CN105122427B - 半导体装置制造用临时粘合用层叠体、和半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体装置制造用临时粘合用层叠体、和半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105122427B
CN105122427B CN201480018461.XA CN201480018461A CN105122427B CN 105122427 B CN105122427 B CN 105122427B CN 201480018461 A CN201480018461 A CN 201480018461A CN 105122427 B CN105122427 B CN 105122427B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
semiconductor device
methyl
peel ply
cohesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201480018461.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105122427A (zh
Inventor
小山郎
小山一郎
岩井悠
吉田昌史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN105122427A publication Critical patent/CN105122427A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105122427B publication Critical patent/CN105122427B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

提供半导体装置制造用临时粘合用层叠体和半导体装置的制造方法，所述半导体装置制造用临时粘合用层叠体在对被处理部件(半导体晶片等)实施机械性或化学性处理时，可以可靠且容易地临时支撑被处理部件，并且即便在经过了高温下的工艺的情况下，也可以容易地解除对已处理部件的临时支撑而不对已处理部件造成损伤。一种半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其是具有(A)剥离层和(B)粘合性层的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，所述(A)剥离层具有：(a1)具有200℃以上的软化点且与(B)粘合性层邻接的第一剥离层；和(a2)具有固化后可在25℃于特定溶剂的至少一种中溶解5质量％以上的树脂、且与上述(a1)第一剥离层邻接的第二剥离层。

Description

半导体装置制造用临时粘合用层叠体、和半导体装置的制造 方法
技术领域
本发明涉及半导体装置制造用临时粘合用层叠体、以及半导体装置的制造方法。
背景技术
以往，在IC、LSI等半导体器件的制造工艺中，通常在半导体硅晶片上形成大量的IC芯片，通过切割制成单片。
随着电子设备的进一步小型化和高性能化的需求，对于搭载于电子设备的IC芯片还要求进一步的小型化和高集成化，但硅基板的面方向的集成电路的高集成化正在接近极限。
作为从IC芯片内的集成电路至IC芯片的外部端子的电连接方法，以往以来，引线接合法广为人知，但为了实现IC芯片的小型化，近年来，已知在硅基板上设置贯通孔，将作为外部端子的金属插头以在贯通孔内贯通的方式连接于集成电路的方法(所谓的形成硅贯通电极(TSV)的方法)。然而，单独利用形成硅贯通电极的方法的情况下，无法充分应对上述近年来对IC芯片的进一步高集成化的需求。
鉴于以上情况，已知通过使IC芯片内的集成电路多层化来提高硅基板每单位面积的集成度的技术。然而，集成电路的多层化增大IC芯片的厚度，因此构成IC芯片的部件需要薄型化。作为这样的部件的薄型化，例如研究了硅基板的薄型化，不仅可以带来IC芯片的小型化，而且可以使硅贯通电极的制造中的硅基板的贯通孔制造工序省力化，因而被认为是有前景的。
作为在半导体器件的制造工艺中使用的半导体硅晶片，已知具有约700～900μm的厚度的半导体硅晶片，近年来，以IC芯片的小型化等为目的，尝试将半导体硅晶片的厚度减薄至200μm以下。
然而，厚度200μm以下的半导体硅晶片非常薄，进而使用其作为基材的半导体器件制造用部件也非常薄，因此在对这种部件实施进一步处理或仅移动这种部件的情况等中，难以稳定且不造成损伤地支撑部件。
为了解决上述的问题，已知如下技术：利用有机硅粘合剂将在表面设置有器件的薄型化前的半导体晶片与加工用支撑基板临时粘合，对半导体晶片的背面进行磨削而薄型化后，对半导体晶片进行穿孔，设置硅贯通电极，之后使加工用支撑基板从半导体晶片脱离(参见专利文献1)。认为根据该技术，能够同时实现半导体晶片的背面磨削时的耐磨削阻力、在各向异性干式蚀刻工序等中的耐热性、在镀覆或蚀刻时的耐化学药品性、顺利与最终加工用支撑基板剥离、和低被粘物污染性。
另外，作为晶片的支撑方法，还已知如下构成的技术：其是利用支撑层系统支撑晶片的方法，在晶片与支撑层系统之间插入通过等离子体堆积法得到的等离子体聚合物层作为分离层，使得支撑层系统与分离层之间的粘合结合强于晶片与分离层之间的粘合结合，从而在使晶片从支撑层系统脱离时，晶片容易从分离层脱离(参见专利文献2)。
另外，已知使用聚醚砜和赋粘剂，进行临时粘合，通过加热解除临时粘合的技术(专利文献3)。
另外，还已知利用包含羧酸类和胺类的混合物进行临时粘合，通过加热解除临时粘合的技术(专利文献4)。
另外，已知如下技术：在对包含纤维素聚合物类等的粘合层进行加热的状态下，通过对器件晶片和支撑基板进行压粘使之粘合，进行加热并沿横向滑动，由此使器件晶片从支撑基板脱离(专利文献5)。
另外，已知包含间规1，2-聚丁二烯与光聚合引发剂、粘合力因照射线的照射而变化的粘合膜(专利文献6)。
此外，已知如下技术：利用包含聚碳酸酯类的粘合剂将支撑基板和半导体晶片临时粘合，对半导体晶片进行处理后，照射照射线，接着进行加热，由此使已处理的半导体晶片从支撑基板脱离(专利文献7)。
另外，已知如下技术：在将器件晶片的设置有微器件的器件面与支撑器件晶片的载体基板临时粘合时，在器件面的中央区域与载体基板之间插入不有助于粘合的填充层，利用粘合剂将器件面的周边部与载体基板之间临时粘合(专利文献8)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-119427号公报
专利文献2：日本特表2009-528688号公报
专利文献3：日本特开2011-225814号公报
专利文献4：日本特开2011-052142号公报
专利文献5：日本特表2010-506406号公报
专利文献6：日本特开2007-045939号公报
专利文献7：美国专利公开2011/0318938号说明书
专利文献8：日本特表2011-510518号公报
发明内容
发明要解决的问题
可是，在将设置有器件的半导体晶片的表面(即器件晶片的器件面)和支撑基板(载体基板)通过包含在专利文献1等中已知的粘合剂的层进行临时粘合的情况下，为了稳定支撑半导体晶片，对粘合剂层要求一定强度的粘合度。
即，在将半导体晶片的器件面的整面与支撑基板通过粘合剂层进行临时粘合的情况下，越想要使半导体晶片与支撑基板的临时粘合充分、稳定且不造成损伤地支撑半导体晶片，则反而由于半导体晶片与支撑基板的临时粘合过强，在使半导体晶片从支撑基板脱离时，越容易产生器件破损、或器件从半导体晶片脱离等不良情况。
另外，如专利文献2那样，为了抑制晶片与支撑层系统的粘合变得过强，通过等离子体堆积法在晶片与支撑层系统之间形成作为分离层的等离子体聚合物层的方法有如下等问题：(1)通常，用于实施等离子体堆积法的设备成本大；(2)利用等离子体堆积法的层形成在等离子体装置内的真空化、单体(monomer)的堆积方面需要时间；以及，(3)即便设置包含等离子体聚合物层的分离层，也不容易在支撑供于加工的晶片时使晶片与分离层的粘合结合充分，并且另一方面，不容易在解除晶片的支撑时控制成晶片容易从分离层脱离的粘合结合。
另外，如专利文献3、4和5所记载的那样，通过加热解除临时粘合的方法中容易产生因长时间的加热导致器件破损的不良情况。
另外，如专利文献6和7所记载的那样，照射照射线来解除临时粘合的方法中需要使用可透过照射线的支撑基板。
另外，如专利文献8那样，在载体上插入不有助于粘合的填充层的方法中，在形成该填充层时需要经过包含多个阶段的工艺，在生产率方面有进一步改良的余地。
本发明是鉴于上述背景而完成的，其目的在于提供半导体装置制造用临时粘合用层叠体和半导体装置的制造方法，所述半导体装置制造用临时粘合用层叠体在对被处理部件(半导体晶片等)实施机械性或化学性处理时，可以可靠且容易地临时支撑被处理部件，并且即便在经过了高温下的工艺的情况下，也可以容易地解除对已处理部件的临时支撑而不对已处理部件造成损伤。
用于解决问题的手段
本发明者为了解决上述课题，进行了深入研究，结果发现，在支撑体与被处理部件之间设置包含剥离层和粘合性层的临时粘合用层叠体，在该临时粘合用层叠体中，对于剥离层，通过设置具有特定软化点的第一剥离层和具有可溶于溶剂的树脂的第二剥离层，即便在经过了高温下的工艺的情况下，也可以容易地解除对已处理部件的临时支撑，基于这些见解，从而完成了本发明。即，本发明如下所述。
具体来说，上述课题通过下述手段<1>、更优选为<2>～<12>而得到解决。
<1>一种半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其是具有(A)剥离层和(B)粘合性层的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，上述(A)剥离层具有：(a1)具有200℃以上的软化点且与(B)粘合性层邻接的第一剥离层；和(a2)具有固化后可在25℃于选自己烷、庚烷、乙酸乙酯、丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、1，4-二噁烷、四氢呋喃、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙酰氧基-1-甲氧基丙烷、乙腈、甲乙酮、环己酮、甲苯、二甲亚砜、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、氯仿、二氯甲烷、苯甲醚、二甲苯和三甲苯中的溶剂的至少一种中溶解5质量％以上的树脂、且与上述(a1)第一剥离层邻接的第二剥离层。
<2>如<1>所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，上述(a1)第一剥离层的软化点为200℃～450℃的范围内。
<3>如<1>或<2>所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，上述(a1)第一剥离层含有热塑性树脂。
<4>如<3>所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，上述热塑性树脂为选自聚醚砜树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯并咪唑树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、聚酰胺酰亚胺树脂和聚醚酮树脂中的至少一种热塑性树脂。
<5>如<1>～<4>的任一项所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，上述(a2)第二剥离层所含的树脂为选自聚碳酸酯树脂、聚氨酯树脂和烃系树脂中的至少一种。
<6>如<1>～<5>的任一项所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，上述(B)粘合性层包含粘结剂、聚合性单体、和在光聚合引发剂和热聚合引发剂中的至少一种。
<7>如<1>～<6>的任一项所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，上述(a1)第一剥离层的厚度为1～10μm，上述(a2)第二剥离层的厚度为20～100μm。
<8>一种半导体装置的制造方法，其是具有下述已处理部件的半导体装置的制造方法，所述制造方法具有：
使被处理部件的第1面和基板以隔着<1>～<7>中任一项所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体的方式粘合的工序；
对上述被处理部件实施在180℃～370℃的范围中具有最高到达温度的加热处理，得到已处理部件的工序；和
将上述已处理部件从上述粘合层脱离的工序，
其中，上述第一剥离层是具有比上述加热处理中的最高到达温度更高的软化点的层。
<9>如<8>所述的半导体装置的制造方法，其中，在使上述被处理部件的第1面和上述基板隔着上述临时粘合用层叠体进行粘合的工序之前，还具有对上述临时粘合用层叠体的粘合性层照射活性光线或放射线、或者热的工序。
<10>如<8>或<9>所述的半导体装置的制造方法，其中，在将上述被处理部件从上述临时粘合用层叠体脱离的工序之后，还具有利用剥离溶剂除去残留于上述被处理部件的上述临时粘合用层叠体的工序。
<11>如<8>～<10>的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，上述剥离溶剂包含烃系溶剂和醚溶剂中的至少一种。
<12>如<11>所述的半导体装置的制造方法，其中，上述剥离溶剂包含环戊烷、正己烷、环己烷、正庚烷、柠檬烯、对薄荷烷、四氢呋喃(THF)、1，3-二氧戊环、苯甲醚中的至少一种。
<13>一种包含剥离溶剂的试剂盒，其包含：包含热塑性树脂的剥离层形成用组合物；和包含固化后可在25℃于选自己烷、庚烷、乙酸乙酯、丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、1，4-二噁烷、四氢呋喃、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙酰氧基-1-甲氧基丙烷、乙腈、甲乙酮、环己酮、甲苯、二甲亚砜、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、氯仿、二氯甲烷、苯甲醚、二甲苯和三甲苯中的溶剂的至少一种中溶解5质量％以上的树脂的粘合性层形成用组合物。
<14>如<13>所述的试剂盒，其还含有包含选自烃系溶剂和醚溶剂中的至少一种的剥离溶剂。
发明效果
根据本发明，可以提供半导体装置制造用临时粘合用层叠体和半导体装置的制造方法，所述半导体装置制造用临时粘合用层叠体在对被处理部件实施机械性或化学性处理时，可以可靠且容易地临时支撑被处理部件，并且即便在经过了高温下的工艺的情况下，也可以解除对已处理部件的临时支撑而不对已处理部件造成损伤。
附图说明
图1A、图1B和图1C分别是对粘合性支撑体与器件晶片之间的临时粘合进行说明的示意性截面图、表示被利用粘合性支撑体临时粘合的器件晶片的示意性截面图、以及表示被利用粘合性支撑体临时粘合的器件晶片被薄型化后的状态的示意性截面图。
图2是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的示意性俯视图。
图3是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的示意性俯视图。
图4是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的一个方案的示意性俯视图。
图5是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的一个方案的示意性俯视图。
图6是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的一个方案的示意性俯视图。
图7是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的一个方案的示意性俯视图。
图8是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的一个方案的示意性俯视图。
图9是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的一个方案的示意性俯视图。
图10是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的一个方案的示意性俯视图。
图11是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的一个方案的示意性俯视图。
图12是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的一个方案的示意性俯视图。
图13对以往的粘合性支撑体与器件晶片的临时粘合状态的解除进行说明的示意性截面图。
具体实施方式
以下，详细说明本发明的实施方式。
本说明书中的基团(基、原子团)的表述中，未标明取代和无取代的表述包括没有取代基以及具有取代基。例如，“烷基”不仅为没有取代基的烷基(无取代烷基)，也包括具有取代基的烷基(取代烷基)。
本说明书中的“活性光线”或“放射线”是指包括例如可见光、紫外线、远紫外线、电子束、X射线等。另外，本发明中，“光”是指活性光线或放射线。
另外，本说明书中的“曝光”只要没有特别声明，就不仅指利用以汞灯、紫外线、准分子激光为代表的远紫外线、X射线、EUV光等进行的曝光，还包括利用电子束和离子束等粒子束进行的描绘。
需要说明的是，本说明书中，“(甲基)丙烯酸酯”表示丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯，“(甲基)丙烯酸系”表示丙烯酸系和甲基丙烯酸系，“(甲基)丙烯酰”表示丙烯酰基和甲基丙烯酰基。另外，本说明书中，“单体(单量体)”和“单体(monomer)”是相同意义。本发明中的单体区别于低聚物和聚合物，是指重均分子量为2,000以下的化合物。本说明书中，聚合性化合物是指具有聚合性基团的化合物，可以是单体也可以是聚合物。聚合性基团是指参与聚合反应的基团。
需要说明的是，在以下说明的实施方式中，对于已在所参照的附图中说明的部件等，通过在图中标注同一符号或对应的符号来简化或省略说明。
本发明的半导体装置制造用临时粘合用层叠体(以下也仅称作“临时粘合用层叠体”)的特征在于，其是具有(A)剥离层和(B)粘合性层的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，上述(A)剥离层具有：(a1)具有200℃以上的软化点、与(B)粘合性层邻接的第一剥离层；和(a2)具有固化后可在25℃于选自己烷、庚烷、乙酸乙酯、丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、1，4-二噁烷、四氢呋喃、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙酰氧基-1-甲氧基丙烷、乙腈、甲乙酮、环己酮、甲苯、二甲亚砜、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、氯仿、二氯甲烷、苯甲醚、二甲苯和三甲苯中的溶剂的至少一种中溶解5质量％以上的树脂、与上述(a1)第一剥离层邻接的第二剥离层。
本发明中的半导体装置制造用临时粘合用层叠体优选用于具有进行加热处理的工序的半导体装置的制造中。
根据本发明中的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，可以得到如下所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，所述半导体装置制造用临时粘合用层叠体在对被处理部件实施机械性或化学性处理时，可以可靠且容易地临时支撑被处理部件，并且即便在经过了高温下的工艺的情况下，也可以解除对已处理部件的临时支撑而不对已处理部件造成损伤。
本发明中的半导体装置制造用临时粘合用层叠体优选用于形成硅贯通电极。对于硅贯通电极的形成在后文中详述。
＜(A)剥离层＞
剥离层具有与粘合性层邻接的第一剥离层(a1)和与第一剥离层邻接的第二剥离层(a2)。即，本发明中，按第一剥离层、第二剥离层、粘合性层的顺序层叠。第一剥离层(a1)和第二剥离层(a2)各自可以为1层，各自也可以设置2层以上。
＜＜第一剥离层＞＞
本发明中，出于提高剥离性的目的使用第一剥离层。因此，要求第一剥离层对热、化学品的剥离性的变化小。为了满足这样的要件，在本发明中，将第一剥离层的软化点设为200℃以上。软化点优选为200℃～450℃、更优选为250℃～400℃、进一步优选为280℃～350℃。另外，第一剥离层的软化点表示通过使用粘弹性测定装置的常规方法测定的软化点。
由此，在具有进行加热处理的工序的半导体装置的制造工序中，认为第一剥离层的树脂因热而发生熔解或玻璃化转变，对与粘合性层的结合的过度促进被抑制，作为结果，已处理部件的剥离顺利进行。
第一剥离层的软化点小于200℃的情况下，在具有进行加热处理的工序的半导体装置的制造工序中，认为构成第一剥离层的树脂发生溶解或玻璃化转变，与粘合性层的结合力过度增强，因此被处理部件的剥离变得不能顺利进行。
所测定的剥离层的软化点是在一定升温条件下使用粘弹性测定装置测定的损耗角正切(tanδ)达到最大的温度。
损耗角正切(tanδ)通过下述式算出。
tanδ＝G”/G’
上述式中，G”表示损耗剪切模量，G’表示储能剪切模量。
升温速度优选为0.5～20℃/分钟的范围内、更优选为1～10℃/分钟的范围内、特别优选为2～5℃/分钟的范围内。
＜＜＜粘结剂＞＞＞
本发明中，第一剥离层优选以粘结剂为主要成分。
本发明中，作为上述第一剥离层含有的粘结剂，可以使用任意粘结剂。
例如可以举出萜烯树脂、萜烯酚醛树脂、改性萜烯树脂、氢化萜烯树脂、氢化萜烯酚醛树脂、松香、松香酯、氢化松香、氢化松香酯、聚合松香、聚合松香酯、改性松香、松香改性酚醛树脂、烷基酚树脂、脂肪族石油树脂、芳香族石油树脂、氢化石油树脂、改性石油树脂、脂环族石油树脂、古马隆石油树脂、茚石油树脂、烯烃共聚物(例如甲基戊烯共聚物)、环烯烃共聚物(例如降冰片烯共聚物、双环戊二烯共聚物、四环十二碳烯共聚物)、酚醛清漆树脂、酚醛树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、尿素树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、PTFE树脂、PFA树脂、FEP树脂、乙烯-TFE共聚树脂、PVDF树脂、PCTFE树脂、乙烯-CTFE树脂、TFE-全氟二甲基二氧杂环戊烯共聚树脂、PVF树脂、ABS树脂、AS树脂、丙烯酸系树脂、纤维素树脂、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚苯醚、聚对苯二甲酸丁二酯、聚对苯二甲酸乙二酯、环状聚烯烃、聚苯硫醚、聚砜、聚醚砜树脂、聚苯并咪唑树脂、聚芳酯树脂、聚醚酮树脂、聚酰胺酰亚胺树脂等合成树脂、天然橡胶等天然树脂。其中，优选PTFE树脂、PFA树脂、FEP树脂、乙烯-TFE共聚树脂、PVDF树脂、PCTFE树脂、乙烯-CTFE树脂、TFE-全氟二甲基二氧杂环戊烯共聚树脂、PVF树脂、聚醚砜树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯并咪唑树脂、聚苯醚树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酮树脂，更优选PFA树脂、TFE-全氟二甲基二氧杂环戊烯共聚树脂、PVF树脂、聚醚砜树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯并咪唑树脂、聚苯醚树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酮树脂，特别优选聚醚砜树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯并咪唑树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚苯醚树脂、聚醚酮树脂。
粘结剂优选为热塑性树脂，特别优选为选自聚醚砜树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯并咪唑树脂、聚苯醚树脂、聚酰胺酰亚胺树脂和聚醚酮树脂中的至少一种热塑性树脂。
本发明中的第一剥离层的溶剂溶解性通常低于第二剥离层。本发明中的第一剥离层的固化后在25℃于上述特定溶剂的至少一种中溶解时的溶解比例(质量％)比第二剥离层低5～15质量％。另外，树脂在25℃于上述特定溶剂的至少一种中溶解时的溶解比例(质量％)优选为1～50质量％。
本发明的第一剥离层中的粘结剂的添加量相对于本发明的第一剥离层的总固体含量(除溶剂以外的量)优选为1～100质量％、更优选为70～100质量％、特别优选为90～100质量％。
在第一剥离层中使用的粘结剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
＜＜＜溶剂＞＞＞
本发明中，通常为了形成第一剥离层而使用溶剂。溶剂只要可以形成第一剥离层就可以没有限制地使用公知的溶剂，但可以使用N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、2-丁酮、甲基戊基酮、苯甲醚、二甲苯等，优选N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、甲基戊基酮或苯甲醚。
优选使用溶剂使得用于形成第一剥离层的第一剥离层组合物的固体含量浓度为5～40质量％。
在第一剥离层中使用的溶剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
＜＜＜其它添加剂＞＞＞
第一剥离层组合物可以根据需要包含各种添加剂。
从进一步提高涂布性的观点出发，本发明的第一剥离层组合物中可以添加各种表面活性剂。作为表面活性剂，可以使用氟系表面活性剂、非离子系表面活性剂、阳离子系表面活性剂、阴离子系表面活性剂、有机硅系表面活性剂等各种表面活性剂。
尤其是，本发明的第一剥离层组合物所形成的第一剥离层由于含有氟系表面活性剂，以涂布液的形式进行制备时的液体特性(尤其流动性)进一步提高，因而可以进一步改善涂布厚度的均匀性、省液性。
即，在使用含有氟系表面活性剂的第一剥离层组合物形成膜的情况下，通过使被涂布面与涂布液的界面张力下降，由此改善对被涂布面的润湿性，提高对被涂布面的涂布性。因此，即便是以少量的液量形成几μm左右的薄膜的情况下，也可以更适宜地进行厚度不均小的均匀厚度的膜形成，从这一点考虑是有效的。
氟系表面活性剂中的氟含量优选为3质量％～40质量％、更优选为5质量％～30质量％、特别优选为7质量％～25质量％。氟含量在该范围内的氟系表面活性剂在涂布膜厚度的均匀性、省液性的方面有效，第一剥离层组合物中的溶解性也良好。
作为氟系表面活性剂，例如可以举出Megafac F171、Megafac F172、MegafacF173、Megafac F176、Megafac F177、Megafac F141、Megafac F142、Megafac F143、MegafacF144、Megafac R30、Megafac F437、Megafac F475、Megafac F479、Megafac F482、MegafacF554、Megafac F780、Megafac F781(以上为DIC株式会社制造)、FLUORAD FC430、FLUORADFC431、FLUORAD FC171(以上为住友3M株式会社制造)、Surflon S-382、Surflon SC-101、Surflon SC-103、Surflon SC-104、Surflon SC-105、Surflon SC1068、Surflon SC-381、Surflon SC-383、Surflon S393、Surflon KH-40(以上为旭硝子株式会社制造)、PF636、PF656、PF6320、PF6520、PF7002(OMNOVA公司制造)等。
作为非离子系表面活性剂，具体来说，可以举出甘油、三羟甲基丙烷、三羟甲基乙烷以及它们的乙氧基化物和丙氧基化物(例如甘油丙氧基化物、甘油乙氧基化物等)、聚氧乙烯月桂醇醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油醇醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯、山梨醇酐脂肪酸酯(BASF公司制的Pluronic L10、L31、L61、L62、10R5、17R2、25R2、Tetronic304、701、704、901、904、150R1、SOLSPERSE20000(日本Lubrizol株式会社制)等。
作为阳离子系表面活性剂，具体来说，可以举出酞菁衍生物(商品名：EFKA-745、森下产业株式会社制)、有机硅氧烷聚合物KP341(信越化学工业株式会社制)、(甲基)丙烯酸系(共)聚合物POLYFLOW No.75、No.90、No.95(共荣社化学株式会社制)、W001(裕商株式会社制)等。
作为阴离子系表面活性剂，具体来说，可以举出W004、W005、W017(裕商株式会社制)等。
作为有机硅系表面活性剂，例如可以举出东丽道康宁株式会社制的“ToraySilicone DC3PA”、“Toray Silicone SH7PA”、“Toray Silicone DC11PA”、“ToraySilicone SH21PA”、“Toray Silicone SH28PA”、“Toray Silicone SH29PA”、“ToraySilicone SH30PA”、“Toray Silicone SH8400”、Momentive Performance Material公司制的“TSF-4440”、“TSF-4300”、“TSF-4445”、“TSF-4460”、“TSF-4452”、信越有机硅株式会社制的“KP341”、“KF6001”、“KF6002”、BYK-CHEMIE公司制的“BYK307”、“BYK323”、“BYK330”等。
表面活性剂可以仅使用一种，也可以组合两种以上。
表面活性剂的添加量相对于第一剥离层组合物的总固体成分优选为0.001质量％～2.0质量％、更优选为0.005质量％～1.0质量％。
本发明的半导体装置制造用临时粘合用层叠体所具有的第一剥离层的形成方法没有特别限定，作为优选的形成方法，为通过适当变更上述的粘结剂的种类及其含量来适当实现，通过从上述优选的具体例中选择粘结剂，并设为更优选的浓度，由此实现。
＜＜第二剥离层＞＞
本发明中的第二剥离层(a2)的特征在于，具有固化后可在25℃于选自己烷、庚烷、乙酸乙酯、丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、1，4-二噁烷、四氢呋喃、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙酰氧基-1-甲氧基丙烷、乙腈、甲乙酮、环己酮、甲苯、二甲亚砜、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、氯仿、二氯甲烷、苯甲醚、二甲苯和三甲苯中的溶剂的至少一种中溶解5质量％以上的树脂，与上述(a1)第一剥离层邻接。即，第二剥离层的使用是出于提高利用溶剂从被处理部件除去第一剥离层残留物时的除去性。
因此，要求第二剥离层具有在固化后可溶于溶剂的树脂。本发明中的可溶于溶剂的树脂更优选为可在25℃于上述溶剂的至少一种中溶解10质量％以上的树脂。通过设为这样的构成，可以在短时间内完成第一剥离层的除去。尤其，本发明中的第一剥离层包含软化点高的粘结剂，因此认为在仅由第一剥离层形成的剥离层情况下，由于高软化点材料特有的高凝聚性，利用溶剂的剥离需要长时间。
另外，本发明中的第二剥离层所含的树脂只要是固化后可溶于溶剂的树脂即可，固化前的溶剂溶解性可以是可溶于溶剂也可以是不溶于溶剂。
＜＜＜树脂＞＞＞
第二剥离层可以具有的树脂只要满足上述条件就不特别限定，例如可以举出萜烯树脂、萜烯酚醛树脂、改性萜烯树脂、氢化萜烯树脂、氢化萜烯酚醛树脂、松香、松香酯、氢化松香、氢化松香酯、聚合松香、聚合松香酯、改性松香、松香改性酚醛树脂、烷基酚树脂、脂肪族石油树脂、芳香族石油树脂、氢化石油树脂、改性石油树脂、脂环族石油树脂、古马隆石油树脂、茚石油树脂、烯烃共聚物(例如甲基戊烯共聚物)、环烯烃共聚物(例如降冰片烯共聚物、双环戊二烯共聚物、四环十二碳烯共聚物)、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯树脂，聚乙酸乙烯酯树脂、ABS树脂、AS树脂、丙烯酸系树脂、改性纤维素树脂、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚苯醚、聚对苯二甲酸丁二酯、聚对苯二甲酸乙二酯、环状聚烯烃、聚砜、聚醚砜树脂等合成树脂、天然橡胶等天然树脂。
其中，优选萜烯树脂、萜烯酚醛树脂、改性萜烯树脂、氢化萜烯树脂、氢化萜烯酚醛树脂、松香、松香酯、氢化松香、氢化松香酯、聚合松香、聚合松香酯、改性松香、松香改性酚醛树脂、烷基酚树脂、脂肪族石油树脂、芳香族石油树脂、氢化石油树脂、改性石油树脂、脂环族石油树脂、古马隆石油树脂、茚石油树脂、烯烃共聚物、环烯烃共聚物、聚苯乙烯树脂、聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯树脂、改性纤维素树脂、聚碳酸酯，更优选氢化萜烯树脂、环烯烃共聚物、聚苯乙烯树脂、聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯。
对于本发明中的第二剥离层而言，通常其软化点低于第一剥离层的软化点。本发明中的第二剥离层的软化点优选比第一剥离层的软化点低20℃以上、更优选低50℃以上。
本发明的第二剥离层中的粘结剂的添加量相对于本发明的第二剥离层的总固体含量(除溶剂以外的量)优选为1～100质量％、更优选为70～100质量％、特别优选为90～100质量％。
在第二剥离层中使用的树脂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
＜＜＜溶剂＞＞＞
本发明中，通常为了形成第二剥离层而使用溶剂。溶剂只要可以形成第二剥离层就可以无限制地使用公知的第二剥离层，可以使用N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、2-丁酮、甲基戊基酮、苯甲醚、二甲苯、THF等，优选N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、甲基戊基酮、苯甲醚或THF。
优选所使用的溶剂使得第二剥离层组合物的固体含量浓度为5～40质量％。
在第二剥离层中使用的溶剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
＜＜＜其它添加剂＞＞＞
第二剥离层组合物可以根据需要包含各种添加剂。这些添加剂的细节优选与第一剥离层同样。
＜(B)粘合性层＞
出于将剥离层和基板粘合的目的使用粘合性层。因此，要求粘合性层对于热、化学品的粘合性的变化小。
粘合性层可以通过使用以往公知的旋涂法、喷涂法、辊涂法、流涂法、刮刀涂布法、浸渍法等将含有后述各成分的粘合性组合物涂布于载体基板上，接着进行干燥，从而形成。
另外，粘合性层可以是粘合性随着活性光线或放射线的照射而增大或减少的层，可以是对粘合性随着活性光线或放射线的照射而增大或减少的层的表面进行曝光，在表面设置粘合力不同的两种以上区域而成的层。
具体来说，曝光优选后述那样的使用掩模的图案曝光。
粘合性层的厚度例如设在1～500μm的范围内，但没有特别限定。
＜＜粘结剂＞＞
粘合性组合物(以及粘合性层)优选含有粘结剂。
本发明中，作为粘结剂，可以使用任意的粘结剂。
例如可以举出烃树脂、酚醛清漆树脂、酚醛树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、尿素树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、聚氨酯、聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚树脂、聚乙酸乙烯酯、特氟龙(注册商标)、ABS树脂、AS树脂、丙烯酸系树脂、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚苯醚、聚对苯二甲酸丁二酯、聚对苯二甲酸乙二酯、环状聚烯烃、聚苯硫醚、聚砜、聚醚砜、聚芳酯、聚醚醚酮、聚酰胺酰亚胺等合成树脂、天然橡胶等天然树脂。其中，优选聚氨酯、酚醛清漆树脂、聚酰亚胺、聚苯乙烯、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚树脂，更优选酚醛清漆树脂、聚酰亚胺、聚苯乙烯、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚树脂，特别优选聚酰亚胺、聚苯乙烯、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚树脂。
在粘合性组合物中使用的粘结剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
本发明中，作为烃树脂，可以使用任意的烃树脂。
本发明中的烃树脂是指基本上仅由碳原子和氢原子构成的树脂，但只要作为基础的骨架为烃树脂，则作为侧链也可以包含其它原子。另外，本发明中的烃树脂不包括丙烯酸系树脂、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、聚乙烯吡咯烷酮树脂那样的除烃基以外的官能团直接键合于主链的树脂。
作为与上述条件吻合的烃树脂，例如可以举出聚苯乙烯树脂、萜烯树脂、萜烯酚醛树脂、改性萜烯树脂、氢化萜烯树脂、氢化萜烯酚醛树脂、松香、松香酯、氢化松香、氢化松香酯、聚合松香、聚合松香酯、改性松香、松香改性酚醛树脂、烷基酚树脂、脂肪族石油树脂、芳香族石油树脂、氢化石油树脂、改性石油树脂、脂环族石油树脂、古马隆石油树脂、茚石油树脂、烯烃聚合物(例如甲基戊烯共聚物)、环烯烃聚合物(例如降冰片烯共聚物、双环戊二烯共聚物、四环十二碳烯共聚物)等。
其中，优选聚苯乙烯树脂、萜烯树脂、松香、石油树脂、氢化松香、聚合松香、烯烃聚合物、环烯烃聚合物，更优选聚苯乙烯树脂、萜烯树脂、松香、烯烃聚合物、环烯烃聚合物，进一步优选聚苯乙烯树脂、萜烯树脂、松香、烯烃聚合物、聚苯乙烯树脂、环烯烃聚合物，特别优选聚苯乙烯树脂、萜烯树脂、松香、环烯烃聚合物、烯烃聚合物，最优选聚苯乙烯树脂或环烯烃聚合物。
用于制作环烯烃共聚物的环状烯烃系树脂的例子包括降冰片烯系聚合物、单环的环状烯烃的聚合物、环状共轭双烯的聚合物、乙烯基脂环族烃聚合物和这些聚合物的氢化物等。优选例包括：包含至少一种以上由下述通式(II)表示的重复单元的加成(共)聚合物环状烯烃系树脂；以及根据需要还包含至少一种以上由通式(I)表示的重复单元而成的加成(共)聚合物环状烯烃系树脂。另外，其它优选例包括包含至少一种由通式(III)表示的环状重复单元的开环(共)聚合物。
【化1】
式中，m表示0～4的整数。R1～R6各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～10的烃基，X1～X3、Y1～Y3各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、卤原子、被卤原子取代的碳原子数为1～10的烃基、-(CH2)nCOOR11、-(CH2)nOCOR12、-(CH2)nNCO、-(CH2)nNO2、-(CH2)nCN、-(CH2)nCONR13R14、-(CH2)nNR13R14、-(CH2)nOZ、-(CH2)nW或者由X1和Y1、X2和Y2、或X3和Y3构成的(-CO)2O、(-CO)2MR15。需要说明的是，R11、R12、R13、R14和R15各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烃基，Z表示烃基或被卤素取代的烃基，W表示SiR16 pD3-p(R16表示碳原子数为1～10的烃基，D表示卤原子、-OCOR16或-OR16，p表示0～3的整数)。n表示0～10的整数。
在日本特开平10-7732号公报、日本特表2002-504184号公报、US2004/229157A1号公报或WO2004/070463A1号公报等中公开了降冰片烯系加成(共)聚合物。通过将降冰片烯系多环状不饱和化合物彼此进行加成聚合而得到。另外，根据需要，也可以将降冰片烯系多环状不饱和化合物、与乙烯、丙烯、丁烯；丁二烯、异戊二烯之类共轭双烯；亚乙基降冰片烯之类非共轭双烯进行加成聚合。该降冰片烯系加成(共)聚合物由三井化学株式会社以APEL的商品名进行销售，有玻璃化转变温度(Tg)不同的例如APL8008T(Tg70℃)、APL6013T(Tg125℃)或APL6015T(Tg145℃)等品级。由Polyplastics株式会社销售TOPAS 8007、TOPAS5013、TOPAS 6013、TOPAS 6015等颗粒。
此外，由Ferrania公司销售Appear3000。
如日本特开平1-240517号公报、日本特开平7-196736号公报、日本特开昭60-26024号公报、日本特开昭62-19801号公报、日本特开2003-1159767号公报或日本特开2004-309979号公报等公开的那样，降冰片烯系聚合物氢化物可以通过在对多环状不饱和化合物进行加成聚合或开环复分解聚合后进行加氢来制造。
上述式中，R5～R6优选为氢原子或-CH3，X3和Y3优选为氢原子，其它基团适当选择。该降冰片烯系树脂由JSR株式会社以Arton G或Arton F的商品名进行销售，另外由日本瑞翁株式会社以Zeonor ZF14、ZF16、Zeonex 250、Zeonex 280、Zeonex 480R的商品名销售，可以使用它们。
粘结剂相对于粘合剂组合物的总固体成分的量优选为30～80质量％、更优选为40～60质量％。
＜＜聚合性单体＞＞
本发明中，作为粘合性组合物(以及粘合性层)的聚合性单体，可以使用任意聚合性单体。在此，聚合性单体具有聚合性基团。典型而言，聚合性基团是指能够在活性光线或放射线的照射、或者自由基或酸的作用下发聚合的基团。
需要说明的是，聚合性单体是与上述粘结剂不同的化合物。典型而言，聚合性单体为低分子化合物，优选为分子量2000以下的低分子化合物、更优选为1500以下的低分子化合物、进一步优选为分子量900以下的低分子化合物。需要说明的是，低分子化合物的分子量通常为100以上。
聚合性基团例如优选为可进行加成聚合反应的官能团，作为可进行加成聚合反应的官能团，可以举出烯属不饱和键基团、氨基、环氧基等。另外，聚合性基团可以是可在光照射的作用下产生自由基的官能团，作为这样的聚合性基团，例如可以举出巯基、卤基等。其中，聚合性基团优选为烯属不饱和键基团。作为烯属不饱和键基团，优选为苯乙烯基、(甲基)丙烯酰基、烯丙基。
作为具有聚合性基团的反应性化合物，具体可以举出自由基聚合性化合物(B1)和离子聚合性化合物(B2)。
作为自由基聚合性化合物，可以举出碳原子数为3～35的(甲基)丙烯酰胺化合物(B11)、碳原子数为4～35的(甲基)丙烯酸酯化合物(B12)、碳原子数为6～35的芳香族乙烯基化合物(B13)、碳原子数为3～20的乙烯基醚化合物(B14)及除此之外其它的自由基聚合性化合物(B15)等。自由基聚合性化合物(B1)可以使用单独一种，也可以并用两种以上。
另外，根据需要可以并用对苯二酚、对苯二酚甲基醚类等阻聚剂。
作为碳原子数为3～35的(甲基)丙烯酰胺化合物(B11)，例如可以举出(甲基)丙烯酰胺、N-甲基(甲基)丙烯酰胺、N-乙基(甲基)丙烯酰胺、N-丙基(甲基)丙烯酰胺、N-正丁基(甲基)丙烯酰胺、N-叔丁基(甲基)丙烯酰胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺、N-异丙基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N，N-二乙基(甲基)丙烯酰胺和(甲基)丙烯酰吗啉。
作为碳原子数为4～35的(甲基)丙烯酸酯化合物(B12)，例如可以举出以下的单官能～六官能的(甲基)丙烯酸酯。
作为单官能(甲基)丙烯酸酯，可以举出(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸叔辛酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸异硬脂酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸4-正丁基环己酯、(甲基)丙烯酸冰片酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸苄酯、2-乙基己基二甘醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-氯乙酯、(甲基)丙烯酸4-溴丁酯、(甲基)丙烯酸氰基乙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸丁氧基甲酯、甲氧基亚丙基单丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酯、(甲基)丙烯酸烷氧基甲酯、2-乙基己基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸烷氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲氧基乙氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2，2，2-四氟乙酯、(甲基)丙烯酸1H，1H，2H，2H-全氟癸酯、(甲基)丙烯酸4-丁基苯酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸2，4，5-四甲基苯酯、(甲基)丙烯酸4-氯苯基酯、(甲基)丙烯酸苯氧基甲酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油醚氧基丁酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油醚氧基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油醚氧基丙酯、二乙二醇单乙烯基醚单丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸四氢糠醇酯、(甲基)丙烯酸羟基烷基酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙氨基乙酯、(甲基)丙烯酸二甲氨基丙酯、(甲基)丙烯酸二乙氨基丙酯、(甲基)丙烯酸三甲氧基甲硅烷基丙酯、(甲基)丙烯酸三甲氧基甲硅烷基丙酯、(甲基)丙烯酸三甲基甲硅烷基丙酯、聚环氧乙烷单甲醚(甲基)丙烯酸酯、低聚环氧乙烷单甲醚(甲基)丙烯酸酯、聚环氧乙烷(甲基)丙烯酸酯、低聚环氧乙烷(甲基)丙烯酸酯、低聚环氧乙烷单烷基醚(甲基)丙烯酸酯、聚环氧乙烷单烷基醚(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚环氧丙烷单烷基醚(甲基)丙烯酸酯、低聚环氧丙烷单烷基醚(甲基)丙烯酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯酰氧基六氢邻苯二甲酸、2-甲基丙烯酰氧基乙基-2-羟基丙基邻苯二甲酸酯、丁氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸全氟辛基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯、EO改性苯酚(甲基)丙烯酸酯、EO改性甲酚(甲基)丙烯酸酯、EO改性壬基苯酚(甲基)丙烯酸酯、PO改性壬基苯酚(甲基)丙烯酸酯和EO改性-(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯等。在上文和下文中，EO表示环氧乙烷，PO表示环氧丙烷。
作为二官能(甲基)丙烯酸酯，可以举出1，4-丁烷二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己烷二丙烯酸酯、聚亚丙基二丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊基二丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、2，4-二甲基-1，5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁基乙基丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化环己烷甲醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、低聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-乙基-2-丁基丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、羟基特戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、EO改性双酚A二(甲基)丙烯酸酯、双酚F聚乙氧基二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、低聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-乙基-2-丁基-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，9-壬烷二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯和三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯等。
作为三官能的(甲基)丙烯酸酯，可以举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基乙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷的环氧烷改性三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三((甲基)丙烯酰氧基丙基)醚、异氰脲酸环氧烷改性三(甲基)丙烯酸酯、丙酸二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三((甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、羟基特戊醛改性二羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯和乙氧基化甘油三丙烯酸酯等。
作为四官能的(甲基)丙烯酸酯，可以举出季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇四(甲基)丙烯酸酯、二缩三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、丙酸二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯和乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等。
作为五官能的(甲基)丙烯酸酯，可以举出山梨糖醇五(甲基)丙烯酸酯和二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯。
作为六官能的(甲基)丙烯酸酯，可以举出二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇六(甲基)丙烯酸酯、膦腈的环氧烷改性六(甲基)丙烯酸酯和己内酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
作为碳原子数为6～35的芳香族乙烯基化合物(B13)，可以举出乙烯基噻吩、乙烯基呋喃、乙烯基吡啶、苯乙烯、甲基苯乙烯、三甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、异丙基苯乙烯、氯甲基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙酰氧基苯乙烯、氯苯乙烯、二氯苯乙烯、溴苯乙烯、乙烯基苯甲酸甲基酯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、3-乙基苯乙烯、4-乙基苯乙烯、3-丙基苯乙烯、4-丙基苯乙烯、3-丁基苯乙烯、4-丁基苯乙烯、3-己基苯乙烯、4-己基苯乙烯、3-辛基苯乙烯、4-辛基苯乙烯、3-(2-乙基己基)苯乙烯、4-(2-乙基己基)苯乙烯、烯丙基苯乙烯、异丙烯基苯乙烯、丁烯基苯乙烯、辛烯基苯乙烯、4-叔丁氧羰基苯乙烯、4-甲氧基苯乙烯和4-叔丁氧基苯乙烯等。
作为碳原子数为3～35的乙烯基醚化合物(B14)，例如可以举出以下的单官能或多官能乙烯基醚。
作为单官能乙烯基醚，例如可以举出甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、叔丁基乙烯基醚、2-乙基己基乙烯基醚、正壬基乙烯基醚、月桂基乙烯基醚、环己基乙烯基醚、环己基甲基乙烯基醚、4-甲基环己基甲基乙烯基醚、苄基乙烯基醚、二环戊烯基乙烯基醚、2-二环戊烯氧基乙基乙烯基醚、甲氧基乙基乙烯基醚、乙氧基乙基乙烯基醚、丁氧基乙基乙烯基醚、甲氧基乙氧基乙基乙烯基醚、乙氧基乙氧基乙基乙烯基醚、甲氧基聚乙二醇乙烯基醚、四氢糠基乙烯基醚、2-羟基乙基乙烯基醚、2-羟基丙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、4-羟甲基环己基甲基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚、聚乙二醇乙烯基醚、氯乙基乙烯基醚、氯丁基乙烯基醚、氯乙氧基乙基乙烯基醚、苯乙基乙烯基醚和苯氧基聚乙二醇乙烯基醚。
作为多官能乙烯基醚，例如可以举出乙二醇二乙烯基醚、二乙二醇二乙烯基醚、聚乙二醇二乙烯基醚、丙二醇二乙烯基醚、丁二醇二乙烯基醚、己二醇二乙烯基醚、双酚A环氧烷二乙烯基醚、双酚F环氧烷二乙烯基醚等二乙烯基醚类；三羟甲基乙烷三乙烯基醚、三羟甲基丙烷三乙烯基醚、双三羟甲基丙烷四乙烯基醚、甘油三乙烯基醚、季戊四醇四乙烯基醚、二季戊四醇五乙烯基醚、二季戊四醇六乙烯基醚、环氧乙烷加成三羟甲基丙烷三乙烯基醚、环氧丙烷加成三羟甲基丙烷三乙烯基醚、环氧乙烷加成双三羟甲基丙烷四乙烯基醚、环氧丙烷加成双三羟甲基丙烷四乙烯基醚、环氧乙烷加成季戊四醇四乙烯基醚、环氧丙烷加成季戊四醇四乙烯基醚、环氧乙烷加成二季戊四醇六乙烯基醚和环氧丙烷加成二季戊四醇六乙烯基醚。
作为除此之外其它的自由基聚合性化合物(B15)，可以举出乙烯基酯化合物(乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯和叔碳酸乙烯酯等)、烯丙基酯化合物(乙酸烯丙酯等)、含卤单体(偏氯乙烯和氯乙烯等)和烯烃化合物(乙烯和丙烯等)等。
它们之内，从聚合速度的观点出发，优选(甲基)丙烯酰胺化合物(B11)和(甲基)丙烯酸酯化合物(B12)，尤其优选(甲基)丙烯酸酯化合物(B12)。
作为离子聚合性化合物(B2)，可以举出碳原子数为3～20的环氧化合物(B21)和碳原子数为4～20的氧杂环丁烷化合物(B22)等。
作为碳原子数为3～20的环氧化合物(B21)，例如可以举出以下的单官能或多官能环氧化合物。
作为单官能环氧化合物，可以举出例如苯基缩水甘油醚、对叔丁基苯基缩水甘油醚、丁基缩水甘油醚、2-乙基己基缩水甘油醚、烯丙基缩水甘油醚、1，2-环氧丁烷、1，3-丁二烯单环氧化物、1，2-环氧化物癸烷、表氯醇、1，2-环氧癸烷、氧化苯乙烯、环氧环己烷、3-甲基丙烯酰氧甲基环氧环己烷、3-丙烯酰氧基甲基环氧环己烷和3-乙烯基环氧环己烷。
作为多官能环氧化合物，例如可以举出双酚A二缩水甘油醚、双酚F二缩水甘油醚、双酚S二缩水甘油醚、溴化双酚A二缩水甘油醚、溴化双酚F二缩水甘油醚、溴化双酚S二缩水甘油醚、环氧酚醛清漆树脂、氢化双酚A二缩水甘油醚、氢化双酚F二缩水甘油醚、氢化双酚S二缩水甘油醚、3，4-环氧环己基甲基-3’，4’-环氧环己基甲酸酯、2-(3，4-环氧环己基-5，5-螺-3，4-环氧)环己烷间二噁烷、双(3，4-环氧环己基甲基)己二酸酯、乙烯基环氧环己烷、4-乙烯基环氧环己烷、双(3，4-环氧-6-甲基环己基甲基)己二酸酯、3，4-环氧-6-甲基环己基-3’，4’-环氧-6’-甲基环己烷甲酸酯、亚甲基双(3，4-环氧环己烷)、双环戊二烯二环氧化物、乙二醇二(3，4-环氧环己基甲基)醚、乙烯双(3，4-环氧环己基甲酸酯)、环氧六氢邻苯二甲酸二辛酯、环氧六氢邻苯二甲酸二-2-乙基己酯、1，4-丁二醇二缩水甘油醚、1，6-己二醇二缩水甘油醚、甘油三缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚类、1，1，3-十四碳二烯二环氧化物、柠檬烯二环氧化物、1，2，7，8-二环氧辛烷和1，2，5，6-二环氧环辛烷。
这些环氧化合物之中，从聚合速度优异的观点出发，优选芳香族环氧化物和脂环式环氧化物，特别优选脂环式环氧化物。
作为碳原子数为4～20的氧杂环丁烷化合物(B22)，可以举出具有1个～6个氧杂环丁烷环的化合物等。
作为具有1个氧杂环丁烷环的化合物，例如可以举出3-乙基-3-羟甲基氧杂环丁烷、3-(甲基)烯丙氧基甲基-3-乙基氧杂环丁烷、(3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基)甲基苯、4-氟-[1-(3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基)甲基]苯、4-甲氧基-[1-(3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基)甲基]苯、[1-(3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基)乙基]苯基醚、异丁氧基甲基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、异冰片氧基乙基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、异冰片基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、2-乙基己基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、乙基二乙二醇(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、双环戊二烯(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、二环戊烯氧基乙基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、二环戊烯基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、四氢糠基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、四溴苯基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、2-四溴苯氧基乙基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、三溴苯基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、2-三溴苯氧基乙基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、2-羟基乙基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、2-羟基丙基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、丁氧基乙基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、五氯苯基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、五溴苯基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚和冰片基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚。
作为具有2～6个氧杂环丁烷环的化合物，例如可以举出3，7-双(3-氧杂环丁基)-5-氧杂-壬烷、3，3’-(1，3-(2-亚甲基)丙二基双(氧基亚甲基))双(3-乙基氧杂环丁烷)、1，4-双[(3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基)甲基]苯、1，2-双[(3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基)甲基]乙烷、1，3-双[(3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基)甲基]丙烷、乙二醇双(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、二环戊烯基双(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、三乙二醇双(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、四乙二醇双(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、三环癸烷二基二亚甲基(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、三羟甲基丙烷三(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、1，4-双(3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基)丁烷、1，6-双(3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基)己烷、季戊四醇三(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、季戊四醇四(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、聚乙二醇双(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、二季戊四醇六(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、二季戊四醇五(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、二季戊四醇四(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、己内酯改性二季戊四醇六(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、己内酯改性二季戊四醇五(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、双三羟甲基丙烷四(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、EO改性双酚A双(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、PO改性双酚A双(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、EO改性氢化双酚A双(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚、PO改性氢化双酚A双(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚和EO改性双酚F(3-乙基-3-氧杂环丁基甲基)醚。
从良好的粘合强度和剥离性的观点出发，聚合性单体的含量相对于上述粘合性层的总固体成分优选为5～75质量％、更优选为10～70质量％、进一步优选为10～60质量％。
另外，聚合性单体和粘结剂的含量的比例(质量比)优选为90/10～10/90、更优选为20/80～80/20。
聚合性单体可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
＜＜溶剂＞＞
溶剂只要可以形成粘合性层就可以无限制地使用公知的溶剂，可以使用N-甲基-2-吡咯烷酮、2-丁酮、甲基戊基酮、柠檬烯、PGMEA(乙酸1-甲氧基-2-丙基酯)等，优选N-甲基-2-吡咯烷酮、2-丁酮、甲基戊基酮或柠檬烯、PGMEA(乙酸1-甲氧基-2-丙基酯)。
优选所使用的溶剂使得粘合性组合物的固体含量浓度为5～40质量％。
溶剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
＜＜光聚合引发剂＞＞
粘合性组合物(以及粘合性层)优选含有光聚合引发剂、即在活性光线或放射线的照射的作用下产生自由基或酸的化合物。
由于具有光聚合引发剂，通过对粘合性层照射光，发生粘合性组合物的由自由基或酸导致的固化，可以使光照射部中的粘合性下降。如果使该照射通过例如光掩模到达粘合性层表面，则具有可以根据光掩模的图案简便地制成粘合力不同的区域这样的优点。
作为在活性光线或放射线的照射的作用下产生自由基或酸的化合物，例如可以使用以下描述的已知的光聚合引发剂。
作为上述光聚合引发剂，只要具有引发具有作为上述粘结剂的具有聚合性基团的高分子化合物、或作为上述聚合性单体的具有聚合性基团的反应性化合物的聚合反应(交联反应)的能力，就特别限制，可以从公知的光聚合引发剂中适当选择。例如，优选对紫外线区域至可见光具有感光性的光聚合引发剂。另外，也可以为与被光激发的敏化剂发生某种作用而产生活性自由基的活性剂，也可以是根据单体的种类产生酸而引发阳离子聚合的引发剂。
另外，上述光聚合引发剂优选含有至少一种的在约300nm～800nm(优选为330nm～500nm)的范围内具有至少约50的分子吸光系数的化合物。
作为上述光聚合引发剂，可以无限制地使用公知的化合物，例如可以举出卤代烃衍生物(例如具有三嗪骨架的卤代烃化合物、具有噁二唑骨架的卤代烃化合物、具有三卤甲基的卤代烃化合物等)、酰基膦氧化物等酰基膦化合物、六芳基联咪唑、肟衍生物等肟化合物、有机过氧化物、硫代化合物、酮化合物、芳香族鎓盐、酮肟醚、氨基苯乙酮化合物、羟基苯乙酮、偶氮系化合物、叠氮化合物、茂金属化合物、有机硼化合物、铁芳烃络合物等。
作为具有上述三嗪骨架的卤代烃化合物，例如可以举出若林等人著的Bull.Chem.Soc.Japan，42、2924(1969)记载的化合物、英国专利1388492号说明书记载的化合物、日本特开昭53-133428号公报记载的化合物、德国专利3337024号说明书记载的化合物、F.C.Schaefer等的J.Org.Chem.；29、1527(1964)记载的化合物、日本特开昭62-58241号公报记载的化合物、日本特开平5-281728号公报记载的化合物、日本特开平5-34920号公报记载的化合物、美国专利第4212976号说明书记载的化合物等。
作为上述美国专利第4212976号说明书记载的化合物，例如可以举出具有噁二唑骨架的化合物(例如2-三氯甲基-5-苯基-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(4-氯苯基)-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(2-萘基)-1，3，4-噁二唑、2-三溴甲基-5-苯基-1，3，4-噁二唑、2-三溴甲基-5-(2-萘基)-1，3，4-噁二唑；2-三氯甲基-5-苯乙烯基-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(4-氯苯乙烯基)-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(4-甲氧基苯乙烯基)-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、2-三氯甲基-5-(4-正丁氧基苯乙烯基)-1，3，4-噁二唑、2-三溴甲基-5-苯乙烯基-1，3，4-噁二唑等)等。
另外，作为上述以外的光聚合引发剂，可以举出吖啶衍生物(例如9-苯基吖啶、1，7-双(9，9’-吖啶基)庚烷等)、N-苯基甘氨酸等、多卤化物(例如四溴化碳、苯基三溴甲基砜、苯基三氯甲基酮等)、香豆素类(例如3-(2-苯并呋喃醇基)-7-二乙氨基香豆素、3-(2-苯并呋喃甲酰基)-7-(1-吡咯烷基)香豆素、3-苯甲酰基-7-二乙氨基香豆素、3-(2-甲氧基苯甲酰基)-7-二乙氨基香豆素、3-(4-二甲氨基苯甲酰基)-7-二乙氨基香豆素、3，3’-羰基双(5，7-二-正丙氧基香豆素)、3，3’-羰基双(7-二乙氨基香豆素)、3-苯甲酰基-7-甲氧基香豆素、3-(2-呋喃甲酰基)-7-二乙氨基香豆素、3-(4-二乙氨基肉桂酰基)-7-二乙氨基香豆素、7-甲氧基-3-(3-吡啶基羰基)香豆素、3-苯甲酰基-5，7-二丙氧基香豆素、7-苯并三唑-2-基香豆素、以及在日本特开平5-19475号公报、日本特开平7-271028号公报、日本特开2002-363206号公报、日本特开2002-363207号公报、日本特开2002-363208号公报、日本特开2002-363209号公报等中记载的香豆素化合物等)、酰基膦氧化物类(例如双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦、双(2，6-二甲氧基苯甲酰基)-2，4，4-三甲基-戊基苯基氧化膦、Lucirin TPO等)、茂金属类(例如双(η5-2，4-环戊二烯-1-基)-双(2，6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)钛、η5-环戊二烯基-η6-枯烯基离子(1+)六氟磷酸盐(1-)等)、在日本特开昭53-133428号公报、日本特公昭57-1819号公报、日本特公昭57-6096号公报和美国专利第3615455号说明书中记载化合物等。
作为上述酮化合物，例如可以举出二苯甲酮、2-甲基二苯甲酮、3-甲基二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、4-甲氧基二苯甲酮、2-氯二苯甲酮、4-氯二苯甲酮、4-溴基二苯甲酮、2-羧基二苯甲酮、2-乙氧羰基二苯甲酮、二苯甲酮四甲酸或其四甲基酯、4，4’-双(二烷基氨基)二苯甲酮类(例如、4，4’-双(二甲氨基)二苯甲酮、4，4’-双二环己基氨基)二苯甲酮、4，4’-双(二乙氨基)二苯甲酮、4，4’-双(二羟乙基氨基)二苯甲酮、4-甲氧基-4’-二甲氨基二苯甲酮、4，4’-二甲氧基二苯甲酮、4-二甲氨基二苯甲酮、4-二甲氨基苯乙酮、苯偶酰、蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-甲基蒽醌、菲醌、呫吨酮、噻吨酮、2-氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、芴酮、2-苄基二甲氨基-1-(4-吗啉基苯基)-1-丁酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基-1-丙酮、2-羟基-2-甲基-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙醇低聚物、苯偶姻、苯偶姻醚类(例如苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻苯基醚、苯偶酰二甲基缩醛)、吖啶酮、氯吖啶酮、N-甲基吖啶酮、N-丁基吖啶酮、N-丁基氯吖啶酮等。
作为光聚合引发剂，还可以适宜地使用羟基苯乙酮化合物、氨基苯乙酮化合物和酰基膦化合物。更具体而言，例如还可以使用在日本特开平10-291969号公报中记载的氨基苯乙酮系引发剂、在日本专利第4225898号公报中记载的酰基磷氧化物系引发剂。
作为羟基苯乙酮系引发剂，可以使用IRGACURE-184、DAROCUR-1173、IRGACURE-500、IRGACURE-2959、IRGACURE-127(商品名：均为BASF公司制)。作为氨基苯乙酮系引发剂，可以使用作为市售品的IRGACURE-907、IRGACURE-369和IRGACURE-379(商品名：均为BASF公司制)。作为氨基苯乙酮系引发剂，可以使用吸收波长与365nm或405nm等的长波光源匹配的在日本特开2009-191179号公报中记载的化合物。另外，作为酰基膦系引发剂，可以使用作为市售品的IRGACURE-819、DAROCUR-TPO(商品名：均为BASF公司制)。
作为光聚合引发剂，可更优选地举出肟系化合物。作为肟系引发剂的具体例，可以使用日本特开2001-233842号公报中记载的化合物、日本特开2000-80068号公报中记载的化合物、日本特开2006-342166号公报中记载的化合物。
作为在本发明中作为光聚合引发剂而优选使用的肟衍生物等肟化合物，例如可以举出3-苯甲酰氧基亚氨基丁烷-2-酮、3-乙酰氧基亚氨基丁烷-2-酮、3-丙酰基氧基亚氨基丁烷-2-酮、2-乙酰氧基亚氨基戊烷-3-酮、2-乙酰氧基亚氨基-1-苯基丙烷-1-酮、2-苯甲酰氧基亚氨基-1-苯基丙烷-1-酮、3-(4-甲苯磺酰基氧基)亚氨基丁烷-2-酮和2-乙氧基羰基氧基亚氨基-1-苯基丙烷-1-酮等。
作为肟酯化合物，可以举出在J.C.S.Perkin II(1979年)pp.1653-1660)、J.C.S.Perkin II(1979年)pp.156-162、Journal of Photopolymer Science andTechnology(1995年)pp.202-232、日本特开2000-66385号公报记载的化合物、在日本特开2000-80068号公报、日本特表2004-534797号公报、日本特开2006-342166号公报各公报中记载的化合物等。
市售品也优选使用IRGACURE-OXE01(BASF公司制)、IRGACURE-OXE02(BASF公司制)。
另外，作为上述记载以外的肟酯化合物，可以使用：在咔唑N位连接有肟的在日本特表2009-519904号公报中记载的化合物、在二苯甲酮部位导入有杂取代基的在美国专利7626957号公报中记载的化合物、在色素部位导入有硝基的在日本特开2010-15025号公报和美国专利公开2009-292039号公报中记载的化合物、在国际公开日本专利2009-131189号公报中记载的酮肟系化合物、在同一分子内含有三嗪骨架和肟骨架的在美国专利7556910号公报中记载的化合物、在405nm具有最大吸收、对g线光源具有良好灵敏度的在日本特开2009-221114号公报中记载的化合物等。
优选还可以适宜地使用在日本特开2007-231000号公报和日本特开2007-322744号公报中记载的环状肟化合物。环状肟化合物之中，从具有高光吸收性、高灵敏度化的观点出发，尤其优选在日本特开2010-32985号公报、日本特开2010-185072号公报中记载的与咔唑色素稠合的环状肟化合物。
另外，在肟化合物的特定部位具有不饱和键的在日本特开2009-242469号公报中记载的化合物由于通过从非聚合活性自由基再生出活性自由基可以实现高灵敏度化，因而也可以适宜地使用。
最优选的可以举出：在日本特开2007-269779号公报中披露的具有特定取代基的肟化合物、在日本特开2009-191061号公报中披露的具有硫代芳基的肟化合物。
对于化合物的摩尔吸光系数而言，可以使用公知的方法，具体来说，例如优选利用紫外可视分光光度计(Varian公司制Carry-5 spectrophotome ter)使用乙酸乙酯溶剂在0.01g/L的浓度下进行测定。
本发明中使用的光聚合引发剂可以根据需要组合使用2种以上。
本发明中使用的粘合性组合物中的光聚合引发剂的含量相对于粘合性组合物的总固体成分优选为0.01～50质量％、更优选为0.1～20质量％、最优选为0.5～10质量％。
＜＜热聚合引发剂＞＞
本发明的粘合性组合物(以及粘合性层)也优选含有热聚合引发剂、即在热的作用下产生自由基或酸的化合物。
尤其在含有作为上述粘结剂的具有聚合性基团的高分子化合物或者上述聚合性单体的情况下，优选含有热聚合引发剂。
由于存在热聚合引发剂，因而具有如下优点：在粘合性层与剥离层被粘合后，加热至热聚合引发剂的分解温度以上，由此使粘合性层固化，可以进行耐热性·耐化学药品性更高的粘合。
＜＜＜在热的作用下产生自由基的化合物＞＞＞
作为在热的作用下产生自由基的化合物(以下也仅称为热自由基产生剂)，可以使用公知的热自由基产生剂。
热自由基产生剂是在热能的作用下产生自由基，引发或促进具有聚合性基团的高分子化合物和聚合性单体的聚合反应的化合物。通过添加热自由基产生剂，在对使用粘合性组合物形成的粘合性层照射热后进行被处理部件与粘合性支撑体的临时粘合的情况下，在热的作用下具有交联性基团的反应性化合物中的交联反应进行，由此如后文所详述的那样，可以预先降低粘合性层的粘合性(即，粘合性和粘着性)。
另一方面，在进行被处理部件与粘合性支撑体的临时粘合后对粘合性支撑体中的粘合性层照射热后的情况下，在热的作用下具有交联性基团的反应性化合物中的交联反应进行，由此粘合性层变得更强韧，可以抑制在对被处理部件实施机械性或化学性处理时等中容易产生的粘合性层的凝聚破坏。即，可以提高粘合性层的粘合性。
作为优选的热自由基产生剂，可以举出在上述的活性光线或放射线的照射的作用下产生酸或自由基的化合物，可优选使用热分解点为130℃～250℃、优选为150℃～220℃的范围的化合物。
作为热自由基产生剂，可以举出芳香族酮类、鎓盐化合物、有机过氧化物、硫代化合物、六芳基联咪唑化合物、酮肟酯化合物、硼酸酯化合物、吖嗪鎓化合物、茂金属化合物、活性酯化合物、具有碳卤键的化合物、偶氮系化合物等。其中，更优选有机过氧化物或偶氮系化合物，特别优选有机过氧化物。
具体来说，可以举出在日本特开2008-63554号公报的段落0074～0118中记载的化合物。
粘合性层优选包含粘结剂、聚合性单体、以及在光聚合引发剂和热聚合引发剂中的至少一种，更优选包含光聚合引发剂。
此外，本发明中的粘合性组合物(以及粘合性层)尤其在还含有光聚合引发剂或热聚合引发剂并且含有自由基聚合性单体的情况下，可以使粘合性层11成为粘合性随着活性光线或放射线或者热的照射而减少的粘合性层。此时，具体来说，可以使粘合性层成为如下的层：在受到活性光线或放射线或者热的照射之前为具有粘合性的层，但在受到活性光线或放射线或者热的照射后的区域中，粘合性下降甚至消失的层。
＜＜＜在热的作用下产生酸的化合物＞＞＞
作为在热的作用下产生酸的化合物(以下也仅称作热产酸剂)，可以使用公知的热产酸剂。
热产酸剂可优选举出热分解点为130℃～250℃、更优选为150℃～220℃的范围的化合物。
作为热产酸剂，例如为在加热的作用下产生磺酸、羧酸、二磺酰亚胺等低亲核性的酸的化合物。
作为从热产酸剂产生的酸，优选pKa强至2以下的、磺酸、吸电子基团取代的烷基羧酸和芳基羧酸、同样吸电子基团取代的二磺酰亚胺等。作为吸电子基团，可以列举氟原子等卤原子、三氟甲基等卤烷基、硝基、氰基。
作为热产酸剂，能够应用在活性光线或放射线的照射的作用下产生酸的光产酸剂。可以举出例如锍盐、碘鎓盐等鎓盐、N-羟基酰亚胺磺酸盐化合物、肟磺酸盐、邻硝基苄基磺酸盐等。
另外，本发明中，还优选使用在活性光线或放射线的照射的作用下基本上不产生酸、在热的作用下产生酸的磺酸酯。
活性光线或放射线的照射的作用下基本上不产生酸可以利用在化合物的曝光前后的红外线吸收(IR)谱图、核磁共振(NMR)谱图测定，通过在谱图中没有变化来判定。
磺酸酯的分子量优选为230～1,000、更优选为230～800。
可在本发明中使用的磺酸酯可以使用市售的磺酸酯，也可以使用以公知的方法合成的磺酸酯。磺酸酯例如可以通过在碱性条件下使磺酰氯或磺酸酐与对应的多元醇反应来合成。
热产酸剂可以使用单独1种，也可以并用2种以上。
从在进行被处理部件与粘合性支撑体的临时粘合之前进行热照射的情况下降低粘合性层的粘合性、和在对被处理部件与粘合性支撑体的临时粘合后进行热照射的情况下提高粘合性层的粘合性的观点出发，本发明的粘合性组合物中的热聚合引发剂的含量相对于粘合性组合物的总固体成分优选为0.01～50质量％、更优选为0.1～20质量％、最优选为0.5～10质量％。
热聚合引发剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
＜＜其它成分＞＞
粘合性组合物(以及粘合性层)在上述成分以外还可以在不损害本发明效果的范围内根据目的含有各种化合物。
例如，可优选使用敏化染料、链转移剂、阻聚剂、表面活性剂。
作为粘合性组合物(以及粘合性层)可具有的表面活性剂的具体例和优选例，与上述剥离层组合物可具有的表面活性剂的具体例和优选例相同。
本发明中，优选具有粘结剂、聚合性单体、光聚合引发剂和热聚合引发剂。
本发明中的粘合性组合物还可以使用含有橡胶的粘合性组合物。在此使用的“橡胶”中，与弹性体同样地包括所有的天然橡胶和合成橡胶。可以使用硅橡胶。
该橡胶相对于粘合性组合物的总固体成分优选为4～20质量％、更优选为10～18质量％、进一步优选为14～17质量％。
作为更优选的橡胶，包括乙烯和丙烯的重复单体单元。将橡胶的总重量定为100质量％，以该重量为基准，橡胶中的乙烯单体量优选为40～70质量％、更优选为40～60质量％、进一步优选为40～50质量％。将橡胶的总重量定为100质量％，以该重量为基准，橡胶中的丙烯单体量优选为35～65质量％、更优选为35～55质量％、进一步优选为35～45质量％。
更进一步优选橡胶还含有少量的非共轭双烯(例如乙烯、降冰片烯单体)。将该橡胶的总重量定为100质量％，以该重量为基准，橡胶中的非共轭双烯的量优选为1～10质量％、更优选为2～6质量％、进一步优选为2～3质量％。
特别优选的橡胶为乙烯-丙烯-二烯单体、或被称作EPDM的乙烯-丙烯三元聚合物。乙烯-丙烯三元聚合物由Lanxess以BUNA(注册商标)EP的名称进行销售。
硅橡胶可以使用称呼为ELASTOSIL LR 3070的肖氏-A-硬度为50的WACKER制、博格豪森(バ一グハウゼン)的材料。
此外，上述橡胶也可以与溶解的烃树脂混合使用。烃树脂相对于总固体成分优选为65～95质量％、更优选为75～95质量％、进一步优选为80～90质量％。
作为与橡胶混合的烃树脂，可以从萜烯松香、橡胶松香、木松香和它们的混合物中选择。优选的烃树脂以Eastotac的名称销售，能够从伊士曼化学公司获得。
另外，可以使用在日本特开2013-048215号公报的段落0013～0015中记载的聚硅氧烷聚合物、在该公报段落0021～0027中记载的含亚苯基硅氧烷(silphenylene)的组合物。
＜半导体装置的制造方法＞
接着，对使用了上文说明的本发明的半导体装置制造用临时粘合用层叠体的、粘合性支撑体和半导体装置的制造方法(以下也称作“本发明的半导体装置的制造方法”)进行说明。
本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，其是具有上述已处理部件的半导体装置的制造方法，其具有：使被处理部件的第1面与基板以隔着本发明的半导体装置制造用临时粘合用层叠体的方式粘合的工序；对上述被处理部件施加在180℃～370℃的范围具有最高到达温度的加热处理而得到已处理部件的工序；和使上述已处理部件从上述粘合层脱离的工序，上述第一剥离层是具有比上述加热处理中的最高到达温度更高的软化点的层。
以下对于各工序进行说明。
本发明中的半导体装置的制造方法具有进行加热处理的工序。进行加热处理的工序只要是在半导体装置的制造工序中进行加热的工序就没有特别限定，例如优选为对由粘合支撑体所支撑的薄型化后的硅基板进行加热的工序，更优选为在形成硅贯通电极时进行加热处理的工序。
本发明中的半导体装置的制造方法所具有的进行加热处理的工序是进行在180℃～370℃的范围具有最高到达温度的加热处理的工序、优选为进行在180～250℃的范围内具有最高到达温度的加热处理的工序。上述第一剥离层的软化点优选比上述加热处理中的最高到达温度高10～50℃、更优选高20～50℃。通过设为这样的范围，有效发挥本发明的效果。加热处理优选为在最高到达温度下30秒～30分钟的加热，更优选为在最高到达温度下1分钟～10分钟的加热。
此外，优选在使上述被处理部件的第1面与上述基板隔着上述临时粘合用层叠体粘合的工序之前，还具有对上述临时粘合用层叠体的粘合性层照射活性光线或放射线或者热的工序。
另外，优选在使上述被处理部件从上述临时粘合用层叠体脱离的工序之后，还具有利用剥离溶剂除去残留于上述被处理部件的上述临时粘合用层叠体的工序。
本发明中的半导体装置的制造方法中，上述剥离溶剂优选包含在烃系溶剂和醚溶剂中的至少一种。
此外，在上述的实施方式中，在使上述被处理部件从上述粘合层脱离的工序之后，还具有利用剥离溶剂除去残留于上述被处理部件的上述粘合层的工序。此时，上述剥离溶剂优选从烃系溶剂和醚溶剂中选择或者为它们的组合，进一步优选从环戊烷、正己烷、环己烷、正庚烷、柠檬烯、对薄荷烷、四氢呋喃(THF)、1，3-二氧戊环、苯甲醚中选择或者为它们的组合，更优选包含四氢呋喃、1，3-二氧戊环和苯甲醚中的至少一种。
以下，更详细说明本发明的半导体制造方法。
图1A、图1B和图1C分别为对粘合性支撑体与器件晶片之间的临时粘合进行说明的示意性截面图、表示被利用粘合性支撑体临时粘合的器件晶片的示意性截面图、以及表示被利用粘合性支撑体临时粘合的器件晶片被薄型化后的状态的示意性截面图。
本发明的实施方式中，如图1A所示，首先准备在载体基板12的上设置有粘合性层11的粘合性支撑体100。
载体基板12的素材没有特别限定，例如可以举出硅基板、玻璃基板、金属基板等，若考虑到难以污染典型用作半导体装置的基板的硅基板的方面、可以使用在半导体装置的制造工序惯用的静电卡盘的方面等，则优选为硅基板。
载体基板12的厚度例如被设成300μm～5mm的范围内，但不特别限定。
图2是本发明的实施方式中的粘合性支撑体的示意性俯视图。
如图2所示，在本发明的实施方式中，粘合性支撑体中的粘合性层11是形成作为网点区域的高粘合性区域11A、和作为包围网点区域的周边区域的低粘合性区域11B而成的。并且，此处，低粘合性区域11B和高粘合性区域11A呈在粘合性层11的整个面上以大致同等的间隔配置的网点图案。
低粘合性区域11A和高粘合性区域11B通过对粘合性随着活性光线或放射线的照射而增大或减少的粘合性层进行网点图像用的图案曝光的方法来形成。
网点图像用的图案曝光优选为使粘合性层中的网点图案的网点区域为高粘合性区域、使包围网点区域的周边区域为低粘合性区域的曝光。
网点区域的面积优选为0.0001～9mm2、更优选为0.1～4mm2、最优选为0.01～2.25mm2。
网点图像用的图案曝光可以是掩模曝光也可以是描绘曝光，优选为透光区域和遮光区域形成网点形态的隔着光掩模的掩模曝光，此时，遮光区域的面积率(即粘合面的网点存在率)从粘合性和易剥离性的观点出发优选为掩模内的1～20％、更优选为1～10％、最优选为1～5％。
另外，光掩模的与上述网点图案中的网点对应的遮光区域的形态(尺寸、形状等)可以自由选择，例如可以形成具有任意尺寸的圆形、正方形、长方形、菱形、三角形、星形或它们中的2种以上组合成的形状的遮光区域。
此处，本说明书中的“低粘合性区域”是指具有比“高粘合性区域”低的粘合性的区域，包括不具有粘合性的区域(即“非粘合性区域”)。同样地，“高粘合性区域”是指具有比“低粘合性区域”高的粘合性的区域。
粘合性层11可以通过将本发明中的粘合性层组合物使用以往公知的旋涂法、喷涂法、辊涂法、流涂法、刮刀涂布法、浸渍法等以层状应用(优选为涂布)于载体基板12上，接着进行干燥，由此形成。对于粘合性层而言，可以在将粘合性层组合物形成层状后，进行烘烤。作为烘烤的温度，优选为50～350℃、更优选为80～120℃。烘烤时间优选为10秒～5分钟。
本发明的粘合性层的表面具有粘合力不同的2种以上的区域。
此处所称的粘合力是指，在使硅晶片粘合在各区域的表面，沿与粘合面垂直的方向以250mm/分钟进行拉伸试验时的粘合力。
粘合性层11的厚度例如为1～500μm的范围内、更优选为1～100μm，但没有特别限定。
第一剥离层和第二剥离层可以通过分别将第一剥离层组合物和第二剥离层组合物使用以往公知的旋涂法、喷涂法、辊涂法、流涂法、刮刀涂布法、浸渍法等以层状应用(优选为涂布)于被处理部件，接着进行干燥，由此形成。
对于第一剥离层而言，在将第一剥离层组合物形成层状后，可以进行烘烤。作为烘烤的条件，优选为50～350℃、更优选为60～200℃。烘烤时间优选为30秒～10分钟。烘烤可以分成2个阶段进行，此时，第1阶段的烘烤优选在比第2阶段的烘烤低30～200℃左右的温度进行。
第一剥离层的厚度例如为0.1～100μm的范围内、更优选为1～10μm。第一剥离层由于是仅出于使第二剥离层与粘合性层不接触的目的而使用的，因而可以为这样薄。
对于第二剥离层而言，在将第二剥离层组合物形成层状后，也可以进行烘烤。作为烘烤的条件，优选为30～300℃、更优选为30～300℃。烘烤时间优选为30秒～10分钟。烘烤可以分成2个阶段进行，此时，第1阶段的烘烤优选在比第2阶段的烘烤低30～200℃左右的温度进行。
第二剥离层的厚度例如为1～500μm的范围内、更优选为20～100μm、进一步优选为50～100μm，没有特别限定。
接着，对按照以上方式所得到的粘合性支撑体与器件晶片的临时粘合、器件晶片的薄型化以及器件晶片从粘合性支撑体的脱离进行详细说明。
如图1A所示，在器件晶片60(被处理部件)中，在硅基板61的表面61a设置有多个器件芯片62。然后，进而在器件晶片60的器件芯片62侧的面设置第一剥离层71-1和第二剥离层71-2。
此处，硅基板61的厚度例如为200～1200μm的范围内。
然后，使第一剥离层71-1的表面抵靠于粘合性支撑体100的粘合性层11。由此，如图1B所示，第一剥离层71-1的表面与粘合性层11粘合，形成具有第一剥离层71-1和粘合性层11的临时粘合用层叠体80。
而后，可以根据需要对粘合性支撑体100与器件晶片60的粘合体进行加热(照射热)，使粘合性层更强韧。由此，可以抑制在对器件晶片60实施后述的机械性或化学性处理时等中容易产生的粘合性层的凝聚破坏，因此提高粘合性支撑体100的粘合性。尤其，从可以通过促进具有热交联性基团的反应性化合物中的交联反应的观点出发，粘合性层优选含有热聚合引发剂。
接着，如图1C所示，通过对硅基板61的背面61b实施机械性或化学性的处理、具体来说为磨削(grinding)、化学机械研磨(CMP)等薄膜化处理，使硅基板61的厚度变薄(例如为厚度1～200μm)，得到薄型器件晶片60’。
进一步，作为机械性或化学性的处理的薄膜化处理之后，从薄型器件晶片60’的背面61b’形成贯通硅基板的贯通孔(未图示)，进行在该贯通孔内形成硅贯通电极(未图示)的处理。在形成硅贯通电极的处理中，进行具有比第一剥离层71-1的软化点低的最高温度的加热处理的工序。具体来说，加热处理中的最高到达温度优选在180℃～370℃的范围内。
接着，将薄型器件晶片60’的表面61a从粘合性支撑体100的粘合性层11脱离。
脱离的方法没有特别限定，优选通过使薄型器件晶片60’相对于粘合性支撑体100进行滑动或者通过将薄型器件晶片60’从粘合性支撑体100剥离来进行。通过上述方法，可以容易地解除粘合性层11与薄型器件晶片60’的表面61a之间的临时粘合。
将薄型器件晶片60’从粘合性支撑体100脱离后，根据需要对薄型器件晶片60’实施各种公知的处理，制造具有薄型器件晶片60’的半导体装置。
本发明中，临时粘合的方法不限于器件晶片与载体基板以夹着具有剥离层和粘合性层的临时粘合用层叠体的方式粘合，也可以预先制成在粘合性层设置剥离层而成的临时粘合用层叠体，分别对该临时粘合用层叠体中的粘合性层和剥离层粘合载体基板和器件晶片。
另外，本发明还涉及具有载体基板等支撑体、器件晶片等被处理部件和在上述支撑体与上述被处理部件之间设置的临时粘合用层叠体的层叠体。
接着，对以往的实施方式进行说明。
图13是对以往的粘合性支撑体与器件晶片的临时粘合状态的解除进行说明的示意性截面图。
在以往的实施方式中，如图13所示，作为粘合性支撑体，使用在载体基板12之上设置通过以往的临时粘合剂形成的粘合性层11’而成的粘合性支撑体100’，此外，与参照图1A和图1B进行说明的步骤同样地将粘合性支撑体100’与器件晶片临时粘合，进行器件晶片中的硅基板的薄膜化处理，接着，从粘合性支撑体100’剥离具有硅基板61的薄型器件晶片60’。
然而，根据以往的临时粘合剂，难以可靠且容易地临时支撑被处理部件并且容易地解除对已处理部件的临时支撑而不对已处理部件造成损伤。例如，为了使器件晶片与载体基板的临时粘合充分，在以往的临时粘合剂内采用粘合性高的物质时，器件晶片与载体基板的临时粘合趋于过强。因而，为了解除该过强的临时粘合，例如，如图13所示，在薄型器件晶片60’的背面61b’贴附胶带(例如切割带)70，在从粘合性支撑体12剥离薄型器件晶片60’的情况下，容易发生如下不良情况：凸点63从设置有凸点63的器件芯片62脱离等而使器件芯片62破损。
另一方面，若以往的临时粘合剂之内使用粘合性低的物质，作为器件晶片与载体基板的临时粘合过于弱，容易发生不能用载体基板可靠地支撑器件晶片这样的不良情况。
然而，利用本发明的粘合性组合物形成的粘合性层表现出充分的粘合性，并且器件晶片60与粘合性支撑体100的临时粘合由于粘合性层11具有高粘合区域和低粘合区域而可以容易地解除。即，根据本发明的临时粘合用层叠体中的剥离层71，可以可靠且容易地临时支撑器件晶片60，并且可以容易地解除对薄型器件晶片60’的临时支撑而不对薄型器件晶片60’造成损伤。
本发明的半导体装置的制造方法不限于上述的实施方式，能够进行适当的变形、改良等。
粘合性层中的网点图案的形态没有特别限定，例如如图3的示意性俯视图所示，可以为具有高粘合性区域21A和低粘合性区域21B，并且按照形成从中心向外侧拉伸的放射线图案的方式形成高粘合区域21A的呈网点图案的粘合性层21。
另外，如图4、5、6的示意性俯视图那样，各自可以为具有高粘合性区域22A、23A、24A和低粘合性区域22B、23B、24B，并且高粘合性层22A、23A、24A的面积率低于粘合性层21中的高粘合性区域21A(参见图3)的面积率的、按照形成从中心向外侧拉伸的放射线图案的方式形成的粘合性层22、23、24。
此外，网点图案中的高粘合性区域的尺寸没有特别限定，也可以是如图7、8、9、10、11、12所示的具有高粘合性区域25A、26A、27A、28A、29A、30A和低粘合性区域25B、26B、27B、28B、29B、30B，并且从粘合性层11中的高粘合性区域11A(参见图2)变更成高粘合区域25A、26A、27A、28A、29A、30A的尺寸后的粘合性层25、26、27、28、29、30。
在上述实施方式中，利用本发明的粘合性组合物形成的粘合性层通过在器件晶片的临时粘合之前被设置于载体基板之上从而构成了粘合性支撑体，但也可以通过预先设置在剥离层之上来形成临时粘合用层叠体，此时，临时粘合用层叠体中的粘合性层和剥离层被分别粘合于载体基板和器件晶片。
例如，图案曝光中使用的掩模可以是二元掩模，也可以是半色调掩模。
另外，曝光设成了经由掩模的掩模曝光，但也可以是通过使用电子束等的描绘进行的选择性曝光。
另外，在上述的实施方式中，优选在使被处理部件的第1面与上述基板隔着上述临时粘合用层叠体粘合的工序之前，还具有对上述临时粘合用层叠体的粘合性层照射活性光线或放射线或者热的工序。
另外，在上述的实施方式中，粘合性层为单层结构，但是粘合性层也可以为多层结构。作为形成多层结构的粘合性层的方法，可以举出：在照射活性光线或放射线前用上述的以往公知的方法分阶段涂布粘合性组合物的方法；在照射活性光线或放射线后，用上述的以往公知的方法涂布粘合性组合物的方法等。在粘合性层为多层结构的形态中，例如在粘合性层11为粘合性随着活性光线或放射线或者热的照射而减少的粘合性层的情况下，也可以通过活性光线或放射线或者热的照射，使各层间的粘合性减小，从而使粘合性层整体上的粘合性减小。
另外，在上述的实施方式中，作为利用粘合性支撑体支撑的被处理部件，举出了硅基板，但不限于此，可以为可在半导体装置的制造方法中供于机械性或化学性处理的任何被处理部件。
例如，作为被处理部件，可以列举化合物半导体基板，作为化合物半导体基板的具体例，可以举出SiC基板、SiGe基板、ZnS基板、ZnSe基板、GaAs基板、InP基板和GaN基板等。
此外，在上述的实施方式中，作为对通过粘合性支撑体支撑的硅基板的机械性或化学性处理，举出了硅基板的薄膜化处理和硅贯通电极的形成处理，但不限于此，还可以举出在半导体装置的制造方法中所需的任何处理。
此外，在上述的实施方式中例示的在掩模中的透光区域和遮光区域、粘合性层中的高粘合性区域和低粘合性区域、以及器件晶片中的器件芯片的形状、尺寸、数量、配置部位等只要能够实现本发明就是任选的，不进行限定。
实施例
以下，通过实施进一步具体说明本发明，但本发明只要不超出其主旨构成就不限于以下实施例。需要说明的是，只要没有特别声明，“份”、“％”就是质量基准。
＜粘合性支撑体(粘合性层(B))的形成＞
利用旋涂机(Mikasa制Opticoat MS-A100、1200rpm、30秒)在4英寸Si晶片上涂布如下述表1记载所示的组成的各液态粘合性组合物后，在表1所述的烘烤条件下进行烘烤，形成了设置有厚度10μm的粘合性层的晶片1(即粘合性支撑体)。此外，使用UV曝光装置(浜松光子制LC8)，由晶片1的粘合性层的侧隔着透光区域与遮光区域形成网点图案并且网点图案中的网点区域被设为遮光区域的光掩模以2000mJ/cm2对粘合性层进行网点图像状的曝光。在各实施例中，曝光通过如下述表4或5所示变更光掩模的网点区域(遮光区域)的形状来进行了实施(表4或5中还示出了各光掩模中的透光区域的面积率)。需要说明的是，粘合性层的表面上的网点区域(高粘合性区域)所形成的图案是基于图2的图案。
【表1】
在表1中记载的化合物如下所述。
＜粘结剂＞
树脂(1)：Estyrene MS200NT(新日铁化学制MS树脂)
树脂(2)：Zeonex480R(日本瑞翁制环烯烃树脂)
树脂(3)：Buna EP T6250(LANXESS制乙烯-丙烯三元聚合物橡胶)
树脂(4)：EastotacH142w(伊士曼制烃树脂)
＜聚合性单体＞
聚合性单体(1)：A-DCP(新中村化学制、二官能丙烯酸酯)
聚合性单体(2)：A-BPE-4(新中村化学制、二官能丙烯酸酯)
＜光聚合引发剂＞
光聚合引发剂(1)：KAYACURE DETX-S(日本化药公司制、2，4-二甲基噻吨酮)
＜热聚合引发剂＞
热聚合引发剂(1)：Perbutyl Z(日油株式会社制、过氧化苯甲酸叔丁酯)
＜溶剂＞
S1：甲基戊基酮
S2：PGMEA(丙二醇1-单甲醚2-乙酸酯)
S3：柠檬烯
S4：1-十二烯
＜被处理部件(剥离层(A))的制作＞
利用旋涂机(Mikasa制Opticoat MS-A100、1200rpm、30秒)，在以200μm间隔在表面形成有高10μm、直径50μm的Cu电极的4英寸Si晶片的存在电极的一侧涂布下述表2记载所示的组成的各液态第二剥离层组合物后，在表2中记载的条件下进行烘烤，形成了设置有厚度40μm的第二剥离层(a2)的晶片2。需要说明的是，烘烤分成2个阶段进行。具体而言，第1段的烘烤按表2的上段所记载的温度和时间进行，第2段的烘烤按表2的下段所记载的温度和时间进行。
对于上述晶片2，进一步利用旋涂机(Mikasa制Opticoat MS-A100、600rpm、30秒)涂布下述表3记载所示的组成的各液态第一剥离层组合物后，在表3中记载的条件下进行烘烤，形成了设置有厚度5μm的第一剥离层(a1)的晶片2。需要说明的是，烘烤分成2个阶段进行。具体而言，第1段的烘烤按表3的上段记载的温度和时间进行，第2段的烘烤按表3的下段记载的温度和时间进行。
第一剥离层树脂的软化点通过粘弹性测定装置Rheosol-G5000(UBM公司制)进行测定。具体来说，所测定的第一剥离层的软化点是在一定升温条件下使用粘弹性测定装置测定的损耗角正切(tanδ)达到最大的温度。在实施例中，使用粘弹性测定装置Rheosol-G5000，将升温速度设为5℃/分钟，将剥离层的温度升温至25℃～500℃，以1Hz的周期对第一剥离层赋予变形角为0.05度的变形来进行测定。
【表2】
树脂(2-1)：TOPAS 5013(Polyplastic株式会社制)
树脂(2-2)：Panlite L-1225LM(帝人制、聚碳酸酯树脂)
树脂(2-3)：Estyrene MS200NT(新日铁化学制MS树脂)
树脂(2-4)：L-70(Daicel制、乙酸纤维素树脂)
树脂(2-5)：VYLOMAX HR-13NX
(东洋纺制。聚酰亚胺树脂：由于烘烤变得不溶于溶剂)
【表3】
树脂(1-1)：Durimide 10(富士胶片制、聚酰亚胺树脂)
树脂(1-2)：UltrasonE6020(BASF公司制、聚醚砜树脂)
树脂(1-3)：MRS0810H(Sato Light Industrial制、聚苯并咪唑树脂)
树脂(1-4)：RIKACOAT(新日本理科制、聚酰胺酰亚胺树脂)
树脂(1-5)：Zylon S201A(旭化成制、聚苯醚树脂)
树脂(1-6)：TOPAS 5013(Polyplastic株式会社制、环烯烃树脂)
树脂(1-7)：U-varnish-S(宇部兴产制、聚酰亚胺树脂)
＜粘合性试验片的制作＞
用下述表3中记载的组合将晶片1与晶片2热压粘，由此制作了试验片。
＜＜压粘＞＞
将表面没有任何涂布的4英寸Si晶片或带剥离层的4英寸Si晶片(以下记为晶片2)分割，制成20mm×30mm的样品片。将同样分割成的20mm×30mm的晶片1的样品片按照其粘合性层以20mm×20mm的正方形与表面没有涂布的晶片或晶片2的第一剥离层接触的方式重叠，以1N/cm2在120℃进行3分钟加热压粘。
＜层叠体试验片的粘合力测定＞
使用拉伸试验机(IMADA制)，以250mm/分钟的条件在沿着粘合性层的面的方向进行拉伸，测定所制作的试验片的剪切粘合力。将结果示于下述表4或5中。
＜层叠体试验片的剥离力·耐热剥离力测定＞
将所制成的样品片以250mm/分钟的条件沿与粘合性层的面垂直的方向进行拉伸并测定(剥离力的测定)。另外，在表4或5中记载的温度下对所制作的样品进行30分钟加热后，以250mm/分钟的条件沿与粘合性层的面垂直的方向进行拉伸并测定(测定设想为置于工艺的最高到达温度下的耐热剥离力)。将结果示于下述表4或5中。
＜层叠体试验片的粘合层除去性评价＞
将所制作的样品片剥离后，使晶片2浸渍于表4或5记载的溶剂中，测定粘合性层·剥离层均被从晶片2除去为止的时间。将结果示于表4或5中。
【表4】
【表5】
上述表中，网点存在率的单位为％，粘合力、剥离力和耐热剥离力的单位为N/25mm2。
如上所述，不具有第二剥离层的比较例1尽管可得到粘合性·剥离性但除去性不充分，不具有第一剥离层的比较例2的剥离性不充分，虽然具有第一剥离层·第二剥离层和粘合性层但第二剥离层并不可溶于溶剂的比较例3尽管可得到粘合性·剥离性但除去性不充分，尽管具有第一剥离层·第二剥离层和粘合性层但第一剥离层的软化点并非200℃以上的比较例4尽管可得到粘合性但除去性不充分，不具备剥离层的比较例5的剥离性不充分，不具备粘合性层的比较例6的粘合性不充分。与此相对，可知，在实施例1～8中，由于在本发明的临时粘合用层叠体中第一剥离层的软化点为200℃以上、第二剥离层可溶于溶剂，即便经过在高温(更具体而言，180℃～370℃)下的工艺也可以兼顾粘合性和剥离性。
符号说明
11，21～30，11’ 粘合性层
11A、21A～30A 高粘合性区域
11B、21B～30B 低粘合性区域
12 载体基板
60 器件晶片
60’ 薄型器件晶片
61， 硅基板
61a 硅基板的表面
61b 硅基板的背面
61b’ 薄型器件晶片的背面
62 器件芯片
63 凸点
70 胶带
71 剥离层
71-1 第一剥离层
71-2 第二剥离层
80 临时粘合用层叠体
100，100’ 粘合性支撑体

Claims (13)

1.一种半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其是具有(A)剥离层和(B)粘合性层的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，所述(A)剥离层具有：(a1)具有200℃以上的软化点且与(B)粘合性层邻接的第一剥离层；和(a2)具有固化后在25℃于选自己烷、庚烷、乙酸乙酯、丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、1,4-二噁烷、四氢呋喃、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙酰氧基-1-甲氧基丙烷、乙腈、甲乙酮、环己酮、甲苯、二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、氯仿、二氯甲烷、苯甲醚、二甲苯和三甲苯中的溶剂的至少一种中溶解5质量％以上的树脂、且与所述(a1)第一剥离层邻接的第二剥离层，
所述(B)粘合性层包含：粘结剂；聚合性单体；以及光聚合引发剂和热聚合引发剂中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，
所述(a1)第一剥离层的软化点为200℃～450℃的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，
所述(a1)第一剥离层含有热塑性树脂。
4.根据权利要求3所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，
所述热塑性树脂为选自聚醚砜树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯并咪唑树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、聚酰胺酰亚胺树脂和聚醚酮树脂中的至少一种热塑性树脂。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，
所述(a2)第二剥离层所含的树脂为选自聚碳酸酯树脂、聚氨酯树脂和烃系树脂中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，
所述(a1)第一剥离层的厚度为1～10μm，所述(a2)第二剥离层的厚度为20～100μm。
7.一种半导体装置的制造方法，其是具有下述已处理部件的半导体装置的制造方法，其中，所述制造方法具有以下工序：
使被处理部件的第1面和基板以隔着权利要求1或2所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体的方式粘合的工序；
对所述被处理部件实施在180℃～370℃的范围具有最高到达温度的加热处理，得到已处理部件的工序；和
将所述已处理部件从所述粘合层脱离的工序，
其中，所述第一剥离层是具有比所述加热处理中的最高到达温度更高的软化点的层。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，
在使所述被处理部件的第1面和所述基板隔着所述临时粘合用层叠体进行粘合的工序之前，还具有对所述临时粘合用层叠体的粘合性层照射活性光线或放射线、或者热的工序。
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中，
在将所述被处理部件从所述临时粘合用层叠体脱离的工序之后，还具有利用剥离溶剂除去残留于所述被处理部件的所述临时粘合用层叠体的工序。
10.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述剥离溶剂包含烃系溶剂和醚溶剂中的至少一种。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述剥离溶剂包含环戊烷、正己烷、环己烷、正庚烷、柠檬烯、对薄荷烷、四氢呋喃THF、1,3-二氧戊环、苯甲醚中的至少一种。
12.一种包含剥离溶剂的试剂盒，其包含：包含热塑性树脂的剥离层形成用组合物和粘合性层形成用组合物，其中，所述粘合性层形成用组合物包含固化后在25℃于选自己烷、庚烷、乙酸乙酯、丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、1,4-二噁烷、四氢呋喃、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙酰氧基-1-甲氧基丙烷、乙腈、甲乙酮、环己酮、甲苯、二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、氯仿、二氯甲烷、苯甲醚、二甲苯和三甲苯中的溶剂的至少一种中溶解5质量％以上的树脂，
所述粘合性层形成用组合物包含：粘结剂；聚合性单体；以及光聚合引发剂和热聚合引发剂中的至少一种。
13.根据权利要求12所述的试剂盒，其还含有：包含烃系溶剂和醚溶剂中的至少一种的剥离溶剂。
CN201480018461.XA 2013-03-27 2014-03-27 半导体装置制造用临时粘合用层叠体、和半导体装置的制造方法 Expired - Fee Related CN105122427B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013066655A JP5975918B2 (ja) 2013-03-27 2013-03-27 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
JP2013-066655 2013-03-27
PCT/JP2014/058722 WO2014157439A1 (ja) 2013-03-27 2014-03-27 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105122427A CN105122427A (zh) 2015-12-02
CN105122427B true CN105122427B (zh) 2017-09-19

Family

ID=51624401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480018461.XA Expired - Fee Related CN105122427B (zh) 2013-03-27 2014-03-27 半导体装置制造用临时粘合用层叠体、和半导体装置的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9716025B2 (zh)
JP (1) JP5975918B2 (zh)
KR (1) KR101779798B1 (zh)
CN (1) CN105122427B (zh)
TW (1) TWI611923B (zh)
WO (1) WO2014157439A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10134657B2 (en) * 2016-06-29 2018-11-20 Corning Incorporated Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer
JP1570387S (zh) * 2016-08-18 2017-02-27
JP1570388S (zh) * 2016-08-18 2017-02-27
JP2018081945A (ja) * 2016-11-14 2018-05-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器
WO2019156027A1 (ja) * 2018-02-06 2019-08-15 富士フイルム株式会社 積層体、積層体の製造方法および画像表示装置
WO2019230668A1 (ja) * 2018-05-28 2019-12-05 株式会社ダイセル 半導体装置製造方法
CN113454758B (zh) * 2019-02-25 2024-04-26 三菱电机株式会社 半导体元件的制造方法
JP6832462B1 (ja) * 2019-12-27 2021-02-24 東京応化工業株式会社 接着剤組成物、積層体、積層体の製造方法、及び電子部品の製造方法
CN111244229B (zh) * 2020-02-11 2021-07-06 信利半导体有限公司 一种可挠曲的透明薄膜太阳能电池制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102027086A (zh) * 2008-05-12 2011-04-20 日东电工株式会社 粘合片、使用该粘合片的被粘物的加工方法及粘合片剥离装置
CN102481764A (zh) * 2009-09-08 2012-05-30 旭硝子株式会社 玻璃/树脂层叠体、及使用其的电子设备

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002203822A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Lintec Corp 脆性部材の加工方法および両面粘着シート
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
TWI305797B (en) * 2004-03-19 2009-02-01 Mitsui Chemicals Inc Adhesive, adhesive film and use thereof
JP2005101628A (ja) * 2004-10-25 2005-04-14 Nitto Denko Corp 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
EP1854136A1 (en) * 2005-03-01 2007-11-14 Dow Corning Corporation Temporary wafer bonding method for semiconductor processing
JP2007045939A (ja) 2005-08-10 2007-02-22 Jsr Corp 粘着フィルムの粘着力低減方法
WO2007099146A1 (de) 2006-03-01 2007-09-07 Jakob + Richter Ip-Verwertungsgesellschaft Mbh Verfahren zum bearbeiten insbesondere dünnen der rückseite eines wafers, wafer-träger-anordnung hierfür und verfahren zur herstellung einer solchen wafer-träger-anordnung
US20080200011A1 (en) 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
JP2009035635A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Nitto Denko Corp 非汚染性熱剥離型粘着シート
RU2010129076A (ru) 2008-01-24 2012-01-20 Брюэр Сайенс Инк. (Us) Способ обратимого крепления полупроводниковой пластины со сформированными устройствами к несущей подложке
JP5489546B2 (ja) * 2009-06-11 2014-05-14 東京応化工業株式会社 貼付方法及び貼付装置
KR20100134491A (ko) 2009-06-15 2010-12-23 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 반도체 웨이퍼의 가고정제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP2011052142A (ja) 2009-09-03 2011-03-17 Jsr Corp 接着剤組成物、それを用いた基材の加工または移動方法および半導体素子
JP5010668B2 (ja) 2009-12-03 2012-08-29 信越化学工業株式会社 積層型半導体集積装置の製造方法
JP5291040B2 (ja) * 2010-03-31 2013-09-18 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用粘着テープ
JP5691538B2 (ja) 2010-04-02 2015-04-01 Jsr株式会社 仮固定用組成物、仮固定材、基材の処理方法、および半導体素子
JP5846060B2 (ja) * 2011-07-27 2016-01-20 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5958262B2 (ja) * 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
WO2015105785A1 (en) * 2014-01-07 2015-07-16 Brewer Science Inc. Cyclic olefin polymer compositions and polysiloxane release layers for use in temporary wafer bonding processes

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102027086A (zh) * 2008-05-12 2011-04-20 日东电工株式会社 粘合片、使用该粘合片的被粘物的加工方法及粘合片剥离装置
CN102481764A (zh) * 2009-09-08 2012-05-30 旭硝子株式会社 玻璃/树脂层叠体、及使用其的电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150120497A (ko) 2015-10-27
JP5975918B2 (ja) 2016-08-23
US20160035612A1 (en) 2016-02-04
CN105122427A (zh) 2015-12-02
KR101779798B1 (ko) 2017-09-19
WO2014157439A1 (ja) 2014-10-02
TWI611923B (zh) 2018-01-21
TW201442867A (zh) 2014-11-16
JP2014192349A (ja) 2014-10-06
US9716025B2 (en) 2017-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105103267B (zh) 半导体装置制造用临时粘合用层叠体、和半导体装置的制造方法
CN105122427B (zh) 半导体装置制造用临时粘合用层叠体、和半导体装置的制造方法
TWI643925B (zh) Temporary adhesive for semiconductor device manufacturing, adhesive support using the same, and method for manufacturing semiconductor device
TWI592458B (zh) A dicing sheet having a protective film forming layer, and a method of manufacturing the wafer
CN107533170A (zh) 红外线吸收组合物、红外线截止滤波器、层叠体、图案形成方法及固体成像元件
TW201509687A (zh) 積層體及其應用
KR101783290B1 (ko) 반도체 장치 제조용 가접착제, 그것을 사용한 접착성 지지체, 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI619792B (zh) 半導體裝置製造用暫時接合用積層體、及半導體裝置之製造方法
TW201423853A (zh) 半導體裝置之製造方法
KR20150006480A (ko) 반도체 장치 제조용 가접착제, 그것을 사용한 접착성 지지체, 및 반도체 장치의 제조 방법
CN108243616A (zh) 半导体加工用片
KR101669829B1 (ko) 반도체 장치 제조용 가접합층, 적층체, 및 반도체 장치의 제조 방법
TW201430933A (zh) 半導體裝置製造用暫時接合層、積層體、及半導體裝置之製造方法
JP2016216571A (ja) 研削された基材の製造方法、並びにこれに用いられるフィルム状粘着剤及び積層体
TW201444938A (zh) 半導體裝置製造用暫時接著劑、使用其之接著性支撐體、及半導體裝置之製造方法
TWI640437B (zh) 積層體及其應用
TW201402739A (zh) 半導體裝置製造用暫時接著劑以及使用其的接著性支持體及半導體裝置的製造方法
TW201925288A (zh) 保護膜形成用複合片及半導體晶片的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170919