CN105229803B - 包括有源纳米线和接触纳米线的电致发光器件及其制造方法 - Google Patents

包括有源纳米线和接触纳米线的电致发光器件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电致发光器件，其包括在衬底(100)的整个表面上的纳米线(Nti)的阵列，其特征在于，所述电致发光器件包括至少一个第一纳米线的第一系列和一个第二纳米线的第二系列；所述第一系列包括被称为有源纳米线(NTia)的第一纳米线，第一纳米线能够在电控制下发光，所述纳米线连接在第一类型的电接触部和第二类型的电接触部之间，以便使得所述器件能够在电控制下发光，所述第一纳米线由至少一个在所述电致发光器件的发光波长上透明的导电层(300)覆盖，所述层与所述第一类型的电接触部接触；所述第二系列包括被称为接触纳米线(NTic)的第二纳米线，第二纳米线被包封在金属层(700)内，所述金属层使得所述第一类型的电接触部能够形成；而第二类型的电接触部位于与包括所述纳米线侧相对的所述衬底的背侧，并且由至少面对纳米线的所述第一系列的导电层形成。本发明还涉及所述电致发光器件的制造方法。

Description

包括有源纳米线和接触纳米线的电致发光器件及其制造方法
技术领域
本发明的技术领域是包含纳米线的部件，所述纳米线通过在衬底上的局部生长而集体形成，该衬底可以由硅、GaN、蓝宝石或者其他材料组成。
更精确而言，本发明的技术领域涉及包含导光的或发光的纳米线(该纳米线可以用于例如产生光)的部件，尤其是发光二极管(其通常由缩写LED表示)。一般而言，纳米线大致具有可以为数百纳米的量级的横向尺寸(直径)和可以变化到上至十微米左右的竖直尺寸，而其高/直径比为从1到30，并且一般在10左右。
背景技术
在过去的几年间，已经例如制造了使用竖直InGaN/GaN纳米线的可见光发光二极管(LED)，其包含p-n结并且并联地共同连接。
由于其极具潜力的本征特性(良好的晶体质量、在自由竖直表面上的应力弛豫、良好的光提取效率等)，纳米线被认为是克服常规的以平面结构(2D)制造的GaN LED当前所遇到的困难的非常有力的候选方案。
基于不同的生长技术的两种纳米线LED方案已经得到提出并且为本领域技术人员所熟知。
第一方案包括，使用分子束外延(MBE)，在轴向配置下，外延生长包含InGaN量子阱的GaN纳米线。使用该纳米线制造的器件已经在绿色光谱范围产生了引人关注的结果。对于持续的100mA工作电流，1mm2的经加工的芯片可以在550nm下在10μW左右发光。
图1示出了这样的配置，其显示了在衬底11(其一般由硅组成，并与n型的下接触部10接触)的表面上的纳米线NTi，p型的上接触部由透明层12提供，并且该接触是通过厚的p型接触垫13实现的。具有轴向结构的纳米线NTi包括：n型掺杂区域，其一般由n型掺杂的GaN形成；有源区域ZA，其由InGaN组成或具有包含量子阱的结构；以及p型掺杂区域，其可以由p型掺杂的GaN形成。
在分子束生长(MBE)技术下，由于随机成核机制，会出现一些不均匀性，但是一般而言在以550nm发光的单一的线上已经获得了50nW的光功率，这对于大约一百个纳米线发光器/mm2的情况而言是5W/mm2。
最近，MOCVD(金属有机化学气相沉积)生长技术能够形成包含径向LED结构(核/壳配置)的InGaN/GaN纳米线。
图2示出了该类型的配置，其中，纳米线NTi形成在衬底11(其由成核层21覆盖)的表面上，另外还提供了下接触层10。局部外延通过掩模20实现。纳米线的结构是核/壳类型的。核30可以包括：n型掺杂的GaN材料，其一般具有1019cm-3的掺杂水平；具有交替的层的量子阱结构，所述交替的层可以分别是非掺杂GaN和InGaN；最后还有壳31，其可以由一般具有1019cm-3的掺杂水平的p型掺杂的GaN层组成。
介电层40提供了在下接触部与上接触部之间的绝缘。
上接触部通过上层50提供，上层50是导电的，并且在导光结构的发光波长是透明的。还包括有金属接触层60以提供镜面的功能。
在该方案中，因为该结构的LED使用了核/壳配置，有源区域的表面面积大于在包括平面结构的2D纳米线LED方案中的有源区域的表面面积。
然而，申请人从这样的观察开始：由于所有的气体粒子的消耗，外延工艺(例如MOCVD工艺)产生了边缘效应，该效应不利于获得均匀的部件；外延工艺还产生了在纳米线的生长区域中的不连续性，更确切而言，产生了生长表面面积分数在晶圆上的变化。
实际上，尤其是在LED的情况下，通过在生长图案上外延生长例如GaN而制造的纳米线可以通过标准微电子技术来限定。
这些图案在紧凑的、方形的、圆形的、六边形的、三角形等的区域(其限定了LED的有源表面)中以规则图案的形式设置在衬底上。这些区域具有由产品的最终使用者的需求而限定的尺寸，例如，100μm×100μm、350μm×350μm、1mm×1mm、3.5mm×3.5mm以及10mm×10mm。每个生长区域通过间隔部而与其相邻的生长区域分开，间隔部的尺寸被调整为至少允许LED的金属供电连接部穿过，并且允许切割衬底的划切或其他划切技术的划切。
这些在生长区域之间的间隔部(在其中不希望进行外延)导致出现了多种缺陷：
-在线的网络中，在高度和形态上的非均匀性，这与生长区域中的不连续性相关联；
-例如GaN的纳米晶的无序生长，这在技术步骤的最后对于电路是关键缺陷；
-InGaN的寄生沉积，其以导电材料覆盖了晶圆的表面。
图3显示了拍摄出纳米线的集合和出现在没有进行生长的区域中的缺陷阵列的视图，该照片是在扫描电子显微镜上拍摄的，其突出显示了寄生生长Crpa、生长残留物的沉积Rcr和/或围绕外围的具有不均匀尺寸的纳米线壁。
有益地，可以设想一种技术方案，其通过使得衬底的整个表面就纳米线的生长而言是均匀的，并且通过在更大的纳米线集合中选择纳米线的基本区域，而能够显著地消除缺陷，从而提供了具有均匀的纳米线的功能支持，同时对特定纳米线进行选择性消除，以便特别地对专用于欧姆接触的区域进行清理。然而，在要保留的纳米线的子组之间对纳米线的子组进行移除可能是困难的。
发明内容
因此，在这种背景下，本发明提供了一种LED，其包括在整个衬底上的纳米线，以及借助存在于之前形成的纳米线中的一些的顶部上的厚金属而形成的欧姆接触，并同时使被称作有源部分的纳米线的部分能够受到电控制。
更确切而言，本发明的一个主题是包括在衬底的整个表面上的一组纳米线的发光器件，其特征在于：
-其包括至少第一纳米线的第一系列和第二纳米线的第二系列；
-所述第一系列包括被称作有源的第一纳米线，第一纳米线能够在电控制下发光，所述第一系列在第一类型的电接触部和第二类型的电接触部之间连接，从而使得所述器件能够在电控制下发光，所述第一纳米线由至少一个在所述发光器件的发光波长上透明的导电层覆盖，所述层与所述第一类型的电接触部接触；
-所述第二系列包括被称作接触纳米线的第二纳米线，第二纳米线被包封在金属层内，所述金属层使得所述第一类型的电接触部能够形成；
-第二类型的电接触部位于所述衬底的背面，所述背面对着包括所述纳米线的面，并且设置了至少面对纳米线的所述第一系列的导电层。
根据本发明的一个变化形式，所述第二纳米线位于所述第一纳米线的外围周围。
根据本发明的一个变化形式，所述第二纳米线由在所述发光器件的发光波长上透明的所述导电层覆盖。
根据本发明的一个变化形式，所述发光器件包括第三纳米线的第三系列，所述第三纳米线的第三系列被称作电中性的，且不具有在所述发光器件的发光波长上透明的导电层，所述第三纳米线能够位于所述第一有源纳米线和所述第二纳米线的外围周围，限定了被称作有源的所述器件的区域。
根据本发明的一个变化形式，限定在所述第二纳米线的顶部的金属层的厚度在至少数十纳米的量级。
根据本发明的一个变化形式，所述发光器件包括导电层，所述导电层在所述发光器件的发光波长是透明的，所述导电层可以由氧化铟锡(ITO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)或氟掺杂的氧化锡(FTO)组成。
根据本发明的一个变化形式，包封所述第二纳米线的金属层由铜、镍或银组成。
根据本发明的一个变化形式，该发光器件包括金属接触接线部，所述金属接触接线部在所述金属层的表面上，该接线部可以是金的或者是银和锡的合金的。
根据本发明的一个变化形式，所述第二纳米线由用于金属的连续或不连续的粘接层覆盖，该层可以是铜或铝的。
根据本发明的一个变化形式，所述发光器件包括绝缘体的不连续层，所述不连续层包封所述纳米线的底部，并且位于所述衬底在所述纳米线之间的表面上。
根据本发明的一个变化形式，所述发光器件包括镜面层，所述镜面层位于两个相邻的纳米线之间，该层可以是Al、Ag或Ru的。
本发明的另一主题是发光器件的制造方法，所述发光器件包括：
-在衬底的整个表面上的纳米线的集合；
-至少第一纳米线的第一系列和第二纳米线的第二系列；
-所述第一系列包括被称作有源的第一纳米线，第一纳米线能够在电控制下发光，所述第一系列在第一类型的电接触部和第二类型的电接触部之间连接，以便使得所述器件能够在电控制下发光，所述第一纳米线由至少一个在所述发光器件的发光波长上透明的导电层覆盖，所述层与所述第一类型的电接触部接触；
-所述第二系列包括被称作接触纳米线的第二纳米线，第二纳米线被包封在金属层内，所述金属层使得所述第一类型的电接触部能够形成；
-第二类型的电接触部，其位于所述衬底的背面，所述背面对着包括所述纳米线的面，并且设置了至少面对纳米线的所述第一系列的导电层；
所述方法的特征在于，其包括以下步骤：
-在衬底的整个表面上生长纳米线；
-在所述纳米线中的至少部分的表面上沉积导电层，所述导电层在发光器件的工作波长是透明的；
-通过金属层局部包封构成所述第二纳米线的纳米线的子集，使得所述第一类型的电接触部能够形成，所述第二纳米线被称为接触纳米线；
-通过至少面对纳米线的所述第一系列的导电层，在衬底的背面上形成第二类型的接触部。
根据本发明的一个变化形式，所述方法包括：
-在第一纳米线的至少两个第一子组的表面上形成厚的光刻胶图案，留下第二纳米线的至少第二子组不被所述光刻胶覆盖；
-在所述第二纳米线的表面上沉积金属层，以便提供第一类型的电接触部；
-从所述第一纳米线移除所述光刻胶图案。
根据本发明的一个变化形式，所述方法包括，利用掩模通过丝网印刷在所述第二纳米线的表面上沉积金属层，以便提供第一类型的电接触部，该金属层可以是金属油墨。
根据本发明的一个变化形式，所述方法包括在所述金属层的表面上形成导电接线部的步骤。
根据本发明的一个变化形式，所述方法包括，利用分液器在所述第二纳米线的表面上局部沉积金属层，以便提供第一类型的电接触部。
根据本发明的一个变化形式，所述方法包括，通过喷墨在所述第二纳米线的表面上局部沉积金属层，以便提供第一类型的电接触部。
根据本发明的一个变化形式，所述方法包括从位于所述第一纳米线和第二纳米线的外围周围的纳米线移除导电层的步骤，从而限定第三纳米线的第三系列，所述导电层在所述发光器件的发光波长是透明的。
根据本发明的一个变化形式，金属层的沉积和/或导电接线部的形成是通过电镀操作进行的。
根据本发明的一个变化形式，所述方法包括在两个相邻的纳米线之间沉积镜面层，所述沉积在所述透明的导电层的沉积之前或之后进行。
当通过电镀形成金属层时：
-根据本发明的一个变化形式，所述方法包括沉积至少一个粘接层，所述粘接层被设计为用于所述金属的粘接，其中所述沉积可以以下述方式实施：
o以连续的方式在全部的所述纳米线上以及在两个相邻的纳米线之间的所述衬底上沉积，或者；
o以不连续的方式在所述纳米线的端部以及在两个相邻的纳米线之间的所述衬底上沉积，或者；
o在两个相邻的纳米线之间的所述衬底上沉积。
-根据本发明的一个变化形式，所述方法包括含铜或铝的层的沉积，所述含铜或铝的层可以有益地沉积在预先沉积的含钛薄层上；
-根据本发明的一个变化形式，所述方法包括将所述粘接层从所述第三纳米线或从所述第三纳米线和所述第一纳米线移除的操作。
附图说明
通过阅读随后由非限制性示例的方式呈现的描述并且根据所附附图，将更好地理解本发明，并且本发明的其他优点将变得明显，在附图中：
-图1示出了根据现有技术的包括纳米线的LED的第一示例；
-图2示出了根据现有技术的包括纳米线的LED的第二示例；
-图3显示了现有技术的配置的纳米线的集合的照片，所述纳米线的集合通过没有进行生长的区域分开，在所述没有进行生长的区域中存在缺陷；
-图4a至图4i示出了本发明的发光器件的制造方法的一个示例的各个步骤；
-图5示出了在位于第一纳米线NTia与第三纳米线NTin之间的纳米线NTic的集合的表面上的厚接触层的配置的一个示例。
-图6示出了安装到壳体上的根据本发明的器件的一个示例的整体视图。
-图7a至图7d示出了本发明的发光器件的制造方法的第二示例的各个步骤；
-图8a和图8b示出了本发明的发光器件的制造方法的第三示例的步骤。
具体实施方式
概括而言，本发明的发光器件包括衬底，所述衬底在其整个表面上覆盖有纳米线，从而不留下在纳米线的形成期间可能生长缺陷的开口区域。因而，根据本发明，即使是专用于使得纳米线能够受到控制的接触部的区域也使用了特定纳米线的上表面。
借助能够获得本发明的器件的制造方法的步骤，下文将更加详细地描述本发明。各个步骤通过图4a至图4i示出。
步骤1，示出于图4a：
从衬底100开始，纳米线NTi的生长在该衬底的整体上进行，有益地，衬底可以由硅制备。
步骤2，示出于图4b：
之后利用电介质进行层200的沉积，使得纳米线部分地受到包封，所述电介质一般可以是SiO2、Al2O3、HfO2或SixNy，其中x和y是摩尔分数。
步骤3，示出于图4c：
进行导电层300的沉积，所述导电层在发光器件的工作波长是透明的。一般而言，该层可以沉积到镍、钯或铂的几纳米(5nm)厚的第一层上。透明导电层可以是厚度在十至一百纳米的量级的ITO。透明导电层可以等效地是FTO、AZO或GZO。
为了将光束向芯片的顶部进行重定向，有益地，还可以进行镜面结构400的沉积，其中，该镜面结构可以在透明导电层的沉积之前或之后进行沉积。该镜面结构可以是Ti/Al式、Ti/Ag式或Ti/Ru式的双层结构。图4c示出了各个替选方式。
步骤4，示出于图4d：
进行用于厚金属的粘接层结构500的沉积，粘接层结构500被设计为使得能够制作接触部。该结构可以例如包括钛的厚度在100nm的量级的第一层以及铜的400nm的量级的层，并且该结构可以通过PVD工艺获得。该双层结构可以在全部纳米线以及纳米线之间的空隙上形成，或者以不连续的方式形成。图4d示出了这些不同的可能形式，这些可能形式可以通过调整双层的厚度或通过刻蚀而获得。
该双层结构也可以通过下述沉积形成：使用PVD、CVD、蒸发工艺或溅射工艺，TiN或Ti的第一层在Cu或Al的第二层之下。
步骤5，示出于图4e：
进行光刻胶图案600的光刻，对光刻胶图案进行的光刻使得随后上接触部能够得以定位，并从而使发光器件的有源区域得以限定，并且同时使上接触部和有源区域的尺寸能够如下所述独立地定制。
步骤6，示出于图4f：
在光刻胶图案之间进行厚金属层的沉积，该厚金属层一般可以在所述纳米线顶部具有十纳米左右的厚度，并且可以达到数微米，这使得能够分别出两个纳米线的系列：
-第一纳米线的第一系列，其在光刻胶图案之下，所述光刻胶被设计为将受到移除，从而留下所述第一纳米线；
-第二纳米线的第二系列，其在厚金属图案之下。
厚金属层一般可以由铜或镍组成，并且可以通过电镀工艺形成。
之后可以在该厚的金属层上形成接合接线部800，接合接线部被设计为能够与其他(例如SnAg类型的)功能化的支持物连接，这得到了多层Cu/Ni/SnAg，随后在260℃下进行退火操作。这些接合接线部也可以由Au制备。
步骤7，示出于图4g：
之后进行光刻胶图案的移除，从而留下被设计为是有源的第一纳米线。
步骤8，示出于图4h：
之后，对于在透明导电层300或镜面结构400上的使用粘接结构500的情况，可以对该结构进行选择性化学刻蚀。
应当注意，对于由Ti/Al组成粘接层，可以保留该层以用作镜面层。
一般而言，可以对这样的成对结构进行该类型的选择性刻蚀：相对于ITO选择性刻蚀Ti/Cu，或相对于镜面结构Ti/Al选择性刻蚀Ti/Cu，通过使用例如下述溶液：
-对于铜，H2O2/H2SO4溶液；
-对于钛，HF 0.25％溶液。
粘接结构的消除也可以通过干法刻蚀操作来进行。
步骤8，示出于图4i：
最后，有益地，可以在第一纳米线和第二纳米线的整个集合的外围周围进行透明导电层300的移除，以便限定器件的有源部分，使纳米线中性化(neutralisant)从而被限定为中性的(neutres)，而不必进行消除这些所述纳米线的操作。
由此获得了根据本发明的器件的一个示例，该器件包括：
-第一纳米线的第一系列，其是暴露的并且被称为有源的NTia；
-第二纳米线的第二系列，其在厚金属图案之下，被称为接触纳米线NTic。
-第三中性纳米线NTin的第三系列，其不具有透明导电层，并且接合在衬底上的发光器件部分，这使得能够在所述衬底的整个表面上进行纳米线生长的全局操作。
作为上述方法的变化形式，还可以设想的是，在形成光刻胶图案的步骤之前，在方法开始时，通过在外围周围进行纳米线上的导电层300的移除，而形成中性纳米线NTin。
对于在导电层300的顶部上使用粘接层400的情况，则实施在外围周围的两个层的移除，以便限定将成为中性纳米线的纳米线。
对于层300在层400的顶部或下面的两种情况，这两个层都需要在中性纳米线的区域移除。
图5示出了纳米线NTic的集合的表面上的厚接触层700的一个示例性配置的顶视图，所述纳米线NTic位于第一纳米线NTia与第三纳米线NTin之间。
一般而言，用于控制发光器件的第二类型的接触部位于背面。其一般可以是沉积在衬底(有益地，该衬底可以由硅组成)的背面的金属层。
图6示意性地显示了根据本发明的器件的一个示例安装到壳体上，以及与两种类型的接触部的电连接：p型接触部和n型接触部。p型接触部通过NTic以及接触接线部800和800'而设置。壳体B0覆盖有金属层M1(其可以是铜的)以及薄金属层M2(其一般可以是金的薄层)，所述壳体从而通过可以是C0接合层的中间层而经由衬底(该衬底包括金属层M3，该金属层一般可以基于Ti/Au)稳固地在背面附接到发光器件，并且提供n型接触。
应当注意，接合接线部可以具有较小的横向尺寸，并且可以不占据厚金属700的图案的整个上表面，例如图6所实际显示的接合接线部800。
本发明的发光器件的制造方法的第二示例
有益地，能够使用丝网印刷工艺通过金属沉积而形成接触部。图7a至图7d示出了该类型的工艺的主要步骤，尽管纳米线NTia可以有益地包括在两个纳米线NTic的子组之间，但图中仅显示了接触纳米线NTic的单一的子组的形成。
第一步骤可以与图4a和图4c所描述的步骤相同。
从如图7a所示的包括纳米线NTi，由透明导电层300覆盖并且局部地由镜面层400覆盖的衬底100开始，包括开口的掩模M放置为面对被设计为形成接触纳米线的纳米线，如图7b所示。
通过所述掩模M，进行金属油墨E(其一般可以是银的)的沉积，如图7c所示。接下来，通过刮拭器R使因而形成的金属接触部的厚度变得均匀，如图7d所示，从而限定了接触纳米线NTic，其由厚的金属层覆盖，邻接于有源纳米线NTia。
以与图4i所示的方式类似但是在本示例中未显示的方式，有益地，可以在第一纳米线和第二纳米线的整个集合的外围周围，进行透明导电层300和镜面层400的移除，如此以便限定器件的有源部分，使纳米线中性化并因而使之被限定为中性的，而不必进行消除这些所述纳米线的操作。
根据该方法，可以直接形成第一接触厚层与另外的金属化支持物的电连接(接合)。
本发明的发光器件的制造方法的第三示例
进一步有益地，可以使用分液器通过金属的局部沉积而形成接触部。图8a和图8b示出了本发明的发光器件的制造方法的该第三示例，尽管纳米线NTia可以有益地包括在两个纳米线NTic的子组之间，但图中仅显示了接触纳米线NTic的单一的子组的形成。
第一步骤可以与图4a和图4c所描述的步骤相同。
从包括纳米线NTi，由透明导电层300覆盖并且局部地由镜面层400覆盖的衬底100开始，通过分液器D进行金属滴G的局部沉积，如图8a所示。分液器D可以一般地是注射器。该金属沉积从而在与有源纳米线NTia邻接的接触纳米线NTic上形成了接触部，如图8b所示。以与图4i所示的方式类似但是在本示例中未显示的方式，有益地，可以在第一纳米线和第二纳米线的整个集合的外围周围进行透明导电层300和镜面层400的移除，如此以便限定器件的有源部分，使纳米线中性化从而使之被限定为中性的，而不必进行消除这些所述纳米线的操作。
根据该方法，可以直接形成第一接触厚层与另外的金属化支持物的电连接(接合)。
本发明的发光器件的制造方法的第四示例
仍然有益地，可以使用喷墨工艺通过金属的局部沉积而形成接触部。
从而，根据本发明，通过对厚金属的区域进行定位，LED的尺寸成为可定制的，并且有益地，这可以在工艺步骤之中相当靠后地进行。
除了不使特定的纳米线变差外，通过移除操作，可以得到工艺步骤的数量上的改善(尤其是对全部在纳米线的消除中所需要的步骤)。
同样有益地，还可以将中间上接触部定位在大基体(matrices)的中心，则同时可受益于能够在形成厚的金属接触层后电镀接合接线部。
最后，应当注意，本发明的原理使得器件能够在特别有益的成本下制造。

Claims (15)

1.一种发光器件，其包括在衬底(100)的整个表面上的纳米线(NTi)的集合，所述发光器件的特征在于：
-其包括至少第一纳米线的第一系列和第二纳米线的第二系列；
-所述第一系列包括被称作有源的(NTia)第一纳米线，第一纳米线能够在电控制下发光，所述第一系列在第一类型的电接触部和第二类型的电接触部之间连接从而使所述器件能够在电控制下发光，所述第一纳米线由至少一个在所述发光器件的发光波长上透明的导电层(300)覆盖，所述导电层与所述第一类型的电接触部接触；
-所述第二系列包括被称作接触纳米线(NTic)的第二纳米线，第二纳米线被包封在金属层(700)内，所述金属层使得所述第一类型的电接触部能够形成，所述金属层(700)不包封第一纳米线；
-第二类型的电接触部，其位于所述衬底的背面，所述背面对着包括所述纳米线的面，并且设置了至少面对纳米线的所述第一系列的导电层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二纳米线位于所述第一纳米线的外围周围。
3.根据权利要求1和2中的任一项所述的发光器件，其特征在于，所述第二纳米线由在所述发光器件的发光波长上透明的所述导电层(300)覆盖。
4.根据权利要求1和2中的任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件包括第三纳米线(NTin)的第三系列，所述第三纳米线的第三系列是电中性的，且不具有在所述发光器件的发光波长上透明的导电层，所述第三纳米线能够位于所述第一纳米线和所述第二纳米线的外围周围，限定了被称为有源的所述器件的区域。
5.根据权利要求1和2中的任一项所述的发光器件，其特征在于，限定在所述第二纳米线的顶部的金属层的厚度在至少数十纳米的量级，并且在于，包封所述第二纳米线的金属层由铜、镍或银组成。
6.根据权利要求1和2中的任一项所述的发光器件，其特征在于，其包括镜面层(400)，所述镜面层位于两个相邻的纳米线之间，该镜面层是Al、Ag或Ru的。
7.根据权利要求1和2中的任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件包括金属接触接线部(800)，所述金属接触接线部在所述金属层(700)的表面上，该接线部是金的或者是银和锡的合金的。
8.根据权利要求1和2中的任一项所述的发光器件，其特征在于，所述第二纳米线由用于金属的连续或不连续的粘接层(500)覆盖，该粘接层是铜或铝的。
9.一种发光器件的制造方法，所述发光器件包括：
-在衬底的整个表面上的纳米线(NTi)的集合；
-至少第一纳米线的第一系列和第二纳米线的第二系列；
-所述第一系列包括被称作有源的(NTia)第一纳米线，第一纳米线能够在电控制下发光，所述第一系列在第一类型的电接触部和第二类型的电接触部之间连接以便使得所述器件能够在电控制下发光，所述第一纳米线由至少一个在所述发光器件的发光波长上透明的导电层(300)覆盖，所述导电层与所述第一类型的电接触部接触；
-所述第二系列包括被称作接触纳米线(NTic)的第二纳米线，第二纳米线被包封在金属层(700)内，所述金属层使得所述第一类型的电接触部能够形成，所述金属层(700)不包封第一纳米线；
-第二类型的电接触部，其位于所述衬底的背面，所述背面对着包括所述纳米线的面，并且设置了面对至少纳米线的所述第一系列的导电层；
所述方法的特征在于，其包括以下步骤：
-在衬底(100)的整个表面上生长纳米线(NTi)；
-在所述纳米线中的至少部分的表面上沉积导电层(300)，所述导电层在发光器件的工作波长是透明的；
-通过金属层(700)局部包封构成被称作接触纳米线的所述第二纳米线的纳米线的子集，使得所述第一类型的电接触部能够形成；
-通过导电层，在衬底的背面上形成第二类型的接触部。
10.根据权利要求9所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
-在第一纳米线(NTia)的至少两个第一子组的表面上形成厚的光刻胶图案(600)，留下第二纳米线(NTic)的至少第二子组不被所述光刻胶覆盖；
-在所述第二纳米线(NTic)的表面上沉积金属层，以便提供第一类型的电接触部；
-从所述第一纳米线(NTia)移除所述光刻胶图案。
11.根据权利要求9至10中的任一项所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括从位于所述第一纳米线和第二纳米线的外围周围的纳米线移除在所述发光器件的发光波长上透明的导电层(300)的步骤，从而限定第三纳米线(NTin)的第三系列。
12.根据权利要求10所述的发光器件的制造方法，其特征在于，金属层的沉积和/或导电接线部的形成是通过电镀操作进行的。
13.根据权利要求11所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括沉积至少一个粘接层(500)，所述粘接层设计用于所述金属的粘接，所述沉积能够以下述方式实施：
-以连续的方式在所述纳米线的整个集合上以及在两个相邻的纳米线之间的所述衬底上沉积，或者；
-以不连续的方式在所述纳米线的端部以及在两个相邻的纳米线之间的所述衬底上沉积，或者；
-在两个相邻的纳米线之间的所述衬底上沉积。
14.根据权利要求13所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括将所述粘接层从所述第三纳米线或从所述第三纳米线和所述第一纳米线移除的操作。
15.根据权利要求9和10中的任一项所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括在两个相邻的纳米线之间沉积镜面层(400)，所述沉积在所述透明的导电层(300)的沉积之前或之后进行。
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