CN105093816B - 一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板，方法包括在显示面板上形成信号线的材料层；在材料层上形成光致抗蚀剂层；使用掩膜板对光致抗蚀剂层进行光罩处理，以使光致抗蚀剂层形成阶梯状图案，且阶梯状图案化的光致抗蚀剂层包括第一类型曝光区域和第二类型曝光区域，其中，第一类型曝光区域的高度不同于第二类型曝光区域的高度；将阶梯状图案化的光致抗蚀剂层第一类型曝光区域去除，而保留第二类型曝光区域；利用剩余的光致抗蚀剂层的第二类型曝光区域作为掩膜对材料层进行蚀刻，以在显示面板上得到图案化的材料层。通过上述方式，本发明能够得到较窄线宽的信号线。

Description

一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，特别是涉及一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板。

背景技术

随着人们对显示器品质要求不断提高，显示器的分辨率也越来越高。为了提高显示器的分辨率，显示面板的信号线也需要做的更窄，这对生产工艺提出了更高的要求。

传统的生产工艺一般是采用较窄的掩膜进行曝光显影，以得到较窄的光刻胶，从而得到合适尺寸的信号线线宽，但是由于曝光设备的解析度是有限的，所以曝光显影之后，信号线所对应的光刻胶尺寸无法进一步减小，进而无法得到宽度更小的信号线。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板，能够得到较窄线宽的信号线。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种显示面板的信号线的制程方法，包括：

在所述显示面板上形成信号线的材料层；

在所述材料层上形成光致抗蚀剂层；

使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理，以使所述光致抗蚀剂层形成阶梯状图案，且所述阶梯状图案化的光致抗蚀剂层包括第一类型曝光区域和第二类型曝光区域，其中，所述第一类型曝光区域的高度不同于所述第二类型曝光区域的高度；

将所述阶梯状图案化的光致抗蚀剂层所述第一类型曝光区域去除，而保留所述第二类型曝光区域；

利用剩余的所述光致抗蚀剂层的所述第二类型曝光区域作为掩膜对所述材料层进行蚀刻，以在所述显示面板上得到图案化的材料层。

其中，所述掩膜板包括第一类型区域，第二类型区域和第三类型区域，其中，所述掩膜板的第一类型区域对应于所述光致抗蚀剂层的第一类型曝光区域，所述掩膜板的第二类型区域对应于所述光致抗蚀剂层的第二类型曝光区域，而所述掩膜板的第三类型区域对应于所述光致抗蚀剂层的第三类型曝光区域；且在使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理的过程中，去除所述光致抗蚀剂层的第三类型曝光区域，并部分地去除所述光致抗蚀剂层的第一类型曝光区域，以使所述光致抗蚀剂层形成阶梯状图案。

其中，所述掩膜板中的所述第一类型区域为部分透光部分，所述第二类型区域为非透光部分，而所述第三类型区域为全透光部分；对应地，所述光致抗蚀刻剂层中的所述第一类型曝光区域为部分曝光区域，所述第二类型曝光区域为非曝光区域，而所述第三类型曝光区域为全曝光区域。

其中，在使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理的过程中，利用蚀刻液去除所述光致抗蚀剂层中的全曝光区域，并部分地去除所述光致抗蚀剂层中的部分曝光区域。

其中，将所述阶梯状图案化的光致抗蚀剂层所述第一类型曝光区域去除，而保留所述第二类型曝光区域的步骤包括：

采用氩气和氧气形成等离子体；

将所述等离子体喷射至所述阶梯状的光致抗蚀剂层中的第一类型曝光区域，以使所述等离子体与所述第一类型曝光区域中的所述光致抗蚀剂层进行灰化反应，以去除所述光致抗蚀剂层中的所述第一类型曝光区域。

其中，所述光致抗蚀剂层为聚异戊二烯或酚醛甲醛而制成的感光树脂，所述等离子体与所述第一类型曝光区域中的所述光致抗蚀剂层反应生成二氧化碳和水。

其中，所述光致抗蚀剂层中的所述第二类型曝光区域的宽度为2.0～2.1微米。

其中，利用剩余的所述光致抗蚀剂层的所述第二类型曝光区域作为掩膜对所述材料层进行蚀刻，以在所述显示面板上得到图案化的信号线的步骤之后，所述方法进一步包括：

去除所述光致抗蚀剂层的所述第二类型曝光区域。

其中，所述材料层为金属层。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，所述显示面板的信号线采用上述方法而制成。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理，以使所述光致抗蚀剂层形成阶梯状图案，并且将所述阶梯状图案化的光致抗蚀剂层所述第一类型曝光区域去除，而保留所述第二类型曝光区域；由于第二类型曝光区域是使用掩膜板进行光罩处理后得到的图案化的光致抗蚀剂层的一部分，所以第二类型曝光区域更窄，利用剩余的所述光致抗蚀剂层的第二类型曝光区域所述材料层进行蚀刻，可以得到更窄的图案化的材料层，即利用本发明的方法可以得到更窄线宽的数据线。

附图说明

图1是本发明一种显示面板的信号线的制程方法一实施方式的流程图；

图2是本发明一种显示面板的信号线的制程方法的一示意图；

图3是本发明一种显示面板的信号线的制程方法的另一示意图；

图4是本发明一种显示面板的信号线的制程方法的又一示意图；

图5是本发明一种显示面板的信号线的制程方法的又一示意图；

图6是本发明一种显示面板的信号线的制程方法另一实施方式的流程图；

图7是本发明一种显示面板的信号线的制程方法的又一示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施方式对本发明进行详细说明。

如图1，本发明实施方式提供一种显示面板的信号线的制程方法，包括：

步骤S101：在显示面板上形成信号线的材料层100，如图2；

信号线是显示面板中用于接受驱动信号、数据信号等，以使显示面板工作的线，信号线可以为数据线、扫描线以及公共电极线等；材料层用于形成信号线，本发明实施方式在制作显示面板时，可通过磁控溅射等物理气相沉积的方法，在显示面板中需要形成信号线的膜层300上形成材料层。

步骤S102：在材料层100上形成光致抗蚀剂层200；

光致抗蚀剂层200即光刻胶层，在材料层100上形成光致抗蚀剂层200，以便于将掩膜板的图案转移到光致抗蚀剂层200上，并通过光致抗蚀剂层200对材料层100进行蚀刻；本发明实施方式通过本领域常规的光致抗蚀剂涂覆方法将光致抗蚀剂涂覆在材料层100上以形成光致抗蚀剂层200，例如采用旋转涂胶的方法等。

步骤S103：如图3，使用掩膜板400对光致抗蚀剂层200进行光罩处理，以使光致抗蚀剂层200形成阶梯状图案，且阶梯状图案化的光致抗蚀剂层200包括第一类型曝光区域220和第二类型曝光区域210，其中，第一类型曝光区域220的高度不同于第二类型曝光区域210的高度；

使用掩膜板400对光致抗蚀剂层200进行曝光以及显影处理，使光致抗蚀剂层200形成阶梯状图案，阶梯状图案的整体宽度即为掩膜板400上图案的宽度，本发明实施方式中，阶梯状图案可以是两个阶梯，其中一个阶梯为第一类型曝光区域220，而另一个阶梯为第二类型曝光区域210；阶梯状图案也可以是两个以上的阶梯，其中最高的阶梯为一种类型的曝光区域，例如第二类型曝光区域210，而另外较低的阶梯为另一种类型的曝光区域，例如第一类型曝光区域220，例如本发明实施方式中的阶梯状图案可以是三个阶梯，其中，中间的阶梯的高度大于两侧阶梯的高度。

步骤S104：如图4，将阶梯状图案化的光致抗蚀剂层200第一类型曝光区域220去除，而保留第二类型曝光区域210；

保留的第二类型曝光区域210为阶梯状图案的一部分，其宽度小于阶梯状图案的宽度，即第二类型曝光区域210的宽度要小于掩膜板400上图案的宽度。

步骤S105：如图5，利用剩余的光致抗蚀剂层200的第二类型曝光区域210作为掩膜对材料层100进行蚀刻，以在显示面板上得到图案化的材料层100；

通过蚀刻工艺，将未被剩余的光致抗蚀剂层200的第二类型曝光区域210覆盖的材料层100去除，即得到与第二类型曝光区域210图案相同的材料层100，此图案化的材料层100即本发明实施方式的显示面板的信号线。

本发明实施方式通过使用掩膜板400对光致抗蚀剂层200进行光罩处理，以使光致抗蚀剂层200形成阶梯状图案，并且将阶梯状图案化的光致抗蚀剂层200第一类型曝光区域220去除，而保留第二类型曝光区域210；由于第二类型曝光区域210是使用掩膜板进行光罩处理后得到的图案化的光致抗蚀剂层200的一部分，所以第二类型曝光区域210更窄，利用剩余的光致抗蚀剂层200的第二类型曝光区域210对材料层100进行蚀刻，可以得到更窄的图案化的材料层100，即利用本发明实施方式的方法可以得到更窄线宽的数据线。

其中，掩膜板400包括第一类型区域420，第二类型区域410和第三类型区域430，其中，掩膜板400的第一类型区域420对应于光致抗蚀剂层200的第一类型曝光区域220，掩膜板400的第二类型区域410对应于光致抗蚀剂层200的第二类型曝光区域210，而掩膜板400的第三类型区域430对应于光致抗蚀剂层200的第三类型曝光区域；且在使用掩膜板400对光致抗蚀剂层200进行光罩处理的过程中，去除光致抗蚀剂层200的第三类型曝光区域，并部分地去除光致抗蚀剂层200的第一类型曝光区域220，以使光致抗蚀剂层200形成阶梯状图案。

光罩处理的过程中，对应掩膜板400第一类型区域420的光致抗蚀剂层200形成第一类型的曝光区域，对应掩膜板400第二类型区域410的光致抗蚀剂层200形成第二类型的曝光区域，而光致抗蚀剂层200中剩下的部分为第三类型曝光区域，其对应掩膜板的第三类型区域430，在光罩处理过程中，光致抗蚀剂层200第三类型曝光区域被去除，而光致抗蚀剂层200的第一曝光区域被部分保留，光致抗蚀剂层200的第二曝光区域被保留。

在光罩处理后，光致抗蚀剂层200形成了由较高第二类型曝光区域210和较低的第一类型曝光区域220组成的与掩膜板400上图案相同的图案化的光致抗蚀剂层200，本发明实施方式通过进一步将较低的光致抗蚀剂层200的第一曝光区域去除，留下第二类型曝光区域210，由于第二类型曝光区域210比掩膜板上图案更窄，通过第二类型曝光区域210作为掩膜对材料层100进行蚀刻，即可得到更窄的图案化的材料层100。

其中，掩膜板400中的第一类型区域420为部分透光部分，第二类型区域410为非透光部分，而第三类型区域430为全透光部分；对应地，光致抗蚀刻剂层中的第一类型曝光区域220为部分曝光区域，第二类型曝光区域210为非曝光区域，而第三类型曝光区域为全曝光区域。

本发明实施方式中，如图3，第一类型区域420可设置在第二类型区域410两侧，而第三类型区域430分别设置在第一类型区域420远离第二类型区域410的一侧；这样，在进行光罩处理后，形成中间高两侧低的阶梯状的光致抗蚀剂层200。

本发明实施方式的掩膜板400可以为半色调掩膜板(Half Tone Mask)，半色调掩膜板中第一类型区域420采用半透光膜，进行光罩处理时，光源部分透过第一类型区域420，以对对应第一类型区域420的光致抗蚀剂层200进行部分曝光，形成光致抗蚀剂层200的第一类型曝光区域220。半透光膜的光强透光率可为30％～50％。

本发明实施方式的掩膜板400也可以为灰色调掩膜板(Gray Tone Mask)，灰色调掩膜板中的第一类型区域420中形成有一些曝光机解析度以下的微缝，进行曝光处理时，光源照射在第一类型区域420上时，一部分被遮住，达到部分曝光的效果，使得对应第一类型区域420的光致抗蚀剂层200形成第一类型曝光区域220。

其中，在使用掩膜板400对光致抗蚀剂层200进行光罩处理的过程中，利用蚀刻液去除光致抗蚀剂层200中的全曝光区域，并部分地去除光致抗蚀剂层200中的部分曝光区域。

本发明实施方式中，在利用掩膜板400对光致抗蚀剂层200进行曝光后，再通过蚀刻液将全曝光区域去除，并且通过蚀刻液部分去除部分曝光区域，即去除部分曝光区域上端部分。

其中，本发明实施方式可通过等离子体蚀刻工艺去除光致抗蚀剂层200的第一类型曝光区域220，等离子体蚀刻工艺通过暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子体，将等离子体喷射至光致抗蚀剂层200的第一类型曝光区域220，等离子体与光致抗蚀剂层200反应以去除光致抗蚀剂层200的第一类型曝光区域220。本发明实施方式采用等离子体蚀刻工艺可精确去除光致抗蚀剂层200的第一类型曝光区域220，而不影响到其它区域。

如图6，本发明实施方式中，S104阶梯状图案化的光致抗蚀剂层200第一类型曝光区域220去除，而保留第二类型曝光区域210的步骤包括：

步骤S201：采用氩气和氧气形成等离子体；

利用等离子蚀刻机将氩气和氧气形成等离子体；

步骤S202：将等离子体喷射至阶梯状的光致抗蚀剂层200中的第一类型曝光区域220，以使等离子体与第一类型曝光区域220中的光致抗蚀剂层200进行灰化反应，以去除光致抗蚀剂层200中的第一类型曝光区域220。

其中，光致抗蚀剂层200为聚异戊二烯或酚醛甲醛而制成的感光树脂，等离子体与第一类型曝光区域220中的光致抗蚀剂层200反应生成二氧化碳和水。

本发明其它实施方式中，也可使用其它气体产生等离子体。

其中，光致抗蚀剂层200中的第二类型曝光区域210的宽度为2.0～2.1微米，例如2.0微米、2.05微米或2.1微米等；本发明实施方式中的光致抗蚀剂层200中的第二类型曝光区域210的宽度可以窄至2.0～2.1微米，所以通过第二类型曝光区域210蚀刻形成的图案化的材料层100，即信号线也可以窄至2.0～2.1微米。

其中，S105利用剩余的光致抗蚀剂层200的第二类型曝光区域210作为掩膜对材料层100进行蚀刻，以在显示面板上得到图案化的信号线的步骤之后，方法进一步包括：

(a)去除光致抗蚀剂层200的第二类型曝光区域210。

如图7，本发明实施方式中，可通过显影液去除光致抗蚀剂层200的第二类型曝光区域210。

其中，本发明实施方式的材料层100为金属层。

本发明另一实施方式提供一种显示面板，该显示面板的信号线通过上述实施方式的显示面板的信号线的制成方法而制成。

通过该方法，可使得本发明实施方式的显示面板的信号线变得更窄，从而使得显示面板的分辨率得到进一步提高。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种显示面板的信号线的制程方法，其特征在于，包括：

在所述显示面板上形成信号线的材料层；

在所述材料层上形成光致抗蚀剂层；

使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理，以使所述光致抗蚀剂层形成阶梯状图案，且所述阶梯状图案化的光致抗蚀剂层包括第一类型曝光区域、第二类型曝光区域和第三类型曝光区域，其中，所述第一类型曝光区域和第三类型曝光区域的高度低于所述第二类型曝光区域的高度，所述第二类型曝光区域的宽度小于所述阶梯状图案的宽度，在使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理的过程中，去除所述光致抗蚀剂层的第三类型曝光区域，并部分地去除所述光致抗蚀剂层的第一类型曝光区域，以使所述光致抗蚀剂层形成阶梯状图案；

将所述阶梯状图案化的光致抗蚀剂层的所述第一类型曝光区域去除，而保留所述第二类型曝光区域，其中，将氩气和氧气形成的等离子体喷射至所述阶梯状的光致抗蚀剂层中的第一类型曝光区域，以使所述等离子体与所述第一类型曝光区域中的所述光致抗蚀剂层进行灰化反应，以去除所述光致抗蚀剂层中的所述第一类型曝光区域；

利用剩余的所述光致抗蚀剂层的所述第二类型曝光区域作为掩膜对所述材料层进行蚀刻，以在所述显示面板上得到图案化的材料层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜板包括第一类型区域，第二类型区域和第三类型区域，其中，所述掩膜板的第一类型区域对应于所述光致抗蚀剂层的第一类型曝光区域，所述掩膜板的第二类型区域对应于所述光致抗蚀剂层的第二类型曝光区域，而所述掩膜板的第三类型区域对应于所述光致抗蚀剂层的第三类型曝光区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩膜板中的所述第一类型区域为部分透光部分，所述第二类型区域为非透光部分，而所述第三类型区域为全透光部分；对应地，所述光致抗蚀刻剂层中的所述第一类型曝光区域为部分曝光区域，所述第二类型曝光区域为非曝光区域，而所述第三类型曝光区域为全曝光区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在使用掩膜板对所述光致抗蚀剂层进行光罩处理的过程中，利用蚀刻液去除所述光致抗蚀剂层中的全曝光区域，并部分地去除所述光致抗蚀剂层中的部分曝光区域。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光致抗蚀剂层为聚异戊二烯或酚醛甲醛而制成的感光树脂，所述等离子体与所述第一类型曝光区域中的所述光致抗蚀剂层反应生成二氧化碳和水。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光致抗蚀剂层中的所述第二类型曝光区域的宽度为2.0～2.1微米。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用剩余的所述光致抗蚀剂层的所述第二类型曝光区域作为掩膜对所述材料层进行蚀刻，以在所述显示面板上得到图案化的信号线的步骤之后，所述方法进一步包括：

去除所述光致抗蚀剂层的所述第二类型曝光区域。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述材料层为金属层。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板的信号线采用根据权利要求1～8任意一项所述的方法而制成。