CN105160382A - Rfid标签、rfid标签的制备方法和带rfid标签的产品 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种RFID标签、RFID标签的制备方法和带RFID标签的产品，其中，RFID标签包括基层、镶嵌层、粘结层及保护层；所述镶嵌层包括天线、RFID芯片及导电胶，所述天线形成于基层上，所述RFID芯片通过导电胶电性连接并粘合固定于所述天线上；所述粘结层设于所述基层与所述保护层之间，所述保护层通过粘结层与所述基层紧密粘合以将所述镶嵌层包覆于所述基层与所述保护层之间，其能够适应高温高压等恶劣环境。
Description
技术领域
本发明涉及RFID移动识别技术领域，特别涉及一种RFID标签、RFID标签的制备方法和带RFID标签的产品。
背景技术
现有的RFID标签一般包括基层和镶嵌层，镶嵌层包括天线、RFID芯片及导电胶，天线形成于基层上，RFID芯片通过导电胶电性连接并粘合固定于天线上；使用时，在基层的背面贴合双面胶或粘结剂，粘贴到要监测的产品表面。由于现在有很多产品在制备、使用的过程中所处的环境可能较为恶劣，例如高温、高压，当过高的温度或过大的压强直接作用到RFID芯片的镶嵌层，容易对镶嵌层暴露的另一面造成损毁以至影响功能和性能。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种RFID标签，旨在能够适应高温高压等恶劣环境。
为实现上述目的，本发明提出的RFID标签，包括基层、镶嵌层、粘结层及保护层；所述镶嵌层包括天线、RFID芯片及导电胶，所述天线形成于基层上，所述RFID芯片通过导电胶电性连接并粘合固定于所述天线上；所述粘结层设于所述基层与所述保护层之间，所述保护层通过粘结层与所述基层紧密粘合以将所述镶嵌层包覆于所述基层与所述保护层之间。
优选地，所述基层和保护层为耐100-350℃的温度、耐80-300MPa的压强的高分子薄膜。
优选地，所述基层包括聚酰亚胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一种或多种；和/或，所述保护层包括聚酰亚胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一种或多种。
优选地，所述粘结层为双面胶或粘结剂层。
优选地，所述RFID标签，还包括设于基层下方的用于将RFID标签粘合到待监测产品上的胶层。
本发明还提出一种RFID标签的制备方法，包括：
提供基层；
在所述基层的上表面形成天线，使用导电胶将RFID芯片电性连接并粘贴固定于所述天线上，从而在所述基层的上表面形成镶嵌层；
提供粘结层，将粘结层放置于形成了所述镶嵌层的所述基层的上方；
提供保护层，将所述保护层放置于所述粘结层的上方，向下压合所述保护层，以通过所述粘结层紧密粘合所述保护层与所述基层，从而制得所述RFID标签。
优选地，所述基层和保护层为耐100-350℃的温度、耐80-300MPa的压强的高分子薄膜。
优选地，所述基层包括聚酰亚胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一种或多种；和/或，所述保护层包括聚酰亚胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一种或多种。
优选地，所述RFID标签的制备方法，还包括：
在所述基层的下表面形成胶层。
本发明还提出一种带RFID标签的产品，所述带RFID标签的产品包括塑料元件，其特征在于，所述RFID标签包括基层、镶嵌层、粘结层及保护层；所述镶嵌层包括天线、RFID芯片及导电胶，所述天线形成于基层上，所述RFID芯片通过导电胶电性连接并粘合固定于所述天线上；所述基层和保护层为耐100-350℃的温度、耐80-300MPa的压强的高分子薄膜；所述粘结层设于所述基层与所述保护层之间，所述保护层通过粘结层与所述基层紧密粘合以将所述镶嵌层包覆于所述基层与所述保护层之间，所述RFID标签作为镶嵌件在所述塑料元件注塑成型过程中植入所述塑料元件内。
本发明技术方案通过采用耐高温耐高压耐腐蚀等特性的材料制作基层保护所述镶嵌层的下表面，并在所述镶嵌层上方设置粘结层和耐高温耐高压耐腐蚀的保护层，保护层通过粘结层与基层紧密粘合以将镶嵌层包覆于基层与保护层之间，保护层保护所述镶嵌层的上表面，从而使得所述RFID标签能够适应高温高压等恶劣环境，防止RFID标签的芯片受高温高压损毁以至影响功能和性能，扩大了RFID的应用环境。
附图说明
图1为本发明RFID标签一实施例的立体分解结构示意图；
图2为本发明RFID标签的制备方法的流程图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 100 | 基层 | 200 | 镶嵌层 |
| 300 | 粘结层 | 400 | 保护层 |
| 500 | 胶层 | 220 | 天线 |
| 240 | RFID芯片 | 260 | 导电胶 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例就本发明的技术方案做进一步的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提出一种RFID标签。
请参阅图1，图1为本发明RFID标签一实施例的结构示意图。
在本发明实施例中，该RFID标签包括基层100、镶嵌层200、粘结层300及保护层400；所述镶嵌层200包括天线220、RFID芯片240及导电胶260，天线220形成于基层100上，RFID芯片240通过导电胶260电性连接并粘合固定于天线220上；粘结层300设于基层100与保护层400之间，保护层400通过粘结层300与基层100紧密粘合以将镶嵌层200包覆于基层100与保护层400之间。
本发明技术方案通过采用耐高温耐高压等特性的材料制作基层100保护所述镶嵌层200的下表面，并在所述镶嵌层200上方设置粘结层300和耐高温耐高压的保护层400，保护层400通过粘结层300与基层100紧密粘合以将镶嵌层200包覆于基层100与保护层400之间，保护层400保护所述镶嵌层200的上表面，从而使得所述RFID标签能够适应高温高压等恶劣环境，防止RFID标签的芯片受高温高压损毁以至影响功能和性能，扩大了RFID的应用环境。
优选地，基层100和保护层400为耐100-350℃的温度、耐80-300MPa的压强的高分子薄膜；此时该RFID标签可以用于100-350℃的温度、80-300MPa的压强的环境中，能够适应RFID标签的使用需求。例如在塑料元件的注塑成型的温度和压强就在100-350℃、80-300MPa范围内，此时在塑料元件的注塑成型时该RFID标签就可以作为镶嵌件植入塑料元件中。
优选地，基层100包括聚酰亚胺(PI)薄膜、聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜、全氟烷氧基树脂(PFA)薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物(FEP)薄膜、聚四氟乙烯(PTFE)薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚氯乙烯(PVC)薄膜中的一种或多种。其中，聚酰亚胺薄膜的耐高温400℃以上，长期使用温度范围-200～300℃，无明显熔点，具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性；全氟烷氧基树脂薄膜长期使用温度-80～260℃，有卓越的耐化学腐蚀性，摩擦系数在塑料中最低，还有很好的电性能；聚四氟乙烯薄膜的使用温度-190～250℃，允许骤冷骤热，具有优良的电气绝缘性、耐腐蚀性。因此，更优选的，基层100包括聚酰亚胺薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、聚四氟乙烯薄膜中一种或多种。
基层100可以是单层薄膜也可以是多层薄膜贴合而成，例如在本实施例中基层100是单层聚亚酰胺薄膜，而在本发明另一实施例中，基层100是聚亚酰胺薄膜和聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜贴合的双层复合层。
保护层400为聚酰亚胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一种或多种。其中，聚酰亚胺薄膜的耐高温达400℃以上，长期使用温度范围-200～300℃，无明显熔点，具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性；全氟烷氧基树脂薄膜长期使用温度-80～260℃，有卓越的耐化学腐蚀性，摩擦系数在塑料中最低，还有很好的电性能；聚四氟乙烯薄膜的使用温度-190～250℃，允许骤冷骤热，具有优良的电气绝缘性、耐腐蚀性。因此，更优选的，保护层400包括聚酰亚胺薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、聚四氟乙烯薄膜中一种或多种。
保护层400可以是单层薄膜也可以是多层薄膜贴合而成，例如在本实施例中保护层400是聚四氟乙烯薄膜和聚酰亚胺薄膜的双层复合薄膜，而在本发明另一实施例中，保护层400是单层聚亚酰胺薄膜聚四氟乙烯。
优选地，粘结层300为双面胶或粘结剂层。粘结层300的主要作用是将保护层400粘结到基层100的上表面，粘结层300需要耐100-350℃的温度，可以是无基材双面胶、有基材双面胶、耐100-350℃的温度的热固性树脂粘结剂，优选无基材双面胶。
优选地，RFID标签，还包括设于基层100下方的用于将RFID标签粘合到待监测产品上的胶层500。通过设置胶层500可以将RFID标签粘合到待监测产品上，对待检测产品进行跟踪。胶层500可以是无基材双面胶、有基材双面胶、树脂粘结剂，优选无基材双面胶。
导电胶260用于将RFID芯片240粘结到天线220上，实现RFID芯片240与天线220的电性连接，对导电胶260耐高温性能同样有要求，优选地，导电胶260为铜粉导电胶、银粉导电胶或石墨导电胶中的一种。
请参阅图2，本发明还提出一种RFID标签的制备方法，包括：
S10，提供基层100。
优选地，基层100为耐100-350℃的温度、耐80-300MPa的压强的高分子薄膜，具体的，基层100包括聚酰亚胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一种或多种。其中，聚酰亚胺薄膜的耐高温400℃以上，长期使用温度范围-200～300℃，无明显熔点，具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性；全氟烷氧基树脂薄膜长期使用温度-80～260℃，有卓越的耐化学腐蚀性，摩擦系数在塑料中最低，还有很好的电性能；聚四氟乙烯薄膜的使用温度-190～250℃，允许骤冷骤热，具有优良的电气绝缘性、耐腐蚀性。因此更优选的，基层100包括聚酰亚胺薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、聚四氟乙烯薄膜中一种或多种。基层100可以是单层薄膜也可以是多层薄膜贴合而成，例如在本实施例中基层100是单层聚亚酰胺薄膜，而在本发明另一实施例中，基层100是聚亚酰胺薄膜和聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜贴合的双层复合层。
S20，在基层100的上表面形成天线220，使用导电胶260将RFID芯片240电性连接并粘贴固定于天线220上，从而在基层100的上表面形成镶嵌层200。
在本步骤中，具体操作是在基层100表面形成金属层，金属层可以是通过电镀、气相沉积技术形成的铜层、银层等，然后使用蚀刻液对金属层进行蚀刻，形成天线220，使用导电胶260将RFID芯片240电性连接并粘贴固定于天线220上，此时导电胶260的耐高温性能有一定的要求，优选地，导电胶260为铜粉导电胶、银粉导电胶或石墨导电胶中的一种。
S30，提供粘结层300，将粘结层300放置于形成了镶嵌层200的基层100的上方，粘结层300为双面胶或粘结剂层。
粘结层300为双面胶或粘结剂层。粘结层300的主要作用是将保护层400粘结到镶嵌层200的表面，粘结层300需要耐100-350℃的温度，可以是无基材双面胶、有基材双面胶、耐100-350℃的温度的热固性树脂粘结剂，优选无基材双面胶。
S40，提供保护层400，将保护层400放置于粘结层300的上方，向下压合保护层400，以通过粘结层300紧密粘合保护层400与基层100，从而制得RFID标签。
优选地，保护层400为耐100-350℃的温度、耐80-300MPa的压强的高分子薄膜，具体的，保护层400包括聚酰亚胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一种或多种。其中，聚酰亚胺薄膜的耐高温400℃以上，长期使用温度范围-200～300℃，无明显熔点，具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性；全氟烷氧基树脂薄膜长期使用温度-80～260℃，有卓越的耐化学腐蚀性，摩擦系数在塑料中最低，还有很好的电性能；聚四氟乙烯薄膜的使用温度-190～250℃，允许骤冷骤热，具有优良的电气绝缘性、耐腐蚀性。因此更优选的，保护层400包括聚酰亚胺薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、聚四氟乙烯薄膜中一种或多种。保护层400可以是单层薄膜也可以是多层薄膜贴合而成，例如在本实施例中保护层400是聚四氟乙烯薄膜和聚酰亚胺薄膜的双层复合薄膜，而在本发明另一实施例中，保护层400是单层聚亚酰胺薄膜聚四氟乙烯。
该RFID标签的制备方法，还包括：S50，在基层100的下表面形成胶层500。
胶层500用于将RFID标签粘合到待监测产品上，胶层500可以是无基材双面胶、有基材双面胶、树脂粘结剂，优选无基材双面胶。
本发明还提出一种带RFID标签的产品，带RFID标签的产品包括塑料元件，该RFID标签的具体结构参照上述实施例，RFID标签作为镶嵌件在塑料元件注塑成型过程中植入塑料元件内。
塑料元件模具成型时需要较高的温度和压力，传统的RFID标签无法适应这种温度和压力，从而无法在塑料元件模具成型的过程中实现植入。而本发明的RFID标签的耐高温高压性能非常的好，可以将RFID标签在塑料元件的模具成型过程中直接植入塑料元件内部，故而可以监测将RFID标签植入塑料元件内部开始，直到产品的生命结束的整个生命周期，包括模具制成，生产线组装，销售市场，以及终端客户和售后等，能够对产品的管理和追踪起到重要的作用。
应当说明的是，本发明的各个实施例的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域的技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当人认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种RFID标签，其特征在于，包括基层、镶嵌层、粘结层及保护层；所述镶嵌层包括天线、RFID芯片及导电胶，所述天线形成于基层上，所述RFID芯片通过导电胶电性连接并粘合固定于所述天线上；所述粘结层设于所述基层与所述保护层之间，所述保护层通过粘结层与所述基层紧密粘合以将所述镶嵌层包覆于所述基层与所述保护层之间。
2.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，所述基层和保护层为耐100-350℃的温度、耐80-300MPa的压强的高分子薄膜。
3.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，所述基层包括聚酰亚胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一种或多种；和/或，
所述保护层包括聚酰亚胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，所述粘结层为双面胶或粘结剂层。
5.如权利要求1至4任一项所述的RFID标签，其特征在于，还包括设于基层下方的用于将RFID标签粘合到待监测产品上的胶层。
6.一种RFID标签的制备方法，其特征在于，包括：
提供基层；
在所述基层的上表面形成天线，使用导电胶将RFID芯片电性连接并粘贴固定于所述天线上，从而在所述基层的上表面形成镶嵌层；
提供粘结层，将粘结层放置于形成了所述镶嵌层的所述基层的上方；
提供保护层，将所述保护层放置于所述粘结层的上方，向下压合所述保护层，以通过所述粘结层紧密粘合所述保护层与所述基层，从而制得所述RFID标签。
7.如权利要求6所述的RFID标签的制备方法，其特征在于，所述基层和保护层为耐100-350℃的温度、耐80-300MPa的压强的高分子薄膜。
8.如权利要求6所述的RFID标签的制备方法，其特征在于，所述基层包括聚酰亚胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一种或多种；和/或，
所述保护层包括聚酰亚胺薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、全氟烷氧基树脂薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氯乙烯薄膜中的一种或多种。
9.如权利要求6所述的RFID标签的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述基层的下表面形成胶层。
10.一种带RFID标签的产品，所述带RFID标签的产品包括塑料元件，其特征在于，所述RFID标签为权利要求1至5中任一项所述的RFID标签，所述RFID标签作为镶嵌件在所述塑料元件注塑成型过程中植入所述塑料元件内。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20151216 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |