CN105207641B - 双模晶体振荡器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种双模晶体振荡器，包括：AT切割晶体振动片、封装体以及集成电路。集成电路收容在封装体中，且集成电路具有：振荡电路，以MHz频带的频率使AT切割晶体振动片振荡；分频电路，将MHz频带的频率分频而生成32.768kHz的频率；及选择电路，在输出32.768kHz的频率的状态下，对不输出MHz频带的频率的休止状态或输出MHz频带的频率的活动状态进行选择。并且，封装体形成有安装面，在安装面上，在长边延伸的方向上并排形成3个电极，且在短边延伸的方向上并排形成2个电极。输出32.768kHz频率的电极与输出MHz频带频率的电极以彼此不相邻的方式配置。

Description

双模晶体振荡器

技术领域

本发明涉及一种具有AT切割的晶体振动片的双模晶体振荡器。

背景技术

目前，时钟用晶体振子使用的是音叉型晶体振子，输出32.768kHz的信号。然而，音叉型晶体振子存在其尺寸变大，且振动频率容易因温度变化而变化的问题。

而且，存在有输出32.768kHz的信号的同时也想输出其他频率的情况。在所述情况下，需要再准备另一晶体振子并对各晶体振子分别配置2个电容器而形成电路，因此，需要2个晶体振子及4个电容器总计6个零件。

为了消除如上所述的音叉型晶体振子的问题以及必须使用多个零件的问题，专利文献1中揭示一种仅使用1个晶体振子来振荡出2个频率的双模的晶体振荡器。专利文献1中揭示以下内容：在双模晶体振荡器中，由2个频率进一步形成时钟用信号的频率即32.768kHz。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2012-100150号公报

发明所要解决的问题

然而，如果输出包含时钟信号用频率在内的总计3个频率，则电气配线变得复杂，而且耗电变高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种双模晶体振荡器，输出包含时钟用信号(32.768kHz)在内的2个频率。

第1观点的双模晶体振荡器包括：仅1个AT切割晶体振动片，在MHz 频带内振动且经AT切割；封装体，收容AT切割晶体振动片，且形成有供安装的安装面，所述安装面为含有长边及短边的矩形形状；以及集成电路(Integrated Circuit，IC)，收容在封装体中，所述集成电路具有：振荡电路，以MHz频带的频率使AT切割晶体振动片振荡；分频电路(dividingcircuit)，将MHz频带的频率分频而生成32.768kHz的频率；以及选择电路，在输出32.768kHz的频率的状态下，对不输出MHz频带的频率的休止状态或输出MHz频带的频率的活动状态进行选择；其中，在安装面上，在长边延伸的方向上并排形成3个电极，且在短边延伸的方向上并排形成2个电极，输出32.768kHz的频率的电极与输出MHz频带的频率的电极以在长边方向及短边方向彼此不相邻的方式配置。

第2观点的双模晶体振荡器是在第1观点中，封装体在外侧面的四角部具有凹向封装体的内侧的齿形结构(castellation)，封装体在其内部的其中一短边上具有载置AT切割晶体振动片的一对载置部，输出MHz频带的频率的电极配置在另一短边侧，输出32.768kHz的频率的电极配置于在长边延伸的方向并排的3个电极中间。

第3观点的双模晶体振荡器是在第2观点中，在分别与一对载置部距离最近的齿形结构中形成有一对频率检查电极，所述频率检查电极用于确认AT切割晶体振动片的频率。

第4观点的双模晶体振荡器是在第2观点及第3观点中，接地的电极形成在输出MHz频带频率的电极的在短边延伸方向上的旁边，连接于电源的电极形成在其中一短边侧的角部，对休止状态及活动状态进行切换的电极形成在连接于电源的电极的在短边延伸方向上的旁边。

发明的效果

根据本发明的双模晶体振荡器，可输出包含时钟用信号(32.768kHz)在内的2个频率。

附图说明

图1是双模晶体振荡器100的分解立体图。

图2是图1的A-A剖面图。

图3(a)是IC 120的平面图。图3(b)是封装体130的平面图。图3(c)封装体130的第3层130c的平面图。

图4是双模晶体振荡器100的电路图。

图5是双模晶体振荡器200的剖面图。

图6(a)是IC 220的平面图。图6(b)是从-Y’轴侧观察双模晶体振荡器200的图。

符号的说明：

100、200：双模晶体振荡器

110：晶体振动片

111：激振电极

112：引出电极

120、220：IC(Integrated Circuit)

121：晶体端子

122：电源端子

123：切换端子

124：MHz频带输出端子

125：接地端子

126：32.768kHz输出端子

130、230：封装体

130a、230a：第1层

130b、230b：第2层

130c、230c：第3层

131、231a、231b：凹部

132、232a：接合面

133：载置部

134、234：连接电极

135、135a～135f、235、235a～235f：外部电极

136、236：频率检查电极

137、237：齿形结构

138a～138h、238a～238h：电极

139a、239a：配线电极

139b、239b、239c：贯通电极

140：盖板

151：密封材

152：导电性粘接剂

153：凸块

171：振荡电路

172：分频电路

173：选择电路

174a、174b：缓冲器

232b：安装面

261a：底面

261b：顶面

X、Y’、Z’：轴

具体实施方式

以下，根据附图对本发明的实施形态进行详细说明。此外，在以下的说明中，只要未特别记载对本发明进行限定的内容，则本发明的范围并不限定于这些形态。

(第1实施形态)

<双模晶体振荡器100的构成>

图1是双模晶体振荡器100的分解立体图。双模晶体振荡器100是表面安装型的晶体振荡器，安装于印刷基板等来使用。双模晶体振荡器100主要由晶体振动片110、集成电路(Integrated Circuit，IC)120、封装体(package)130、以及盖板140形成。晶体振动片110使用AT切割的晶体振动片。AT切割的晶体振动片的主面(YZ面)相对于结晶轴(XYZ)的Y轴，以X轴为中心，自Z轴朝Y轴方向倾斜35度15分。在以下的说明中，以AT切割的晶体振动片的轴方向为基准，使用倾斜的新轴作为Y’轴及Z’轴。即，在双模晶体振荡器100中，以双模晶体振荡器100的长度方向为X轴方向，以双模晶体振荡器100的高度方向为Y’轴方向，以与X轴方向及Y’轴方向垂直的方向为Z’轴方向进行说明。

晶体振动片110中，在+Y’轴侧的面及-Y’轴侧的面上形成有激振电极111，自各激振电极111将引出电极112引出至晶体振动片110的-X轴侧的边。将自形成于+Y’轴侧的面的激振电极111引出的引出电极112向-X轴侧的+Z’轴侧引出，经由+Z’轴侧的侧面而引出至-Y’轴侧的面。将自形成于-Y’轴侧的面的激振电极111引出的引出电极112向-X轴侧的-Z’轴侧引出，经由-Z’轴侧的侧面而引出至+Y’轴侧的面。

IC 120与晶体振动片110电性连接而形成电气回路。IC 120的-Y’轴侧的面上形成有多个端子，这些端子与晶体振动片110的引出电极112或形成于封装体130的外部电极135电性连接。

封装体130中，长边形成在X轴方向，短边形成在Z’轴方向。而且，供双模晶体振荡器100安装的安装面，即，封装体130的-Y’轴侧的面上形成有外部电极135，+Y’轴侧的面上形成有接合于盖板140的接合面132、及自接合面132向-Y’轴方向凹下的凹部131。进而，凹部131中形成有载置晶体振动片110的载置部133，载置部133的+Y’轴侧的面上形成有连接电极134，所述连接电极134经由导电性粘接剂152(参照图2)与晶体振动片110的引出电极112电性连接。封装体130例如以陶瓷作为基材，通过将第1层130a、第2层130b、第3层130c这3个层重叠而形成。第1层130a配置于封装体130的+Y’轴侧，第1层130a的+Y’轴侧的面上形成有接合面132。第2层130b接合于第1层130a的-Y’轴侧的面而配置，且形成有载置部133。第3层130c形成于第2层130b的-Y’轴侧的面上，第3层130c的-Y’轴侧的面上形成有外部电极135。而且，封装体130的四角部的侧面上形成有凹向封装体130的内侧的齿形结构137。齿形结构137的第2层130b中形成有频率检查电极136，所述频率检查电极136用于在制成双模晶体振荡器100后检查晶体振动片110的频率。

盖板140形成为平板状，经由密封材151(参照图2)接合于封装体130的接合面132，由此将封装体130的凹部131密封。

图2是图1的A-A剖面图。由盖板140密封的凹部131中载置有晶体振动片110与IC120。晶体振动片110经由导电性粘接剂152载置于载置部133上，所述载置部133形成于封装体130的第2层130b上，IC 120经由凸块153载置于第3层130c的+Y’轴侧的面上。而且，自第3层130c的+Y’轴侧 的面至载置部133的+Y’轴侧的面为止形成有配线电极139a，由此，晶体振动片110的引出电极112经由导电性粘接剂152、连接电极134、配线电极139a及凸块153与IC 120的晶体端子121电性连接。连接电极134与形成在-X轴侧的齿形结构137中的频率检查电极136电性连接。

图3(a)是IC 120的平面图。IC 120的-Y’轴侧的面上形成有8个端子，端子在X轴方向排列有4个，在Z’轴方向排列有2个。图3(a)中，形成于IC 120的-Y’轴侧的8个端子由虚线所描绘成的圆表示。图3(a)中，在IC 120的-X轴侧的+Z’轴侧及-Z’轴侧的端部形成有与晶体振动片110的引出电极112电性连接的晶体端子121。在-Z’轴侧的晶体端子121的+X轴侧的旁边形成有连接于电源的端子，即，电源端子122。在电源端子122的+X轴侧的旁边形成有切换端子123，所述切换端子123对输出MHz频带的频率的活动状态或不输出MHz频带的频率的休止状态进行切换。切换端子123的+X轴侧的旁边形成输出MHz频带的频率的MHz频带输出端子124。而且，在+Z’轴侧的晶体端子121的+X轴侧的旁边形成有接地的接地端子125，在接地端子125的+X轴侧的旁边形成有输出32.768kHz的频率的32.768kHz输出端子126，在32.768kHz的输出端子126的+X轴侧的旁边形成有接地端子125。

图3(b)是封装体130的平面图。图3(b)中主要表示形成于凹部131的电极。凹部131中第3层130c的+Y’轴侧的面上形成有对应于IC 120的8个端子的8个电极。8个电极以在X轴方向排列有4个，在Z’轴方向排列有2个的方式形成。将这些电极中自-X轴侧的-Z’轴侧端向+X轴方向排列的电极设为电极138a、电极138b、电极138c及电极138d，自-X轴侧的+Z’轴侧端向+X轴方向排列的电极设为电极138e、电极138f、电极138g及电极138h。电极138a及电极138e经由配线电极139a电性连接于连接电极134。而且，电极138b、电极138c、电极138d、电极138f、电极138g及电极138h分别与IC 120的电源端子122、切换端子123、MHz频带输出端子124、接地端子125、32.768kHz输出端子126及接地端子125电性连接。

另一方面，在封装体130中，第2层130b的相当于齿形结构137的部分中形成有频率检查电极136。配置于封装体130的-X轴侧的频率检查电极136与连接电极134电性连接。配置于-X轴侧的频率检查电极136用于在形成双模晶体振荡器100后，不经由IC 120而直接测定并确认AT切割晶体振动片 110的频率。

图3(c)是封装体130的第3层130c的平面图。图3(c)中，以透视方式一并表示电极138a～电极138h及外部电极135，所述电极138a～电极138h形成于第3层130c的+Y’轴侧的面，所述外部电极135形成于第3层130c的-Y’轴侧的面，即，安装面。在第3层130c的-Y’轴侧的面，外部电极135在X轴方向排列有3个，在Z’轴方向排列有2个。图3(c)中，将-X轴侧的-Z’轴侧的外部电极135设为外部电极135a，自外部电极135a朝+X轴方向设为外部电极135b、外部电极135c。而且，将-X轴侧的+Z’轴侧的外部电极135设为外部电极135d，自外部电极135d朝+X轴方向设为外部电极135e、外部电极135f。

电极138b延伸至在Y’轴方向与外部电极135a重合的位置为止，经由贯通第3层130c的贯通电极139b电性连接于外部电极135a。在安装有双模晶体振荡器100时，外部电极135a连接于正电源电压(Vcc)。电极138c延伸至在Y’轴方向与外部电极135d重合的位置为止，经由贯通第3层130c的贯通电极139b电性连接于外部电极135d。通过对外部电极135d施加控制电压来选择是否输出MHz频带的频率，即选择活动状态或休止状态。电极138d延伸至在Y’轴方向与外部电极135c重合的位置为止，经由贯通第3层130c的贯通电极139b电性连接于外部电极135c。外部电极135c是输出MHz频带的频率的电极。电极138f及电极138h延伸至在Y’轴方向与外部电极135f重合的位置为止，经由贯通第3层130c的贯通电极139b电性连接于外部电极135f。外部电极135f是接地的电极。电极138g延伸至在Y’轴方向与外部电极135e重合的位置为止，经由贯通第3层130c的贯通电极139b电性连接于外部电极135e。外部电极135e是输出32.768kHz的频率的电极。而且，外部电极135b是与双模晶体振荡器100内的任一电极均不连接的无连接(No connection，NC)电极。外部电极135b也可与外部电极135f同样地用作接地的电极。

如图3(c)所示，关于形成于双模晶体振荡器100的四角部的外部电极，在-X轴侧的-Z’轴侧的角具有连接于正电源电压(Vcc)的外部电极135a，在+X轴侧的-Z’轴侧的角具有作为输出MHz频带的频率的电极的外部电极135c，在-X轴侧的+Z’轴侧的角具有被施加用于选择活动状态及休止状态的 控制电压的外部电极135d，在+X轴侧的+Z’轴侧的角具有作为接地的电极的外部电极135f。所述外部电极的配置与以前通用的晶体振荡器所使用的外部电极的配置相同。因此，使用双模晶体振荡器100的使用者对载置双模晶体振荡器100的印刷基板等的配线无需相对于以前通用的晶体振荡器的配线进行大幅变更便可使用，因此是优选的。而且，为了在双模晶体振荡器100中将各外部电极形成于图3(c)所示的位置，自电极138c延伸至外部电极135d为止的配线的一部分是借由通过IC120的下方来形成(参照图3(b)及图3(c))。

图4是双模晶体振荡器100的电路图。双模晶体振荡器100的电路主要由AT切割的晶体振动片110及IC 120形成。AT切割的晶体振动片110连接于IC 120的振荡电路171并产生MHz频带的频率的信号。AT切割的晶体振动片110的频率与AT切割的晶体振动片110的厚度成反比，因此，主要通过调整AT切割的晶体振动片110的厚度等来产生所述频率。振荡电路171所产生的频率的信号经由缓冲器(buffer)174a自外部电极135c输出。

另一方面，振荡电路171所形成的MHz频带频率的信号利用分频电路172分频为32.768kHz的频率信号，32.768kHz的频率信号经由缓冲器174b自外部电极135e输出。如此，双模晶体振荡器100可输出MHz频带频率的信号及32.768kHz的频率信号。在上述说明中，IC120中使用分频电路172，但也可使用锁相环(Phase Locked Loop，PLL)电路来代替分频电路172。

进而，在双模晶体振荡器100中，在不使用MHz频带频率的信号时可设为不输出MHz频带频率的信号。IC 120中，在输出MHz频带频率的信号的缓冲器174a中连接有对所述频率的输出进行控制的选择电路173。通过自外部电极135d对选择电路173施加控制电压来限制自缓冲器174a输出的频率的信号。而且，IC 120分别与外部电极135a及外部电极135f电性连接。

如此，双模晶体振荡器100仅输出32.768kHz的频率及MHz频带的频率这2种频率的信号。而且，在不使用MHz频带频率时可控制为不输出MHz频带的频率。由此，在双模晶体振荡器100中，可将耗电量抑制得比以前少。

而且，与音叉型晶体振动片相比，AT切割晶体振动片相对于温度变化的频率变动小，因此频率温度特性优于音叉型晶体振动片。因此，通过在双模晶体振荡器100中使用AT切割晶体振动片而具有比使用音叉型晶体振动片 时更优异的频率温度特性。

进而，在双模晶体振荡器100中，输出MHz频带的频率的外部电极135c、输出32.768kHz的频率的外部电极135e与连接于电源的外部电极135a以在X轴方向及Z’轴方向彼此不邻接的方式形成，这些外部电极以彼此距离最远的方式配置(参照图3(c))。因此，32.768kHz的频率的信号与MHz频带频率的信号不易受到彼此的干扰，也不易受到来自电源电压的干扰，从而双模晶体振荡器100可输出更正确的信号。

(第2实施形态)

在双模晶体振荡器中，AT切割的晶体振动片与IC之间也可彼此隔开而配置。以下，对AT切割的晶体振动片与IC之间彼此隔开而配置的双模晶体振荡器200进行说明。而且，在以下的说明中，对与第1实施形态相同的部分附上与第1实施形态相同的符号并省略其说明。

<双模晶体振荡器200的构成>

图5是双模晶体振荡器200的剖面图。图5是包含后述图6(b)的B-B剖面的剖面图。双模晶体振荡器200主要由晶体振动片110、IC 220、封装体230及盖板140形成。

封装体230中，长边形成在X轴方向，短边形成在Z’轴方向。而且，封装体230的+Y’轴侧的面上形成有接合于盖板140的接合面232a、及自接合面232a向-Y’轴方向凹下的凹部231a，供双模晶体振荡器200安装的安装面232b，即，封装体230的-Y’轴侧的面上形成有自安装面232b向+Y’轴方向凹下的凹部231b。盖板140经由密封材151接合于接合面232a，由此将凹部231a密封。而且，安装面232b上形成有外部电极235，外部电极235含有外部电极235a～外部电极235f(参照图6(b))。

封装体230的凹部231a内的-Y’轴侧的面，即，底面261a上载置有晶体振动片110。底面261a上形成有连接电极234，晶体振动片110的引出电极112经由导电性粘接剂152电性连接于连接电极234。而且，封装体230的凹部231b内的+Y’轴侧的面，即，顶面261b上载置有IC 220。顶面261b上形成有电极238a～电极238h，形成于IC 220的端子121～端子126(参照图6(a))经由凸块153电性连接于这些电极。

封装体230以陶瓷作为基材，通过将第1层230a、第2层230b及第3 层230c这3个层重叠而形成。第1层230a配置于封装体230的+Y’轴侧，第1层230a的+Y’轴侧的面上形成有接合面232a。第1层230a是形成凹部231a的侧面的层。第2层230b接合于第1层230a的-Y’轴侧的面而配置，且是以+Y’轴侧的面为底面261a、-Y’轴侧的面为顶面261b的层。第2层230b配置于凹部231a与凹部231b之间，将凹部231a与凹部231b隔开。第3层230c形成于第2层230b的-Y’轴侧的面上，第3层230c的-Y’轴侧的面上形成有外部电极235。第3层230c是形成凹部231b的侧面的层。而且，在封装体230的四角部的侧面形成有凹向封装体230的内侧的齿形结构237。齿形结构237的第2层230b中形成有频率检查电极236，所述频率检查电极236用于在制成双模晶体振荡器200后检查晶体振动片110的频率。频率检查电极236经由连接电极234电性连接于晶体振动片110的引出电极112。封装体230中，不仅在四角部的侧面，还可在含有封装体230的长边或短边的侧面形成齿形结构。而且此时，频率检查电极也可形成于在含有长边或短边的侧面形成的齿形结构。

图6(a)是IC 220的平面图。图6(a)是从-Y’轴侧观察IC 220的图。IC 220的+Y’轴侧的面上形成有8个端子，端子在X轴方向排列有4个，在Z’轴方向排列有2个。图6(a)中，形成于IC 220的+Y’轴侧的8个端子是由虚线所描绘成的圆来表示。图6(a)中，在IC 220的-X轴侧的+Z’轴侧及-Z’轴侧的端部形成有晶体端子121，在+Z’轴侧的晶体端子121的+X轴侧的旁边形成有电源端子122，在电源端子122的+X轴侧的旁边形成有切换端子123，在切换端子123的+X轴侧的旁边形成有MHz频带输出端子124。而且，在-Z’轴侧的晶体端子121的+X轴侧的旁边形成有接地端子125，在接地端子125的+X轴侧的旁边形成有32.768kHz输出端子126，在32.768kHz的输出端子126的+X轴侧的旁边形成有接地端子125。

图6(b)是从-Y’轴侧观察双模晶体振荡器200的图。在双模晶体振荡器200中，以包围凹部231b的方式形成有安装面232b，在安装面232b上形成有外部电极235a～外部电极235f。在安装面232b的-X轴侧的-Z’轴侧形成有外部电极235a，自外部电极235a朝+X轴方向形成有外部电极235b及外部电极235c。而且，在安装面232b的-X轴侧的+Z’轴侧形成有外部电极235d，自外部电极235d朝+X轴方向形成有外部电极235e及外部电极235f。外部电 极235a连接于正电源电压(Vcc)。而且，外部电极235b是接地的电极，外部电极235c是输出MHz频带的频率的电极，外部电极235d是通过被施加控制电压而选择活动状态及休止状态的电极，外部电极235e是输出32.768kHz的频率的电极，外部电极235f是接地的电极。

图6(b)中，以透视IC 220的方式来表示形成于双模晶体振荡器200的顶面261b的电极238a～电极238h。电极238a及电极238e经由凸块153连接于IC 220的晶体端子121，进而经由配线电极239a电性连接于形成在底面261a(参照图5)的连接电极234。而且，电极238b及电极238d连接于IC 220的接地端子125及外部电极235b，电极238f连接于IC 220的电源端子122及外部电极235a，电极238g连接于IC 220的切换端子123及外部电极235d，电极238h连接于IC 220的MHz频带输出端子124及外部电极235c。进而，电极238c连接于IC220的32.768kHz输出端子126，并经由贯通电极239b连接于外部电极235e。第2层230b通过将2个层重叠而形成，电极238c附近的贯通电极239b与外部电极235e附近的贯通电极239b通过形成第2层230b的2个层之间而彼此电性连接。而且，电极238b、电极238d、电极238f、电极238g及电极238h也经由贯通第3层230c的贯通电极239c电性连接于各外部电极235。

以上对本发明的最佳实施形态进行了详细说明，但如本领域技术人员所明了，本发明可在其技术范围内对实施形态进行各种变更、变形来实施。

例如，在所述实施形态中，输出32.768kHz的频率的外部电极与输出MHz频带的频率的信号的外部电极也能以彼此交错的状态配置。

Claims (4)

1.一种双模晶体振荡器，其特征在于包括：

仅1个AT切割晶体振动片，在MHz频带振动且经AT切割；

封装体，收容所述AT切割晶体振动片，且形成有供安装的安装面，所述安装面为含有长边及短边的矩形形状；

集成电路，收容在所述封装体中，所述集成电路具有：振荡电路，以所述MHz频带的频率使所述AT切割晶体振动片振荡，所述振荡电路所产生的MHz频带的频率的信号经由第一缓冲器输出；分频电路，将所述MHz频带的频率分频而生成32.768kHz的频率，所述分频电路所分频的32.768kHz的频率的信号经由第二缓冲器输出；以及选择电路，连接至所述第一缓冲器，限制自所述第一缓冲器输出的频率的信号，选择输出所述32.768kHz的频率而不输出所述MHz频带的频率的休止状态，或者选择输出所述32.768kHz的频率且输出所述MHz频带的频率的活动状态；

第一外部电极，对应于所述第一缓冲器而设置，只输出MHz频带的频率；以及

第二外部电极，对应于所述第二缓冲器而设置，只输出32.768kHz的频率；

其中，在所述活动状态下，所述第一外部电极输出所述MHz频带的频率以及所述第二外部电极输出所述32.768kHz的频率，而在所述休止状态下，所述选择电路依据控制电压来限制所述MHz频带的频率的输出，使得所述第二外部电极输出所述32.768kHz的频率而所述第一外部电极不输出所述MHz频带的频率，

其中，在所述安装面上，在所述长边延伸的方向上并排形成有3个电极，且在所述短边延伸的方向上并排形成有2个电极，

输出所述32.768kHz的频率的电极与输出所述MHz频带的频率的电极以在所述长边方向及所述短边方向彼此不相邻的方式配置。

2.根据权利要求1所述的双模晶体振荡器，其特征在于：

所述封装体在外侧面的四角部具有凹向所述封装体的内侧的齿形结构，

所述封装体在其内部在其中一所述短边上具有载置所述AT切割晶体振动片的一对载置部，

输出所述MHz频带的频率的电极配置在另一所述短边侧，输出所述32.768kHz的频率的电极配置于在所述长边延伸的方向并排的3个电极中间。

3.根据权利要求2所述的双模晶体振荡器，其特征在于：

在分别与所述一对载置部距离最近的所述齿形结构中形成有一对频率检查电极，所述频率检查电极用于确认所述AT切割晶体振动片的频率。

4.根据权利要求2或3所述的双模晶体振荡器，其特征在于：

接地的电极形成在输出所述MHz频带的频率的电极的在所述短边延伸方向上的旁边，

连接于电源的电极形成在其中一所述短边侧的角部，

对所述休止状态及所述活动状态进行切换的电极形成在所述连接于所述电源的电极的在所述短边延伸方向上的旁边。