CN107994119A - 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107994119A
CN107994119A CN201711221171.7A CN201711221171A CN107994119A CN 107994119 A CN107994119 A CN 107994119A CN 201711221171 A CN201711221171 A CN 201711221171A CN 107994119 A CN107994119 A CN 107994119A
Authority
CN
China
Prior art keywords
type silicon
preparation
pedot
pss
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711221171.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107994119B (zh
Inventor
赵红英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yiwu Niuer Technology Co., Ltd
Original Assignee
Foshan Bao Yue Mei Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Foshan Bao Yue Mei Technology Co Ltd filed Critical Foshan Bao Yue Mei Technology Co Ltd
Priority to CN201711221171.7A priority Critical patent/CN107994119B/zh
Publication of CN107994119A publication Critical patent/CN107994119A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107994119B publication Critical patent/CN107994119B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
    • H10K30/352—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles the inorganic nanostructures being nanotubes or nanowires, e.g. CdTe nanotubes in P3HT polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法，用以提高有机无机杂化太阳能电池的光电转换效率。有机无机杂化太阳能电池的制作方法包括：硅基底的清洗；硅基底的表面钝化处理；硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜的制备；PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层的制备；背面界面层的制备；正面银栅电极的制备；背面电极的制备。

Description

一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法。
背景技术
无机太阳电池因其造价过于昂贵，而无法得到大规模的应用。有机太阳能电池由于其材料便宜、退火温度低、制作过程简单等优势而有希望降低太阳能电池的生产成本，然而有机太阳能电池的效率远低于无机太阳能电池。因此基于无机和有机半导体材料的有机无机杂化太阳能电池越来越受到了人们的青睐，它提供了一种既可以简化制造步骤又可以降低成本的生产技术。无机材料与有机材料相比，它最大的优势为载流子迁移率高，材料的载流子迁移率高则意味着其平均自由程长，可以有效减少电子-空穴对的复合几率。而对于有机材料，电子迁移率一般较低，在电子输运过程损失严重，因而有机光伏电池的光电转化效率较低。有机无机杂化太阳能电池可以结合有机材料和无机材料的优势，避免各自的缺陷，以得到较高的光电转换效率。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法。
为实现上述目的，本发明提出的一种有机无机杂化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)硅基底的清洗：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10-30分钟，并用氮气吹干，接着将吹干的n型硅片置于浓硫酸/双氧水混合溶液中，100-120℃下热处理40-60分钟，接着用去离子水冲洗n型硅片，最后利用氢氟酸去除所述n型硅片的表面的自然氧化硅层；(2)硅基底的表面钝化处理：将步骤1得到n型硅片用氮气吹干，然后浸入饱和五氯化磷的氯苯溶液中，在110℃下热处理40-60分钟，接着将n型硅片从饱和五氯化磷的氯苯溶液中取出并依次在氯苯和四氢呋喃中清洗，接着将n型硅片放置于甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中，以在n型硅片表面形成硅-甲基钝化层；(3)硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜的制备：在步骤2得到的n型硅片的正面旋涂含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液，转速为1000-2000转/分钟，旋涂时间为2-4分钟，然后置于氮气氛围中进行退火处理，退化温度为110-120℃，退火时间为12-20分钟，形成致密的硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜；(4)PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层的制备：在硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜表面旋涂含有银纳米线和黑磷烯的PEDOT:PSS溶液；转速为2000-3000转/分钟，旋涂时间为2-5分钟，然后置于氮气氛围中进行退火处理，退化温度为110-120℃，退火时间为15-20分钟，形成致密的PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层；(5)背面界面层的制备：在所述n型硅片背面旋涂碳酸铯溶液，接着旋涂氧化锌纳米颗粒悬浮液，以形成碳酸铯/氧化锌纳米颗粒复合背面界面层；(6)正面银栅电极的制备：在真空环境下利用热蒸镀法，在n型硅片正面蒸镀正面银栅电极；(7)背面电极的制备：在真空环境下利用热蒸镀法，在n型硅片背面蒸镀背面铝电极。
作为优选，在所述步骤3中，所述n型硅纳米线的长度为100-200nm，所述n型硅纳米线的直径为20-40nm，所述硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜的厚度为50-100纳米。
作为优选，所述含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液的制备方法为：采用金属离子辅助化学刻蚀法在n型硅基底的上表面制备n型硅纳米线阵列，然后利用刀片将n型硅纳米线阵列刮入PEDOT:PSS溶液中，以形成所述含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液。
作为优选，在所述步骤4中，所述银纳米线的长度为500-800nm，所述银纳米线的直径为10-30nm，所述PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层的厚度为30-60nm。
作为优选，在所述步骤5中，旋涂碳酸铯溶液的转速为2000-4000转/分钟，旋涂时间为1-3分钟，所述碳酸铯溶液的质量浓度为0.3-0.8mg/ml,旋涂氧化锌纳米颗粒悬浮液的转速为2000-3000转/分钟，旋涂时间为1-4分钟，所述氧化锌纳米颗粒悬浮液的质量浓度为0.1-0.5mg/ml。
作为优选，所述正面银栅电极的厚度为100-200纳米，所述正面银栅电极中的主栅线的宽度为0.3-0.7mm，副栅线的宽度为0.05mm，相邻副栅线之间的间隔为0.95mm。
作为优选，所述背面铝电极的厚度为200-300nm。
本发明还提供了一种有机无机杂化太阳能电池，所述有机无机杂化太阳能电池为采用上述方法制备形成的有机无机杂化太阳能电池。
本发明与现有技术相比具有下列优点：
(1)本发明通过对n型硅片的表面缺陷态进行最大限度的修复，以得到高质量的异质结，以提高有机无机杂化太阳能电池的光电转换效率。
(2)本发明的n型硅片表面具有硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜，一部分PEDOT：PSS形成异质结的同时，另一部分PEDOT：PSS与n型硅纳米线形成高质量的异质结，有效提高了硅与PEDOT:PSS的接触面积，同时由于n型硅纳米线的随机排列，可以将电子有效传输至n型硅片，进而提高其光电转换效率。
(3)本发明的硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜表面具有PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层，利用黑磷烯使银纳米线结合点处粘合的更加紧密，从而提高其导电率，进而提高复合导电层的导电率，并通过优化银纳米线的含量和旋涂的速度，使得复合导电层保持优异导电率的同时也具有优异的透光率，而黑磷烯的存在提高了PEDOT:PSS的功函，有利于电池中载流子的分离与传输，进而提高太阳能电池的开路电压和填充因子。
(4)本发明在背面铝电极与N型硅片之间设置了碳酸铯/氧化锌纳米颗粒复合背面界面层，氧化锌纳米颗粒具有较低的功函，当在碳酸铯/氧化锌纳米颗粒复合背面界面层上热蒸镀背面铝电极时会形成氧化铝从而进一步降低复合背面界面层的功函，可以更有效的阻挡空穴并利于电子传输，碳酸铯与氧化锌纳米颗粒的配合作用，有效降低接触电阻，增强内建电势，改善背接触以抑制电荷复合。
(5)本发明使用简单的、低温的过程制备有机无机杂化太阳能电池，有效降低生产成本的同时得到一高光电转换效率的有机无机杂化太阳能电池。
附图说明
图1为本发明的有机无机杂化太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
本发明具体实施例提出的一种有机无机杂化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)硅基底的清洗：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10-30分钟，并用氮气吹干，接着将吹干的n型硅片置于浓硫酸/双氧水混合溶液中，100-120℃下热处理40-60分钟，接着用去离子水冲洗n型硅片，最后利用氢氟酸去除所述n型硅片的表面的自然氧化硅层；(2)硅基底的表面钝化处理：将步骤1得到n型硅片用氮气吹干，然后浸入饱和五氯化磷的氯苯溶液中，在110℃下热处理40-60分钟，接着将n型硅片从饱和五氯化磷的氯苯溶液中取出并依次在氯苯和四氢呋喃中清洗，接着将n型硅片放置于甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中，以在n型硅片表面形成硅-甲基钝化层；(3)硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜的制备：在步骤2得到的n型硅片的正面旋涂含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液，转速为1000-2000转/分钟，旋涂时间为2-4分钟，然后置于氮气氛围中进行退火处理，退化温度为110-120℃，退火时间为12-20分钟，形成致密的硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜；(4)PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层的制备：在硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜表面旋涂含有银纳米线和黑磷烯的PEDOT:PSS溶液；转速为2000-3000转/分钟，旋涂时间为2-5分钟，然后置于氮气氛围中进行退火处理，退化温度为110-120℃，退火时间为15-20分钟，形成致密的PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层；(5)背面界面层的制备：在所述n型硅片背面旋涂碳酸铯溶液，接着旋涂氧化锌纳米颗粒悬浮液，以形成碳酸铯/氧化锌纳米颗粒复合背面界面层；(6)正面银栅电极的制备：在真空环境下利用热蒸镀法，在n型硅片正面蒸镀正面银栅电极；(7)背面电极的制备：在真空环境下利用热蒸镀法，在n型硅片背面蒸镀背面铝电极。
其中，在所述步骤3中，所述n型硅纳米线的长度为100-200nm，所述n型硅纳米线的直径为20-40nm，所述硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜的厚度为50-100纳米。所述含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液的制备方法为：采用金属离子辅助化学刻蚀法在n型硅基底的上表面制备n型硅纳米线阵列，然后利用刀片将n型硅纳米线阵列刮入PEDOT:PSS溶液中，以形成所述含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液。在所述步骤4中，所述银纳米线的长度为500-800nm，所述银纳米线的直径为10-30nm，所述PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层的厚度为30-60nm。在所述步骤5中，旋涂碳酸铯溶液的转速为2000-4000转/分钟，旋涂时间为1-3分钟，所述碳酸铯溶液的质量浓度为0.3-0.8mg/ml,旋涂氧化锌纳米颗粒悬浮液的转速为2000-3000转/分钟，旋涂时间为1-4分钟，所述氧化锌纳米颗粒悬浮液的质量浓度为0.1-0.5mg/ml。所述正面银栅电极的厚度为100-200纳米，所述正面银栅电极中的主栅线的宽度为0.3-0.7mm，副栅线的宽度为0.05mm，相邻副栅线之间的间隔为0.95mm。所述背面铝电极的厚度为200-300nm。
如图1所示，本发明根据上述方法制备的有机无机杂化太阳能电池，所述有机无机杂化太阳能电池从下至上背面铝电极7、碳酸铯/氧化锌纳米颗粒复合背面界面层5、n型硅片1、硅-甲基钝化层2、硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜3、PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层4以及正面银栅电极5。
实施例1：
一种有机无机杂化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)硅基底的清洗：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗25分钟，并用氮气吹干，接着将吹干的n型硅片置于浓硫酸/双氧水混合溶液中，110℃下热处理50分钟，接着用去离子水冲洗n型硅片，最后利用氢氟酸去除所述n型硅片的表面的自然氧化硅层；(2)硅基底的表面钝化处理：将步骤1得到n型硅片用氮气吹干，然后浸入饱和五氯化磷的氯苯溶液中，在110℃下热处理50分钟，接着将n型硅片从饱和五氯化磷的氯苯溶液中取出并依次在氯苯和四氢呋喃中清洗，接着将n型硅片放置于甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中，以在n型硅片表面形成硅-甲基钝化层；(3)硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜的制备：在步骤2得到的n型硅片的正面旋涂含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液，转速为1500转/分钟，旋涂时间为3分钟，然后置于氮气氛围中进行退火处理，退化温度为115℃，退火时间为15分钟，形成致密的硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜；(4)PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层的制备：在硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜表面旋涂含有银纳米线和黑磷烯的PEDOT:PSS溶液；转速为2500转/分钟，旋涂时间为4分钟，然后置于氮气氛围中进行退火处理，退化温度为120℃，退火时间为17分钟，形成致密的PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层；(5)背面界面层的制备：在所述n型硅片背面旋涂碳酸铯溶液，接着旋涂氧化锌纳米颗粒悬浮液，以形成碳酸铯/氧化锌纳米颗粒复合背面界面层；(6)正面银栅电极的制备：在真空环境下利用热蒸镀法，在n型硅片正面蒸镀正面银栅电极；(7)背面电极的制备：在真空环境下利用热蒸镀法，在n型硅片背面蒸镀背面铝电极。
其中，在所述步骤3中，所述n型硅纳米线的长度为200nm，所述n型硅纳米线的直径为30nm，所述硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜的厚度为80纳米。所述含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液的制备方法为：采用金属离子辅助化学刻蚀法在n型硅基底的上表面制备n型硅纳米线阵列，然后利用刀片将n型硅纳米线阵列刮入PEDOT:PSS溶液中，以形成所述含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液。在所述步骤4中，所述银纳米线的长度为600nm，所述银纳米线的直径为20nm，所述PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层的厚度为50nm。在所述步骤5中，旋涂碳酸铯溶液的转速为3000转/分钟，旋涂时间为2分钟，所述碳酸铯溶液的质量浓度为0.6mg/ml,旋涂氧化锌纳米颗粒悬浮液的转速为2500转/分钟，旋涂时间为2分钟，所述氧化锌纳米颗粒悬浮液的质量浓度为0.3mg/ml。所述正面银栅电极的厚度为150纳米，所述正面银栅电极中的主栅线的宽度为0.5mm，副栅线的宽度为0.05mm，相邻副栅线之间的间隔为0.95mm。所述背面铝电极的厚度为300nm。
将上述方法制备的有机无机杂化太阳能电池，通过各层之间的配合作用，该有机无机杂化太阳能电池的开路电压为0.63V，短路电流为28.5mA/cm2，填充因子为0.78，光电转换效率为14％。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种有机无机杂化太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）硅基底的清洗：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10-30分钟，并用氮气吹干，接着将吹干的n型硅片置于浓硫酸/双氧水混合溶液中，100-120℃下热处理40-60分钟，接着用去离子水冲洗n型硅片，最后利用氢氟酸去除所述n型硅片的表面的自然氧化硅层；
（2）硅基底的表面钝化处理：将步骤1得到n型硅片用氮气吹干，然后浸入饱和五氯化磷的氯苯溶液中，在110℃下热处理40-60分钟，接着将n型硅片从饱和五氯化磷的氯苯溶液中取出并依次在氯苯和四氢呋喃中清洗，接着将n型硅片放置于甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中，以在n型硅片表面形成硅-甲基钝化层；
（3）硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜的制备：在步骤2得到的n型硅片的正面旋涂含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液，转速为1000-2000转/分钟，旋涂时间为2-4分钟，然后置于氮气氛围中进行退火处理，退化温度为110-120℃，退火时间为12-20分钟，形成致密的硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜；
（4）PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层的制备：在硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜表面旋涂含有银纳米线和黑磷烯的PEDOT:PSS溶液；转速为2000-3000转/分钟，旋涂时间为2-5分钟，然后置于氮气氛围中进行退火处理，退化温度为110-120℃，退火时间为15-20分钟，形成致密的PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层；
（5）背面界面层的制备：在所述n型硅片背面旋涂碳酸铯溶液，接着旋涂氧化锌纳米颗粒悬浮液，以形成碳酸铯/氧化锌纳米颗粒复合背面界面层；
（6）正面银栅电极的制备：在真空环境下利用热蒸镀法，在n型硅片正面蒸镀正面银栅电极；
（7）背面电极的制备：在真空环境下利用热蒸镀法，在n型硅片背面蒸镀背面铝电极。
2.根据权利要求1所述的有机无机杂化太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤3中，所述n型硅纳米线的长度为100-200nm，所述n型硅纳米线的直径为20-40nm，所述硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜的厚度为50-100纳米。
3.根据权利要求2所述的有机无机杂化太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液的制备方法为：采用金属离子辅助化学刻蚀法在n型硅基底的上表面制备n型硅纳米线阵列，然后利用刀片将n型硅纳米线阵列刮入PEDOT:PSS溶液中，以形成所述含有n型硅纳米线的PEDOT:PSS溶液。
4.根据权利要求1所述的有机无机杂化太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤4中，所述银纳米线的长度为500-800nm，所述银纳米线的直径为10-30nm，所述PEDOT:PSS/银纳米线/黑磷烯复合导电层的厚度为30-60nm。
5.根据权利要求1所述的有机无机杂化太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤5中，旋涂碳酸铯溶液的转速为2000-4000转/分钟，旋涂时间为1-3分钟，所述碳酸铯溶液的质量浓度为0.3-0.8 mg/ml, 旋涂氧化锌纳米颗粒悬浮液的转速为2000-3000转/分钟，旋涂时间为1-4分钟，所述氧化锌纳米颗粒悬浮液的质量浓度为0.1-0.5 mg/ml。
6.根据权利要求1所述的有机无机杂化太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述正面银栅电极的厚度为100-200纳米，所述正面银栅电极中的主栅线的宽度为0.3-0.7mm，副栅线的宽度为0.05mm，相邻副栅线之间的间隔为0.95mm。
7.根据权利要求1所述的有机无机杂化太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述背面铝电极的厚度为200-300nm。
8.一种有机无机杂化太阳能电池，其特征在于，所述有机无机杂化太阳能电池为采用权利要求1-7任一项所述的方法制备形成的有机无机杂化太阳能电池。
CN201711221171.7A 2017-11-28 2017-11-28 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法 Active CN107994119B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711221171.7A CN107994119B (zh) 2017-11-28 2017-11-28 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711221171.7A CN107994119B (zh) 2017-11-28 2017-11-28 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107994119A true CN107994119A (zh) 2018-05-04
CN107994119B CN107994119B (zh) 2020-11-03

Family

ID=62033872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711221171.7A Active CN107994119B (zh) 2017-11-28 2017-11-28 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107994119B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108539027A (zh) * 2018-05-07 2018-09-14 苏州宝澜环保科技有限公司 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN108878656A (zh) * 2018-06-22 2018-11-23 苏州宝澜环保科技有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
CN109119539A (zh) * 2018-07-31 2019-01-01 哈尔滨工业大学（深圳） 一种硅纳米线/pedot:pss-dmso有机无机杂化太阳电池及其制备方法
CN109192864A (zh) * 2018-09-28 2019-01-11 苏州钱正科技咨询有限公司 一种硅基有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN109346610A (zh) * 2018-09-18 2019-02-15 张军 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN111129316A (zh) * 2019-12-16 2020-05-08 北京化工大学 一种基于多功能复合集流体的碳基钙钛矿太阳能电池
TWI739190B (zh) * 2019-10-30 2021-09-11 行政院原子能委員會核能研究所 具有圖案化電極之可透光有機太陽電池模組及其製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070290197A1 (en) * 2004-07-21 2007-12-20 Muriel Firon Photoactive Nanocomposite and Method for the Production Thereof
CN101952989A (zh) * 2007-12-28 2011-01-19 埃克斯-马赛第二大学 杂化的纳米复合材料
CN102148332A (zh) * 2010-11-26 2011-08-10 北京化工大学 半导体纳米线基有机/无机复合太阳能电池的制备方法
CN102263204A (zh) * 2011-07-20 2011-11-30 苏州大学 一种有机-无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN103755384A (zh) * 2014-01-20 2014-04-30 中国科学院理化技术研究所 一种硅纳米线阵列表面修饰有机小分子的方法
CN104733616A (zh) * 2013-12-24 2015-06-24 香港城市大学 一种太阳能电池及其制备方法
CN107394013A (zh) * 2017-07-26 2017-11-24 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 一种硅锗黑磷烯pin异质结太阳能电池的制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070290197A1 (en) * 2004-07-21 2007-12-20 Muriel Firon Photoactive Nanocomposite and Method for the Production Thereof
CN101952989A (zh) * 2007-12-28 2011-01-19 埃克斯-马赛第二大学 杂化的纳米复合材料
CN102148332A (zh) * 2010-11-26 2011-08-10 北京化工大学 半导体纳米线基有机/无机复合太阳能电池的制备方法
CN102263204A (zh) * 2011-07-20 2011-11-30 苏州大学 一种有机-无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN104733616A (zh) * 2013-12-24 2015-06-24 香港城市大学 一种太阳能电池及其制备方法
CN103755384A (zh) * 2014-01-20 2014-04-30 中国科学院理化技术研究所 一种硅纳米线阵列表面修饰有机小分子的方法
CN107394013A (zh) * 2017-07-26 2017-11-24 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 一种硅锗黑磷烯pin异质结太阳能电池的制备方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108539027A (zh) * 2018-05-07 2018-09-14 苏州宝澜环保科技有限公司 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN108539027B (zh) * 2018-05-07 2021-04-27 苏州宝澜环保科技有限公司 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN108878656A (zh) * 2018-06-22 2018-11-23 苏州宝澜环保科技有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
CN108878656B (zh) * 2018-06-22 2021-11-23 江苏日御光伏新材料科技有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
CN109119539A (zh) * 2018-07-31 2019-01-01 哈尔滨工业大学（深圳） 一种硅纳米线/pedot:pss-dmso有机无机杂化太阳电池及其制备方法
CN109346610A (zh) * 2018-09-18 2019-02-15 张军 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109192864A (zh) * 2018-09-28 2019-01-11 苏州钱正科技咨询有限公司 一种硅基有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN109192864B (zh) * 2018-09-28 2021-12-03 苏州钱正科技咨询有限公司 一种硅基有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
TWI739190B (zh) * 2019-10-30 2021-09-11 行政院原子能委員會核能研究所 具有圖案化電極之可透光有機太陽電池模組及其製造方法
CN111129316A (zh) * 2019-12-16 2020-05-08 北京化工大学 一种基于多功能复合集流体的碳基钙钛矿太阳能电池

Also Published As

Publication number Publication date
CN107994119B (zh) 2020-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107994119A (zh) 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN107946384B (zh) 一种硅-pedot:pss杂化太阳能电池及其制备方法
CN107946471B (zh) 一种基于硅纳米线阵列的异质结光伏电池及其制备方法
CN104993006B (zh) 一种过渡金属氧化物‑硅异质结太阳能电池及其制备方法
CN102263204B (zh) 一种有机-无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN105428438B (zh) 一种高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107946470A (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN107134504B (zh) 一种纳米硅基石墨烯太阳能电池的制备方法
US20100078067A1 (en) Carbon nanotube film based solar cell and fabricating method thereof
CN105720197B (zh) 一种自驱动宽光谱响应硅基杂化异质结光电传感器及其制备方法
CN104022224A (zh) 可溶液加工的平面异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN105742494A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108258124B (zh) 一种异质结光伏电池及其制备方法
CN106876595B (zh) 一种n型硅异质结太阳能电池及其制备方法
CN102368503B (zh) 一种碳纳米管-硅异质结太阳能电池及其制作方法
CN108417719A (zh) 一种硅基核壳结构光伏电池及其制备方法
CN109252179A (zh) 一种用于光解水的双吸收层光阳极及制备方法
CN104241411A (zh) 一种阳极界面修饰的高效碲化镉纳米晶肖特基结太阳电池及其制备方法
CN109851571B (zh) 一种共轭有机小分子界面修饰材料、制备方法及其构成的有机太阳电池
CN116782675A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108011045B (zh) 一种硅微米柱阵列有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN108539027B (zh) 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN108232024B (zh) 一种太阳能电池及其制备方法
CN108172686B (zh) 一种硅光伏电池及其制备方法
CN108598267A (zh) 一种新型异质结太阳能电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20201015

Address after: 1st floor, No.5, building 132, Yongsheng community, Jiangdong Street, Yiwu City, Jinhua City, Zhejiang Province

Applicant after: Yiwu Niuer Technology Co., Ltd

Address before: 528000 Guangdong Province, Foshan city Chancheng District Henan River Dang Village Industrial Avenue on the north side of Foshan Hongyi building materials City C block two layer E6-8 (residence declaration)

Applicant before: FOSHAN BAOYUEMEI TECHNOLOGY Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant