CN109273353A - 改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，涉及半导体集成电路生产工艺，所述改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺寸与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸的减小量之和，以在改善光刻胶显影残留缺陷的基础上，不影响晶圆的关键尺寸(CD)。

Description

改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路生产工艺，尤其涉及一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法。
背景技术
在半导体集成电路生产工艺中，光刻刻蚀是常用步骤，其主要过程可参阅图1，图1为晶圆光刻刻蚀过程示意图，如图1所示，晶圆包括衬底100，衬底100上淀积有薄膜介质层110，薄膜介质层110上涂覆有一层光刻胶120。首先，通过光刻显影工艺将掩膜版上的图形转移到待加工的晶圆上；然后，经过刻蚀工艺将薄膜介质层110中没有被光刻胶120覆盖和保护的部分去除，以完成将掩膜版上的图形转移到晶圆上的目的。
然而，在光刻显影工艺中，在部分区域(如比较大块的需要显影的地方)光刻会因为显影能力不足，有少量光刻胶不能被完全去除。后续进行刻蚀工艺时，由于薄膜介质层110上还有少量光刻胶所以不能与溶液充分接触，导致残留缺陷的产生，具体的可参阅图2，图2为现有技术中光刻显影工艺后晶圆俯视图，如图2所示，在进行光刻显影工艺后，部分区域的光刻胶不能完全被去除，而形成光刻胶残留缺陷122，最终导致了薄膜介质层的残留缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺寸与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸的减小量之和。
更进一步的，晶圆目标关键尺寸为F、轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸减小量为B，则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+B，其中，晶圆目标关键尺寸F为实际生产工艺中晶圆关键尺寸的期望值。
更进一步的，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/f。
更进一步的，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小 则设定轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/10。
更进一步的，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+f*T。
更进一步的，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+10T。
更进一步的，根据所述光刻显影工艺后残留的光刻胶的线宽设定所述轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T。
更进一步的，所述轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小 则设定所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+f*T。
更进一步的，所述轻微刻蚀工艺为低温刻蚀。
更进一步的，所述轻微刻蚀工艺的温度小于100℃。
本发明一实施例，通过在晶圆的光刻显影工艺之后引入轻微刻蚀工艺，并预先调整光刻显影工艺的光刻关键尺寸，以在改善光刻胶显影残留缺陷的基础上，弥补引入轻微刻蚀工艺而导致的晶圆关键尺寸(CD)的减小量，而最终不影响晶圆的关键尺寸(CD)。
附图说明
图1为晶圆光刻刻蚀过程示意图。
图2为现有技术中光刻显影工艺后晶圆俯视图。
图3为本发明一实施例的改善晶圆光刻胶显影残留缺陷方法的流程图。
图4为本发明一实施例的轻微刻蚀工艺减小晶圆的关键尺寸(CD)与轻微刻蚀工艺时间的关系示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明一实施例中，提供一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸(CD)为晶圆目标关键尺寸(CD)与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸(CD)的减小量之和。
如此，在晶圆的光刻显影工艺之后引入轻微刻蚀工艺，并预先调整光刻显影工艺的光刻关键尺寸(CD)，以在改善光刻胶显影后残留缺陷的基础上，不影响晶圆的关键尺寸(CD)。
具体的，可参阅图3，图3为本发明一实施例的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷方法的流程图，如图3所示，改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷方法包括：
步骤S1，进行光刻显影工艺，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸(CD)为晶圆目标关键尺寸(CD)与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸(CD)的减小量之和。
具体的，晶圆目标关键尺寸(CD)为F、轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸(CD)减小量为B，则光刻显影工艺的光刻关键尺寸(CD)A＝F+B。也即通过预先调整光刻显影工艺的光刻关键尺寸(CD)以弥补引入轻微刻蚀工艺而导致的晶圆关键尺寸(CD)的减小，从而使最终晶圆的关键尺寸(CD)不变。其中，晶圆目标关键尺寸(CD)F为实际生产工艺中晶圆关键尺寸(CD)的期望值。
具体的，在本发明一实施例中，请参阅图4，图4为本发明一实施例的轻微刻蚀工艺减小晶圆的关键尺寸(CD)与轻微刻蚀工艺时间的关系示意图，如图4所示，轻微刻蚀工艺减小晶圆关键尺寸(CD)与轻微刻蚀工艺时间成线性正比关系，每增加1秒刻蚀时间，关键尺寸(CD)减小(埃米)，假设增加的轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T，则轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸(CD)的减小量B＝10T，也即预先调整光刻显影工艺的光刻关键尺寸(CD)A＝F+10T。
当然，在本发明一实施例中，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒刻蚀时间，晶圆关键尺寸(CD)减小量可根据轻微刻蚀工艺的刻蚀条件而改变，并非一定为(埃米)，假设轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸(CD)减小(埃米)，假设增加的轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T，则轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸(CD)的减小量B＝f*T，进一步预先设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸(CD)A＝F+f*T，以弥补引入轻微刻蚀工艺而导致的晶圆关键尺寸(CD)的减小量。
步骤S2，进行轻微刻蚀工艺。
在本发明一实施例中，轻微刻蚀工艺可为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。在本发明一实施例中，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/f，则在预先调整光刻显影工艺的光刻关键尺寸(CD)为A的前提下，可使晶圆关键尺寸(CD)为目标关键尺寸F。在实际的生产过程中，根据光刻显影工艺后残留的光刻胶的线宽设定轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T，则轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸(CD)的减小量B＝f*T，进一步预先设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸(CD)A＝F+f*T，以弥补引入轻微刻蚀工艺而导致的晶圆关键尺寸(CD)的减小量。
在本发明一实施例中，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸(CD)减小(埃米)，则轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/10。
在本发明一实施例中，轻微刻蚀工艺为低温刻蚀。在本发明一实施例中，轻微刻蚀工艺的刻蚀温度小于100℃。
如此，在本发明一实施例中，在晶圆的光刻显影工艺之后引入轻微刻蚀工艺，并预先调整光刻显影工艺的光刻关键尺寸，以在改善光刻胶显影后残留缺陷的基础上，弥补引入轻微刻蚀工艺而导致的晶圆关键尺寸(CD)的减小量，而最终不影响晶圆的关键尺寸(CD)。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺寸与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸的减小量之和。
2.根据权利要求1所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，晶圆目标关键尺寸为F、轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸减小量为B，则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+B，其中，晶圆目标关键尺寸F为实际生产工艺中晶圆关键尺寸的期望值。
3.根据权利要求2所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/f。
4.根据权利要求2或3任一项所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/10。
5.根据权利要求2所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+f*T。
6.根据权利要求2或5任一项所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+10T。
7.根据权利要求1所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，根据所述光刻显影工艺后残留的光刻胶的线宽设定所述轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T。
8.根据权利要求7所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，所述轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+f*T。
9.根据权利要求1所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，所述轻微刻蚀工艺为低温刻蚀。
10.根据权利要求1或9任一项所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，所述轻微刻蚀工艺的刻蚀温度小于100℃。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117891132A (zh) * 2023-12-22 2024-04-16 永耀实业(深圳)有限公司 一种改善光刻胶封装工艺的方法及系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101086623A (zh) * 2006-06-08 2007-12-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 使基于模型的光学近似修正更精确的方法
CN102386077A (zh) * 2010-09-03 2012-03-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种制作半导体器件的方法
CN102866581A (zh) * 2012-09-27 2013-01-09 无锡华润上华科技有限公司 一种解决曝光不足引起的曝光区域缺陷的方法
CN101430501B (zh) * 2007-11-06 2015-04-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种修正光刻胶图形的方法
CN107993924A (zh) * 2017-11-23 2018-05-04 上海华力微电子有限公司 去除光刻胶显影后残留缺陷的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101086623A (zh) * 2006-06-08 2007-12-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 使基于模型的光学近似修正更精确的方法
CN101430501B (zh) * 2007-11-06 2015-04-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种修正光刻胶图形的方法
CN102386077A (zh) * 2010-09-03 2012-03-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种制作半导体器件的方法
CN102866581A (zh) * 2012-09-27 2013-01-09 无锡华润上华科技有限公司 一种解决曝光不足引起的曝光区域缺陷的方法
CN107993924A (zh) * 2017-11-23 2018-05-04 上海华力微电子有限公司 去除光刻胶显影后残留缺陷的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117891132A (zh) * 2023-12-22 2024-04-16 永耀实业(深圳)有限公司 一种改善光刻胶封装工艺的方法及系统

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