CN105119611A - 与具有载波聚合的射频接收机相关的电路和方法 - Google Patents

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Abstract

与具有载波聚合的射频(RF)接收机相关的电路和方法。在一些实施方式中，载波聚合(CA)电路可以包括配置为允许在第一频带中工作的第一滤波器以及配置为允许在第二频带中工作的第二滤波器。所述CA电路还可以包括在所述第一滤波器和公共节点之间实现的第一路径，所述第一路径被配置为对于第一频带提供基本匹配的阻抗，以及对于第二频带提供基本开路的阻抗。所述CA电路还可以包括在所述第二滤波器和所述公共节点之间实现的第二路径，所述第二路径被配置为对于第二频带提供基本匹配的阻抗，以及对于第一频带提供基本开路的阻抗。

Description

与具有载波聚合的射频接收机相关的电路和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年4月11日提出的、名称为“与具有载波聚合的射频接收机相关的电路和方法”的美国临时申请61/978,808的优先权，其全部内容在此通过引用结合于此。
技术领域
本发明涉及射频应用中的载波聚合(carrieraggregation)。
背景技术
在一些射频(RF)应用中，蜂窝载波聚合(CA)可以包括通过公共路径处理的两个或者多个RF信号。例如，载波聚合可以包括对于具有足够分离的频率范围的多个频带使用一条路径。在这种配置中，可以实现多于一个频带的同时工作。
发明内容
根据多个实现，本公开涉及载波聚合(CA)电路，其包括配置为允许在第一频带中工作的第一滤波器以及配置为允许在第二频带中工作的第二滤波器。所述CA电路还包括在所述第一滤波器和公共节点之间实现的第一路径，所述第一路径被配置为对于第一频带提供基本匹配的阻抗，以及对于第二频带提供基本开路的阻抗。所述CA电路还包括在所述第二滤波器和所述公共节点之间实现的第二路径，所述第二路径被配置为对于第二频带提供基本匹配的阻抗，以及对于第一频带提供基本开路的阻抗。
在一些实施方式中，第一滤波器和第二滤波器可以是双工器的部分。双工器可以包括被配置为从天线接收射频(RF)信号的输入端口。公共节点可以被配置为耦合到低噪声放大器(LNA)的输入。LNA可以被配置为放大接收的RF信号的、对应于所述第一频带和所述第二频带的频带。第一频带可以包括，例如，具有1.805到1.880GHz的频率范围的B3频带，第二频带可以包括，例如，具有2.110到2.170GHz的频率范围的B1频带。第二频带可以进一步包括具有2.110到2.155GHz的频率范围的B4频带。
在一些实施方式中，第一频带可以包括具有1.930到1.990GHz的频率范围的B2频带，第二频带可以包括具有2.110到2.155GHz的频率范围的B2频带。第一频带可以进一步包括具有1.930到1.995GHz的频率范围的B25频带。在一些实施方式中，第一频带可以包括具有1.930到1.990GHz的频率范围的B2频带，第二频带可以包括具有2.110到2.155GHz的频率范围的B4频带。
在一些实施方式中，第一路径可以包括第一相位偏移电路，第二路径可以包括第二相位偏移电路。在一些实施方式中，第一相位偏移电路可以包括，例如，两个串联电容和耦合到两个电容与地之间的节点的电感分流路径。第二相位偏移电路可以包括两个串联电容和耦合到两个电容与地之间的节点的电感分流路径。在一些实施方式中，第一和第二相位偏移电路的电容和电感中的至少一些可以实现为集总元件。在一些实施方式中，第一和第二相位偏移电路的电容和电感中的至少一些可以实现为分布式元件。
在一些实施方式中，第一相位偏移电路可以包括两个串联电感和耦合到两个电感与地之间的节点的电容分流路径。第二相位偏移电路可以包括两个串联电感和耦合到两个电感与地之间的节点的电容分流路径。在一些实施方式中，第一和第二相位偏移电路的电容和电感中的至少一些可以实现为集总元件。在一些实施方式中，第一和第二相位偏移电路的电容和电感中的至少一些可以实现为分布的元件。
在一些实施方式中，第一路径和第二路径中的每一个都可以包括开关，以允许CA电路工作于CA模式或者非CA模式。用于第一路径的开关可以在第一相位偏移电路的输出，用于第二路径的开关可以在第二相位偏移电路的输出。第一和第二路径的开关都可以对于CA模式关闭。两个开关中的一个可以关闭，另一个开关可以对于非CA模式关闭。
在一些实施方式中，本公开涉及射频(RF)模块，其具有配置为容纳多个元件的封装基板和在封装基板上实现的载波聚合(CA)电路。CA电路包括配置为允许在第一频带中工作的第一滤波器，以及配置为允许在第二频带中工作的第二滤波器。CA电路进一步包括在第一滤波器和公共节点之间实现的第一路径，所述第一路径被配置为对于所述第一频带提供基本匹配的阻抗，对于所述第二频带提供基本开路的阻抗。CA电路还包含在所述第二滤波器和所述公共节点之间实现的第二路径，所述第二路径被配置为对于所述第二频带提供基本匹配的阻抗，以及对于所述第一频带提供基本开路的阻抗。
在一些实施方式中，第一滤波器和第二滤波器中的每一个都可以包括表面声波(SAW)滤波器。第一SAW滤波器和第二SAW滤波器可以实现为双工器。在一些实施方式中，RF模块可以进一步包括在封装基板上实现的低噪声放大器(LNA)。LNA可以耦合到公共节点以接收来自第一路径和第二路径的组合信号。在一些实施方式中，RF模块可以是前端模块。在一些实施方式中，RF模块可以是分集接收(DRx)模块。
在一些实施方式中，第一路径可以包括第一相位偏移电路，第二路径可以包括第二相位偏移电路。第一相位偏移电路和第二相位偏移电路中的每一个可以包括电容和电感元件。电容和电感元件中的至少一些可以实现为装配在封装基板之上或者之中的无源设备。
在一些教导中，本公开涉及制造射频(RF)模块的方法。该方法包括提供或者形成被配置为容纳多个组件的封装基板和在封装基板上实现载波聚合(CA)电路。CA电路包括配置为允许在第一频带中工作的第一滤波器，以及配置为允许在第二频带中工作的第二滤波器。CA电路进一步包括在第一滤波器和公共节点之间实现的第一路径，所述第一路径被配置为对于所述第一频带提供基本匹配的阻抗，以及对于所述第二频带提供基本开路的阻抗。CA电路进一步包括在第二滤波器和公共节点之间实现的第二路径，所述第二路径被配置为对于所述第二频带提供基本匹配的阻抗，以及对于所述第一频带提供基本开路的阻抗。
根据一些实现，本发明涉及射频(RF)设备，其具有被配置为处理RF信号的接收器，以及与接收器通信的RF模块。RF模块包括载波聚合(CA)电路。CA电路包括配置为允许在第一频带中工作的第一滤波器，以及配置为允许在第二频带中工作的第二滤波器。CA电路进一步包括在第一滤波器和公共节点之间实现的第一路径，所述第一路径被配置为对于所述第一频带提供基本匹配的阻抗，以及对于所述第二频带提供基本开路的阻抗。CA电路还包含在所述第二滤波器和所述公共节点之间实现的第二路径，所述第二路径被配置为对于所述第二频带提供基本匹配的阻抗，以及对于所述第一频带提供基本开路的阻抗。RF设备进一步包括与RF模块通信的天线，该天线被配置为接收RF信号。
在一些实施方式中，RF设备可以是无线设备。在一些实施方式中，无线设备可以是蜂窝电话。在一些实施方式中，天线可以包括分集天线，RF模块可以包括分集接收(DRx)模块。无线设备可以进一步包括天线开关模块(ASM)，该天线开关模块被配置为将所述RF信号从所述分集天线路由到所述接收器。在一些实施方式中，所述DRx模块可以在所述分集天线和所述ASM之间实现。
出于概述本公开的目的，在这里描述了本发明的某些方面、优点和新颖特征。应当理解，不一定所有这样的优点都可以根据本发明的任何特定实施例而实现。因此，可以以实现或优化如在这里教导的一个优点或一组优点而不一定实现在这里可能教导或暗示的其他优点的方式来实施或执行本发明。
附图说明
图1示出了包括被配置为容纳多个输入和产生一个输出的载波聚合(CA)电路的载波聚合配置。
图2示出了CA聚合配置可以包括多于两个射频(RF)信号。
图3示出了更详细的示例，其中具有一个或者多个在此描述的特征的CA电路可以用接收器中的低噪声放大器(LNA)来实现。
图4示出了聚合配置，其中RF信号在公共输入节点(RF_IN)分开，两个分开的RF信号中的每一个都由带通滤波器来处理并由LNA来放大。
图5示出了聚合配置的示例，其中可以实现LNA输出的附加滤波，以更好地在不同频带之间隔离频带分布。
图6示出了CA配置，其可以是图3的配置的更具体的示例。
图7示出了正工作于CA模式的图6的CA配置。
图8示出了示例CA配置，其中图7的第一和第二信号路径可以被配置为提供选择的阻抗以便于CA工作。
图9示出了与示例频带B3和B1/4关联的两个隔离的接收(Rx)路径。
图10示出了图9的电路的复数阻抗值的Smith曲线图的示例。
图11示出了与示例频带B3和B1/4关联的两个隔离的接收(Rx)路径，其中每个路径包括在其天线节点和输出节点之间的第一相位偏移电路、滤波器、和第二相位偏移电路。
图12示出了图11的电路的复数阻抗值的Smith曲线图的示例。
图13示出了图11的两个示例接收(Rx)路径，其在端点连接从而产生公共天线节点和公共输出节点。
图14示出了图13的电路的复数阻抗值的Smith曲线图的示例。
图15示出了与图9、11和13的示例关联的各种频谱响应曲线。
图16A示出了图13-15的相位偏移电路的示例。
图16B示出了图13-15的相位偏移电路的更多示例。
图17示出了可以被实现用来制造具有在此描述的一个或者多个特征的设备的处理。
图18示出了具有在此描述的一个或者多个特征的RF模块。
图19示出了包括在此描述的一个或者多个特征的的RF结构的示例。
图20描述了具有在此描述的一个或者多个优点特征的无线设备的示例。
图21示出了本公开的一个或者多个特征可以在分集接收模块中实现。
图22示出了具有图21的分集接收模块的示例无线设备。
具体实施方式
在此提供的标题(如果有的话)仅仅是为了方便，并不必然地影响要求保护的发明的范围或含义。
可以通过允许两个或者多个射频(RF)信号经过公共路径处理来支持蜂窝载波聚合(CA)。例如，载波聚合可以包括对于具有足够分离的频率范围的多个频带使用一条路径。在这种配置中，多于一个频带的同时工作是可能的。
在接收器上下文中，载波聚合可以允许多个频带中的RF信号的并行处理，以提供例如高数据率能力。在这种载波聚合系统中，期望对于每个RF信号维持低噪声指数(NF)。当被聚合的两个频带在频率上接近时，保持两个频带足够分离也是可期望的。
图1示出了载波聚合(CA)配置100，其包括被配置为接收多个输入和产生一个输出的CA电路110。多个输入可以包括第一RF信号和第二RF信号。第一RF信号可以从公共输入节点102(RF_IN)通过包括第一滤波器106a的第一路径104a提供给CA电路110。类似地，第二RF信号可以从公共输入节点102(RF_IN)通过包括第二滤波器106b的第二路径104b提供给CA电路110。如在此描述的，CA电路110可以被配置为使得在公共输出节点114处的输出是重组的RF信号，其包括与第一和第二RF信号关联的两个分离的频带。而且如在此描述的，CA电路110可以被配置为产生期望的性能特征，例如低损耗、低噪声指数、和/或两个信号路径104a、104b之间的高隔离。
此处的各个示例(包括图1的示例)都是在聚合两个频带的上下文中描述的。然而，应当理解，本公开的一个或者多个特征可以在多于两个频带的聚合中实现。例如，图2示出了CA聚合配置100，其中三个RF信号在公共输入节点102(RF_IN)处分离，通过它们各自的滤波器106a、106b、106c处理，并由CA电路110重组以在公共输出节点114(RF_OUT)产生重组的RF信号。
图1和2的聚合配置100可以在多个RF应用中实现。图3示出了更具体的示例，其中具有在此描述的一个或者多个特征的CA电路110可以在接收器中用低噪声放大器(LNA)来实现。CA电路110可以被配置为接收多个输入并产生一个输出。所述多个输入可以包括第一RF信号和第二RF信号。第一RF信号可以从公共输入节点102(RF_IN)通过包括第一带通滤波器122的第一路径提供给CA电路110。类似地，第二RF信号可以从公共输入节点102(RF_IN)通过包括第二带通滤波器124的第二路径提供给CA电路110。如在此描述的，CA电路110可以被配置使得在公共输出节点114处的输出是重组的RF信号，其包括与第一和第二RF信号关联的两个分离的频带。而且如在此描述的，CA电路110可以被配置为产生期望的性能特征，例如低损耗、低噪声指数、和/或两个输入信号路径之间的高隔离。
在图3中，重组的RF信号显示为将提供给LNA130来放大，由此在输出节点114处产生低噪声放大的输出信号。LNA130可以配置为以足够宽的带宽工作，以有效地放大重组的RF信号的第一和第二频带。
在一些实施方式中，带通滤波器122、124可以以多种方式实现，包括例如表面声波(SAW)滤波器。将理解，也可以利用其它类型的滤波器。
如在此描述的，图3的聚合配置100可以提供多于其它聚合配置的多个优点特征。例如，图4示出了聚合配置10，其中RF信号在公共输入节点(RF_IN)处分离；两个分离的RF中的每一个由带通滤波器(12或16)来处理并由LNA(14或18)来放大。分离地处理和放大后的RF信号(频带“A”和“B”)示出为将由组合器20组合以在公共输出节点(RF_OUT)产生输出RF信号。
在图4的示例中，组合的输出RF信号包括来自于两个LNA中的每一个的放大的噪声成分。因此，噪声指数会降级例如大约3dB。
通常，在RF路径之间缺少合适的隔离(例如，图4中与频带“A”和“B”关联的路径)以及它们各自的频带对组合的RF信号的噪声指数有贡献。图5示出了聚合配置30的示例，其中可以实现LNA输出的附加滤波，以更好地在“A”和“B”频带之间隔离频带分布。类似于图4的示例，示例聚合配置30包括RF信号在公共输入节点(RF_IN)处被分隔开；两个分隔的RF信号中的每一个由带通滤波器(32或42)处理并由LNA(34或44)放大。分离地处理和放大后的RF信号(频带“A”和“B”)被示出为在被组合以在公共输出节点(RF_OUT)处产生组合的RF信号之前由各自的滤波器36、46进一步滤波。作为这个滤波的结果，频带“A”中在公共输出节点(RF_OUT)处的总噪声输出通常只包括来自LNA34的成分，而频带“B”中在公共输出节点(RF_OUT)处的总噪声输出通常只包括来自LNA44的成分。虽然这个配置避免了之前提到的示例的3dB噪声降级，但通常忍受与两个LNA和两个后-LNA滤波器相关的过多成本。
通常，由较高Q谐振器构造的滤波器提供更好的频带隔离，尤其是对于彼此之间相对接近的频带。例如，蜂窝频带B1和B3分别具有范围2.110到2.170GHz和1.805到1.880GHz用于接收操作。对于这样一对相对接近的频带，对于低Q谐振器好的频带隔离通常是不可能的。因此，通常要求或者期望高Q谐振器。然而，由于例如额外的成本和需要的空间，在两个LNA(例如，图5的34、44)的下游使用这种额外的高Q谐振器可能是不期望的。
图6示出了可以是图3的配置的更详细的示例的CA配置100。图6的CA配置100可以提供多个期望的特征，包括那些解决与图4和图5的示例相关的一些或者所有问题的特征。
在图6中，示例CA配置100包括RF信号在公共输入节点102(RF_IN)处分离。第一个分离的RF信号示出为由带通滤波器122滤波，第二个分离的RF信号示出为由带通滤波器124滤波。第一和第二滤波的RF信号示出为提供给被配置为在公共节点126产生组合的信号的CA电路110。
CA电路110示出为包括整体指示为150的相位电路和整体指示为140的开关电路。相位电路150和开关电路140可以提供的功能的示例在此更详细的说明。
来自带通滤波器122的第一滤波的RF信号示出为将通过第一相位偏移电路152。类似地，来自带通滤波器124的第二滤波的RF信号示出为将通过第二相位偏移电路154。这种相位偏移电路的示例在此更详细的说明。
来自它们各自的相位偏移电路(152、154)的第一和第二RF信号示出为在公共节点126组合。在一些实施方式中，开关S1可以在第一相位偏移电路152和公共节点126之间实现，开关S2可以在第二相位偏移电路154和公共节点126之间实现。这种开关可以允许CA电路110工作于非CA模式或者CA模式。例如，在图6中，第一开关S1示出为关闭，第二开关S2示出为开启，这样CA电路110在非CA模式中处理对应频带中的第一RF信号。为了在非CA模式中处理其它频带中的第二RF信号，第一开关S1可以开启，第二开关S2可以关闭。在另一个示例中，如图7所示，第一和第二开关都可以关闭，这样CA电路110在CA模式中处理它们各自频带的第一和第二RF信号。
在图6和7中，公共节点126示出为耦合到LNA120的输入，以允许处理过的RF信号(CA模式中组合的RF信号或者非CA模式中的单频带RF信号)由LNA120来处理。LNA120示出为产生放大的RF信号作为节点114的输出(RF_OUT)。
在图6和7的示例中，开关电路140可以允许CA电路110工作于非CA模式或者CA模式。在CA电路110被配置为仅工作于CA模式的实施方式中，开关电路140可以省略。
图8示出了示例的CA配置100，其中第一和第二信号路径可以被配置为提供选择的阻抗以便于CA操作。为了说明的目的，这样的信号路可以称为“A”和“B”频带，这样的频带可以包括适合于载波聚合的任意频带的组合。如图7中的示例，开关S1、S2都可以处于它们的关闭状态中以便于CA操作。
如图8的示例所示，第一和第二相位偏移电路152、154可以用于将第一(A)和第二(B)带通滤波器122、124与LNA120耦合，并为被组合并路由到LNA120的信号提供期望的阻抗值。此处更详细的说明这种通过第一和第二相位偏移电路152、154进行的阻抗值的调整的示例。
第一滤波器122的阻抗可以调谐为为A-频带信号提供期望的阻抗。因此，在A-频带滤波器122的输出处的A-频带信号的阻抗ZA近似处于Zo的匹配值(例如，50欧姆)。在B频带中，在A-频带滤波器122的输出处的B-频带信号的阻抗ZB不匹配Zo。因为B频带位于A-频带滤波器的抑止频带，这个失配的反射系数|ΓB|近似为1(unity)。然而，这个反射的相位通常依赖于滤波器设计。因此，在A-频带滤波器122的输出处的B-频带信号的阻抗ZB可以是任何相差较大的不匹配值，比Zo大得多或者小得多，导致情况|ΓB|～1。
理想地，A-频带滤波器122应当对于B-频带信号呈现开路。然而，A-频带滤波器122可能不为B-频带信号提供这个理想的开路阻抗。因此，在A-频带滤波器122的输出处的B-频带信号的阻抗ZB可以以复数形式ZB＝RB+jXB来表示，其中实数部分(电阻RB)和虚数部分(电抗XB)使得阻抗ZB显著地远离开路状态(其中XB和RB中的一个或者两个近似为无限大)。如图8所示，第一相位偏移电路152可以配置为使得对于ZA基本上保持为Zo，并将ZB从RB+jXB调节到(或者接近于)开路状态。
类似地，第二滤波器124的阻抗可以调谐为为B-频带信号提供期望的阻抗。因此，在B-频带滤波器124的输出处的B-频带信号的阻抗ZB近似处于Zo的匹配值(例如，50欧姆)。在A频带中，在B-频带滤波器124的输出处的A-频带信号的阻抗ZA不匹配Zo。因为A频带位于B-频带滤波器的抑止频带，这个失配的反射系数|ΓA|近似为1(unity)。然而，这个反射的相位依赖于滤波器设计。因此，在B-频带滤波器122的输出处的A-频带信号的阻抗ZA可以是任何相差较大的不匹配值，比Zo大得多或者小得多，导致情况|ΓA|～1。
理想地，B-频带滤波器124应当对于A-频带信号看起来是开路。然而，B-频带滤波器124可能不为A-频带信号提供这个理想的开路阻抗。因此，在B-频带滤波器124的输出处的A-频带信号的阻抗ZA可以以复数形式ZA＝RA+jXA来表示，其中实数部分(电阻RA)和虚数部分(电抗XA)使得阻抗ZA显著地远离开路状态(其中XA和RA中的一个或者两个近似为无限大)。如图8所示，第二相位偏移电路154可以配置为使得对于ZB基本上保持为Zo，并将ZA从RA+jXA调节到(或者接近于)开路状态。
如图8中所示，以前述方式配置的具有第一和第二信号路径的CA配置100允许来自它们各自路径的A-频带信号和B-频带信号的组合对于LNA是阻抗匹配的，并使得非频带频率分量基本上被阻挡掉。因此，可以改善噪声指数性能，而不必利用诸如SAW滤波器的额外的高Q滤波器。
图9-15示出了两个频带路径、以及相位偏移电路如何能沿着这些路径产生如参考图8说明的期望的阻抗的示例。在图9中，示出了与示例频带B3(1,805-1,880MHz)和B1/4(2,110-2,170MHz)关联的两个隔离的接收(Rx)路径。B3频带路径可以认为是图8的一般A-频带路径的示例，B1/4频带路径可以认为是一般B-频带路径的示例。
在图9中，隔离的B3频带路径在天线节点(ANTB3)和输出节点(RXB3)之间包括B3滤波器“A”。然而，B3频带路径在B3滤波器和输出节点(RXB3)之间不包括相位偏移电路。类似地，隔离的B1/4频带路径在天线节点(ANTB1)和输出节点(RXB1)之间包括B1/4滤波器“B”，但不包括相位偏移电路。
图10示出了图9的电路在1.792GHz到2.195GHz之间的频率扫描范围内、在RXB1节点(上部左图块)、BXB3节点(上部右图块)、ANTB1节点(下部左图块)、和ANTB3节点(下部右图块)处的复数阻抗值的示例Smith曲线图。更具体的，点m28和m29的阻抗值分别对应于在RXB1节点的B3Rx频带的低限(1.805GHz)和高限(1.880GHz)；点m6和m14的阻抗值分别对应于在RXB3节点的B1Rx频带的低限(2.110GHz)和高限(2.170GHz)；点m5和m7的阻抗值分别对应于在ANTB1节点的B3Rx频带的低限(1.805GHz)和高限(1.880GHz)；以及点m3和m4的阻抗值分别对应于在ANTB3节点的B1Rx频带的低限(2.110GHz)和高限(2.170GHz)。
在图10中，可以看到阻抗范围(m28到m29、m6到m14、m5到m7、m3到m4)的每一个从Smith曲线图上的开路阻抗位置显著的移动，同时保持接近Smith曲线图的外围边界。
图11示出了与示例频带B3Rx(1,805-1,880MHz)和B1/4Rx(2,110-2,170MHz)关联的两个隔离的接收(Rx)路径，其中每个路径在其天线节点和输出节点之间包括第一相位偏移电路、滤波器和第二相位偏移电路。更具体地，B3路径在天线节点(ANTB3)和输出节点(RXB3)之间包括第一相位偏移电路200、B3滤波器和第二相位偏移电路202。类似地，B1/4路径在天线节点(ANTB1)和输出节点(RXB1)之间包括第一相位偏移电路204、B1/4滤波器和第二相位偏移电路206。
图12示出了图11的电路在RXB1节点(上部左图块)、BXB3节点(上部右图块)、ANTB1节点(下部左图块)、和ANTB3节点(下部右图块)处的复数阻抗值的示例Smith曲线图。类似于图10的示例，点m28和m29的阻抗值分别对应于在RXB1节点处的B3Rx频带的低限(1.805GHz)和高限(1.880GHz)限；点m6和m14的阻抗值分别对应于在RXB3节点处的B1Rx频带的低限(2.110GHz)和高限(2.170GHz)；点m5和m7的阻抗值分别对应于在ANTB1节点处的B3Rx频带的低限(1.805GHz)和高限(1.880GHz)；以及点m3和m4的阻抗值分别对应于在ANTB3节点处的B1Rx频带的低限(2.110GHz)和高限(2.170GHz)。
在图12中，可以看到四个曲线图的每一个都旋转了使得阻抗范围(m28到m29、m6到m14、m5到m7、m3到m4)的每一个都跨Im(Z)＝0线、并具有大的Re(Z)值以使得在Smith曲线图上位于或者接近开路阻抗位置的量。在一些实施方式中，可以选择由图11中的每个延迟元件施加的延迟量以产生在对应的Smith曲线图中所示的旋转量。
如参考图11和12所描述的，期望滤波器的天线侧被调节为对相对频带信号呈现高阻抗。在一些实施方式中，双工器(例如，B3-B1/4双工器)的天线侧可以配置为对进入双工器的频带滤波器(例如，B1/4频带滤波器或B3频带滤波器)的相对频带(例如，B3频带信号或B1/4频带信号)呈现期望的高阻抗。
图13示出了在端部连接以便产生公共天线节点(ANTB1/B3)和公共输出节点(RXB1/B3)的图11的两个示例接收(Rx)路径。在一些实施方式中，这个耦合的路径可以配置为使得每个频带路径为带外信号(例如，在B3频带路径中的B1/4频带信号，以及在B1/4频带路径中的B3频带信号)提供基本上开路的阻抗，如图11和12中所示，以及当如图13所示耦合在一起时，在公共天线节点(ANTB1/B3)和公共输出节点(RXB1/B3)两者为两个频带信号提供匹配的阻抗。
图14示出了对于图13的电路在公共输出节点RXB1/B3(上部左图块)、和公共天线节点(ANTB1/B3)(下部左图块)的复数阻抗值的示例Smith曲线图。对于RXB1/B3节点，点m53和m54的阻抗值分别对应于1.805GHz和1.880GHz的B3频带，点m55和m56的阻抗值分别对应于2.110GHz和2.170GHz的B1频带。所有的点m54、m54、m55、m56聚集在Smith图表中心周围，指示RXB1/B3节点的阻抗基本上在两个频带B1和B3的所有频率都很好地匹配到50欧姆。这是由于每个路径在其自己的频带通常不会被另一个路径干扰而发生的；因此组合的电路呈现基本上由B1路径单独确定的在频带B1的匹配，以及基本上由B3路径单独确定的在频带B3的匹配，即使路径是物理地绑在一起的。
类似地，对于ANTB1/B3节点，点m46和m47的阻抗值分别对应于1.805GHz和1.880GHz的频率；点m48和m49的阻抗值分别对应于2.110GHz和2.170GHz的B1频带频率。所有的点m46、m47、m48、m49聚集在Smith图表中心周围，指示ANTB1/B3节点的阻抗基本上在两个频带B1和B3的所有频率都很好地匹配到50欧姆。这是由于每个路径在其自己的频带通常不会被另一个路径干扰而发生的；因此组合的电路呈现基本上由B1路径单独确定的在频带B1的匹配，以及基本上由B3路径单独确定的在频带B3的匹配，即使路径是物理地绑在一起的。
图14进一步示出了对于图13的电路的反射系数S11(图14中的S(4，4))在ANTB1/B3节点(下部右图块)的分布，和反射系数S22(图14中的S(5，5))在RXB1/B3节点(上部右图块)的分布。在S11(S(4，4))和S22(S(5，5))分布中，在两个RX频带(B3RX和B1RX)中的每一个的匹配都是明显的。
图15在上部左侧画面示出了针对图9的电路的B3接收路径的频谱响应和B1接收路径的独立频谱响应。相同的响应基本上不变地施加到图11的电路，因为图11中添加的延迟通常只影响相位而不影响每个路径的幅度。B3RX频带(例如，B3通带)中增益的峰值指示为230，并且B1RX频带(例如，B1通带)中增益的峰值指示为232。注意每个路径在相对频带中呈现出大于30dB的衰减。
在图15中，上部右侧画面示出了针对图13的电路的单个频谱响应。注意这个单个响应呈现出两个通带，指示为234的B3RX通带，和指示为236的B1RX通带。
在图15中，下部左侧画面示出了图9/图11的独立B3接收路径呈现的B3RX通带230与图13的组合电路呈现的B3RX通带234的重叠。下部右侧画面示出了图9/图11的独立B1接收路径呈现的B1RX通带232与由图13的组合电路呈现的B1RX通带236的重叠。在下部右侧画面和下部左侧画面的两个示例中，可以看到图13的组合电路的每个通带在带宽和特征波形两者上都基本上类似于形成其的相应的独立接收路径的通带。而且，在添加对应的相位偏移电路和组合路径之前给定频带的增益分布只比该相位偏移电路的添加和路径组合之后的分布稍高一点。因此，可以看出具有一个或者多个在此所描述的特征的相位偏移电路可以配置为提供期望的功能而只有一点损耗或者没有损耗。
图16A示出了诸如图13-15的电路212、216的相位偏移电路的更详细的示例。在图16A中，CA配置100可以是图8的CA配置100的示例。可以在输入节点102处接收来自天线的输入RF信号(RF_IN)。双工器260被示出为耦合到输入节点102，以便接收输入RF信号。该接收的信号可以通过配置为提供频带A和频带B的带通功能的滤波器122、124来处理。所述频带的示例在此更详细的说明。在一些实施方式中，双工器260可以配置为提供输入RF信号的阻抗匹配，如在此参考附图11-15所描述的。
带通滤波器122、124的输出被示出为路由到包括第一相位偏移电路152的第一路径和包括第二相位偏移电路154的第二路径。第一路径示出为进一步包括在第一相位偏移电路152和公共输出节点之间的开关S1。第二路径示出为进一步包括在第二相位偏移电路154和公共输出节点之间的开关S2。
从前述的第一和第二路径接收处理过的信号的公共输出节点被示出为耦合到LNA120的输入。LNA120被示出为在节点114产生放大的输出信号(RF_OUT)。
第一相位偏移电路152被示出为在其输入(来自频带A滤波器122的输出)和开关S1之间包括串连布置的电容C5和C6。电感L5被示出为将C5和C6之间的节点耦合到地。
第二相位偏移电路154被示出为在其输入(来自频带B滤波器124的输出)和开关S2之间包括串连布置的电容C2和C3。电感L4被示出为将C2和C3之间的节点耦合到接地。
图16B示出了以低通相位偏移器配置实现的、诸如图13-15的电路212、216的相位偏移电路的更详细的示例。在图16B中，CA配置100可以是图8的CA配置100的示例。可以在输入节点102处接收来自天线的输入RF信号(RF_IN)。双工器260被示出为耦合到输入节点102，以便接收输入RF信号。该接收的信号可以通过配置为提供频带A和频带B的带通功能的滤波器122、124来处理。所述频带的示例在此更详细的说明。在一些实施方式中，双工器260可以配置为提供输入RF信号的阻抗匹配，如在此参考附图11-15所描述的。
带通滤波器122、124的输出被示出为路由到包括第一相位偏移电路152的第一路径和包括第二相位偏移电路154的第二路径。第一路径被示出为进一步包括在第一相位偏移电路152和公共输出节点之间的开关S1。第二路径被示出为进一步包括在第二相位偏移电路154和公共输出节点之间的开关S2。
从前述的第一和第二路径接收处理过的信号的公共输出节点被示出为耦合到LNA120的输入。LNA120示出为在节点114产生放大的输出信号(RF_OUT)。
第一相位偏移电路152示出为在其输入(来自频带A滤波器122的输出)和开关S1之间包括串连布置的电感L5’和L6’。电容C5’示出为将L5’和L6’之间的节点耦合到地。
第二相位偏移电路154示出为在其输入(来自频带B滤波器124的输出)和开关S2之间包括串连布置的电感L2’和L3’。电容C4’示出为将L2’和L3’之间的节点耦合到地。
在一些实施方式中，针对示例频带B3RX和B1/4RX，如在此参考例如图8和13说明的各种功能可以用图16A的配置示例的电容和电感值来达到，如表1中所列出。
电容/电感 近似值
C2 1.71pF
C3 1.71pF
C5 5.38pF
C6 6.38pF
L4 4nH
L5 7.668nH
表1
应当理解对于其它频带对，可以相应地选择电容和电感值。还将理解，相同或者类似的各种功能可以用图16B的示例电路元件的适当值来完成。
在一些实施方式中，一些或者所有电容和/或电感可以实现为信号路径或者其它导电特征、集总元件、或者它们的任意组合的一部分。
图17示出了可以被实现用来制造具有在此描述的一个或者多个特征的设备的处理280。在块282，可以在基板上装配或者提供具有至少双工器功能的电路。在各个示例中，载波聚合(CA)在双工器的上下文中进行说明；然而，将理解CA也可以对于多于双频带(例如，使用复用器)而实现。在一些实施方式中，双工器可以实现为设备；并且这种设备可以装配在基板上。
在块284，可以在双工器电路的第一输出和第一开关的输入之间形成或者提供第一相位偏移电路。在块286，可以在双工器电路的第二输出和第二开关的输入之间形成或者提供第二相位偏移电路。在块288，第一开关的输出和第二开关的输出可以与公共节点耦合。在一些实施方式中，第一和第二相位偏移电路通过它们各自的开关耦合到公共节点的这个配置可以便利于设备在CA模式或者非CA模式的操作。
在块290，公共节点可以耦合到低噪声放大器(LNA)的输入。在一些实施方式中，两个信号路径到一个LNA的这种聚合可以允许LNA工作于CA模式或者非CA模式，如通过开关的状态所确定的。
在一些实施方式中，图17中描述的设备可以是配置用于RF应用的模块。图18示出了具有诸如层压基板的封装基板302的RF模块300(例如，前端模块)的框图。这个模块可以包括一个或者多个LNA；在一些实施方式中，所述LNA可以在半导体裸芯304上实现。在该裸芯上实现的LNA可以配置为通过如在此描述的信号路径接收RF信号。所述LNA还可以受益于如在此描述的与改善的载波聚合(CA)功能相关的一个或者多个优点特征。
模块300可以进一步包括在一个或者多个半导体裸芯306上实现的多个开关。所述开关可以配置为提供如在此所描述的各种开关功能，包括提供和/或便利隔离、启用/禁用操作的CA模式、以及非CA模式中的频带选择。
模块300可以进一步包括配置为处理RF信号的一个或者多个双工器和/或多个滤波器(共同地表示为310)。所述双工器/滤波器可以实现为表面装配设备(SMD)、集成电路(IC)的一部分、或者它们的组合。所述双工器/滤波器可以包括或者基于例如SAW滤波器，并且可以配置为高Q设备。
在图18中，多个相位偏移电路集中地指示为308。所述相位偏移电路可以包括如此处描述的一个或者多个特征，以提供尤其是与工作于CA模式的不同频带关联的路径之间的改善的隔离。
图19示出了包括如此处描述的一个或者多个特征的RF架构的示例400。在一些实施方式中，所述架构可以在诸如参考图18描述的示例的模块300上实现。将理解，图19的架构400并非必须局限于模块。
图19的示例架构400可以包括配置用于接收和/或发送RF信号的多个信号路径。架构400还可以包括耦合到天线端口402的天线开关电路404。所述天线开关电路可以配置为将蜂窝频率范围内的RF信号路由到与不同的蜂窝频带关联的多个路径。在所示示例中，天线开关电路404包括单刀双掷(SP2T)开关，其中刀被耦合到天线端口402。
在示例RX路径的上下文中，第一路径被配置用于B2/B25/4频带，第二路径被配置用于B3/B1/4频带。与所述频带关联的RF信号被示出为由它们各自的滤波器406处理。
第一路径的B2/B25/4频带(例如，1.930到1.995GHz和2.110到2.155GHz)中的信号可以如此处所述被载波聚合，并被LNA组410中的LNA放大。如此处所描述的，B2/B25/4频带的载波聚合可以包括在B2/B25/4双工器和LNA之间实现的多个相位偏移电路。另外如此处所描述的，所述相位偏移电路和LNA之间的路径可以包括各自的开关，以允许在CA模式以及非CA模式中工作。
第二路径的B3/B1/4频带(例如，1.805到1.880GHz和2.110到2.170GHz)中的信号可以如此处所述被载波聚合，并被LNA组410中的LNA放大。所述LNA可以被配置为提供例如1.805到2.170GHz的带宽覆盖。如此处所描述的，所述载波聚合可以包括在B3/B1/4双工器和LNA之间实现的多个相位偏移电路。另外如此处所描述的，所述相位偏移电路和LNA之间的路径可以包括各自的开关，以允许在CA模式以及非CA模式中工作。
来自LNA的放大的信号可以路由到频带选择开关412。频带选择开关412被示出为耦合到节点416，以允许对来自所选择的LNA的放大的RF信号的进一步处理。
在一些实现中，具有在此描述的一个或者多个特征的架构、设备和/或电路可以包括在诸如无线设备的RF设备中。该架构、设备和/或电路可以直接在无线设备中、以如此处描述的一个或者多个模块的形式、或者它们的组合的形式实现。在一些实施方式中，该无线设备可以包括例如蜂窝电话、智能电话、具有或者不具有电话功能的手持无线设备、无线平板、无线路由器、无线接入点、无线基站等等。虽然在无线设备的上下文中进行了说明，将理解，本公开的一个或者多个特征也可以在例如基站的其它RF系统中实现。
图20示意性地示出了具有在此描述的一个或者多个优点特征的示例无线设备500。在一些实施方式中，所述有益特征可以在前端(FE)模块300和/或在如此处所描述的架构400中实现。一个或者多个所述特征也可以在主天线开关模块(ASM)514中实现。在一些实施方式中，该FEM/架构可以包括比由虚线框所指示的组件更多或者更少的元件。
PA模块512中的PA可以从收发器510接收它们各自的RF信号，该收发器510可以被配置和操作以产生将被放大和发送的RF信号，以及处理接收的信号。收发器510被示出为与基带子系统508交互，该基带子系统508被配置为在适合于用户的数据和/或语音信号与适合于收发器510的RF信号之间提供转换。收发器510还被示出为连接至功率管理组件506，其被配置为管理用于无线设备500的工作的功率。该功率管理还可以控制基带子系统508和无线设备500的其它组件的工作。
基带子系统508被示出为连接至用户接口502，以便利于提供给用户的以及从用户接收的语音和/或数据的各种输入和输出。基带子系统508还可以连接至存储器504，其被配置为存储数据和/或指令以便利于无线设备的操作，和/或为用户提供信息存储。
在示例无线设备500中，前端模块300/架构400可以包括被配置用于提供如此处所描述的一个或者多个功能的一个或者多个能进行载波聚合的信号路径。所述信号路径可以通过它们各自的双工器与天线开关模块(ASM)404通信。在一些实施方式中，通过分集天线530接收的信号的中的至少一些信号可以以此处描述的方式从ASM404路由到一个或者多个低噪声放大器(LNA)518。来自LNA518的放大的信号示出为被路由到收发器510。
多种其它无线设备配置可以利用在此描述的一个或者多个特征。例如，无线设备不需要是多频带设备。在另一个示例中，无线设备可以包括诸如分集天线的额外的天线，以及诸如Wi-Fi、蓝牙和GPS的额外的连接特征。
与分集接收(DRx)实现相关的示例：
在无线设备中使用一个或者多个主天线和一个或者多个分集天线可以改善信号接收的质量。例如，分集天线可以提供无线设备附近的RF信号的额外的采样。另外，无线设备的收发器可以配置为处理由主和分集天线接收的信号，以获得当与仅使用主天线的配置比较时具有更高能量和/或改善的保真度的接收信号。
为了减少由主和分集天线接收的信号之间的相关度和/或增强天线隔离，主和分集天线可以在无线设备中分开相对大的物理距离。例如，分集天线可以位于无线设备顶部附近，而主天线可以位于无线设备底部附近，反之亦然。
无线设备可以使用主天线通过经由天线开关模块路由来自或到收发器的对应的信号来发送或接收信号。为了满足或超过设计规范，收发器、天线开关模块、和/或主天线可以在无线设备中相互处于相对近的物理邻近。以这种方式配置无线设备可以提供相对小的信号损耗、低噪声和/或高隔离。
在前述示例中，物理接近于天线开关模块的主天线可以导致分集天线定位为相对远离天线开关模块。在这种配置中，分集天线和天线开关模块之间相对长的信号路径会导致明显的损耗和/或与通过分集天线接收的信号相关的额外损耗。因此，在紧邻分集天线的附近处理通过分集天线接收的信号(包括实现在此描述的一个或者多个特征)可以是有利的。
图21示出了在一些实施方式中，本公开的一个或者多个特征可以在分集接收(DRx)模块300中实现。这个模块可以包括封装基板302(例如，层压基板)，其被配置用于容纳多个组件，以及提供或者便利于与这些组件关联的电连接。
在图21的示例中，DRx模块300可以被配置为在输入320处从分集天线(图21中未示出)接收RF信号，并将该RF信号路由至低噪声放大器(LNA)332。将理解，RF信号的该路由可以包括载波聚合(CA)和/或非CA配置。还将理解，尽管示出了一个LNA(例如，宽带LNA)，但是在DRx模块300中可能有多个LNA。取决于LNA的类型和操作模式(例如，CA或者非CA)，LNA332的输出334可以包括与一个或者多个频带关联的一个或者多个频率分量。
在一些实施方式中，在输入320和LNA332之间的RF信号的前述路由中的一些或者全部可以由输入320和双工器和/或滤波器(共同表示为324)组件之间的一个或者多个开关322的组件、以及双工器/滤波器组件324和LNA332之间的一个或者多个开关330的组件来实现。在一些实施方式中，开关组件322、330可以在例如一个或者多个绝缘硅(SOI)裸芯上实现。在一些实施方式中，可以实现输入320和LNA332之间的RF信号的前述路由中的一些或者全部而无需与开关组件322、330关联的一些或全部开关。
在图21的示例中，双工器/滤波器组件324被描述为包括两个示例双工器326和两个独立的滤波器328。将理解，DRx模块300可以具有更多或者更少数量的双工器、以及更多或者更少数量的独立的滤波器。该双工器/滤波器可以实现为例如表面装配设备(SMD)、集成电路(IC)的一部分、或者它们的组合。该双工器/滤波器可以包括或者基于例如SAW滤波器，并且可以配置为高Q设备。
在一些实施方式中，DRx模块300可以包括诸如MIPIRFFE接口340的控制组件，其被配置为提供和/或便利于与开关组件322、330和LNA332中的一些或者全部相关的控制功能。该控制接口可以被配置为操作一个或者多个I/O信号342。
图22示出了在一些实施方式中，具有如此处描述的一个或者多个特征的DRx模块300(例如，图21的DRx模块300)可以包括在诸如无线设备500的RF设备中。在该无线设备中，诸如用户接口502、存储器504、功率管理506、基带子系统508、收发器510、功率放大器(PA)512、天线开关模块(ASM)514和天线520的组件可以大致类似于图20的示例。
在一些实施方式中，DRx模块300可以在一个或者多个分集天线和ASM514之间实现。该配置可以允许对通过分集天线530接收的RF信号进行处理(在一些实施方式中，包括通过LNA放大)，而具有较少或者无损耗和/或对于来自分集天线530的RF信号添加较少或者不添加噪声。该来自DRx模块300的处理过的信号可以然后通过可以相对有损耗的一个或者多个信号路径532路由到ASM。
在图22的示例中，来自DRx模块300的RF信号可以通过ASM514通过一个或者多个接收(Rx)路径路由到收发器510。该Rx路径中的一些或者全部可以包括它们各自的LNA。在一些实施方式中，来自DRx模块300的RF信号可以或者不可以用这样的LNA进一步放大。
本公开的一个或者多个特征可以如此处所述关于各种蜂窝频带实现。这些频带的示例列在表2中。将理解，频带中的至少一些可以划分为子频带。还将理解，本公开的一个或者多个特征可以关于不具有诸如表2的示例的标明的频率范围来实现。
频带 模式 Tx频率范围(MHz) Rx频率范围(MHz)
B1 FDD 1,920-1,980 2,110-2,170
B2 FDD 1,850-1,910 1,930-1,990
B3 FDD 1,710-1,785 1,805-1,880
B4 FDD 1,710-1,755 2,110-2,155
B5 FDD 824-849 869-894
B6 FDD 830-840 875-885
B7 FDD 2,500-2,570 2,620-2,690
B8 FDD 880-915 925-960
B9 FDD 1,749.9-1,784.9 1,844.9-1,879.9
B10 FDD 1,710-1,770 2,110-2,170
B11 FDD 1,427.9-1,447.9 1,475.9-1,495.9
B12 FDD 699-716 729-746
B13 FDD 777-787 746-756
B14 FDD 788-798 758-768
B15 FDD 1,900-1,920 2,600-2,620
B16 FDD 2,010-2,025 2,585-2,600
B17 FDD 704-716 734-746
B18 FDD 815-830 860-875
B19 FDD 830-845 875-890
B20 FDD 832-862 791-821
B21 FDD 1,447.9-1,462.9 1,495.9-1,510.9
B22 FDD 3,410-3,490 3,510-3,590
B23 FDD 2,000-2,020 2,180-2,200
B24 FDD 1,626.5-1,660.5 1,525-1,559
B25 FDD 1,850-1,915 1,930-1,995
B26 FDD 814-849 859-894
B27 FDD 807-824 852-869
B28 FDD 703-748 758-803
B29 FDD N/A 716-728
B30 FDD 2,305-2,315 2,350-2,360
B31 FDD 452.5-457.5 462.5-467.5
B33 TDD 1,900-1,920 1,900-1,920
B34 TDD 2,010-2,025 2,010-2,025
B35 TDD 1,850-1,910 1,850-1,910
B36 TDD 1,930-1,990 1,930-1,990
B37 TDD 1,910-1,930 1,910-1,930
B38 TDD 2,570-2,620 2,570-2,620
B39 TDD 1,880-1,920 1,880-1,920
B40 TDD 2,300-2,400 2,300-2,400
B41 TDD 2,496-2,690 2,496-2,690
B42 TDD 3,400-3,600 3,400-3,600
B43 TDD 3,600-3,800 3,600-3,800
B44 TDD 703-803 703-803
表2
为了说明的目的，将理解“复用器”、“复用”等可以包括“双工器”、“双工”等。
除非上下文明确要求，否则在整个说明书和权利要求书中，词语“包含”和“包含”等将被解释为包含的含义，而不是排他或穷举的含义；也就是说，为“包含但不限于”的含义。这里通常使用的词语“耦接”指代可直接连接或通过一个或多个中间元件连接的两个或多个元件。此外，词语“这里”、“以上”、“以下”以及类似含义的词语，当在本申请中使用时，应当指代作为整体的本申请而不是本申请的任何具体部分。在上下文允许的情况下，在以上具体实施方式中使用单数或复数的词语也可分别包含复数和单数。在提到两个或多个项的列表时的词语“或”，该词语覆盖对该词语的全部下列解释：列表中的任何项，列表中的全部项以及列表中的项的任何组合。
对本发明的实施例的上面的详细描述不意图是穷举性的或将本发明限制为上面公开的精确形式。如本领域技术人员将理解的，虽然为了说明的目的在上面描述了本发明的具体实施例和示例，在本发明的范围内各种等效修改是可能的。例如，虽然以给定顺序呈现处理或块，替换实施例可以执行具有不同顺序的步骤的例程，或采用具有不同顺序的块的系统，并且可以删除、移动、添加、细分、组合和/或修改一些处理或块。可以以各种不同方式实现这些处理或块中的每一个。此外，虽然处理或块有时被示出为串行执行，可替换地，这些处理或块可以并行执行，或可以在不同时间执行。
这里提供的本发明的教导可以应用于其他系统，而不一定是上面描述的系统。可以组合上面描述的各种实施例的元件和动作以提供进一步的实施例。
虽然已描述了本发明的一些实施例，但是这些实施例仅作为示例呈现，并且不意图限制本公开的范围。实际上，这里描述的新方法和系统可以以各种其他形式实施；此外，可以做出这里描述的方法和系统的形式上的各种省略、替代和改变，而不背离本公开的精神。所附权利要求及其等效物意图覆盖将落入本公开的范围和精神内的这种形式或修改。

Claims (20)

1.一种载波聚合(CA)电路，包括：
第一滤波器，配置为允许在第一频带中工作；
第二滤波器，配置为允许在第二频带中工作；
在所述第一滤波器和公共节点之间实现的第一路径，所述第一路径被配置为对于所述第一频带提供基本匹配的阻抗，以及对于所述第二频带提供基本开路的阻抗；以及
在所述第二滤波器和所述公共节点之间实现的第二路径，所述第二路径被配置为对于所述第二频带提供基本匹配的阻抗，以及对于所述第一频带提供基本开路的阻抗。
2.根据权利要求1所述的CA电路，其中所述第一滤波器和所述第二滤波器是双工器的部分，所述双工器包含被配置为从天线接收射频(RF)信号的输入端口。
3.根据权利要求2所述的CA电路，其中所述公共节点被配置为耦合到低噪声放大器(LNA)的输入。
4.根据权利要求3所述的CA电路，其中所述LNA被配置为放大接收的RF信号的、对应于所述第一频带和所述第二频带的频带。
5.根据权利要求1所述的CA电路，其中所述第一路径包含第一相位偏移电路，所述第二路径包含第二相位偏移电路。
6.根据权利要求5所述的CA电路，其中所述第一相位偏移电路包含两个串联电容和耦合到两个所述电容与地之间的节点的电感分流路径。
7.根据权利要求6所述的CA电路，其中所述第二相位偏移电路包含两个串联电容和耦合到两个所述电容与地之间的节点的电感分流路径。
8.根据权利要求5所述的CA电路，其中所述第一相位偏移电路包含两个串联电感和耦合到两个所述电感与地之间的节点的电容分流路径。
9.根据权利要求8所述的CA电路，其中所述第二相位偏移电路包含两个串联电感和耦合到两个所述电感与地之间的节点的电容分流路径。
10.根据权利要求5所述的CA电路，其中所述第一路径和第二路径中的每一个都包含开关，以允许所述CA电路工作于CA模式或者非CA模式。
11.根据权利要求10所述的CA电路，其中用于所述第一路径的开关在所述第一相位偏移电路的输出，用于所述第二路径的开关在所述第二相位偏移电路的输出。
12.一种射频(RF)模块，包括：
配置为容纳多个组件的封装基板；以及
在所述封装基板上实现的载波聚合(CA)电路，所述CA电路包含配置为允许在第一频带中工作的第一滤波器，所述CA电路还包含配置为允许在第二频带中工作的第二滤波器，所述CA电路还包含在所述第一滤波器和公共节点之间实现的第一路径，所述第一路径被配置为对于所述第一频带提供基本匹配的阻抗，以及对于所述第二频带提供基本开路的阻抗，所述CA电路还包含在所述第二滤波器和所述公共节点之间实现的第二路径，所述第二路径被配置为对于所述第二频带提供基本匹配的阻抗，以及对于所述第一频带提供基本开路的阻抗。
13.根据权利要求12所述的RF模块，其中所述第一滤波器和第二滤波器中的每一个都包含表面声波(SAW)滤波器。
14.根据权利要求13所述的RF模块，进一步包括在所述封装基板上实现的低噪声放大器(LNA)，所述LNA耦合到所述公共节点以接收来自所述第一路径和所述第二路径的组合信号。
15.根据权利要求14所述的RF模块，其中所述RF模块是分集接收(DRx)模块。
16.根据权利要求12所述的RF模块，其中所述第一路径包含第一相位偏移电路，所述第二路径包含第二相位偏移电路。
17.根据权利要求16所述的RF模块，其中所述第一相位偏移电路和所述第二相位偏移电路中的每一个都包含电容和电感元件。
18.一种无线设备，包括：
接收器，被配置为处理RF信号；
与所述接收器通信的RF模块，该RF模块包括载波聚合(CA)电路，所述CA电路包含配置为允许在第一频带中工作的第一滤波器，所述CA电路还包含配置为允许在第二频带中工作的第二滤波器，所述CA电路还包含在所述第一滤波器和公共节点之间实现的第一路径，所述第一路径被配置为对于所述第一频带提供基本匹配的阻抗，以及对于所述第二频带提供基本开路的阻抗，所述CA电路还包含在所述第二滤波器和所述公共节点之间实现的第二路径，所述第二路径被配置为对于所述第二频带提供基本匹配的阻抗，以及对于所述第一频带提供基本开路的阻抗；以及
与所述RF模块通信的天线，所述天线被配置为接收所述RF信号。
19.根据权利要求18所述的无线设备，其中所述天线包括分集天线，所述RF模块包括分集接收(DRx)模块。
20.根据权利要求19所述的无线设备，还包括天线开关模块(ASM)，该天线开关模块被配置为将所述RF信号从所述分集天线路由到所述接收器，以使得所述DRx模块在所述分集天线和所述ASM之间实现。
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