CN105177532B - 用于管腔内聚合物沉积的设备和方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用于管腔内聚合物沉积的设备和方法。用于将涂层涂覆至在制品的通道周围的内表面的方法和设备。在该制品的通道内从工艺气体产生等离子体，并且从等离子体将涂层沉积到该内表面上。该制品可选择地放置在导电导管的通道内。该制品或该导电导管被与射频发生器相联接以在制品通道内产生等离子体。

Description

用于管腔内聚合物沉积的设备和方法

技术领域

本发明通常涉及等离子体处理，并且尤其是涉及用于为表面涂覆薄膜的方法和设备。

背景技术

硅橡胶材料被广泛地用于各种应用中，包括高温密封件和O形圈、手柄把手、电绝缘体、可植入装置等。对于一些要求低表面摩擦的应用来说，尤其是对于当一个物体穿过通道时的内通道表面来说，硅橡胶非常粘的特性可能会导致一些问题。

因此，需要一种方法和设备以降低在围绕通道的内表面和与该内表面相接触的物体之间的动态摩擦系数。

发明内容

在一个实施例中，提供了一种方法，用于将涂层涂覆到在围绕制品中的通道的内表面。该方法包括在制品的通道内从工艺气体产生等离子体，并在内表面上从等离子体沉积涂层。

在另一个实施例中，提供了一种设备，用于将涂层涂覆至制品通道的内表面。该设备包括处理室、射频发生器以及导电导管，该导电导管具有被构造成接收该制品的通道。导电导管被定位在处理室内，并且导电导管与射频发生器联接，以接收功率，以当制品被接收在导电导管的通道中时，在制品中的通道内产生等离子体。

附图说明

被合并在此说明书中且构成其一部分的附图示出了本发明的实施例，且与以上给出的对本发明的概括描述和下面给出的详细说明一起，用于解释本发明的原理。

图1是等离子体处理系统的前视图。

图2是示出了根据本发明实施例的等离子体处理系统的处理室的可抽空空间和被设置在可抽空空间内的导管以及相关联的管的视图。

图3是图2的导管中的一个导管的透视图。

图4是大致沿图3中线4-4所截取的横截面图。

图5是图2的管中的一个管的透视图。

图6是大致沿图5中线6-6所截取的横截面图。

图7是位于导管中的一个导管中的管中的一个管的透视图。

图8是大致沿图7中线8-8所截取的横截面图。

图9是在等离子体处理之后的图8的圆圈区域的详细横截面图。

图10是示出了用于作为对照的未处理样品和采用与本发明实施例相一致的方式涂敷了薄膜的处理过的样品的线性往复的球在平面上的磨耗测试的图。

具体实施方式

参考图1和2，等离子体处理系统10包括柜体12、与柜体12相关联的反应或处理室14以及由处理室14的壁所包围的可抽空空间16。通过处理室14的壁中所限定的入口可进入该可抽空空间16。腔室门18可以被打开和关闭，以提供穿过入口进入可抽空空间16的通路。在其关闭状态，该腔室门18提供了将可抽空空间16与处理室的周围环境相隔离的流体紧密密封。可具有铰链附接件的腔室门18携带锁闩20，当腔室门18处于关闭位置时，该锁闩20接合处理室14的一部分。锁闩20被用于固定腔室门18，以将处理室14密封隔离周围环境。处理室14由适用于高真空应用的导电材料如铝合金或不锈钢形成，并且其可以与电接地相联接。

借助于抽真空系统23通过处理室14中的泵口22将处理室14内限定的可抽空空间16抽空。可位于柜体12内或与柜体12相邻的地面上的抽真空系统23，与泵口22相连接。抽真空系统23可包括一个或多个真空泵，所述一个或多个真空泵具有由真空技术领域中普通技术人员所公知的结构和操作。例如，抽真空系统23可包括一个旋转叶片泵和罗茨鼓风机，它们协作以建立和维持该处理室14内的在毫托范围内的真空压力。每次可抽空空间16泄放时，使用抽真空系统23来从可抽空空间16抽出大气气体，并且此外，使用抽真空系统23来提供从例如在处理室14前部附近的一个或多个气口24至在处理室14后部附近的泵口22的连续定向的工艺气体流。气口24借助于气体管线与工艺气体源26联接。

等离子体处理系统10包括位于处理室14内的至少一个搁板28和以射频(RF)发生器30为代表形式的等离子体激发源。RF发生器30的输出可通过阻抗匹配网络32与电力总线34联接，电力总线34继而包括与可抽空空间16中的导电导管40a-40e相联接的导电构件。处理室14的壁可用作无电力的接地对电极。RF发生器30可在例如13.56MHz的频率下操作。由RF发生器30提供的功率可为例如在13.56MHz下从约100瓦至约300瓦的范围内。RF发生器30可被构造为操作用于以脉冲方式来传递功率，并且具体地，具有例如脉冲频率(Hz)和占空比(导通时间百分比)的脉冲参数的功率。例如，脉冲频率可在1Hz-10000Hz的范围内进行调整，并且占空比可在1％-99％的范围内调整，从而限定不同的脉冲参数组合。

用于等离子体处理系统10的控制器36可被实施在一个或多个计算装置或系统(在此统称为计算机)上。控制器36可包括至少一个处理器、存储器、大容量存储器装置、输入/输出(I/O)接口和人机界面(HMI)。该计算机还可以可操作地经由网络和/或I/O接口联接到一个或多个外设。

控制器36的处理器可在存储于存储器中的操作系统的控制下进行操作。操作系统可管理计算资源，使得具体表现为一个或多个计算机软件应用程序的计算机程序代码，例如存储在存储器中的计算机软件应用程序，可具有由处理器执行的指令。一个或多个数据结构还可存储在存储器中，并且可被控制器36的处理器、操作系统或应用程序使用以存储或处理数据，例如提供操作等离子体处理系统10以执行沉积的方法的数据。

控制器36的I/O接口可提供机器接口，该机器接口可操作地将处理器联接至由等离子体处理系统10使用的硬件(例如，抽真空系统23、工艺气体源26、RF发生器30)以执行这里所描述的等离子体沉积。由此该应用程序可通过在I/O接口上的通信与硬件协同工作，以提供包含本发明的实施例的各种特征、功能或过程。

控制器36的HMI可以以已知方式可操作地联接到处理器从而允许用户直接与计算机交互。HMI可包括视频或字母数字显示器、触摸屏、扬声器以及任何其它合适的能够提供数据给用户的音频和视频指示器。HMI还可包括输入装置和控制器，例如字母数字键盘、指针装置、键板、按键、控制旋钮、麦克风等，该输入装置和控制器能够接受来自用户的命令或输入并且将所输入的输入发送至处理器。

数据库可以存储在控制器36的大容量存储器装置中，并且可被用于收集和组织由等离子体处理系统10所使用的数据，例如提供操作等离子体处理系统10的程序方法的数据。数据库可包括数据和支持数据结构以及呈计算机软件应用程序的形式的数据库管理系统，该支持数据结构存储和组织数据，该数据库管理系统用于响应于程序的初始化来访问被存储在数据库记录中的信息或数据以执行等离子体沉积。

多个导电导管40a-40e被布置在处理室14内。导电导管40a-40e包括可再用和可回收的部件，该可再用和可回收的部件被用于通过在管50a-50e中的每一个管中的以管腔54为代表形式的内部通道的内部或内部表面53上形成聚合涂层或薄膜，来批量处理连续多组以管道或管50a-50e为代表形式的制品。

工艺气体源26可包括一个或多个质量流控制器，所述一个或多个质量流控制器构造成控制工艺气体至在处理室14内的可抽空空间16的流动。工艺气体源26可调节在可抽空空间16中的气体压力和气体混合物。工艺气体源26可提供工艺气体，该工艺气体包括以蒸气或气体的形式的惰性气体和前体单体，该惰性气体和前体单体每一个在足以维持导电导管40a-40e的通道44内的中空阴极等离子体的总处理压力下存在于可抽空空间16中。工艺气体可包括由工艺气体源26以单流提供的惰性气体和前体单体的混合物，或可包括由工艺气体源26通过分离的气体管线而输送的组合从而该混合物仅在处理室14的内部形成。

聚合过程的处理方法可根据等离子体处理的性质而变化。在一个实施例中，惰性气体可包括氩气，前体单体可包括呈气体或蒸气形式的四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氧烷(HDMSO)或1，1，3，3-四甲基二硅氧烷(tDMSO)的分子。前体单体的分子可在形成等离子体的过程中被分解，并且离子化分子可在其凝结在内部表面53上时结合(即，聚合)。由此，等离子体引发的单体分子反应可在内部表面53上形成涂层或薄膜60(图9)，该涂层或薄膜60由链式和/或三维网络结构的聚合物构成。在一个实施例中，构成薄膜60的聚合物可以是硅氧烷。

参考图3和图4，其中与图2中类似的附图标记指代类似的特征，根据本发明的实施例，导电导管40a-40e中的每一个导电导管包括侧壁42，该侧壁围绕呈管腔44形式的通道，该管腔44沿纵向轴线45从一端46延伸到相反端48。管腔44在端部46、48中的每一个端部处敞开。在代表性实施例中，导电导管40a-40e中的每一个导电导管包括中空筒，该中空筒具有内径并且由例如像铝合金的金属的导电体构成。

参考图5和6，其中与图2-4中类似的附图标记指代类似的特征，管50a-50e中的每一个管是在纵长上中空的，并包括围绕管腔54的侧壁52，管腔54沿纵向轴线55从一端56延伸到相反端58。管腔54在端部56、58中的每一个端部处敝开。由于导电导管40a-40e是单独选择的，因此对于通过使用不同尺寸的导电导管40a-40e来同时处理不同直径管的管50a-50e没有限制。

参考图7-9，其中与图2-6中类似的附图标记指代类似的特征，并根据本发明的实施例，管50a-50e被放置在导电导管40a-40e内，然后当管50a-50e处于导电导管40a-40e中时由处理室14内产生的等离子体进行批量处理。在一个实施例中，管50a-50e中的一个或多个管的相反端56、58中的一端或两端可位于导电导管40a-40e中的对应的一个导电导管的相应的相反端46、48内。在另一个实施例中，管50a-50e中的每一个管的相反端56、58两者都可位于导电导管40a-40e中的对应的一个导电导管的相应的相反端46、48内。

导电导管40a-40e的通道44的形状可匹配管50a-50e的外表面51，从而当管50a-50e如图7、8中最佳显示那样插入导电导管40a-40e中时，管50a-50e的外表面51和导电导管40a-40e的围绕通道44的内表面41之间的间隙或缝隙被最小化，并且优选的，是可忽略的或不存在的。特别是，该间隙可足够小(例如，小于或等于1毫米)，从而不支持在间隙内的等离子体的激发。如果导电导管40a-40e中的每一个导电导管的管腔44具有筒形的几何形状，则表面51的外径和表面41的内径可以被构造成尺寸上彼此匹配以最小化间隙。当管50a-50e插入导电导管40a-40e中时，纵向轴线45、55可对准成彼此平行。在代表性实施例中，纵向轴线45、55可为共线的，因为管50a-50e和导电导管40a-40e中的相应对的管和导管是同轴的。

在代表性实施例中，并且如图2所最佳示出，当导电导管40a-40e处于搁板28上时导电导管40a-40e可以定向为平行布置，从而使得它们的通道44、54同样平行布置。例如，导电导管40a-40e的通道44以及由此所导致的管50a-50e的通道54可被定向为等离子体处理系统10中的工艺气体流的方向39。这种定向选择可增加通道44内工艺气体的补充，这是因为工艺气体流的优选方向39与相应通道44、54的纵向轴线45、55平行。特别是，如果等离子体处理系统10中的工艺气体流的方向通常从处理室14的前部朝向处理室14的后部指向，则导电导管40a-40e的通道44可具有相同的方向以使得工艺气体流从一端46指向相反端48。

导电导管40a-40e中的每一个导电导管的内腔44限定了与可形成高密度等离子体的中空阴极结构类似的结构。然而，除其它因素外，等离子体形成的物理现象还依赖于提供为等离子体放电优化的操作气体压力。该工艺气体混合物和压力可被优化，以减少通道44内产生的中空阴极等离子体的强度。这种优化可允许等离子体聚合过程继续进行而不会分解单体前体，并可由此提供在通道54内部以及内部表面53上的涂层或薄膜60(图9)的沉积，并且具有可接受的薄膜质量。例如，薄膜60在管腔54的相反端56、58之间沿着纵向轴线55在内部表面53上的所有位置处都可具有均匀的厚度。

在使用中，处理室14泄放至大气压力，腔室门18被打开以露出该入口，并且导电导管40a-40e中的每一个导电导管中被插入有管50a-50e中的一个管，以提供必要的配对。管50a-50e中的每一个管的端部56在一端46处被插入到导电导管40a-40e中的一个导电导管的管腔44中。然后施加力以将管50a-50e中的每一个管朝向相应的导电导管40a-40e的相反端48移动穿过内腔44。导电导管40a-40e可被固定在处理室14内，以使管50a-50e被放置在导电导管40a-40e中，且导电导管40a-40e具有固定的位置。可替代地，可在处理室14之外将管50a-50e放置于导电导管40a-40e内，然后将该组件移入到处理室14中。当置于处理室14的内部时，导电导管40a-40e联接到RF发生器30，以使导管40a-40e可成为供电电极的一部分。

腔室门18关闭并且锁闩20接合，从而将处理室14的可抽空空间16与周围环境相隔离。使用相关联的合适的阀门将抽真空系统23放置成与可抽空空间16相连通，然后从可抽空空间16中抽空大气气体。在到达处理室14内的适当基准压力时，在处理室14被抽真空系统23抽空的同时，可将工艺气体流从工艺气体源26供给到可抽空空间16。具体地，工艺气体源26提供包括惰性气体和前体单体气体或蒸气的工艺气体。惰性气体的分压有助于提升通道54中的操作压力。在管50a-50e的通道54内部确立总压力，并且由此，确立导电导管40a-40e的通道44内的总压力，该总压力足以引发和维持每组通道对44、54中的中空阴极等离子体。

一旦在处理室14内达到并且稳定于所期望的处理压力，RF发生器30通电以提供高频电功率至导电导管40a-40e，该导电导管40a-40e激发包括通道54内的工艺气体的气体样本以形成等离子体。导电导管40a-40e是供电电极的一部分，而不仅仅是等离子体中的浮体。管50a-50e物理上位于相应管腔54中的工艺气体和导电导管40a-40e中的对应的一个导电导管之间。前体单体的分子可在形成等离子体的过程中被分解，并且当其在内部表面53上凝结时离子化分子可以结合(即，聚合)。由此，等离子体所引发的前体单体反应可在内部表面53上形成由聚合物链和/或三维网络结构构成的薄膜60(图9)。如果前体单体包括呈气体或蒸气形式的四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氧烷(HDMSO)或1，1，3，3-四甲基二硅氧烷(tDMSO)，则薄膜60可包括硅氧烷膜。

为了最小化管50a-50e内工艺气体的耗尽效应、为了减少加热并且为了在管腔内生长更高质量的薄膜60，在沉积过程期间RF功率为脉冲式的，从而在交替的连续时间段内间歇地激发和熄灭等离子体。脉冲频率和占空比被设定为使得新的未反应的气体样品能够在连续功率脉冲之间从相反端56、58从可抽空空间16扩散到管50a-50e中。例如，用于薄膜沉积的脉冲参数可包括1Hz的脉冲频率和10％的占空比。该特定的脉冲参数组合转化为以下的连续循环，其中0.1秒施加功率以沉积管腔内涂层，接下来的0.9秒停止施加功率至导电导管40a-40e，从而等离子体熄灭并且为通道54补充未反应的前体单体。脉冲参数的选择可取决于管50a-50e的直径和长度(例如，纵横比)。脉冲还可减少输入到导电导管40a-40e中的总能量，这可消除对管50a-50e不利的热降解。

在处理期间，采用小于或等于50毫托的工艺气体压力可以实现使用例如TMCTS的单体前体的最佳沉积性能。处于或低于该阈值压力的工艺气体压力可提高薄膜60的膜质量和/或防止粉末沉积。然而，用于单体前体的这些工艺气体压力小于在管腔44内产生中空阴极等离子体所需的气体压力。例如，维持通道54内的等离子体所需的处理压力可大于或等于75毫托。

优化沉积与产生中空阴极等离子体的这些矛盾需求，可通过将惰性气体的分压引入到包括单体前体的分压的工艺气体来进行调解。惰性气体的分压增加了总体处理压力(即，惰性气体的分压和单体前体的分压之和)，从而在保持前体单体的分压恒定且处于为沉积具有高质量薄膜特性的涂层而优化的水平下的同时，促进中空阴极等离子体的产生。单体前体的分压可以保持在小于或等于50毫托，并且可引入惰性气体的分压来使得总压力升高至大于或等于75毫托的值。

在管50a-50e的管腔54的内部表面53上所得到的薄膜60的沉积可有效的修正或改变内部表面53的属性。例如，薄膜60可有效的显著减少高摩擦材料(如，橡胶)管的粘性，而不会影响管50a-50e的外表面51。例如，管50a-50e可由硅橡胶构成，并且在管50a-50e的内表面上沉积的薄膜与未处理的情况相比可以减少粘性和表面摩擦。本发明的各种实施例的处理相对便宜并且易于实施在管50a-50e内沉积粘性减小的薄膜。低粘性表面可有助于将物体或装置插入到管50a-50e的管腔54中，以及消除在接触的硅橡胶表面之间随着时间的过去而发生的任何不希望的粘合。

在替代实施例中，薄膜60可包括不同类型的材料和/或可具有不同的功能。例如，薄膜60可提供防扩散屏障，或者可提供化学活性物质。

在替代实施例中，如果管50a-50e由例如金属的导体构成，则可对管50a-50e进行处理以在不使用导电导管40a-40e的情况下提供管腔内的涂层。管50a-50e由形成供电电极一部分的独立物体构成，而不仅仅是等离子体中的浮体。该使用情况适用的独立物体的示例是支架，该支架仅需要以类似于上文所描述的方式与RF能量相联接，且在合适的工艺气体的分压和功率控制下激发间歇的中空阴极等离子体。在处理之前，该支架可涂覆有粘性材料，例如硅树脂，然后再附接至用于输送的气囊。薄膜60可用于在装置在病人体内输送时防止在支架上的粘性材料涂层粘附到该气囊。

示例和比较示例

采用与本发明的实施例一致的方式处理硅树脂管道。硅树脂管道的样品作为对照保持在未处理的条件下。将管纵向切为两半以建立管道样品——一半通过涂覆减小摩擦的薄膜进行处理，另一半未处理。

将硅树脂管道放入铝导管内部，而铝导管与电力总线联接。前体单体(四甲基环四硅氧烷(TMCTS))以每分钟3标准立方厘米(sccm)的体积流速与氩以20sccm的体积流速一起供应到处理室。处理室中以120毫托压力、供给到导管的200瓦特功率、1赫兹的脉冲频率、10％的脉冲占空比以及30分钟的处理时间，来沉积硅氧烷膜。

管道样品进行线性往复的球在平面上的磨耗测试。测试方法涉及抵靠着两个管道样品的平坦内表面滑动球状端样品(或“球”样品)。球样品和每一个管道样品彼此以线性、往复滑动运动的方式移动。负载通过球样品竖直向下施加给水平安装的平坦样品。由于测试方法涉及往复滑动，其中在测试期间发生滑动速度和运动方向的变化，因此不能维持等速条件。球样品和每一个管道样品两者的尺寸变化被用来计算磨损体积和磨损率。

摩擦力在测试期间被测量并用于评估作为时间函数的接触条件或动态摩擦系数的变化。球样品被安装在刚性杠杆上，刚性杆设计为无摩擦的力传感器。随着每一个管道样品的来回移动，在球样品和扁平样品之间作用的产生的摩擦力使用线性可变差动变压器(LVDT)传感器根据杠杆的非常小的挠度来进行测量。这种测试方法便于摩擦和磨损性能的确定和研究。

测试仪器是可从CSM仪器购买获得的销在盘上的“摩擦计”。测试条件和参数为施加的0.167牛顿的法向力、50毫米的行程长度、0.5米的滑动距离以及0.006米每秒的最大线性速度。获取5个周期的数据，第1个周期的数据用于数据分析。球样品的直径为3毫米，由SS440C级25不锈钢构成。测试无润滑，并在室温下的空气中进行。

沿着每一个管道样品的内表面在每段50毫米的5段中进行测量。当对来自测量的数据进行分析时，在图10中绘制用于管道样品的作为球样品位置函数的平均摩擦系数(μ)。采用10点移动平均来进行平滑。处理过的样品的数据由图10下面一组的数据点表示，未处理的样品的数据由图10的上面一组数据点表示。未处理的管道在所有位置处的平均动态摩擦系数被确定为0.309±0.060，而处理过的管道在所有位置处的平均动态摩擦系数被确定为0.246±0.114。从测试结果的比较可以明显看出，在处理过的管道的通道的内表面涂覆的薄膜有效地降低了平均动态摩擦系数。

这里通过示例的方式并且不通过限制的方式引用诸如“竖直”、“水平”等的术语以建立参考框架。应当理解，可以使用各种其它参考框架而不偏离本发明的精神和范围。

应该理解的是，当元件被描述为“连接”或“联接”到另一元件或与另一元件“连接”或“联接”时，它可以直接连接或联接到另一元件，或者，替代地，可存在一个或多个中间元件。相比而言，当元件被描述为“直接连接”或“直接联接”至另一元件或与另一元件“直接连接”或“直接联接”时，则不存在中间元件。当元件被描述为“间接连接”或“间接联接”至另一元件或与另一元件“间接连接”或“间接联接”时，则存在至少一个中间元件。

虽然已经通过各种实施例的描述示出了本发明并且已经相当详细地描述了这些实施例，但申请人不意图将所附权利要求的范围限制或以任何方式限定到这种细节。本领域技术人员将容易地理解另外的优点和修改。因此，本发明在其较宽广的方面不限于具体细节、代表性设备和方法和示出并描述的示例性示例。因此，可偏离这种细节而不偏离申请人的总发明构思的精神或范围。本发明的范围本身应当仅由所附权利要求限定。

Claims (10)

1.一种将涂层涂覆到多个制品的方法，每个制品具有第一端和与所述第一端相反的第二端、通道、围绕所述通道的内部表面，和外部表面，所述方法包括：

将所述多个制品放置在多个导电导管内，每个导电导管具有两个相反端、通道和围绕所述通道的内部表面，从而每个制品的第一端和第二端中的至少一端位于所述多个导电导管中的一个导电导管的两个相反端内，并且间隙形成在每个导电导管的内部表面与每个相应制品的外部表面之间；

当所述制品位于所述多个导电导管中的一个导电导管的通道内时在每个制品的通道内从工艺气体产生等离子体放电；

防止在每个导电导管的内部表面与每个制品的外部表面之间的每个间隙中的等离子体放电；以及

从所述等离子体放电将所述涂层沉积在所述多个制品中的每个制品的内部表面上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在每个制品的通道内产生所述等离子体放电包括：

在所述通道内的总压力下将所述工艺气体供应到每个制品的通道，所述总压力包括惰性气体的分压和前体单体的分压。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述前体单体选自如下的组，所述组由四甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氧烷以及1,1,3,3-四甲基二硅氧烷构成。

4.根据权利要求2所述的方法，其中每个导电导管与电源相联接，并且在每个制品的通道内产生所述等离子体包括：

从所述电源向每个导电导管供应具有脉冲频率和占空比的射频功率。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述占空比包括供电部分和非供电部分，并且所述方法进一步包括：

在所述占空比的非供电部分期间通过从所述制品的相反端向内的气体流来在每个制品的通道内补充所述工艺气体。

6.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

通过选择所述惰性气体的分压来提高所述工艺气体的总压力以支持每个制品的通道内的所述等离子体放电。

7.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

通过选择所述前体单体的分压来在每个制品的第一端和第二端之间以均匀的厚度沉积所述涂层。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

通过选择所述惰性气体的分压来提高所述工艺气体的总压力以支持每个制品的通道内的所述等离子体放电。

9.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

将每个导电导管的通道和每个制品的通道定向为与处理室内的所述工艺气体的流动方向平行。

10.根据权利要求1所述的方法，其中将所述多个制品放置在多个导电导管内的步骤包括：

将所述多个制品中的一个制品放置在所述多个导电导管中的相应一个导电导管内。