CN105184026B - 一种mos可变电容的仿真模型建立方法和仿真方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种MOS可变电容的仿真模型建立方法和仿真方法，建立满足以下方程式的初始仿真模型c＝(A×tanh(‑v(g,b)×B+C)+D)×(tanh(‑v(g,b)×E+F)+G)×(H×lr×wr×mr×nf)×(exp(‑v(g,b)×I+J)+K)对上述公式中的参数A～K进行调试，直至使利用模型公式计算结果得到的电容对电压特性曲线与实际测量得到的电容对电压特性曲线相匹配，得到参数A～K的相应具体值，代入初始仿真模型的公式中，建立得到MOS可变电容的最终仿真模型，使用最终仿真模型进行仿真模拟。本发明不仅适用于所有类型的MOS可变电容，并且从数学分析的角度出发，通过不停地增加、减少参数并调试参数的值从而对仿真模型公式优化，直至MOS可变电容模型在RF射频应用中出现的电容对电压的二阶导数跳变显著减少，同时MOS可变电容的电容对电压特性曲线的仿真精度显著提高。

Description

一种MOS可变电容的仿真模型建立方法和仿真方法

技术领域

本发明涉及半导体电路仿真领域，特别涉及一种MOS可变电容的仿真模型建立方法和仿真方法。

背景技术

随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO)，是实现RF射频CMOS集成收发机的关键。而可变电容作为一种可以随施加电压变化而发生不同的电容变化的基本器件因其优良的品质因数和稳定的电学特性而在模拟集成电路设计中得到了广泛的使用。标准的CMOS工艺中常用的可变电容有：变容二极管、MOS可变电容。而MOS可变电容又分为普通MOS可变电容和积累型MOS可变电容。将MOS可变电容的MOS管栅极作为可变电容的一端，将漏极、源极和衬底(或者阱区)连接在一起作为另一端，随着控制电压的变化，会经历五个工作区域：积累区、耗尽区、弱反型区、中等反型区和强反型区。

EDA技术是以计算机为工具，设计者在EDA系统平台上，用硬件描述语言VHDL完成设计文件，然后由计算机自动地完成逻辑编译、化简、分割、综合、优化、布局、布线和仿真，直至对于特定目标芯片的适配编译、逻辑映射和编程下载等工作。EDA技术的出现，极大地提高了电路设计的效率和可操作性，减轻了设计者的劳动强度。

SPICE是一种功能强大的通用模拟电路仿真器，属于EDA系统中的重要部分。自1972年推出第一版至今已有几十年的历史。该程序主要用于集成电路的电路分析程序中，SPICE的网表格式变成了通常模拟电路和晶体管级电路描述的标准工业标准，主要用于IC设计中的模拟电路，数模混合电路，电源电路等电子系统的设计和仿真。SPICE模型由两部分组成：模型方程式(Model Equations)和模型参数(Model Parameters)。由于提供了模型方程式，因而可以把SPICE模型与仿真器的算法非常紧密地联接起来，可以获得更好的分析效率和分析结果。SPICE建模工程师依靠器件理论及经验，提取模型参数以供SPICE仿真程序使用。目前业界通用的SPICE模型有BSIM系列和经验模型(宏模型)等。SPICE模型的分析精度主要取决于模型参数的来源即数据的精确性，以及模型方程式的适用范围。

通常一个成熟的CMOS工艺技术平台开发离不开对MOSFET、二极管、三极管、MOM电容、MIM电容、电阻以及MOS可变电容等基本器件的SPICE建模。后续的PDK(Process DesignKit工艺设计包)开发、IP库以及各种标准单元库乃至很多客户定制化的芯片设计开发都是基于SPICE模型库。在MOS可变电容的SPICE模型开发过程中，因其具有MOSFET的基本设计及CV(电容-电压)特性，最初很多SPICE建模工程师都比较喜欢采用BSIM模型，BSIM模型是由美国加利福尼亚州伯克利分校开发的，用于测试电路仿真和CMOS技术发展的一种基于物理的，具有精确性、可升级性、健壮性、语言性等特点的系统模拟系统，能提供标准电路的直流分析，瞬时分析，交流分析等数据。由于这是一种集成度很高的紧凑型模型(Compact模型)，用户无法对模型方程式进行修改，只能对模型参数进行调整。由于BSIM模型是一种将源端作为参考点的模型，因此在对MOS可变电容的CV曲线(电容对电压特性曲线)进行跨导分析时在电压V＝0处会发生跳变，从而导致模型分析的失效。另一种作法是采用基于半导体表面势为基准的Compact模型，从而可避免出现BSIM模型CV特性跨导V＝0处的跳变问题，但由于缺乏积累区模型拟合参数导致很多情况下无法提高积累区的模型精度。

传统的采用BSIM Compact SPICE模型可以比较简单的实现MOS Varactor可变电容器的CV(电压电容特性)特性的参数提取，但随着集成电路工艺水平进入深亚微米，制造技术愈来愈复杂，各种寄生效应使采用这种传统方式建立MOS Varactor可变电容器的模型仿真精度变得很不理想。如图1、图3中分别对应的是采用55nm先进薄氧化层工艺制作的PMOS可变电容器的大面积54μm×54μm结构和小面积9μm×9μm结构的电压电容特性曲线，点是实测数据，测试时，保证衬底和源区之间的电压为0V、漏区和源区之间的电压为0V，加载电压的范围为[-1.5V,1.5V]，横坐标为栅极和源区之间的电压变化，纵坐标为栅极上测得电容，实线是SPICE模型的仿真结果，可以看到随着电压(x轴方向)从正压变到负压，电容会遵循一条特定函数的变化方式发生变化，但明显可以看到模型仿真结果同数据有相当大的误差，而且从图2和图4上可以看到电容对电压的二阶导数特性在大约-0.75V和-0.6V附近会出现跳变，这种紧凑型模型，即BSIM模型是一种将源端作为参考点的模型，因此在对MOS可变电容的CV曲线(电容对电压特性曲线)进行跨导分析时在电压V＝0处会发生跳变，并且由于无法修改模型公式，从而会导致模型分析的失效，这是器件特性在电路设计使用中的大忌，若使用这种模型进行设计很可能会导致电路的不收敛最终功能失效。

因此，有必要发明一种MOS可变电容的仿真模型建立方法和仿真方法，能更好的提升MOS可变电容的电压电容特性的模型仿真精度，同时解决MOS可变电容的仿真模型在RF射频应用中出现的电容对电压的二阶导数跳变问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种MOS可变电容的仿真模型建立方法和仿真方法，建立满足以下方程式的初始仿真模型

c＝(A×tanh(-v(g,b)×B+C)+D)×(tanh(-v(g,b)×E+F)+G)×(H×lr×wr×mr×nf)×(exp(-v(g,b)×I+J)+K)

对上述初始仿真模型的公式中的参数A～K进行调试，直至使利用该公式计算结果得到的电容对电压特性曲线与实际测量得到的电容对电压特性曲线相匹配，得到参数A～K的相应具体值，代入初始仿真模型的公式中，建立得到MOS可变电容的最终仿真模型，使用最终仿真模型进行仿真模拟。本发明不仅适用于所有类型的MOS可变电容，并且从数学分析的角度出发，通过不停地增加、减少参数并调试参数的值从而对仿真模型公式的优化，直至MOS可变电容模型在RF射频应用中出现的电容对电压的二阶导数跳变显著减少，同时MOS可变电容的电容对电压特性曲线的仿真精度显著提高。

为达到上述目的，本发明提供一种MOS可变电容的仿真模型建立方法，包括以下步骤：

步骤一：建立初始仿真模型，所述初始仿真模型为

c＝(A×tanh(-v(g,b)×B+C)+D)×(tanh(-v(g,b)×E+F)+G)×(H×lr×wr×mr×nf)×(exp(-v(g,b)×I+J)+K)

其中，c为所述初始仿真模型计算后得到的电容，v(g,b)为所述初始仿真模型中栅极和衬底之间的电压，A为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中影响电容对电压斜率的参数，B为影响所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容中积累区的电容幅度的参数，E为影响所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容中反型区的电容幅度的参数，C为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中用于调整在电压趋于0V时电容沿着电压轴方向作调整但不影响其它区域的电容的参数，F为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中用于调整电容沿着电压轴方向作调整而不影响其它区域的电容的参数，D、G、H、I、J、K分别为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中影响电容在电容轴所在的方向上移动的第一参数、第二参数、第三参数、第四参数、第五参数、第六参数，lr、wr、mr、nf分别代表所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容的栅极沟道的长度、宽度、个数以及栅极的个数；

步骤二：对所述初始仿真模型中的参数A～K进行调试，直至利用所述初始仿真模型计算结果得到的MOS可变电容的电容对电压特性曲线与实际测量得到的电容对电压特性曲线相匹配，并将匹配时得到的参数A～K代入所述初始仿真模型中以得到MOS可变电容的最终仿真模型。

作为优选，根据MOS可变电容的类型、尺寸和电压工作区域对所述初始仿真模型中的参数A～K进行调试。

作为优选，利用EDA系统建立所述MOS可变电容的仿真模型。

作为优选，所述EDA系统包括SPICE仿真系统。

作为优选，所述MOS可变电容的仿真模型为SPICE仿真系统中的宏模型。

作为优选，所述MOS可变电容为PMOS可变电容或者NMOS可变电容。

作为优选，所述A、C、D、F、H、I、J、K调试的范围为[-1,1]。

作为优选，所述E、G调试的范围为[-5,5]。

作为优选，所述B调试的范围为[-10,10]。

作为优选，所述MOS可变电容包括：形成在一半导体衬底中的阱区；形成于所述半导体衬底上的栅极；以及形成于所述栅极两侧的阱区中的源区和漏区。

作为优选，实际测量所述MOS可变电容时，所述MOS可变电容的漏极、源极皆接地，并在所述栅极上加载电压。

本发明还提供一种MOS可变电容的仿真方法，利用上述的建立仿真模型的方法得到的MOS可变电容的最终仿真模型进行仿真。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提供一种MOS可变电容的仿真模型建立方法，包括以下步骤：

步骤一：建立初始仿真模型，所述初始仿真模型为

c＝(A×tanh(-v(g,b)×B+C)+D)×(tanh(-v(g,b)×E+F)+G)×(H×lr×wr×mr×nf)×(exp(-v(g,b)×I+J)+K)

其中，c为所述初始仿真模型计算后得到的电容，v(g,b)为所述初始仿真模型中栅极和衬底之间的电压，A为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中影响电容对电压斜率的参数，B为影响所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容中积累区的电容幅度的参数，E为影响所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容中反型区的电容幅度的参数，C为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中用于调整在电压趋于0V时电容沿着电压轴方向作调整但不影响其它区域的电容的参数，F为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中用于调整电容沿着电压轴方向作调整而不影响其它区域的电容的参数，D、G、H、I、J、K分别为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中影响电容在电容轴所在的方向上移动的第一参数、第二参数、第三参数、第四参数、第五参数、第六参数，lr、wr、mr、nf分别代表所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容的栅极沟道的长度、宽度、个数以及栅极的个数；

步骤二：对所述初始仿真模型中的参数A～K进行调试，直至利用所述初始仿真模型计算结果得到的MOS可变电容的电容对电压特性曲线与实际测量得到的电容对电压特性曲线相匹配，并将匹配时得到的参数A～K代入所述初始仿真模型中以得到MOS可变电容的最终仿真模型。

本发明还提供一种MOS可变电容的仿真方法，利用上述的建立仿真模型的方法得到的MOS可变电容的最终仿真模型进行仿真。

本发明在大量实验数据和模型公式的比较，得出MOS可变电容的初始模型，即得到初始仿真模型公式，这是一种通用的仿真模型公式，然后对该模型公式中的参数A～K进行调试，当利用该初始仿真模型公式计算结果得到的电容对电压特性曲线与实际测量得到的电容对电压特性曲线匹配后，得出具体的参数A～K的取值，并代入初始仿真模型公式中，得到最终仿真模型，然后利用该仿真模型进行仿真模拟。这种仿真模型建立方法以及利用建立得到的仿真模型进行仿真的仿真方法不仅适用于所有类型的MOS可变电容，并且从数学分析的角度出发，通过不停地增加、减少参数并调试参数的值从而对仿真模型公式的优化，直至得出的仿真模型不再出现MOS可变电容在RF射频应用中的电容对电压的二阶导数跳变，同时MOS可变电容的电压电容特性的模型仿真精度显著提升。

附图说明

图1为现有技术中面积为54μm×54μmMOS可变电容结构的BSIM Compact SPICE模型的电容-电压特性曲线；

图2为图1模型的电容-电压二阶导数特性曲线；

图3为现有技术中面积为9μm×9μmMOS可变电容结构的BSIM Compact SPICE模型的电容-电压特性曲线；

图4为图3模型的电容-电压二阶导数特性曲线；

图5为本发明实施例一的面积为54μm×54μmMOS可变电容结构SPICE模型的电容-电压特性曲线；

图6为图5模型的电容-电压二阶导数特性曲线；

图7为在测量条件相等的情况下参数A、B、E对电容-电压特性曲线仿真结果的影响；

图8为在测量条件相等的情况下参数C在电压0V附近的对电容-电压特性曲线仿真结果的影响；

图9为在测量条件相等的情况下参数F对电容-电压特性曲线仿真结果的影响；

图10为在测量条件相等的情况下参数D、G、H、I、J、K影响对电容-电压特性曲线仿真结果的影响；

图11为本发明实施例一MOS可变电容结构的俯视图；

图12为图11中MOS可变电容结构的剖面示意图；

图13为本发明实施例二的面积为9μm×9μmMOS可变电容结构SPICE模型的电容-电压特性曲线；

图14为图13模型的电容-电压二阶导数特性曲线；

图15为本发明提供的MOS可变电容的仿真模型建立方法的流程图。

图中：1-栅极、2-源区、3-漏区、4-阱区、5-衬底、6-栅极氧化层。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

实施例一

为达到上述目的，本发明采用EDA系统包括SPICE仿真系统中比较灵活的Macro宏模型，通过大量的实验数据和模型公式的比较，最终找到了一种针对MOS可变电容的通用的宏模型公式。通过对MOS可变电容的电容电压特性的分析，发现用双曲函数tanh(x)(x是施加于栅极1的电压)与指数函数exp(x)(x是施加于栅极1的电压)相乘并结合尺寸相关的参数A～K，得到了一种MOS可变电容的仿真模型建立方法以及仿真方法，可以得到比较精确的仿真结果，请参照图15，包括以下步骤：

建立满足以下模型方程式的初始仿真模型：

c＝(A×tanh(-v(g,b)×B+C)+D)×(tanh(-v(g,b)×E+F)+G)×(H×lr×wr×mr×nf)×(exp(-v(g,b)×I+J)+K)

其中，c为初始仿真模型计算后得到的电容，v(g,b)为初始仿真模型中栅极1和衬底5两端之间的电压。

关于参数A～K：

请参照图7，A为初始仿真模型的电容对电压特性曲线中影响电容对电压斜率的参数；

请继续参照图7，B为影响初始仿真模型所对应的MOS可变电容积累区的电容幅度的参数，E为影响初始仿真模型所对应的MOS可变电容中反型区的电容幅度的参数；

图7中，点为实测数据，连接点形成的实线为仿真结果形成的曲线，而虚线是同时调整A、B、E后，仿真结果形成的曲线发生变化后所形成的曲线。

请参照图8，C为初始仿真模型的电容对电压特性曲线中用于调整在电压趋于0V时电容沿着电压轴方向作调整但不影响其它区域的电容的参数，图中，点为实测数据，连接点形成的实线为仿真结果形成的曲线，而虚线是调整C后，仿真结果形成的曲线发生变化所形成的曲线；

请参照图9，F为初始仿真模型的电容对电压特性曲线中用于调整电容沿着电压轴方向作调整而不影响其它区域的电容的参数,点为实测数据，连接点形成的实线为仿真结果形成的曲线，而虚线是调整F后，仿真结果形成的曲线发生变化所形成的曲线；

请参照图10，D、G、H、I、J、K分别为初始仿真模型的电容对电压特性曲线中影响电容在电容轴所在的方向上移动的第一参数、第二参数、第三参数、第四参数、第五参数、第六参数，点为实测数据，连接点组成的实线为仿真结果形成的曲线，而虚线是同时调整D、G、H、I、J、K后，仿真结果形成的曲线发生变化所形成的曲线。

参数A～K在各自所在的领域内的影响并无规律可循，需通过不断地调整尝试，得到最佳取值。

较佳地，参数A～K可在以下范围内调整：

表1

参数调整范围	最小值	最大值
			A	-1	1
B	-10	10
			C	-1	1
D	-1	1
			E	-5	5
F	-1	1
			G	-5	5
H	-1	1
			I	-1	1
J	-1	1
			K	-1	1

经过大量调试工作后，得到对于NMOS结构，参数A～K的最佳取值，具体如下：

A＝0.19529

B＝5.1796

C＝0.59459

D＝0.39019

E＝1.4505

F＝0.41643

G＝1.5517

H＝0.012181

I＝0.0082008

J＝-0.2858

K＝0

则将上述参数A～K的最佳取值代入模型公式中，得到NMOS结构可变电容的最终仿真模型，然后利用此最终仿真模型进行仿真模拟。

而对于PMOS结构，参数A～K的最佳取值，具体如下：

A＝0.19522

B＝4.1007

C＝0.0024087

D＝0.38481

E＝1.4094

F＝0.44704

G＝2.0355

H＝0.0086875

I＝2.3648×10^-5

J＝-0.24487

K＝1.4692×10^-16

则将上述参数A～K的最佳取值代入模型公式中，得到PMOS结构可变电容的最终仿真模型，然后利用此最终仿真模型进行仿真模拟。

对于其它结构，可将参数A～K在表1所显示的数值范围中选取任意值试验，直到得到参数A～K的最佳取值。

lr、wr、mr、nf分别代表初始仿真模型以及最终仿真模型所对应的MOS可变电容的栅极1沟道的长度、宽度、个数以及栅极1的个数。

本发明提供的建立仿真模型的方法所建立的MOS可变电容的仿真模型既可以为PMOS可变电容也可以是NMOS可变电容。

请参照图11和图12，初始仿真模型以及最终仿真模型的物理结构为在衬底5上方具有一层阱区4，在所述阱区4上方具有栅极1，阱区4内未被栅极1覆盖之处分别为源区2和漏区3，源区2和漏区3分别排列在栅极1两侧。

实际测量本发明提供的仿真模型的所对应的MOS可变电容时，条件皆与背景技术中MOS可变电容的测试条件相同，即在漏极、源极皆接地的条件下，在栅极1上加载电压所测量得到，即保证衬底和源区之间的电压为0V、漏区和源区之间的电压为0V，加载电压的范围为[-1.5V,1.5V]，横坐标为栅极和源区之间的电压变化，纵坐标为栅极上测得的电容。

使用面积为54μm×54μmNMOS可变电容结构SPICE模型进行仿真计算，在加载与图1和图2同等电压的条件下，测量条件也相同的情况下，将实际测量得到的电容，与仿真计算得到的电容比较，得到了图5与图6，其中由点组成的实线为实际测量得到的电容数据，虚线为使用模型公式计算得到的电容数据，也即仿真计算结果，将其与图1和图2相比较，可以看出，本发明提供的面积为54μm×54μmMOS可变电容结构SPICE模型的电容-电压特性曲线，其仿真计算结果与实际测量得到的电容数据完全匹配，精确度大大提高，且在图6中二阶导数的跳变相比于图2也大大减少，这是因为本发明提供的仿真模型的建立方法是从数学分析的角度出发，对仿真模型的公式进行参数调整，使得仿真模型的公式优化，直至得到的最终仿真模型所对应的二阶导数跳变减少。

此外，还可以扩大加载电压的范围，如电压范围在[-3.3V,3.3V]之间，也可以利用本发明提供的仿真模型建立方法和仿真方法进行操作。

实施例二

本实施例与实施例一的区别在于，使用面积为9μm×9μmNMOS可变电容结构SPICE模型进行仿真计算，在加载与图3和图4同等电压的条件下，将实际测量得到的电容，与使用仿真模型公式计算得到的电容比较，其中参数A～K的最佳取值与实施例一相同，得到了图13与图14，其中点为实际测量得到的电容数据，由点连成的实线为使用模型公式计算得到的电容数据，将其与图3和图4相比较，可以看出，本发明提供的面积为9μm×9μmMOS可变电容结构SPICE模型的电容-电压特性曲线，其仿真计算得到的结果与实际测量得到的电容数据相匹配，精确度大大提高，且在图14中二阶导数的跳变相比于图4也大大减少。

显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种MOS可变电容的仿真模型建立方法，其特征在于，包括：

步骤一：建立初始仿真模型，所述初始仿真模型为

c＝(A×tanh(-v(g,b)×B+C)+D)×(tanh(-v(g,b)×E+F)+G)×(H×lr×wr×mr×nf)×(exp(-v(g,b)×I+J)+K)

其中，c为所述初始仿真模型计算后得到的电容，v(g,b)为所述初始仿真模型中栅极和衬底之间的电压，A为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中影响电容对电压斜率的参数，B为影响所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容中积累区的电容幅度的参数，E为影响所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容中反型区的电容幅度的参数，C为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中用于在电压趋于0V时电容沿着电压轴方向作调整但不影响其它区域的电容的参数，F为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中用于电容沿着电压轴方向作调整而不影响其它区域的电容的参数，D、G、H、I、J、K分别为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中影响电容在电容轴所在的方向上移动的第一参数、第二参数、第三参数、第四参数、第五参数、第六参数，lr、wr、mr、nf分别代表所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容的栅极沟道的长度、宽度、个数以及栅极的个数；

步骤二：根据MOS可变电容的类型、尺寸和电压工作区域对所述初始仿真模型中的参数A～K进行调试，直至利用所述初始仿真模型计算结果得到的MOS可变电容的电容对电压特性曲线与实际测量得到的电容对电压特性曲线相匹配，并将匹配时得到的参数A～K代入所述初始仿真模型中以得到MOS可变电容的最终仿真模型。

2.如权利要求1所述的MOS可变电容的仿真模型建立方法，其特征在于，利用EDA系统建立所述MOS可变电容的仿真模型。

3.如权利要求2所述的MOS可变电容的仿真模型建立方法，其特征在于，所述EDA系统包括SPICE仿真系统。

4.如权利要求3所述的MOS可变电容的仿真模型建立方法，其特征在于，所述MOS可变电容的仿真模型为SPICE仿真系统中的宏模型。

5.如权利要求1所述的MOS可变电容的仿真模型建立方法，其特征在于，所述MOS可变电容为PMOS可变电容或者NMOS可变电容。

6.如权利要求1所述的MOS可变电容的仿真模型建立方法，其特征在于，所述A、C、D、F、H、I、J、K调试的范围为[-1,1]。

7.如权利要求1所述的MOS可变电容的仿真模型建立方法，其特征在于，所述E、G调试的范围为[-5,5]。

8.如权利要求1所述的MOS可变电容的仿真模型建立方法，其特征在于，所述B调试的范围为[-10,10]。

9.如权利要求1所述的MOS可变电容的仿真模型建立方法，其特征在于，所述MOS可变电容包括：形成在一半导体衬底中的阱区；形成于所述半导体衬底上的栅极；以及形成于所述栅极两侧的阱区中的源区和漏区。

10.如权利要求9所述的MOS可变电容的仿真模型建立方法，其特征在于，实际测量所述MOS可变电容时，所述MOS可变电容的漏极、源极皆接地，并在所述栅极上加载电压。

11.一种MOS可变电容的仿真方法，其特征在于，利用权利要求1～10中任意一项所述的方法得到的MOS可变电容的最终仿真模型进行仿真。