CN105224117A - 触控显示屏及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种触控显示屏及其制造方法。一种触控显示屏包括封装盖板和TFT基板，所述TFT基板和所述封装盖板通过密封剂贴合在一起，所述触控显示屏还包括：触控组件，位于封装盖板下表面，所述触控组件包括触控图案和与所述触控图案电连接的引线垫；OLED元件,形成于所述TFT基板上,包括上电极、下电极以及位于所述上电极和所述下电极之间的有机层；触控布线，形成于所述TFT基板上；间隔体，位于所述TFT基板上且与所述引线垫对应，用于保持所述TFT基板与所述封装盖板之间的间距；以及触控导电层，形成于所述间隔体的顶部和侧部，用于电连接所述引线垫和所述触控布线从而将来自所述触控组件的触控信号传递到所述TFT基板。
Description
技术领域
本公开涉及触控显示屏及其制造方法，特别是涉及一种触控组件整合于显示面板中的触控显示屏及其制造方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode：AMOLED)作为新一代的显示器技术，具有自发光、广视角、对比度高、低耗电、高响应速度、高分辨率、全彩色、薄型化等优点。AMOLED有望成为未来主流的显示器技术之一。
目前，在手机、平板电脑等各种电子装置中广泛配置触控显示屏，通过触摸感应对装置进行操控。将触控组件与OLED显示面板整合构成的OLED触控显示屏已经开始进入市场。
将触控组件整合于OLED面板一般可采用两种方式。如图1所示，根据第一种整合方式，触控显示屏包括TFT基板10、形成于TFT基板上的OLED元件20、封装盖板30、位于TFT基板10与封装盖板30之间以将其密封地粘合起来的密封剂70、设置在封装盖板30上的触控组件40、位于触控组件40上的保护盖板50、以及与触控组件40电连接的柔性印刷电路板(FPC)60。在该整合方式中，触控组件粘贴于封装盖板外侧，增加了工序和部件数量。另外，由于还需要额外的保护盖板50，增加了触控屏的厚度，不利于触控屏超薄化要求。
如图2所示，根据第二种整合方式，触控显示屏包括TFT基板10、形成于TFT基板上的OLED元件20、封装盖板30、设置在封装盖板30下面的触控组件40、位于TFT基板10与封装盖板30之间以将其密封地粘合起来的密封剂70、以及与触控组件40电连接的柔性印刷电路板(FPC)60。在该整合方式中，由于触控组件40整合于封装盖板内侧,需要先进行FPC与触控组件40的键合(bonding)工艺之后，后续才能进行贴合封装盖板的工艺。另外，由于先进行FPC键合工艺，贴合难度也会增加。
因此，需要一种能够简化制造工艺和/或具有更小厚度的触控显示屏及整合触控组件与OLED面板的方法。
在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本申请公开一种能够简化制造工艺和/或具有更小厚度的触控显示屏。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一个方面，一种触控显示屏包括封装盖板和TFT基板，所述TFT基板和所述封装盖板通过密封剂贴合在一起，所述触控显示屏还包括：触控组件，位于封装盖板下表面，所述触控组件包括触控图案和与所述触控图案电连接的引线垫；OLED元件,形成于所述TFT基板上,包括上电极、下电极以及位于所述上电极和所述下电极之间的有机层；触控布线，形成于所述TFT基板上；间隔体，位于所述TFT基板上且与所述引线垫对应，用于保持所述TFT基板与所述封装盖板之间的间距；以及触控导电层，形成于所述间隔体的顶部和侧部，用于电连接所述引线垫和所述触控布线从而将来自所述触控组件的触控信号传递到所述TFT基板。所述间隔体与所述OLED元件相邻的侧部向所述TFT基板内侧倾斜。
例如，所述触控导电层与所述上电极位于同一层。
例如，所述间隔体位于所述触控布线上。
例如，所述间隔体直接设置在所述TFT基板上，所述触控布线位于所述间隔体的外侧。
例如，所述触控图案和所述引线垫形成在另外的透明基板上或者直接形成在所述封装盖板上。
例如，所述间隔体包括光致抗蚀剂材料。
根据本公开的另一方面，提供一种制造触控显示屏的方法，包括：准备封装盖板；在所述封装盖板上形成触控组件，所述触控组件包括触控图案和与所述触控图案电连接的引线垫；制备TFT基板；在所述TFT基板上形成OLED元件、触控布线、间隔体及位于所述间隔体的顶部和侧部并与所述触控布线电连接的触控导电层，其中所述OLED元件包括下电极、上电极以及位于所述上电极与所述下电极之间的有机层，所述间隔体与所述引线垫对应；及将所述封装盖板与所述TFT基板通过密封剂组装在一起，并使所述引线垫与所述间隔体对准并接触。
例如，所述触控导电层与所述上电极位于同一层并与所述上电极同时形成。
例如，利用蚀刻工艺将所述触控导电层与所述上电极彼此断开。
根据本公开的技术方案，通过采用位于间隔体上的触控导电层,将封装盖板内侧的触控讯号传递至TFT基板，可以使用TFT基板上的触控布线引出信号，降低后续工艺的风险及难度。
另外，可在封装盖板与TFT基板组装完成后再进行驱动IC或FPC键合(Bonding)工艺，可增加组装良率。
此外，可采用已有的AMOLED工艺，而不需增加额外工艺或材料。
而且，由于可将封装盖板内侧的触控讯号传递至TFT基板，可以使用TFT基板上的触控布线引出信号，因此可将触控IC与面板驱动IC进行整合。
附图说明
通过参照附图详细描述其实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1示意性示出触控组件整合于OLED面板的一种方式；
图2示意性示出触控组件整合于OLED面板的另一种方式；
图3示意性示出根据本公开示例实施方式的触控显示屏的结构；
图4示意性示出根据本公开示例实施方式的封装盖板和位于封装盖板上的触控组件；
图5示意性示出根据本公开示例实施方式在间隔体上形成与上电极断开的触控导电层的方式。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述实施方式。然而，实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而可省略它们的详细描述。
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。
本公开提供一种新的整合触控组件与OLED面板的方式，能够简化制造工艺和/或提供具有更小厚度的触控显示屏，满足触控显示屏的薄型化要求。下面参照附图描述根据本公开的实施方式。
下面参照图3描述根据本公开示例实施方式的触控显示屏的示意结构。
参照图3，根据示例实施方式的触控显示屏包括TFT基板10、形成于TFT基板上的OLED元件20、封装盖板30、设置在封装盖板30下面的触控组件40、位于TFT基板10与封装盖板30之间以将其密封地粘合起来的密封剂70、以及位于TFT基板10与触控组件40之间以保持其间间距的间隔体90。
在图3所示的触控显示屏中，没有采用与触控组件40键合的FPC，而是利用形成于至少部分间隔体90上的触控导电层220将来自触控组件40的触控讯号传递至TFT基板。而且，可以使用TFT基板上的触控布线80传递触控信号,从而降低后续制程的风险及难度。
具体地，如图3所示，OLED元件20包括上电极210、有机层230和下电极240。上电极210可以是阴极或阳极。在形成上电极210的工艺中，在间隔体90的顶表面及侧表面也同时形成触控导电层220。上电极210与触控导电层220可通过例如蚀刻工艺彼此断开。触控导电层220与触控组件40以及位于TFT基板10上的触控布线80电连接，从而将来自触控组件40的触控讯号通过触控布线80输出。
触控布线80可通过沉积、蚀刻等工艺形成在TFT基板10上。触控布线80可与OLED元件20的下电极同时形成，也可以单独形成。
间隔体90可以位于触控布线80上，如图3所示。然而，本公开不限于此。例如，参照图5，触控布线80位于间隔体90外侧，即与OLED元件20相反的一侧。
如图3所示，间隔体90可为柱体。然而，本公开不限于此。例如，间隔体90也可为台体。根据另一实施方式，如图5所示，间隔体90为向TFT基板内侧倾斜的斜柱体。
间隔体90可利用光致抗蚀剂材料形成，但本公开不限于此。
如图3所示，密封剂70设置在TFT基板10与触控组件40之间。然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，触控组件40的尺寸可小于封装盖板30，且密封剂70可设置在触控组件40外围。
如图4所示，触控组件40可包括透明基体410以及设置于透明基体410上的触控图案420和电连接到触控图案420的引线垫430。触控图案可以是例如透明导电图案。触控图案420所在的区域为感应区。引线垫430位于引线区。在此情况下，触控组件40可首先贴合在封装盖板30上，如图4所示。然后，封装盖板30可与TFT基板10组装在一起，并使引线垫430面对TFT基板且与相应的间隔体90对准。然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，触控组件40可直接形成在封装盖板30上，而没有使用透明基体410。
下面参照图5描述根据本公开另一实施方式的在间隔体90上形成与上电极210断开的触控导电层220的方式。
参照图5，间隔体90与OLED元件相邻的侧部向TFT基板内侧倾斜。例如，间隔体90为向TFT基板10内侧倾斜的斜柱体。触控布线80位于间隔体90外侧。触控布线80也可位于间隔体90下侧。在通过沉积工艺形成OLED元件20的上电极210时，在间隔体90的顶部和外侧部形成触控导电层220。触控导电层220与触控布线80电连接。由于间隔体90的倾斜结构，在通过沉积工艺形成上电极210时，触控导电层220形成在间隔体90的顶部和外侧部而未形成在内侧部，从而得到与上电极210断开的触控导电层220。
下面描述根据本公开示例实施方式的制造触控显示屏的方法。
准备封装盖板，并在封装盖板上形成触控组件。触控组件可包括透明基体以及设置于透明基体上的透明导电图案和电连接到透明导电图案的引线垫。在此情况下，触控组件可通过粘贴方式贴合在封装盖板上。替代地，根据另一实施方式，触控组件可直接形成在封装盖板上而省去透明基体。
制备TFT基板，并在TFT基板上形成OLED元件、触控布线、间隔体及位于间隔体顶部和侧部并与触控布线电连接的触控导电层。
OLED元件包括下电极、上电极以及上电极与下电极之间的有机层。上电极可以是阳极或阴极。下电极可以是阴极或阳极。
有机层可包括叠置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，但本公开不限于此。OLED元件的材料和构造为本领域技术人员所熟知，因此不再赘述。
触控布线可与下电极位于同一层并同时形成，但本公开不以此为限。
间隔体可采用光致抗蚀剂材料通过光刻、显影等工艺形成，但本公开不以此为限。间隔体可以为柱体或台体。至少部分间隔体的位置与触控组件上的引线垫对应。间隔体可位于触控布线上或者位于触控布线内侧。
触控导电层可与上电极位于同一层，并与上电极同时形成。例如，在形成上电极时，在间隔体的顶表面及侧表面也同时形成触控导电层。上电极与触控导电层可通过例如蚀刻工艺彼此断开。触控导电层也可利用参照图5所描述的方法形成。
将封装盖板可与TFT基板通过密封剂组装在一起，并使引线垫与相应的间隔体对准并接触。
此后，可进行其他工序，如连接驱动IC或FPC等，不再赘述。
如上所述，根据本公开一些实施方式的触控显示屏，至少具有以下优点之一：
通过采用位于间隔体上的触控导电层,将封装盖板内侧的触控讯号传递至TFT基板，可以使用TFT基板上的触控布线引出信号，降低后续工艺的风险及难度。
可在封装盖板与TFT基板组装完成后再进行驱动IC或FPC键合(Bonding)工艺，可增加组装良率。
采用已有的AMOLED工艺，而不需增加额外工艺或材料。
由于可将封装盖板内侧的触控讯号传递至TFT基板，可以使用TFT基板上的触控布线引出信号，引出可将触控IC与面板驱动IC进行整合。
以上具体地示出和描述了本公开的性实施方式。应该理解，本公开不限于所公开的实施方式，相反，本公开意图涵盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。
Claims (9)
1.一种触控显示屏，包括封装盖板和TFT基板，所述TFT基板和所述封装盖板通过密封剂贴合在一起，所述触控显示屏还包括：
触控组件，位于封装盖板下表面，所述触控组件包括触控图案和与所述触控图案电连接的引线垫；
OLED元件,形成于所述TFT基板上,包括上电极、下电极以及位于所述上电极和所述下电极之间的有机层；
触控布线，形成于所述TFT基板上；
间隔体，位于所述TFT基板上且与所述引线垫对应，用于保持所述TFT基板与所述封装盖板之间的间距；以及
触控导电层，形成于所述间隔体的顶部和侧部，用于电连接所述引线垫和所述触控布线从而将来自所述触控组件的触控信号传递到所述TFT基板,其中所述间隔体的与所述OLED元件相邻的侧部向所述TFT基板内侧倾斜。
2.如权利要求1所述的触控显示屏，其中所述触控导电层与所述上电极位于同一层。
3.如权利要求1所述的触控显示屏，其中所述间隔体位于所述触控布线上。
4.如权利要求1所述的触控显示屏，其中所述间隔体直接设置在所述TFT基板上，所述触控布线位于所述间隔体的外侧。
5.如权利要求1-4中任一项所述的触控显示屏，其中所述触控图案和所述引线垫形成在另外的透明基板上或者直接形成在所述封装盖板上。
6.如权利要求1-4中任一项所述的触控显示屏，其中所述间隔体包括光致抗蚀剂材料。
7.一种制造触控显示屏的方法，包括：
准备封装盖板；
在所述封装盖板上形成触控组件，所述触控组件包括触控图案和与所述触控图案电连接的引线垫；
制备TFT基板；
在所述TFT基板上形成OLED元件、触控布线、间隔体及位于所述间隔体的顶部和侧部并与所述触控布线电连接的触控导电层，其中所述OLED元件包括下电极、上电极以及位于所述上电极与所述下电极之间的有机层，所述间隔体与所述引线垫对应；及
将所述封装盖板与所述TFT基板通过密封剂组装在一起，并使所述引线垫与所述间隔体对准并接触。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述触控导电层与所述上电极位于同一层并与所述上电极同时形成。
9.如权利要求8所述的方法，其中利用蚀刻工艺将所述触控导电层与所述上电极彼此断开。
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