”，控制器可控制系统的各种部件或子部。根据处理要求和/或系统类型，控制器可被编程以控制此处所公开的任何工艺，包括工艺气体的输送、温度设置(例如，加热和/或冷却)、压强设置、真空设置、功率设置、射频(RF)发生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、定位和操作设置、进出工具和其他传送工具和/或连接到具体系统的或与具体系统交接的装载锁的晶片传送。
广义地说，控制器可被定义为接收指令、发布指令、控制操作、实现清洁操作、实现端点测量等的具有多种集成电路、逻辑、存储器和/或软件的电子器件。集成电路可包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、限定为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或一或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以多种个体设置(或程序文件)的形式与控制器通信、定义用于在半导体晶片上或为半导体晶片或者对系统执行特定工艺的操作参数的指令。在一些实施方式中，操作参数可以是配方的组成部分，配方由工艺工程师定义以在晶片的一或多个层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或裸片的制造过程中完成一或多个处理步骤。
在一些实施方式中，控制器可以是计算机的组成部分或耦合到计算机，计算机与该系统集成或耦合到该系统、否则网络连接到该系统、或者它们的组合。例如，控制器可在“云”中或者是工厂主机(fabhost)计算机系统的整体或组成部分，可允许晶片处理的远程访问。计算机可实现对该系统的远程访问以监控制造操作的当前进程、检查过去的制造操作的历史、检查来自多个制造操作的趋势或性能指标，以改变当前工艺的参数，以设置处理步骤从而跟随当前工艺，或者以开始新的工艺。在一些实施例中，远程计算机(例如，服务器)可通过网络提供工艺配方给系统，网络可包括局域网或互联网。远程计算机可包括实现参数和/或设置的输入或编程的用户界面，参数和/或设置接着从远程计算机被传送给该系统。在一些实施例中，控制器接收数据形式的指令，所述数据指明要在一或多个操作期间执行的处理步骤中的每一个步骤的参数。应当理解，所述参数针对待执行的工艺的类型和工具的类型可以是特定的，控制器被配置为与所述工具交接或控制所述工具。因此，如前所述，控制器可以比如通过包括被网络连接在一起且为共同目的(比如本文所述的工艺和控制)工作的一或多个分立控制器这样的方式分布。为这种目的的分布式控制器的示例可以是在与位于远程(比如在平台层面或者作为远程计算机的组成部分)的一或多个集成电路通信的室上的一或多个集成电路，其结合来控制该室上的工艺。
在不具限制的情况下，示例性系统可包括等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、跟踪室或模块、以及可与半导体晶片的制造和/或生产相关联或者在半导体晶片的制造和/或生产中使用的任何其他半导体处理系统。
如前所述，根据待由工具执行的一或多个工艺步骤，控制器可与其他工具电路或模块、其他工具部件、簇工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、纵贯工厂、主机、另一控制器分布的工具、或者在带着晶片容器往来于半导体制造工厂中的工具位置和/或装载端口的材料运输中使用的工具中的一或多个通信。

Claims (35)

1.一种用于产生载能中性粒子的系统，其包括：
远程等离子体发生器，其被配置为在等离子体区域中产生等离子体；
离子萃取器，其被配置为从所述等离子体萃取高能离子；
处理室；
衬底支撑件，其被布置在所述处理室中且被配置为支撑衬底；以及
中性粒子萃取器和气体分散装置，其被布置在所述等离子体区域和所述衬底支撑件之间，其中所述中性粒子萃取器和气体分散装置被配置为从所述高能离子萃取载能中性粒子以将所述载能中性粒子供应至所述衬底以及将前体气体分散到所述处理室中。
2.如权利要求1所述的系统，其进一步包括被配置为将所述衬底加热到预定温度的加热器。
3.如权利要求1所述的系统，所述中性粒子萃取器和气体分散装置包括喷头。
4.如权利要求3所述的系统，其中所述喷头和所述衬底之间的距离被选定处于所述载能中性粒子的寿期内。
5.如权利要求3所述的系统，其中：
所述喷头限定所述喷头中的第一充气室，用于接收所述前体气体；以及
所述喷头在其面向衬底的表面中包括与所述第一充气室流体连通的第一多个孔。
6.如权利要求5所述的系统，其中所述喷头进一步包括从所述喷头的面向离子萃取器的表面延伸到所述喷头的面向衬底的表面的第二多个孔。
7.如权利要求6所述的系统，其中所述喷头由陶瓷制成且进一步包括邻近所述喷头的所述面向离子萃取器的表面而布置的电极。
8.如权利要求7所述的系统，其中所述电极被地参考电位偏置。
9.如权利要求7所述的系统，其中所述电极包括与所述第二多个孔对准的第三多个孔。
10.如权利要求1所述的系统，其中所述远程等离子体发生器包括：
电极，其被布置为与所述中性粒子萃取器和气体分散装置间隔开，其中所述等离子体区域位于所述电极和所述中性粒子萃取器和气体分散装置之间；
气体输送系统，其被配置为将等离子体气体供应至所述等离子体区域；以及
RF功率发生器，其选择性地输出RF功率给所述电极以产生等离子体。
11.如权利要求10所述的系统，其中所述离子萃取器包括选择性地输出DC电压给所述电极的DC功率发生器。
12.如权利要求11所述的系统，其中所述DC电压是恒定的正DC电压。
13.如权利要求11所述的系统，其中所述DC电压是脉冲式的正DC电压。
14.如权利要求3所述的系统，其中所述喷头被配置为独立于所述载能中性粒子将前体气体输送至所述衬底。
15.如权利要求3所述的系统，其中所述喷头由金属制成。
16.如权利要求15所述的系统，其中所述喷头包括布置在其至少一个表面上的介电层。
17.如权利要求1所述的系统，其中所述载能中性粒子具有从1eV至100eV范围内的能量。
18.如权利要求1所述的系统，其中所述载能中性粒子具有从5eV至10eV范围内的能量。
19.如权利要求1所述的系统，其进一步包括控制器，所述控制器被配置为：
控制气体输送系统以供应等离子体气体至所述等离子体区域以及供应所述前体气体；
控制RF发生器以点燃所述等离子体区域中的所述等离子体；以及
控制DC功率发生器以输出DC电压至所述离子萃取器。
20.一种用于产生载能中性粒子的方法，其包括：
在等离子体区域中远程地产生等离子体；
从所述等离子体萃取高能离子；
从所述高能离子萃取载能中性粒子；
将所述载能中性粒子供应至处理室中的衬底；以及
将前体气体供应至所述处理室。
21.如权利要求20所述的方法，其进一步包括将所述衬底加热至预定温度。
22.如权利要求20所述的方法，其进一步包括使用喷头萃取所述载能中性粒子以及供应所述前体气体。
23.如权利要求22所述的方法，其中所述喷头和所述衬底之间的距离被选定处于所述载能中性粒子的寿期内。
24.如权利要求22所述的方法，其进一步包括限定所述喷头中的第一充气室用于接收所述前体气体以及与所述第一充气室连通的第一多个孔，其中所述第一多个孔被布置在其面向衬底的表面上。
25.如权利要求24所述的方法，其中所述喷头进一步包括从所述喷头的面向离子萃取器的表面延伸到所述喷头的面向衬底的表面的第二多个孔。
26.如权利要求25所述的方法，其中所述喷头由陶瓷制成且进一步包括邻近所述喷头的所述面向离子萃取器的表面布置电极。
27.如权利要求21所述的方法，其中远程地产生所述等离子体进一步包括：
在所述等离子体区域中提供电极；
将等离子体气体供应至所述等离子体区域；以及
选择性地输出RF功率给所述电极以产生等离子体。
28.如权利要求27所述的方法，其进一步包括选择性地输出DC电压给所述电极以萃取所述载能中性粒子。
29.如权利要求28所述的方法，其中所述DC电压是恒定的正DC电压。
30.如权利要求28所述的方法，其中所述DC电压是脉冲式的正DC电压。
31.如权利要求21所述的方法，其进一步包括独立于所述载能中性粒子将所述前体气体输送至所述处理室。
32.如权利要求22所述的方法，其中所述喷头由金属制成。
33.如权利要求32所述的方法，其中所述喷头包括布置在其至少一个表面上的介电层。
34.如权利要求21所述的方法，其中所述载能中性粒子具有从1eV至100eV范围内的能量。
35.如权利要求21所述的方法，其中所述载能中性粒子具有从5eV至10eV范围内的能量。
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