CN105140398B - 一种背接触钙钛矿太阳电池 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种背接触钙钛矿太阳电池,包括从下至上结构:1)导电型衬底;2)均匀电子传输层;3)介电层;4)金属层;5)钙钛矿层且具有若干孔道穿过介电层和金属层接触到电子传输层;6)钙钛矿层的保护层;导电型衬底采用各种TCO透明导电玻璃、重掺杂的晶体硅片、金属薄片;电子传输层采用ZnO、TiO2、PCBM;厚度一般在10nm~10um;介电层采用Al2O3、SiO2、SiNx,厚度在10nm~2um;金属层采用Au、Pt、Ag、Al;厚度在10nm~2um;孔道直径0.5~1.5um。钙钛矿层采用MAPbI3等有机金属卤化物半导体钙钛矿材料;厚度在100nm~20um。保护层采用疏水防氧化聚合物。以有效保持钙钛矿材料的性能及提高电池的稳定性;采用背接触结构,可以有效的降低正面电极的遮光损失,提高电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳电池,特别是关于一种背接触钙钛矿太阳电池。
技术背景
传统晶硅太阳电池、硅基薄膜太阳电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池,经过多年的发展,其性能和转换效率已趋近于极限,制造成本的下降空间也很有限。
世界各地诸多研究机构,都在寻找新的材料和新的技术方案。近年来,有机/无机太阳电池备受关注和研究,其中的有机化合物太阳电池转换效率的升高趋势强劲。尤其是有机金属卤化物钙钛矿电池,以其新型的光伏机制、适宜的带隙宽度、低廉的材料成本、便易的制造工艺,有望大幅提高转换效率和降低制造成本,有着极大的发展和应用空间。
不过目前的钙钛矿太阳电池,其电池结构还有待完善,其钙钛矿材料在水气和氧气下的稳定性问题还很突出。这使得钙钛矿电池的转换效率尚不很高、稳定性很差,严重制约了其实用性。虽然钙钛矿太阳电池在成本上有优势。
发明内容
针对上述问题:本发明目的是,提出一种背接触钙钛矿太阳电池,采用周期为几百纳米到微米级的背接触结构,对钙钛矿材料作了疏水防氧化保护,有效的提高了钙钛矿电池的转换效率和稳定性。
为了实现上述目的,本发明采取以下技术方案:
一种背接触钙钛矿太阳电池,其特征是包括从下至上依次结构:1)导电型衬底;2)均匀电子传输层;3)介电层;4)金属层;5)钙钛矿层且具有若干孔道穿过介电层和金属层接触到电子传输层;6)钙钛矿层的保护层;导电型衬底采用各种TCO透明导电玻璃、重掺杂的晶体硅片、金属薄片;电子传输层采用ZnO、TiO2、PCBM等;制备方法为磁控溅射、旋涂等;厚度一般在10nm~10um;介电层采用Al2O3、SiO2、SiNx等,厚度一般在10nm~2um;金属层采用Au、Pt、Ag、Al等;制备方法为磁控溅射、热/电子束蒸镀等;厚度一般在10nm~2um;钙钛矿层采用MAPbI3等有机金属卤化物半导体钙钛矿材料;厚度一般在100nm~20um;孔道直径0.5~1.5um.
保护层一般采用疏水防氧化聚合物;制备方法为旋涂、CVD等。
一种背接触钙钛矿太阳电池制备方法,其特征是包括:1)采用导电型衬底;2)制备电子传输层;3)铺敷单分散层PS小球;4)利用干法刻蚀技术减小PS小球的直径;5)制备介电层;6)制备金属层;7)剥离PS小球及其顶部的介电层和金属层,形成介电层和金属层的网孔结构;8)制备钙钛矿层;9)制备保护层;导电型衬底采用各种TCO透明导电玻璃、重掺杂的晶体硅片、金属薄片等。
电子传输层采用ZnO、TiO2、PCBM等;制备方法为磁控溅射、旋涂等;厚度一般在10nm~10um;多数情况下还要进行一定温度一定气氛下的热处理。
PS小球的原始直径一般在200nm~50um;采用液面单分散层转移法、旋涂等铺敷单分散层PS小球;单分散层PS小球多呈密堆积结构。
采用RIE、ICP等干法刻蚀技术,将PS小球的直径减小到原始直径的1/4~3/4
介电层采用Al2O3、SiO2、SiNx等;制备方法为ALD、磁控溅射、PECVD、旋涂等;厚度一般在10nm~2um
金属层采用Au、Pt、Ag、Al等;制备方法为磁控溅射、热/电子束蒸镀等;厚度一般在10nm~2um
采用甲苯、四氢呋喃等有机溶剂将PS小球及其顶部的介电层和金属层剥离,形成介电层和金属层的网孔结构;网孔周期长度和原始的PS小球周期长度一致,网孔直径和刻蚀后的PS小球直径相关。
钙钛矿层采用MAPbI3等有机金属卤化物半导体钙钛矿材料;制备方法为旋涂、CVD等;厚度一般在100nm~20um
保护层一般采用疏水防氧化聚合物;制备方法为旋涂、CVD等。
本发明的有益效果:本发明在工艺的最后一步、电池的最顶层一次性制备钙钛矿材料及其保护层,可以有效保持钙钛矿材料的性能及提高电池的稳定性;采用背接触结构,可以有效的降低正面电极的遮光损失,提高电池的转换效率。
附图说明
图1是本发明提供的一种背接触钙钛矿太阳电池的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图1,对本发明进一步详细说明。
一种背接触钙钛矿太阳电池,其特征在于:采用导电型衬底;制备电子传输层;铺敷单分散层PS小球;利用干法刻蚀技术减小PS小球的直径;制备介电层;制备金属层;剥离PS小球及其顶部的介电层和金属层,形成介电层和金属层的网孔结构;制备钙钛矿层;制备保护层。
实施例1:
1)衬底1采用FTO透明导电玻璃,其方块电阻~15Ω/□
2)电子传输层2采用磁控溅射ZnO,厚度~100nm,在400℃、N2气氛下热处理1h
3)使用的PS小球的原始直径为2um,采用液面单分散层转移法铺敷单分散层PS小球,单分散层PS小球呈六角密堆积结构。
4)采用RIE干法刻蚀,将PS小球的直径减小到1um
5)介电层3采用ALD法制备Al2O3,厚度~50nm
6)金属层4采用磁控溅射Au,厚度~40nm
7)采用甲苯超声波将PS小球及其顶部的Al2O3和Au剥离,形成Al2O3和Au的网孔结构,网孔周期长度为2um,网孔直径~1um,网孔亦呈六角排布。
8)钙钛矿层5采用旋涂法制备MAPbI3,厚度~800nm
9)保护层6采用旋涂法制备疏水防氧化聚合物。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种背接触钙钛矿太阳电池,其特征是包括从下至上依次结构:1)导电型衬底;2)均匀电子传输层;3)介电层;4)金属层;5)钙钛矿层且具有若干孔道穿过介电层和金属层接触到电子传输层;6)钙钛矿层的保护层;导电型衬底采用各种TCO透明导电玻璃、重掺杂的晶体硅片或金属薄片;电子传输层采用ZnO、TiO2或PCBM,制备方法为磁控溅射或旋涂,厚度在10nm~10um;介电层采用Al2O3、SiO2或SiNx,厚度在10nm~2um;金属层采用Au、Pt、Ag或Al,厚度在10nm~2um;所述孔道直径0.5~1.5um。
2.根据权利要求1所述的背接触钙钛矿太阳电池,其特征是钙钛矿层采用MAPbI3有机金属卤化物半导体钙钛矿材料;厚度在100nm~20um。
3.根据权利要求1所述的背接触钙钛矿太阳电池,其特征是保护层采用疏水防氧化聚合物。
4.一种背接触钙钛矿太阳电池制备方法,其特征是包括:1)采用导电型衬底;2)制备电子传输层;3)铺敷单分散层PS小球;4)利用干法刻蚀技术减小PS小球的直径;5)制备介电层;6)制备金属层;7)剥离PS小球及其顶部的介电层和金属层,形成介电层和金属层的网孔结构;8)制备钙钛矿层;9)制备保护层;导电型衬底采用各种TCO透明导电玻璃、重掺杂的晶体硅片或金属薄片;电子传输层采用ZnO、TiO2或PCBM,制备方法为磁控溅射或旋涂,厚度在10nm~10um;PS小球的原始直径在200nm~50um;采用液面单分散层转移法或旋涂铺敷单分散层PS小球;单分散层PS小球呈密堆积结构;采用RIE或ICP干法刻蚀技术,将PS小球的直径减小到原始直径的1/4~3/4;介电层采用Al2O3、SiO2或SiNx,制备方法为ALD、磁控溅射、PECVD或旋涂,厚度在10nm~2um;金属层采用Au、Pt、Ag或Al,制备方法为磁控溅射或热/电子束蒸镀,厚度在10nm~2um;
采用甲苯、四氢呋喃有机溶剂将PS小球及其顶部的介电层和金属层剥离,形成介电层和金属层的网孔结构;网孔周期长度和原始的PS小球周期长度一致,网孔直径和刻蚀后的PS小球直径相关;保护层采用疏水防氧化聚合物,制备方法为旋涂或CVD。
5.根据权利要求4所述的背接触钙钛矿太阳电池制备方法,其特征是钙钛矿层采用MAPbI3有机金属卤化物半导体钙钛矿材料;制备方法为旋涂或CVD;厚度在100nm~20um。
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