CN111710763A - 半导体发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一导电型半导体层；有源层，其覆盖第一导电型半导体层的一部分；以及第二导电型半导体层，其覆盖有源层的一部分，第二导电型半导体层的侧壁沿水平方向与有源层的侧壁间隔开。

Description

半导体发光器件及其制造方法
相关申请的交叉引用
于2019年3月18日在韩国知识产权局提交的标题为“半导体发光器件及其制造方法”的韩国专利申请No.10-2019-0030722以引用方式全部并入本文中。
技术领域
示例实施例涉及一种半导体发光器件及其制造方法。
背景技术
半导体发光器件具有长寿命长、低功耗、快响应速度、环境友好性等，并且已经被认为是各种产品(例如，照明装置、显示装置等)中的重要光源。一般的显示装置包括：显示面板，其包括液晶显示器(LCD)；以及背光，其包括半导体发光器件。近来，显示装置已经被设计为使用半导体发光器件作为像素，而不需要背光。
发明内容
根据示例实施例，一种半导体发光器件包括：第一导电型半导体层；有源层，其覆盖第一导电型半导体层的一部分；以及第二导电型半导体层，其覆盖有源层的一部分。第二导电型半导体层的侧壁沿水平方向与有源层的侧壁间隔开。
根据示例实施例，一种半导体发光器件包括：第一导电型半导体层；有源层，其位于第一导电型半导体层上；以及第二导电型半导体层，其位于有源层上。第二导电型半导体层的下表面的表面积小于有源层的上表面的表面积。
根据示例实施例，一种制造半导体发光器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一导电型半导体层；在第一导电型半导体层上形成有源层；在有源层的一部分上形成第二导电型半导体层；去除不与第二导电型半导体层叠置的有源层的一部分和第一导电型半导体层的一部分；以及去除第一导电型半导体层的一部分，以使衬底暴露。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对本领域技术人员而言将变得显而易见，在附图中：
图1示出了根据示例实施例的半导体发光器件的平面图；
图2和图3示出了根据示例实施例的沿图1中的线I-I'和线II-II'截取的截面图；
图4至图11示出了根据示例实施例的制造半导体发光器件的方法中的各阶段的截面图；
图12示出了根据示例实施例的半导体发光器件的平面图；
图13示出了沿图12中的线III-III'截取的截面图；
图14示出了根据示例实施例的半导体发光器件的截面图；
图15至图22示出了根据示例实施例的半导体发光器件的截面图。
具体实施方式
图1示出了根据示例实施例的半导体发光器件的平面图。图2和图3是根据示例实施例的沿图1中的线I-I'和线II-II'截取的截面图。
参照图1至图3，示例实施例中的半导体发光器件10可以包括位于衬底101上的发光结构LS。发光结构LS可以包括第一导电型半导体层113、有源层115、盖层116和第二导电型半导体层117。第一电极133和第二电极137可以分别位于第一导电型半导体层113和第二导电型半导体层117上。半导体发光器件10的尺寸可以为几μm至几百μm。
衬底101可以是绝缘衬底(例如，蓝宝石)。在实施方式中，衬底101也可以是导电衬底或半导体衬底。例如，衬底101可以是SiC、Si、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2、GaN等中的一种。衬底101可以包括多个锯齿状结构，所述多个锯齿状结构可以提高半导体发光器件10的发光效率。
缓冲层105可以位于衬底101与第一导电型半导体层113之间。缓冲层105可以为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)。例如，缓冲层105可以由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、它们的合金等形成。缓冲层105可以具有其中结合多个不同的层的结构或者其中组分逐渐改变的结构。缓冲层105可以减小衬底101与第一导电型半导体层113之间的晶格常数的差，从而可以减少第一导电型半导体层113的晶格缺陷。
第一导电型半导体层113可以具有满足InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1，0≤y<1，0≤x+y<1)的氮化物半导体层。第一导电型半导体层113可以包括n型杂质(掺杂剂)。例如，第一导电型半导体层113可以包括n型GaN。作为示例，第一导电型半导体层113可以被实施为单层结构，但是也可以具有多层结构，所述多层结构包括具有不同的组分的层。
有源层115可以具有其中量子阱层和量子势垒层交替地层叠的多量子阱(MQW)结构。例如，量子阱层和量子势垒层可以为InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1，0≤y<1，0≤x+y<1)，并且其组分可以彼此不同。例如，量子阱层可以为InxGa1-xN(0<x≤1)，量子势垒层可以为GaN或AlGaN。量子阱层和量子势垒层的厚度可以在1nm至50nm的范围内。在一种实施方式中，有源层115可以是单量子阱结构。
第二导电型半导体层117与有源层115之间的盖层116可以是单层，或者可以是其中层叠了具有不同组分的多个层的多层结构。盖层116可以包括满足InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的氮化物半导体。盖层116的能带隙可以大于有源层115的能带隙。盖层116的一部分(与第二导电型半导体层117相邻的区域)可以包括从第二导电型半导体层117扩散的第二导电型杂质(掺杂剂)。
第二导电型半导体层117可以是满足InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1，0≤y<1，0≤x+y<1)的氮化物半导体层。第二导电型半导体层117可以包括p型杂质(掺杂剂)。例如，第二导电型半导体层117可以包括p型GaN。作为示例，第二导电型半导体层117可以被实施为单层结构，或者可以具有多层结构，所述多层结构包括具有不同的组分的层。
在实施方式中，第一导电型半导体层113可以是满足p型InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1，0≤y<1，0≤x+y<1)的氮化物半导体层，第二导电型半导体层117可以是满足n型InxAlyGa1-x- yN(0≤x<1，0≤y<1，0≤x+y<1)的氮化物半导体层。
有源层115可以形成在第一导电型半导体层113的一部分上，例如，有源层115的侧壁可以与第一导电型半导体层113的上表面的侧壁共面，同时，第一导电型半导体层113的下表面可以沿与衬底101的上表面平行的水平方向(例如，第一方向(例如，X方向)和第二方向(例如，Y方向))延伸超出有源层115。盖层116可以覆盖有源层115的整个上表面，盖层116的侧壁可以与有源层115的侧壁共面。
第二导电型半导体层117可以形成在盖层116的一部分上。第二导电型半导体层117的侧壁可以不与盖层116和有源层115的侧壁共面。具体地，第二导电型半导体层117的侧壁可以沿与衬底101的上表面平行的水平方向(例如，第一方向(例如，X方向)和第二方向(例如，Y方向))与有源层115的侧壁和盖层116的侧壁间隔开。第二导电型半导体层117在第一方向(例如，X方向)和第二方向(例如，Y方向)上的宽度可以小于盖层116的宽度和有源层115的宽度。例如，第二导电型半导体层117的下表面在第一方向(例如，X方向)和第二方向(例如，Y方向)上的宽度可以小于盖层116的上表面的宽度和有源层115的上表面的宽度。第二导电型半导体层117的表面积可以小于盖层116的表面积和有源层115的表面积。例如，第二导电型半导体层117的下表面的表面积可以小于盖层116的上表面的表面积和有源层115的上表面的表面积。
如上所述，通过将第二导电型半导体层117的侧壁与有源层115的侧壁间隔开(这可以是非辐射复合的原因)，并且通过将第二导电型半导体层117的面积构造为小于有源层115的面积，即使当半导体发光器件10在低电压下操作时，也可以增大电流密度，并且可以提高发光效率。
第一电极133可以位于(例如，直接位于)第一导电型半导体层113上。例如，第一电极133可以沿与衬底101的上表面平行的水平方向(例如，第一方向(例如，X方向))与有源层115间隔开。第二电极137位于第二导电型半导体层117上。第一电极133和第二电极137可以包括例如银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钯(Pd)、铜(Cu)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、金(Au)、铑(Rh)、铱(Ir)、钌(Ru)、镁(Mg)、锌(Zn)等的材料，并且可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的结构。
为了有效地分配电流，接触层135可以位于第二导电型半导体层117与第二电极137之间。接触层135可以包括透明导电氧化物。透明导电氧化物可以为从氧化铟锡(ITO)、掺杂锌的氧化铟锡(ZITO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GIO)、氧化锌锡(ZTO)、掺杂氟的氧化锡(FTO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、掺杂镓的氧化锌(GZO)、In4Sn3O12、氧化锌镁(Zn(1-x)MgxO，0≤x≤1)等中选择的至少一种。
图4至图11示出了根据示例实施例的制造半导体发光器件10的方法中的各阶段的截面图。
参照图4，可以使用外延生长工艺在衬底101上按照次序形成缓冲层105、第一导电型半导体层113、有源层115和盖层116。
参照图5，可以在盖层116上形成包括开口OP的掩模层120，所述开口OP限定了其中将形成第二导电型半导体层117(见图6)的区域。盖层116可以通过开口OP暴露出来。掩模层120可以包括非晶材料。例如，掩模层120可以包括SiNx、SiO2、TiNx、ScNx等。可以在形成盖层116之后原位形成掩模层120而没有暴露在外部。可以通过可显著减少对盖层116的等离子体损坏的工艺来形成掩模层120和开口OP。可以通过原子层沉积工艺来形成掩模层120。可以通过湿法蚀刻工艺来形成掩模层120的开口OP。开口OP可以沿与衬底101的上表面平行的水平方向(例如，第一方向(例如，X方向)和第二方向(例如，Y方向))彼此间隔开。
在示例实施例中，当不形成盖层116时，可以在有源层115上形成掩模层120，其包括暴露出有源层115的开口OP。
参照图6，可以通过选择性外延生长工艺从经掩模层120的开口OP暴露的盖层116生长第二导电型半导体层117。第二导电型半导体层117可以在与衬底101的上表面平行的水平方向上彼此间隔开。通过上述工艺，可以形成包括第一导电型半导体层113、有源层115、盖层116和第二导电型半导体层117的发光结构LS。
参照图7，在去除掩模层120之后，可以例如使用干法蚀刻工艺来去除盖层116的一部分和有源层115的一部分，以使发光结构LS的第一导电型半导体层113的一部分暴露出来。具体地，可以去除沿第三方向(例如，Z方向)不与第二导电型半导体层117叠置的盖层116的一部分和有源层115的一部分，同时可以将不与第二导电型半导体层117叠置的一些盖层116和有源层115(例如最靠近第二导电型半导体层117的那些部分)保留。在该工艺中，还可以去除第一导电型半导体层113沿竖直方向(即，第三方向(例如，Z方向))的一部分，同时在衬底101上留下一定深度或厚度的第一导电型半导体层113。可以通过该去除工艺形成多个台面结构。
参照图8，可以形成将发光结构LS隔离作为单独的芯片单元的隔离区I。可以使用刮刀、干法蚀刻工艺等来形成隔离区I。可以使用其中在不切割衬底101的情况下切割第一导电型半导体层113和缓冲层105的任何工艺(例如，使衬底101的上表面暴露)。具体地，可以去除沿第三方向(例如，Z方向)不与第二导电型半导体层117叠置的缓冲层105的一部分和第一导电型半导体层113的一部分，同时可以保留不与第二导电型半导体层117叠置的一些缓冲层105和第一导电型半导体层113。通过上述工艺，隔离为单独的芯片单元的发光结构LS可以位于衬底101上。
参照图9，绝缘层121可以覆盖衬底101和被隔离为单独的芯片单元的发光结构LS。绝缘层121可以包括绝缘材料，例如，SiO2、SiOxNy、SixNy等。
参照图10，可以去除绝缘层121的一部分，以使第一导电型半导体层113和第二导电型半导体层117暴露出来。第一电极133可以形成在第一导电型半导体层113上，并且接触层135和第二电极137可以形成在第二导电型半导体层117上。
参照图11，可以执行将发光结构LS和衬底101切割为单独的芯片的工艺。可以使用刮刀、干法蚀刻工艺等来执行切割工艺。
图12是示出根据示例实施例的半导体发光器件20的示意性平面图。图13是沿图12中的线III-III'截取的截面图。
参照图12和图13，示例实施例中的半导体发光器件20可以包括位于衬底201上的发光结构LS。发光结构LS可以包括第一导电型半导体层213、有源层215、盖层216和第二导电型半导体层217。第一电极233和第二电极237可以分别位于第一导电型半导体层213和第二导电型半导体层217上。为了有效地分配电流，第一电极233和第二电极237可以各自包括焊盘部分和从焊盘部分延伸的至少一个指状部分。另外，为了有效地分配电流，还可以将接触层235设置在第二导电型半导体层217与第二电极237之间。半导体发光器件20的尺寸可以为几微米至几百微米。
半导体发光器件20可以包括通过蚀刻盖层216的一部分和有源层215的一部分以使第一导电型半导体层213暴露出来而形成的台面结构。第二导电型半导体层217可以设置在台面结构的盖层216的一部分中。第一导电型半导体层213的一部分可以在台面结构的外围区中暴露出来。在图12中，通过用于形成台面结构的蚀刻工艺暴露出来的第一导电型半导体层213可以设置在半导体发光器件20的中心部分和最外边缘中。第一导电型半导体层213的从半导体发光器件20的中心部分暴露出来的上表面可以被设置为在其中可设置第一电极233的区域。
第一导电型半导体层213、有源层215、盖层216和第二导电型半导体层217可以各自由与第一导电型半导体层113、有源层115、盖层116和第二导电型半导体层117的材料相同的材料形成。
有源层215可以位于第一导电型半导体层213的一部分上。
第二导电型半导体层217可以位于盖层216的一部分上。盖层216可以覆盖有源层215的整个上表面，盖层216的侧壁可以与有源层215的侧壁共面。因此，第二导电型半导体层217可以位于有源层215的一部分上。第二导电型半导体层217的侧壁可以与有源层215的侧壁和盖层216的侧壁间隔开。第二导电型半导体层217在第一方向(例如，X方向)和第二方向(例如，Y方向)上的宽度可以小于盖层216的宽度和有源层215的宽度。例如，第二导电型半导体层217的下表面在第一方向(例如，X方向)和第二方向(例如，Y方向)上的宽度可以小于盖层216的上表面的宽度和有源层215的上表面的宽度。第二导电型半导体层217的表面积可以小于盖层216的表面积和有源层215的表面积。例如，第二导电型半导体层217的下表面的表面积可以小于盖层216的上表面的表面积和有源层215的上表面的表面积。
如上所述，通过将第二导电型半导体层217的侧壁与有源层215的侧壁间隔开(这可以是非辐射复合的原因)，并且通过将第二导电型半导体层217的面积构造为小于有源层215的面积，即使半导体发光器件20在低电压下操作，也可以增大电流密度，并且也可以提高发光效率。
图14是示出了根据示例实施例的半导体发光器件的示意性截面图。参照图14，示例实施例中的半导体发光器件30可以包括其中第一导电型半导体层313、有源层315、盖层316和第二导电型半导体层317按照次序设置的发光结构LS。另外，半导体发光器件30还可以包括连接到第一导电型半导体层313的第一电极结构337和连接到第二导电型半导体层317的第二电极结构338。半导体发光器件30的尺寸可以为几μm至几百μm。
第一导电型半导体层313、有源层315、盖层316和第二导电型半导体层317可以各自由与图1至图3中示出的第一导电型半导体层113、有源层115、盖层116和第二导电型半导体层117的材料相同的材料来形成。
有源层315可以覆盖第一导电型半导体层313的一部分。
第二导电型半导体层317可以覆盖盖层316的一部分。盖层316可以覆盖有源层315的整个上表面，盖层316的侧壁可以与有源层315的侧壁共面。因此，第二导电型半导体层317可以覆盖有源层315的一部分。第二导电型半导体层317的侧壁可以与有源层315的侧壁和盖层316的侧壁间隔开。第二导电型半导体层317在第一方向(例如，X方向)和第二方向(例如，Y方向)上的宽度可以小于盖层316的宽度和有源层315的宽度。第二导电型半导体层317的面积可以小于盖层316的面积和有源层315的面积。
如上所述，通过将第二导电型半导体层317的侧壁与有源层315的侧壁间隔开(这可以是非辐射复合的原因)，并且通过将第二导电型半导体层317的面积构造为小于有源层315的面积，即使半导体发光器件30在低电压下操作，也可以增大电流密度，并且也可以提高发光效率。
第一电极结构337可以穿过第二导电型半导体层317、盖层316和有源层315连接到第一导电型半导体层313。第一电极结构337可以包括：第一接触电极331，其与第一导电型半导体层313接触(例如，直接接触)；以及第一焊盘电极335，其连接到第一接触电极331。多个第一接触电极331可以被设置为减小与第一导电型半导体层313的接触电阻，并且分配半导体发光器件30的电流。第一接触电极331的数量可以不局限于图14中示出的示例。第二电极结构338可以包括：第二接触电极333，其与第二导电型半导体层317接触(例如，直接接触)；以及第二焊盘电极336，其连接到第二接触电极333。
第一接触电极331可以包括与第一导电型半导体层313形成欧姆接触的材料。第一接触电极331可以包括例如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au等的材料，并且可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的结构。例如，第一接触电极331可以包括Cr/Au或Cr/Au/Pt。第二接触电极333可以包括与第二导电型半导体层317形成欧姆接触的材料。例如，第二接触电极333可以包括Ag或Ag/Ni。第一焊盘电极335和第二焊盘电极336可以包括例如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au等的材料，并且可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的结构。
第一电极结构337和第二电极结构338可以通过钝化层306彼此电隔离。钝化层306可以包括第一绝缘层306a和第二绝缘层306b，并且第一绝缘层306a和第二绝缘层306b可以由SiO2、SiN或SiON形成。
锯齿状结构P1可以形成在第一导电型半导体层313的表面(例如，与有源层315相对的表面)上。锯齿状结构P1可以具有半球形状、圆锥形状、多角锥形状等。
图15至图22示出了根据示例实施例的制造半导体发光器件的方法中的各阶段。在参照以下的图15至图22对制造半导体发光器件30的方法的描述中，将描述与单个半导体发光器件对应的区域(即，单独的芯片区域)。
参照图15，将例如使用外延生长工艺按次序在衬底301上形成缓冲层305、第一导电型半导体层313、有源层315和盖层316。
参照图16，可以在盖层316上设置包括开口OP的掩模层320，所述开口OP限定其中可形成第二导电型半导体层317的区域。盖层316可以通过开口OP暴露出来。掩模层320可以包括例如SiNx、SiO2、TiNx、ScNx等的非晶材料。可以在形成盖层316之后原位形成掩模层320而没有暴露在外部。可以通过可显著减少对盖层316的等离子体损坏的工艺来形成掩模层320和开口OP。可以通过原子层沉积工艺来形成掩模层320。可以通过湿法蚀刻工艺来形成掩模层120的开口OP。在一种实施方式中，当不形成盖层316时，可以在有源层315上形成掩模层320。可以通过选择性外延生长工艺从经掩模层320的开口OP暴露的盖层316生长第二导电型半导体层317。通过上述工艺，可以形成包括第一导电型半导体层313、有源层315、盖层316和第二导电型半导体层317的发光结构LS。
参照图17，在去除掩模层320之后，可以例如使用干法蚀刻工艺来去除盖层316的一部分和有源层315的一部分，以使发光结构LS的第一导电型半导体层313的一部分暴露出来。在该工艺中，还可以去除第一导电型半导体层313的一部分，因此在单独的芯片区域中的每一个中形成台面结构。
与台面结构的形成一起，可以形成穿过盖层316、有源层315和第一导电型半导体层313的孔H，并且可以通过孔H使第一导电型半导体层313部分地暴露出来。孔H可以是用于形成连接到第一导电型半导体层313的电极的结构。第一导电型半导体层313的通过孔H暴露的一部分可以被设置为在其中设置第一接触电极331的区域。
参照图18，可以在第一导电型半导体层313上形成第一接触电极331，可以在第二导电型半导体层317上形成第二接触电极333。
可以形成覆盖发光结构LS和衬底301的第一绝缘层306a。可以去除第一绝缘层306a的一部分，并且可以设置第一接触电极331和第二接触电极333。第一接触电极331和第二接触电极333可以通过第一绝缘层306a彼此电隔离。
第一绝缘层306a可以包括例如SiO2、SiOxNy、SixNy等的绝缘材料。第一接触电极331可以包括与第一导电型半导体层313形成欧姆接触的材料。第一接触电极331的示例实施例不限于此。第一接触电极331可以包括例如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au等的材料，并且可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的结构。例如，第一接触电极331可以包括Cr/Au或Cr/Au/Pt。还可以在第一接触电极331上设置阻挡层。阻挡层可以由从Ni、Al、Cu、Cr、Ti、它们的组合等中选择的至少一种元素形成。第二接触电极333可以包括与第二导电型半导体层317形成欧姆接触的材料。例如，第二接触电极333可以包括Ag或Ag/Ni。还可以在第二接触电极333上设置阻挡层。阻挡层可以由从由Ni、Al、Cu、Cr、Ti和它们的组合组成的组中选择的至少一种元素形成。
参照图19，可以形成覆盖第一绝缘层306a、第一接触电极331和第二接触电极333的第二绝缘层306b。
第二绝缘层306b可以与第一绝缘层306a一起被设置为钝化层306。第二绝缘层306b的示例实施例可以不限于此，并且第二绝缘层306b可以由与第一绝缘层306a的材料相似或相同的材料形成。
参照图20，可以在第二绝缘层306b上形成使第一接触电极331和第二接触电极333暴露的第一开口OP1和第二开口OP2。
参照图21，可以形成填充第一开口OP1和第二开口OP2的第一焊盘电极335和第二焊盘电极336。
第一焊盘电极335可以通过第一开口OP1连接到第一接触电极331，第二焊盘电极336可以通过第二开口OP2连接到第二接触电极333。第一焊盘电极335和第二焊盘电极336可以在与衬底301的上表面平行的水平方向上以特定间隙彼此间隔开。
第一焊盘电极335和第二焊盘电极336可以包括诸如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au等的材料，并且可以具有单层结构或多层结构。
参照图22，可以去除衬底301，并且可以在第一导电型半导体层313的表面上形成锯齿状结构P1。当去除衬底301时，也可以去除缓冲层305。
可以执行将支撑衬底340暂时附着到第一焊盘电极335和第二焊盘电极336的工艺。当附着支撑衬底340时，可以使用诸如红外热固性材料的粘合材料。可以通过诸如激光剥离工艺的工艺来去除衬底301。该工艺不限于上述示例，也可以通过不同的机械或化学工艺去除衬底301。
锯齿状结构P1可以形成在第一导电型半导体层313的表面上。锯齿状结构P1可以减少第一导电型半导体层313的表面上的全反射，并且可以由此提高光提取效率。可以通过干法纹理化工艺或湿法纹理化工艺来形成锯齿状结构P1。
返回参照图14，可以去除支撑衬底340，并且可以制造半导体发光器件30。例如，可以通过下面的工艺来制造半导体发光器件30：将图22中示出的发光结构LS附着到胶带；去除支撑衬底340；以及将发光结构LS切割为单独的芯片。
根据前述示例实施例，半导体发光器件可以以低电流操作，并且可以具有提高的发光效率。
另外，根据前述示例实施例，通过使用上述制造半导体发光器件的方法，可以提供可在低电流下操作并且可具有提高的发光效率的半导体发光器件。
在此已经公开了示例实施例，尽管采用了特定术语，但是仅以一般的和描述性的含义而不是出于限制的目的来使用和解释该特定术语。在一些情况下，随着本申请的提交，本领域普通技术人员而言将清楚，除非另外特别说明，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可单独使用，或者可与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求书中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种半导体发光器件，包括：
第一导电型半导体层；
有源层，其覆盖所述第一导电型半导体层的一部分；以及
第二导电型半导体层，其覆盖所述有源层的一部分，
其中，所述第二导电型半导体层的侧壁沿水平方向与所述有源层的侧壁间隔开。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括盖层，所述盖层位于所述有源层与所述第二导电型半导体层之间，并覆盖所述有源层的整个上表面。
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述盖层的侧壁与所述有源层的侧壁共面。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，所述有源层的侧壁与所述第一导电型半导体层的侧壁的至少部分共面。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括：
第一电极，其覆盖所述第一导电型半导体层的一部分；以及
第二电极，其覆盖所述第二导电型半导体层的一部分。
6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，还包括：
接触层，其位于所述第二导电型半导体层与所述第二电极之间，
其中，所述接触层包括透明导电氧化物。
7.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极和所述第二电极各自包括焊盘部分和从所述焊盘部分延伸的至少一个指状部分。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括：
第一电极结构，其通过穿透所述第二导电型半导体层和所述有源层的至少一个孔而连接到所述第一导电型半导体层；以及
第二电极结构，其连接到所述第二导电型半导体层。
9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，
其中，所述第一电极结构还包括第一接触电极和第一焊盘电极，所述第一接触电极与所述第一导电型半导体层接触，所述第一焊盘电极连接到所述第一接触电极，并且
其中，所述第二电极结构还包括第二接触电极和第二焊盘电极，所述第二接触电极与所述第二导电型半导体层接触，所述第二焊盘电极连接到所述第二接触电极。
10.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中，所述第一导电型半导体层的上表面包括锯齿状结构。
11.一种半导体发光器件，包括：
第一导电型半导体层；
有源层，其位于所述第一导电型半导体层上；以及
第二导电型半导体层，其位于所述有源层上，
其中，所述第二导电型半导体层的下表面的表面积小于所述有源层的上表面的表面积。
12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述第二导电型半导体层的侧壁沿水平方向与所述有源层的侧壁间隔开。
13.根据权利要求11所述的半导体发光器件，还包括盖层，所述盖层位于所述有源层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述盖层覆盖所述有源层的整个上表面，并且具有与所述有源层的侧壁共面的侧壁。
14.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中，所述盖层的侧壁沿水平方向与所述有源层的侧壁共面。
15.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层各自包括InxAlyGa1-x-yN，其中，0≤x<1，0≤y<1，0≤x+y<1。
16.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述盖层包括第二导电型杂质。
17.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括步骤：
在衬底上形成第一导电型半导体层；
在所述第一导电型半导体层上形成有源层；
在所述有源层的一部分上形成第二导电型半导体层；
去除不与所述第二导电型半导体层叠置的所述有源层的一部分和所述第一导电型半导体层的一部分；以及
去除所述第一导电型半导体层的一部分，以使所述衬底暴露。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述有源层的一部分上形成所述第二导电型半导体层的步骤包括：
在所述有源层上形成具有开口的掩模层；
通过所述开口来生长所述第二导电型半导体层；以及
去除所述掩模层。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括步骤：
在所述有源层上形成具有开口的掩模层之前，在所述有源层上形成盖层，并且
其中，所述第二导电型半导体层通过所述开口形成在所述盖层上。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述掩模层由非晶材料形成。
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