CN105099391A - 滤波器和双工器 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及滤波器和双工器。该滤波器包括：一个或多个串联谐振器，该一个或多个串联谐振器串联连接在输入端子和输出端子之间；一个或多个并联谐振器，该一个或多个并联谐振器并联连接在输入端子和输出端子之间；以及横向耦合谐振器，该横向耦合谐振器与该一个或多个串联谐振器中的至少一个串联谐振器并联连接。
Description
技术领域
本发明的特定方面涉及一种滤波器和一种双工器，并且特别地涉及一种滤波器和一种具有梯型滤波器的双工器。
背景技术
最近，高频通信系统正在被转变为一种能够进行高速且大容量的通信的调制方法，例如W-CDMA(宽带码分多址)或OFDM(正交频分多路复用)。在诸如W-CDMA或OFDM这样的调制方法中，发送信号的峰值电力大于诸如TDMA(时分多址)或FDM(频分多路复用)这样的调制方法中的发送信号的峰值电力。日本专利申请公开号第2013-123184号公开了一种梯型滤波器和一种使用压电薄膜谐振器的双工器。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种滤波器，该滤波器包括：一个或多个串联谐振器，该一个或多个串联谐振器串联连接在输入端子和输出端子之间；一个或多个并联谐振器，该一个或多个并联谐振器并联连接在输入端子和输出端子之间；以及横向耦合谐振器，该横向耦合谐振器与该一个或多个串联谐振器中的至少一个并联连接。
根据本发明的另一个方面，提供了一种双工器，该双工器包括：发送滤波器，该发送滤波器连接在公共端子和发送端子之间；以及接收滤波器，该接收滤波器连接在公共端子和接收端子之间，其中，该发送滤波器和接收滤波器中的至少一个是如下滤波器，该滤波器包括：一个或多个串联谐振器，该一个或多个谐振器串联连接在公共端子与发送端子和接收端子中的至少一个之间；一个或多个并联谐振器，该一个或多个并联谐振器并联连接在公共端子与发送端子和接收端子中的所述至少一个之间；以及横向耦合谐振器，该横向耦合谐振器与该一个或多个串联谐振器中的至少一个并联连接。
根据本发明的另一个方面，提供了一种双工器，该双工器包括：发送滤波器，该发送滤波器连接在公共端子和发送端子之间；接收滤波器，该接收滤波器连接在公共端子和接收端子之间；以及横向耦合谐振器，该横向耦合谐振器在发送端子和接收端子之间与发送滤波器和接收滤波器并联连接。
附图说明
图1例示了根据第一实施方式的滤波器的电路图；
图2例示了其中形成有根据第一实施方式的滤波器的芯片的平面图；
图3A和图3B例示了其中形成有根据第一实施方式的滤波器的芯片的截面图；
图4A例示了横向耦合谐振器的等效电路；
图4B例示了相对于横向耦合谐振器的频率的衰减量和相位；
图5A例示了用于仿真的、根据第一实施方式的滤波器的电路图；
图5B例示了双工器的电路图
图6A例示了通过特性；
图6B例示了隔离度特性；
图7A和图7B例示了通过第一实施方式的路径52和54的电流的相对于频率的振幅和相位；
图8A例示了根据第一实施方式的第一修改实施方式的滤波器的平面图；
图8B例示了沿着线A-A截取的截面图；
图9例示了根据第一实施方式的第二修改实施方式的滤波器的平面图；
图10例示了根据第一实施方式的第二修改实施方式的滤波器的平面图；
图11例示了根据第一实施方式的第三修改实施方式的滤波器的截面图；
图12A到图12F例示了横向耦合谐振器的示例；
图13A和图13B例示了压电薄膜谐振器的示例；
图14例示了根据第二实施方式的双工器的电路图；
图15例示了根据第二实施方式的双工器的平面图；
图16例示了根据第二实施方式的第一修改实施方式的双工器的电路图。
具体实施方式
例如，当发送信号的峰值电力变大时，由于发送信号向接收频带或另一个频带泄漏，在发送信号和另一个信号之间的干扰，或者另一个信号的噪声的增长是令人烦恼的。因此，在滤波器或双工器中要求具有高衰减特性和/或高隔离度特性。
梯型滤波器被设计，使得串联谐振器的谐振频率大体上与并联谐振器的反谐振频率一致。串联谐振器的反谐振频率是通带的高频侧的衰减极点。并联谐振器的谐振频率是通带的低频侧的衰减极点。为了使梯型滤波器可以具有高衰减特性和高隔离度特性，电感器可以被串联地设置在并联谐振器和接地之间，或者，并联谐振器的电容值可以大于串联谐振器的电容值。然而，这些方法在滤波器的插入损耗与高衰减和高隔离度特性之间具有折衷关系。
因此，横向耦合谐振器被认为是与梯型滤波器并联连接的。梯型滤波器在通带之外的频率处具有电容性相位特性。另一方面，横向耦合谐振器在通带的一部分中具有电感相位。在梯型滤波器的通带之外，横向耦合谐振器在其中需要衰减的频带中具有电感相位。因此，通过梯型滤波器的路径的相位与通过横向耦合谐振器的路径的相位相反。从而，频带中的信号被消除。插入损耗没有减少。并且，可以实现高衰减量。
下文将参考附图对实施方式进行描述。
[第一实施方式]
图1例示了根据第一实施方式的滤波器的电路图。如图1中所示，滤波器100具有梯型滤波器40和横向耦合谐振器50。梯型滤波器40具有一个或多个串联谐振器S1至S4，以及一个或多个并联谐振器P1至P3。串联谐振器S1至S4被串联连接在输入端子T2和输出端子T1之间。并联谐振器P1至P3被并联连接在输入端子T2和输出端子T1之间。串联谐振器S1至S4和并联谐振器P1至P3是压电薄膜谐振器。图1例示了六段阶梯型滤波器的一个例子。然而，可以根据期望的性质来任意地改变串联谐振器S1至S4和并联谐振器P1至P3的数量及连接关系。
横向耦合谐振器50在输入端子T2和输出端子T1之间与梯型滤波器40并联连接。电容器C1和C2在输出端子T1和输入端子T2之间与横向耦合谐振器50串联连接。电容器C1被连接在横向耦合谐振器50和输出端子T1之间。电容器C2被连接在横向耦合谐振器50和输入端子T2之间。在横向耦合谐振器50中，下电极12b和上电极16b将压电膜14b夹在中间。
图2例示了其中形成有根据第一实施方式的滤波器的芯片的平面图。图3A和图3B例示了其中形成有根据第一实施方式的滤波器的芯片的截面图。图3A例示了沿着图2中的线A-A截取的截面图。图3B例示了沿着图2中的线B-B截取的截面图。如图2到图3B中所示，在梯型滤波器40中，压电膜14a形成在基板10上。下电极12a和上电极16a将压电膜14a夹在中间。其中下电极12a和上电极16a彼此面对并将压电膜14a夹在中间的区域是谐振区域20。谐振区域20具有椭圆形的形状。基板10的上表面是平坦的。下电极12a和基板10共同形成腔体18a。压电膜14a主要用于帮助图3A中用垂直箭头表示的厚度纵向振动。串联谐振器S1至S4被串联连接在输出端子T1和输入端子T2之间。并联谐振器P1至P3被并联连接在输出端子T1和输入端子T2之间。并联谐振器P1至P3的第一端与接地端子Gnd连接。
在横向耦合谐振器50中，压电膜14b形成在基板10上。下电极12b和上电极16b将压电膜14b夹在中间。由上文可见，下电极12b被形成为以便覆盖两个上电极16b。上电极16b在横向方向上彼此面对。上电极16b中的一个与输出端子T1连接。另一个与输入端子T2连接。下电极12b与接地端子Gnd连接。电容器C1和C2分别具有在横向方向上彼此面对的梳状电极。一对梳状电极的电极指是交替地排列的。该梳状电极是由上电极16b形成的。
基板10可以是半导体基板，例如硅基板或像玻璃基板这样的绝缘基板。压电膜14及压电膜14a和14b可以是氮化铝膜和氧化锌等。下电极12a和12b以及上电极16a和16b可以是金属薄膜，例如钌、铬或钛。输入端子T2、输出端子T1和接地端子Gnd可以是凸块，例如焊剂或金。
图4A例示了横向耦合谐振器的等效电路。图4B例示了相对于横向耦合谐振器的频率的衰减量和相位。如图4A中所示，横向耦合谐振器50的等效电路具有电阻器R01和R02、电感器L01至L04、和电容器C01至C04。电阻器R01、电感器L01和电容器C01被串联连接在端子T01和端子T02之间。电阻器R02、电感器L02、电容器C02和电感器L03被串联连接在端子T01和接地之间。电感器L04被连接在端子T02和接地之间。电容器C03被连接在端子T01和接地之间。电容器C04被连接在端子T02和接地之间。电阻器R01、电感器L01和电容器C01是具有谐振频率fr1的串联谐振电路。电阻器R02、电感器L02和电容器C02是具有谐振频率fr2的谐振电路。谐振频率fr1和谐振频率fr2彼此不同，并且彼此稍微间隔。两个串联谐振电路通过电感器L03和L04而介电耦合。
在图4B中，实线表示衰减量。虚线表示相位。谐振频率fr1和fr2分别是1.84GHz和1.92GHz。衰减量在谐振频率fr1和fr2处局部最小。在谐振频率fr1和fr2之间，相位是90度的电感性。在1.67GHz或更小处，相位是90度的电感性。
针对双工器进行仿真，该双工器利用第一实施方式中的滤波器作为接收滤波器。图5A例示了用于仿真的第一实施方式的滤波器的电路图。如图5A所示，横向耦合谐振器50的端子T01经由电容器C1与端子T1连接。端子T02经由电容器C2与端子T2连接。梯型滤波器40的串联谐振器S1至S4和并联谐振器P1至P3是压电薄膜谐振器。电感器L1连接在并联谐振器P1和接地之间。电感器L2连接在并联谐振器P2和P3与接地之间。电感器L1和L2增加通带的高频侧和低频侧的衰减量。从端子T2到端子T1的、通过横向耦合谐振器50的路径被称作路径52。从端子T2到端子T1的、通过梯型滤波器40的路径被称为路径54。
在图2到图3B中，压电膜14a和14b是氮化铝膜。下电极12a和12b以及上电极16a和16b是钌膜和铬膜的层压膜。
图5B例示了双工器的电路图。接收滤波器30连接在公共端子Ant和接收端子Rx之间。发送滤波器32连接在公共端子Ant和发送端子Tx之间。接收滤波器30是第一实施方式中的滤波器100。
图6A例示了通过特性。图6B例示了隔离度特性。图6A例示了从发送端子Tx到公共端子Ant的通过特性以及从公共端子Ant到接收端子Rx的通过特性。图6B例示了从发送端子Tx到接收端子Rx的隔离度特性。“56”表示发送频带。“58”表示接收频带。实线表示在如下情况下的特性，其中第一实施方式的滤波器被用作接收滤波器30。虚线表示在如下情况下的特性，其中不具有横向耦合谐振器50的第一比较示例的滤波器被用作接收滤波器30。
如图6A所示，相较于第一比较示例，在第一实施方式中，接收滤波器30在发送频带56中的衰减量被改善。如图6B所示，在第一比较示例中，在发送频带56中的最差的隔离度是-55dB。相反地，在第一实施方式中，最差的隔离度改善了7dB，变为-62dB。
图7A和图7B例示了通过第一实施方式的路径52和54的电流相对于频率的振幅和相位。振幅|Y|和相位角∠Y用导纳Y特性来表示。如图7A中所示，在发送频带56中，路径52的振幅大体上与路径54的振幅相同。当适当地选择电容器C1和C2的电容值时，路径52的振幅可以大体上与路径54的振幅相同。电容器C1和C2的电容值是0.3pF或类似值。如图7B中所示，在发送频带56中，路径52的相位大体上与路径54的相位相反。这样，横向耦合谐振器50的谐振频率fr1和fr2位于发送频带56的两侧。从而，横向耦合谐振器50的相位在发送频带56中是电感性的。另一方面，发送频带56在梯型滤波器40的通带范围外。从而，该相位是电容性的。这样，路径52的相位大体上与路径54的相位相反。
在第一实施方式中，如图1中所示，横向耦合谐振器50在输入端子T2和输出端子T1之间与串联谐振器S1至S4并联连接。如图7B中所示，在如下任意频带中，路径52的相位可以大体上与路径54的相位相反：在该任意频带中，横向耦合谐振器50在梯型滤波器40的通带范围之外的相位是电感性的。从而，可以实现大衰减量而不降低插入损耗。横向耦合谐振器50必须与串联谐振器S1至S4中的至少一个并联连接。
如图2至图3B中所示，横向耦合谐振器50具有：压电膜14b(第一压电膜)、下电极12b(第一下电极)、和多个上电极16b(第一上电极)。下电极12b和上电极16b将压电膜14b夹在中间。从而，可以实现具有图4A的等效电路的横向耦合谐振器。
串联谐振器S1至S4和并联谐振器P1至P3是压电薄膜谐振器，其具有压电膜14a(第二压电膜)、下电极12a(第二下电极)和上电极16a(第二上电极)。下电极12a和上电极16a将压电膜14a夹在中间。压电膜14被用作压电膜14a和压电膜14b。也就是说，压电膜14a和14b是由相同的材料制成的，并且具有相同的厚度。因此，有可能在单个生产过程中制造出压电膜14a和压电膜14b，其中压电膜14a主要用于帮助串联谐振器S1至S4和并联谐振器P1至P3的厚度纵向振动，压电膜14b主要用于帮助横向耦合谐振器50的振动。从而有可能减少生产过程的数量。
此外，下电极12a和12b是由相同的材料制成的，并且具有相同的厚度。上电极16a和16b是由相同的材料制成的，并且具有相同的厚度。从而有可能减少滤波器100的生产过程的数量。
此外，电容器C1和C2与横向耦合谐振器50串联连接，并且与串联谐振器S1至S4并联连接。从而，当适当地设置电容器C1和C2的电容值时，通过路径52的信号的振幅可以大体上与通过路径54的信号的振幅相同。优选的是，电容器C1和C2的电容值很小，使得路径52的阻抗大体上与横向耦合谐振器50的阻抗相同。可以只提供电容器C1和C2中的一个。
这样，在其中需要对信号进行抑制的抑制带中，通过路径52的信号的振幅大体上与通过路径54的信号的振幅相同，并且通过路径52的信号的相位大体上与通过路径54的信号的相位相反。因此，在任意抑制带中，衰减量可以改善。例如，优选的是，在正负50％的范围内，通过路径52的信号的振幅与通过路径54的信号的振幅一致。更优选的是，在正负20％的范围内，通过路径52的信号的振幅与通过路径54的信号的振幅一致。在正负89度的范围内，通过路径52的信号的相位与通过路径54的信号的相位相反。优选的是，在正负20度的范围内，通过路径52的信号的相位与通过路径54的信号的相位相反。
电容器C1和C2被设置在横向耦合谐振器50的输出端子T1侧和输入端子T2侧。利用这个结构，在将梯型滤波器40连接至横向耦合谐振器50的时候很容易获得相匹配的阻抗。
如图5B中所示，双工器的接收滤波器30和发送滤波器32中的一个可以被用作第一实施方式中的滤波器。在这种情况下，横向耦合谐振器50的谐振频率是这样的频率，使得该横向耦合谐振器的对方滤波器的通带的相位是电感性的。该对方滤波器是发送滤波器32和接收滤波器30中的一个。从而，在该对方滤波器的通带中，路径52的相位可以与路径54的相位相反。从而，可以实现高隔离度特性。
图8A例示了根据第一实施方式的第一修改实施方式的滤波器的平面图。图8B例示了沿着线A-A截取的截面图。如图8A和图8B中所示，横向耦合谐振器50的上电极16b是梳状电极。该梳状电极的一对电极指是交替地设置的。其他结构与第一实施方式相同。因此，省略了对该结构的解释。
在第一实施方式的第一修改实施方式中，多个上电极16b是彼此面对的梳状电极。利用这个结构，有可能对上电极16b进行有效定位，并且可以减小芯片面积。
图9和图10例示了根据第一实施方式的第二修改实施方式的滤波器的平面图。如图9和图10中所示，电容器C1和C2是MIM(金属绝缘体金属)电容器，其中下电极12b和上电极16b将压电膜14夹在中间。其他结构与第一实施方式和第一修改实施方式相同。因此，省略了对该结构的解释。
如在第一实施方式的第二修改实施方式的情况下，MIM电容器可以被用作电容器。
图11例示了根据第一实施方式的第三修改实施方式的滤波器的截面图。如图11中所示，在横向耦合谐振器50的下电极12b和基板10之间不设置间隙。其他结构与第一实施方式相同。因此，省略了对该结构的解释。
图12A到图12F例示了横向耦合谐振器的例子。图12A到图12C例示了具有两个上电极16b的双极型谐振器的例子。图12D到图12F例示了具有三个上电极16b的三极型谐振器的例子。图12A例示了用于第一实施方式的横向耦合谐振器。如图12B中所示，下电极12b可以与端子T02连接，并且，上电极16b中的一个可以与端子T01连接，且上电极16b中的另一个可以与接地连接。如图12C中所示，下电极12b可以与端子T02连接，并且上电极16b可以共同与端子T01连接。如图12D中所示，下电极12b可以与接地连接，两侧的上电极16b可以与端子T01和T02连接，并且上电极16b的中间可以与接地连接。如图12E中所示，下电极12b可以与端子T02连接，两侧的上电极16b可以共同与端子T01连接，并且上电极16b的中间可以与接地连接。如图12F中所示，下电极12b和上电极16b的中间可以共同与端子T02连接，上电极16b中的一个可以与端子T01连接，并且上电极16b中的另一个可以与接地连接。
双极谐振器的结构很简单。因此，可以减小芯片面积。三极谐振器可以在通信带中形成三个极点，并且可以实现各种电特性。极点的数量为四个或更多个的谐振器可以被用作横向耦合谐振器50。这些谐振器可以串联和/或并联连接。图12A到图12F中的横向耦合谐振器可以被用于第一实施方式和修改的实施方式。
图13A和图13B例示了压电薄膜谐振器的例子。如图13A中所示，在基板10的上表面上形成有凹陷，并且下电极12a具有平坦表面。从而，在基板10的凹陷中形成腔体18。其他结构与第一实施方式相同。因此，省略了对该结构的解释。腔体18a可以穿过基板10。可以在下电极12a的下表面上形成绝缘膜。其他结构与图3A的压电薄膜谐振器相同。因此，省略了对该结构的解释。
如图13b中所示，在谐振区域20中，在基板10上形成反声膜21。该反声膜21具有如下结构，在该结构中交替地设置具有低声阻抗的膜和具有高声阻抗的膜。每个膜的厚度接近λ/4(λ是声波的波长)。从而，该反声膜21起到分布式的布拉格反射器的作用。其他结构与图3A的压电薄膜谐振器相同。因此，省略了对该结构的解释。
如图3A和图13A中所示，压电薄膜谐振器可以是FBAR(薄膜腔声谐振器，FilmBulkAcousticResonator)，其中，在谐振区域20中，在基板10和下电极12a之间形成腔体18a。如图13B中所示，压电薄膜谐振器可以是SMR(固态装配型谐振器，SolidlyMountedResonator)，其在谐振区域20中，在下电极12a的下方具有反声膜21，该反声膜21反射在压电膜14a中传播的声波。对如下情形进行了描述，其中谐振区域20具有椭圆形形状。然而，该谐振区域20可以具有其它形状，例如，该谐振区域20可以具有多边形形状，如四边形形状或者五边形形状。
[第二实施方式]
第二实施方式是使用第一实施方式的滤波器的双工器的一个例子。图14例示了根据第二实施方式的双工器的电路图。如图14中所示，双工器110具有接收滤波器30、发送滤波器32、和横向耦合谐振器50。接收滤波器30和发送滤波器32是梯型滤波器。接收滤波器30具有串联谐振器S11至S14和并联谐振器P11至P13。发送滤波器32具有串联谐振器S21至S24和并联谐振器P21至P23。横向耦合谐振器50连接在接收端子Rx和发送端子Tx之间。
图15例示了根据第二实施方式的双工器的平面图。如图15中所示，接收器30形成在基板10上。串联谐振器S11至S14和并联谐振器P11至P13是形成在基板10上的压电薄膜谐振器。横向耦合谐振器50和电容器C1形成在基板10上。发送滤波器32形成在基板36上。基板36是压电基板，例如钽酸锂基板或者铌酸锂基板。串联谐振器S21至S24和并联谐振器P21至P23是形成在基板36上的表面声波谐振器。公共端子Ant、发送端子Tx、接收端子Rx、连接端子T3和T4、以及接地端子Gnd是形成在基板10或基板36等上面的凸块。基板10和基板36被安装在组件38上。
在第二实施方式中，横向耦合谐振器50在发送端子Tx和接收端子Rx之间与发送滤波器和接收滤波器并联连接。在路径62中的理想频带中的信号的振幅大体上和在路径64中的理想频带中的信号的振幅相同，其中，路径62通过发送滤波器32和接收滤波器30从发送端子Tx到达接收端子Rx，路径64通过电容器C2、横向耦合谐振器50和电容器C1从发送端子Tx到达接收端子Rx。路径62的信号的相位大体上与路径64的信号的相位相反。从而，从发送端子Tx到接收端子Rx的隔离度特性可以被改善。
优选的是，发送滤波器32和接收滤波器30中的至少一个包括压电薄膜谐振器，横向耦合谐振器50的压电膜14b和压电薄膜谐振器的压电膜14a是用相同的材料制成的，并且，压电膜14b和压电膜14a具有相同的厚度。利用这个结构，可以简化用于形成该压电膜14的生产过程。
图16例示了根据第二实施方式的第一修改实施方式的双工器的电路图。横向耦合谐振器50与接收滤波器30并联。其他结构与第二实施方式相同。因此，省略了对该结构的解释。
如在第二实施方式的第一修改实施方式的情况下，发送滤波器32和接收滤波器30中的至少一个可以是第一实施方式的滤波器或者是第一实施方式的修改实施方式的滤波器。
在第二实施方式和修改的实施方式中，发送滤波器32和接收滤波器30中的一个可以是多模式型滤波器。
对如下例子进行了描述，其中压电薄膜谐振器被用作梯型滤波器40的谐振器。然而，该谐振器可以是表面声波谐振器、界面声波谐振器或勒夫波谐振器。
本发明不局限于具体公开的实施方式,并且可以在不偏离本发明的范围的情况下作出其它实施方式和变化。
Claims (12)
1.一种滤波器，所述滤波器包括：
一个或多个串联谐振器，所述一个或多个串联谐振器串联连接在输入端子和输出端子之间；
一个或多个并联谐振器，所述一个或多个并联谐振器并联连接在所述输入端子和所述输出端子之间；以及
横向耦合谐振器，所述横向耦合谐振器与所述一个或多个串联谐振器中的至少一个串联谐振器并联连接。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其中所述横向耦合谐振器具有第一压电膜、第一下电极和多个上电极，所述第一下电极和所述多个上电极将所述第一压电膜夹在中间。
3.根据权利要求2所述的滤波器，其中：
所述一个或多个串联谐振器和所述一个或多个并联谐振器是压电薄膜谐振器，所述压电薄膜谐振器具有第二压电膜、第二下电极和第二上电极，所述第二下电极和所述第二上电极将所述第二压电膜夹在中间；并且
所述第一压电膜的材料与所述第二压电膜的材料相同。
4.根据权利要求3所述的滤波器，其中，所述第一压电膜的厚度大体上与所述第二压电膜的厚度相同。
5.根据权利要求2到4中的任一项所述的滤波器，其中，所述多个上电极是彼此面对的梳状电极。
6.根据权利要求1到4中的任一项所述的滤波器，所述滤波器还包括电容器，所述电容器与所述至少一个串联谐振器并联连接，并且与所述横向耦合谐振器串联连接。
7.根据权利要求6所述的滤波器，其中，所述电容器被设置在所述横向耦合谐振器的所述输入端子侧和所述输出端子侧。
8.根据权利要求1到4中的任一项所述的滤波器，其中：
通过所述至少一个串联谐振器的第一信号的振幅大体上与通过所述横向耦合谐振器的第二信号的振幅一致；并且
所述第一信号的相位大体上与所述第二信号的相位相反。
9.一种双工器，所述双工器包括：
发送滤波器，所述发送滤波器连接在公共端子和发送端子之间；以及
接收滤波器，所述接收滤波器连接在所述公共端子和接收端子之间，
其中，所述发送滤波器和所述接收滤波器中的至少一个是如下的滤波器，该滤波器包括：
一个或多个串联谐振器，所述一个或多个串联谐振器串联连接在所述公共端子与所述发送端子和所述接收端子中的至少一个之间；
一个或多个并联谐振器，所述一个或多个并联谐振器并联连接在所述公共端子与所述发送端子和所述接收端子中的所述至少一个之间；以及
横向耦合谐振器，所述横向耦合谐振器与所述一个或多个串联谐振器中的至少一个串联谐振器并联连接。
10.根据权利要求9所述的双工器，其中，所述横向耦合谐振器的谐振频率是这样的频率，该频率使得所述横向耦合谐振器的对方滤波器的通带中的相位是电感性的，所述对方滤波器是所述发送滤波器和所述接收滤波器中的一个。
11.一种双工器，所述双工器包括：
发送滤波器，所述发送滤波器连接在公共端子和发送端子之间；
接收滤波器，所述接收滤波器连接在所述公共端子和接收端子之间；以及
横向耦合谐振器，所述横向耦合谐振器在所述发送端子和所述接收端子之间与所述发送滤波器和所述接收滤波器并联连接。
12.根据权利要求9到11中的任一项所述的双工器，其中：
所述横向耦合谐振器具有第一压电膜、第一下电极和多个上电极，所述第一下电极和所述多个上电极将所述第一压电膜夹在中间；
所述发送滤波器和所述接收滤波器中的至少一个具有压电薄膜谐振器，所述压电薄膜谐振器具有第二压电膜、第二下电极和第二上电极，所述第二下电极和所述第二上电极将所述第二压电膜夹在中间；并且
所述第一压电膜和所述第二压电膜是由相同的材料制成的。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |