CN101546116B - 多色调光掩模及其制造方法、以及图案转印方法 - Google Patents

Abstract

多色调光掩模及其制造方法、以及图案转印方法。本发明的多色调光掩模的制造方法在透明基板(21)上分别形成遮光膜(22)以及透过曝光光的一部分的半透光膜(24)，并通过对各个膜实施规定的构图而形成含有遮光部、透过曝光光的一部分的半透光部以及透光部的转印图案，该制造方法的特征在于，对所述半透光膜(24)和所述遮光膜(22)分别实施基于湿蚀刻的构图，形成所述转印图案，对所述转印图案中半透光膜的至少一部分进行表面改质处理，改变所述半透光膜(24)的曝光光透过率变化，减小所述转印图案中存在的半透光部的透过率面内分布范围。

Description

多色调光掩模及其制造方法、以及图案转印方法

技术领域

本发明涉及在光刻工艺中使用的多色调光掩模及其制造方法、以及图案转印方法。

背景技术

以往，在液晶装置等电子设备的制造中，利用光刻工艺，使用具有规定图案的光掩模在规定曝光条件下，对形成在所要蚀刻的被加工层上的抗蚀剂膜进行曝光来转印图案，并通过对该抗蚀剂膜进行显影来形成抗蚀剂图案。然后，将该抗蚀剂图案作为色调掩模来蚀刻被加工层。

近年来，电子设备制造商认识到3色调以上的多色调掩模的实用性，因此这种多色调光掩模的用途已经变得十分广泛。在该3色调以上的多色调光掩模中，具有由透过曝光光的一部分的半透光膜构成的半透光部。作为这种多色调光掩模，具有日本特开2007-271696号公报所公开的多色调光掩模。

另一方面，这种多色调光掩模已经被用作液晶显示装置制造用的大型光掩模。对于这种用途的光掩模而言十分重要的是：通过减小光掩模面内的透过率偏差，使在使用该掩模时形成在被转印体上的抗蚀剂残膜值恒定。这是因为，这种方式可以大大提高该被转印体的加工精度和稳定性。但是，在日本专利2007-271696号公报所公开的技术中，虽然减小了光掩模个体间的透过率偏差，但是没有解决减小光掩模面内的透过率偏差的课题。

发明内容

本发明正是鉴于上述问题而完成的，其示例性的目的在于提供能减小光掩模中面内的透过率偏差的多色调光掩模及其制造方法。

本发明一个方式的多色调光掩模在透明基板上分别形成有遮光膜以及透过曝光光的一部分的半透光膜，并通过对各个膜实施规定的构图而形成包含遮光部、透过曝光光的一部分的半透光部以及透光部的转印图案，该多色调光掩模的特征在于，在所述半透光膜的至少一部分上，至少对表面部分进行改质，并且所述转印图案中存在的半透光部的透过率面内分布范围为2％以内。

上述多色调光掩模通过如下方式得到：分别对透过曝光光的一部分的半透光膜和遮光膜实施基于湿蚀刻的构图，形成所述转印图案，对所述转印图案中半透光膜的至少一部分进行表面改质处理，改变所述半透光膜的曝光光透过率。并且能够提高耐药性。根据这种多色调光掩模，能够减小光掩模中面内的透过率偏差。

在上述多色调光掩模中，优选所述半透光膜由含有金属硅化物的材料构成。

在上述多色调光掩模中，优选所述半透光膜由实质上不含有氮的材料构成。

本发明另一方式的多色调光掩模的制造方法准备在透明基板上形成有遮光膜和透过曝光光的一部分的半透光膜的光掩模坯体，并通过对各个膜实施规定的构图而形成包含遮光部、透过曝光光的一部分的半透光部以及透光部的转印图案，该制造方法的特征在于包括以下工序：图案形成工序，分别对所述半透光膜和所述遮光膜实施基于蚀刻的构图，形成所述转印图案；以及表面改质工序，对所述转印图案中半透光膜的至少一部分进行表面改质处理，改变所述半透光膜的曝光光透过率，减小所述转印图案中存在的半透光部的透过率面内分布范围。关于所述蚀刻，至少所述半透光膜的蚀刻在采用湿蚀刻时效果显著。

根据该方法，能够得到面内的半透光部的透过率偏差较小的多色调光掩模。此外，在该方法中，能够对由于种种因素而导致透过率较低的区域选择性地实施表面改质处理，所以能够只修正透过率不适当的部分，能够有效抑制面内偏差。因此，优选表面改质处理包括对所述光掩模面内所选择的部分进行不同于其他部分的处理。

在所述多色调光掩模的制造方法中，优选所述表面改质工序包括提高所述半透光膜的耐药性的处理。此外，在所述多色调光掩模的制造方法中，优选所述表面改质处理是对所述转印图案中的半透光部照射规定能量的处理。

在所述多色调光掩模的制造方法中，优选所述表面改质处理是对所述转印图案中的半透光部实施加热的处理。

在所述多色调光掩模的制造方法中，优选在所述图案形成工序后具有测定所述多个半透光部的透过率的工序，在所述表面改质工序中，根据所述测定结果对半透光膜的至少一部分进行表面改质处理，以减小所述转印图案中的多个半透光部的透过率的面内分布范围，并优选使其成为2％以下。另外，优选所述透过率的测定是后述的有效透过率的测定。

本发明另一方式的图案转印方法通过使用所述多色调光掩模、并照射曝光机的曝光光，来将所述多色调光掩模的转印图案转印到被加工层上。在这种情况下，优选使用包含i线～g线的波段的曝光光来作为所述曝光光。

附图说明

图1是示出表面改质处理与透过率变动量之间的关系的图。

图2(a)、(b)是示出表面改质前后的光掩模面内偏差的图。

图3(a)、(b)是用于说明半透光区域的透过率的图。

图4是示出用于测定有效透过率的装置的图。

图5(a)～(g)是用于说明本发明实施方式的多色调光掩模的制造方法的图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。

众所周知，在多色调光掩模中使用金属硅化物作为半透光部的材料。不过在一些情况下，该材料未必具有很强的针对规定药剂的耐药性和耐光性等。对于用于制造液晶显示装置等的大型光掩模所使用的多色调光掩模，例如可以有效利用MoSix来作为半透光膜的材料。但是在这种情况下，根据掩模制造工序和缺陷修正工序中使用的药水的不同，不能说耐药性十分充分，因此存在这样的问题：即使在光掩模坯体阶段形成了具有所希望的透过率的半透光膜，在之后的显影和清洗过程中透过率也会发生变化。

原本MoSix因成膜法不同而仅存在些许差异，但是MoSix未必具有较强的针对酸或碱的耐药性，从而在一些情况下，例如由于与碱接触从而表面略微溶解，由此膜的透过率发生变化(增大)。通常在光掩模的制造中，在清洗工序中使用酸或碱，而在抗蚀剂的显影工序中使用碱。这些工序是与光掩模制造中的每次光刻对应地进行的(例如，如果是普通的3色调光掩模则至少进行两次)。因此，无法完全防止每次接触酸、碱时MoSix表面受到损伤的情况。特别是在第二层的光刻中，由于MoSix会接触到抗蚀剂显影液，因此担心由此带来损伤。

另一方面，对于用于制造液晶显示装置等的大型光掩模而言，由于尺寸较大从而很难在真空室中进行干蚀刻。因此，在构图时湿蚀刻较为有利。因此作为半透光膜的材料，需要利用湿蚀刻在适当的蚀刻时间准确地形成图案。即，在使用耐药液性非常高的材料作为半透光膜的材料时，存在湿处理速度降低等问题。

另外，在多色调光掩模中，通过部分选择性地减少透过光掩模的曝光光的光量，而在被转印体上的抗蚀剂膜上形成具有规定台阶的抗蚀剂图案。从而具有以下优点：通过简化液晶显示装置等电子设备制造工序中的光刻工艺，从而能够在两次光刻工艺中使用一块掩模。但是，为此重要的是，在所要得到的电子设备的加工工序(显影、蚀刻工序)中预先估算所需的抗蚀剂台阶，以较高的稳定性实现与该抗蚀剂台阶对应的抗蚀剂残膜值。即，还必须准确地控制用于设计出这种所希望的抗蚀剂残膜值的多色调光掩模的曝光光透过率。这点不仅对于3色调光掩模，对于4色调以上的多色调光掩模也变得越来越重要。

而且，虽然理想情况是在相同条件下，如上地对形成在大型基板上的转印图案实施清洗工序、显影工序以及抗蚀剂剥离工序等湿处理工序，但是鉴于日益大型化的基板尺寸，上述理想情况未必容易实现。在这些过程中产生面内不均匀的情况下，可能无法满足产品规格。

因此，在本发明的实施方式中，通过对构图后的半透光部(例如由MoSix形成)实施规定的表面改质处理，来改变透过率。进而提高具有所希望的透过率的光掩模的耐药性，并通过之后的处理能够使透过率不发生变动。在这种情况下，可以在构图后进行透过率检查，并根据该透过率检查的结果对面内的规定部分选择性地实施与其他部分不同的表面改质处理。

这里，本发明人使用MoSix作为半透光膜的材料，并通过对该半透光膜照射能量或者加热等手段，而调查了表面改质时透过率的变化。在此，作为照射能量的处理，进行了波长为172nm、输出为40mW/cm²、照射距离为3mm的条件下的真空紫外线照射处理(VUV处理)，而作为加热处理，进行了使用卤素加热器加热10分钟使透明基板温度上升到250℃、300℃、400℃的处理。其结果如图1所示。由图1可知，通过对半透光膜照射能量或加热，光透过率增加。

因此，本发明人准备了形成有半透光膜和遮光膜的光掩模坯体，并在各个膜上实施基于湿蚀刻的规定构图而制造出形成有转印图案的光掩模。该转印图案采用了具有由相同半透光部规则排列而成的重复图案的方式。通过选择性地对该转印图案中的半透光膜的一部分进行上述表面改质处理，而进行了减小半透光部的透过率的面内偏差的实验。

图2(a)示出了表面改质处理前的、形成有上述转印图案的光掩模的光透过率分布(针对i线～g线)。这里，关于各个球体的大小，白色球体表示向透过率低侧变动的变动率，网状球体表示向透过率高侧变动的变动率(相对值)。这里，反映出白色球体部分的透过率的变动率而选择性地进行上述VUV处理，然后进行加热处理。其结果如图2(b)所示，成功地减小了透过率的面内分布。这里，最终将曝光光透过率的面内分布控制在2％以下。另外，在后文中将对这里进行的透过率测定进行叙述。

另外，在上述表面改质处理中，VUV处理和加热处理可以局部地分别单独进行，也可以同时进行。或者，可以在局部或整体上执行多次VUV处理，以达到所希望的透过率范围。这种情况下，可以在多次处理之间进行透过率测定。并且，可以以提高掩模整面的光透过率和/或耐药性为目的，而对光掩模整面进行VUV处理或加热处理。并且，也可以针对整面同时进行两种处理。

VUV处理尤其在增加光透过率方面效果显著，而加热处理则在增加光透过率和耐药性方面效果显著。作为优选方式，例如可以在面内的规定位置进行VUV处理，然后对整面进行加热处理而实现所希望的光透过率，并且可以使光透过率不变动到该所希望的光透过率之外。此外，也可以在面内的规定位置进行VUV处理，然后对整面进行VUV处理和加热处理。另外，加热处理在提高半透光膜的耐药性方面效果出色，因此优选在表面改质处理的最后进行该加热处理。作为表面处理条件，可以将加热处理的温度设为100℃～500℃左右，将VUV处理的输出设为20W/cm²～100W/cm²(照射距离1mm～20mm)。

而且，通过预先掌握表面改质处理中透过率发生变化的情况，并预先考虑其变化量，来决定使透过率上升的表面改质处理中透过率的变动幅度。而且还优选如下方式：预先设定通过表面改质处理而上升的光透过率，来设计半透光膜的膜透过率(组成、膜厚)。

可利用膜透过率测定装置来进行上述透过率测定。例如，可以在以下等情况下进行上述测定，并根据其结果来进行上述表面改质处理，所述情况是：由于半透光膜的成膜而导致在面内发生膜厚分布；以及在相同形状的多个半透光部重复的图案中，各个半透光部的透过率不同。

另一方面，在实际通过曝光机对掩模进行曝光时各个半透光部的有效的透过率(以下称为有效透过率)不仅受半透光膜的膜质和膜厚的影响，还受到图案形状的影响而发生变化。因此，优选在掌握了完全反映出这些影响的有效透过率后进行表面改质处理。

例如，在液晶显示装置制造用光掩模中，可以利用半透光部形成对应于沟道部的部分，利用遮光部形成相当于源极、漏极的部分。在曝光机的光学条件下(曝光机所具有的分辨率)，由于衍射的影响，从而这种图案中具有与遮光部相邻的部分的半透光部在相邻部分附近的透过率下降。例如，如图3(a)、(b)所示，被遮光部A夹在中间的半透光区域B的透过光的光强度分布整体下降，峰值变低。半透光区域B的线宽越小，这种趋势越明显，因此，尤其在被源极、漏极包围的线宽较小的沟道部中，其曝光光透过率低于所使用的半透光膜固有的透过率。总之，实际在图案中所使用的半透光部的透过率不同于利用充分大的面积而掌握的半透光膜固有的透过率。因此，不希望根据半透光膜固有的透过率，而是希望根据有效透过率来进行上述构图后的透过率的检查。

当然，在与透光部相邻的半透光部中，随着该半透光部的线宽变小，由于曝光光的衍射影响，从而实际上具有比半透光膜固有的光透过率更高的透过率。

因此，在本发明的实施方式中，对半透光膜和遮光膜分别实施基于湿蚀刻的构图，形成转印图案，在该图案形成工序后，测定多个半透光部的有效透过率，根据该测定结果对所述转印图案中半透光膜的至少一部分进行表面改质处理，改变所述半透光膜的曝光光透过率，由此减小面内分布。并且，进一步优选提高耐药性。即，本发明实施方式的主旨在于，在图案形成工序后测定多个半透光部的有效透过率，在表面改质工序中根据测定结果对半透光膜的至少一部分进行表面改质处理，以将转印图案中的多个半透光部的有效透过率的面内分布范围控制在2％以下。

这里，有效透过率是在膜固有的透过率的基础上还包含图案的形状(尺寸或线宽(CD(Critical Dimension：临界尺寸)))和曝光机的光学条件(光源波长、数值孔径、σ值等)这些因素的透过率，是反映出实际曝光环境的透过率。因此，在确定了图案宽度、指定了该宽度的有效透过率并使光学条件固定时，能够根据该有效透过率来决定上述半透光部的半透光膜的设计(组成、膜厚、改质程度)，或者能够决定膜的改质程度。

并且，当制造出光掩模后由于其加工工序中所采用的药液处理而产生面内的半透光部的透过率分布时，可以预先掌握该分布，并根据其结果进行上述表面改质处理，由此来减小面内分布。

作为测定上述有效透过率的手段，优选对曝光机的曝光条件进行再现或近似。作为这种装置例如可以举出图4所示的装置。该装置主要由以下部分构成：光源1、向光掩模3照射来自光源1的光的照射光学系统2、使透过光掩模3的光成像的物镜系统4、对经过物镜系统4而得到的像进行拍摄的摄像单元5。

光源1发出规定波长的光束，例如可以使用卤素灯、金属卤化物灯、UHP灯(超高压汞灯)等。例如可以与如下光源一起使用，该光源具有对使用掩模的曝光机进行了近似的分光特性。

照射光学系统2引导来自光源1的光，使光照射到光掩模3上。该照射光学系统2具有光圈机构(孔径光圈7)，以使数值孔径(NA)可变。该照射光学系统2优选具有用于调节光掩模3的光照射范围的视野光圈6。经过该照射光学系统2的光照射到由掩模保持器具3a保持的光掩模3上。该照射光学系统2设置在壳体13内。

光掩模3由掩模保持器具3a保持。该掩模保持器具3a在使光掩模3的主平面大致铅直的状态下，支撑该光掩模3的下端部和侧缘部附近，将该光掩模3倾斜固定地保持。该掩模保持器具3a可以保持大型(例如主平面为1220mm×1400mm、厚度为13mm的光掩模，或者这些尺寸以上的光掩模)并且各种大小的光掩模3。另外，所谓“大致铅直”是指，图4中由θ表示的与铅直位置之间的角度为大致10度以内。照射到光掩模3上的光透过该光掩模3而向物镜系统4入射。

物镜系统4例如由以下部分构成：第1组(simulator lens：模拟镜头)4a，其射入透过光掩模3的光，并对该光束实施无限远修正使其成为平行光；以及第2组(成像透镜)4b，其使经过该第1组的光束成像。模拟镜头4a具有光圈机构(孔径光圈7)，可以改变数值孔径(NA)。经过物镜系统4的光束由摄像单元5接收。该物镜系统4设置在壳体13内。

该摄像单元5拍摄光掩模3的像。例如可以使用CCD等摄像元件来作为摄像单元5。

在该装置中，照射光学系统2的数值孔径和物镜系统4的数值孔径分别是可变的，因此可以改变照射光学系统2的数值孔径与物镜系统4的数值孔径的比，即西格马值(σ：相干度)。

此外，在该装置中设置有：运算单元11，其针对通过摄像单元5得到的摄像图像进行图像处理、运算、与规定阈值的比较以及显示等；具有显示单元12的控制单元14；以及移动操作单元15，其改变壳体13的位置。因此，使用所得到的摄像图像或者由此得到的光强度分布，由控制单元进行规定运算，可以求出使用其他曝光光的条件下的摄像图像、光强度分布或透过率。

对于具有这种结构的图4所示的装置而言，由于NA和σ值可变，并且光源的放射源也可变，因此能够再现各种曝光机的曝光条件。通常，在简单近似用于制造液晶装置等的大型光掩模的曝光装置的情况下，可以使用与i线、h线、g线的光强度相同的照射光，而曝光光学系统可以采用NA为0.08左右、照射系统与物镜系统的NA比即相干度σ为0.8左右的条件。

本发明实施方式的多色调光掩模的特征在于，准备形成有半透光膜和遮光膜的光掩模坯体，在各个膜上实施基于湿蚀刻的构图来形成所述转印图案，对该转印图案中半透光膜的至少一部分进行表面改质处理，改变所述半透光膜的曝光光透过率。并且，优选通过上述处理来提高耐药性。由此，其特征在于，所述转印图案中存在的、要得到规定曝光光透过率的半透光部的透过率面内分布范围为2％以内。

作为透明基板，可以举出玻璃基板等。此外，作为遮蔽曝光光的遮光膜，可以列举出铬膜等金属膜、硅膜、金属氧化膜、硅化钼膜这样的金属硅化物膜等。此外，优选遮光膜层叠有反射防止膜。作为反射防止膜，可以列举出铬的氧化物、氮化物、碳化物以及氟化物等。作为使曝光光的一部分透过的半透光膜，可以使用铬的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、氮氧碳化物、或者金属硅化物等。尤其，优选采用硅化钼化合物(MoSix、MoSiO、MoSiN、MoSiON、MoSiCON等)膜这样的金属硅化物膜等。但是为了具有适当的湿蚀刻性，优选由实质上不含有氮的材料来构成半透光膜。

这样，根据本发明的实施方式，能够得到面内的透过率偏差较小的多色调光掩模。此外，在该方法中，能够综合考虑各种因素(例如，由线宽分布引起的面内透过率不均匀、由成膜时的膜厚变动引起的面内透过率不均匀、由显影/蚀刻等湿处理引起的面内透过率不均匀)，来针对透过率较低的区域选择性地实施表面改质处理，因此能够进行使透过率接近期望值的修正，能够有效地抑制面内偏差。并且，能够通过提高半透光膜的耐药性来抑制之后的药液接触引起透过率变动。

图5示出了本发明实施方式的制造光掩模的工序的一例。具体而言，例如按照图5(a)～(g)所示的工序来进行。另外，图5所示结构的制造方法不限于这些方法。这里，半透光膜24的材料为硅化钼(MoSix)。此外，在以下说明中，构成抗蚀剂层的抗蚀剂材料、蚀刻时使用的蚀刻剂以及显影时使用的显影液等适当选择公知的可用于光刻和蚀刻工艺中的物质。例如，根据构成被蚀刻膜的材料来适当选择蚀刻剂，根据所使用的抗蚀剂材料来适当选择显影液。

如图5(a)所示，准备在透明基板21上形成有半透光膜24、遮光膜22(在表面部上形成有反射防止膜23)的光掩模坯体，在该光掩模坯体上形成抗蚀剂层25，如图5(b)所示，以只露出透光区域的方式对抗蚀剂层25进行曝光/显影而形成开口部。接下来，如图5(c)所示，将该抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻所露出的反射防止膜23、遮光膜22和半透光膜24，之后如图5(d)所示，除去抗蚀剂层25。也可以在半透光膜24的蚀刻之前剥离抗蚀剂图案，而将反射防止膜23和遮光膜22作为掩模来蚀刻半透光膜24。

接着，如图5(e)所示，在反射防止膜23的遮光区域上形成抗蚀剂层25，如图5(f)所示，将该抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻所露出的反射防止膜23、遮光膜22，之后如图5(g)所示，除去抗蚀剂层25。

接着，针对这样形成图案的光掩模，使用图4所示的装置测定各半透光部的有效透过率。然后，根据所得到的有效透过率的面内偏差，对有效透过率较低的半透光部的半透光膜24实施表面改质处理即VUV处理，由此对半透光膜24的表面进行改质而形成改质层24a。该改质层24a的透过率上升并且耐药性提高。由此，可以得到面内的半透光部的透过率偏差较小的多色调光掩模。之后，还可以对相同部分实施加热处理，或者在整面上实施加热处理。

通过使用上述多色调光掩模、并照射曝光机的曝光光来将多色调光掩模的转印图案转印到被加工层上。在这种情况下，作为曝光光优选使用包含i线～g线的波段的曝光光。由此，能够在半透光区域中与图案形状无关地得到所希望的厚度的残膜值的抗蚀剂图案。

本发明不限于上述实施方式，可以通过进行适当变更来实施。例如，在上述实施方式中，说明了在透明基板上使用依次形成有半透光膜和遮光膜的光掩模坯体的情况，但是也可以是在透明基板上形成遮光膜图案后覆盖半透光膜并进行图案加工而成的光掩模。此外，上述实施方式中部件的个数、尺寸、处理步骤等只是一例，可以进行各种变更来实施。

Claims (12)

1.一种液晶显示装置制造用多色调光掩模，其在透明基板上分别形成有遮光膜以及透过曝光光的一部分的半透光膜，并通过对各个膜实施规定的构图而形成包含遮光部、透过曝光光的一部分的多个半透光部以及透光部的转印图案，该液晶显示装置制造用多色调光掩模的特征在于，

通过对所述多个半透光部中被选择的部分的半透光膜进行与其他部分不同的表面改质处理，使所述多个半透光部的、针对包含i线～g线的波段的曝光光的透过率面内分布范围为2％以内。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置制造用多色调光掩模，其特征在于，

所述半透光膜由含有金属硅化物的材料构成。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置制造用多色调光掩模，其特征在于，

所述半透光膜由不含有氮的材料构成。

4.一种液晶显示装置制造用多色调光掩模的制造方法，其准备在透明基板上形成有遮光膜和透过曝光光的一部分的半透光膜的光掩模坯体，并通过对各个膜实施规定的构图而形成包含遮光部、透过曝光光的一部分的多个半透光部以及透光部的转印图案，其特征在于，该液晶显示装置制造用多色调光掩模的制造方法包括以下工序：

图案形成工序，分别对所述半透光膜和所述遮光膜实施基于蚀刻的构图，形成所述转印图案；以及

表面改质工序，通过对所述转印图案所包含的所述多个半透光部中被选择的部分的半透光膜进行与其他部分不同的表面改质处理，减小所述转印图案中存在的半透光部的、针对包含i线～g线的波段的曝光光条件的透过率面内分布范围。

5.根据权利要求4所述的液晶显示装置制造用多色调光掩模的制造方法，其特征在于，

所述表面改质工序包括提高所述半透光膜的耐药性的处理。

6.根据权利要求4所述的液晶显示装置制造用多色调光掩模的制造方法，其特征在于，

所述表面改质处理包括对所述转印图案中的半透光部中被选择的部分照射规定能量的处理。

7.根据权利要求4所述的液晶显示装置制造用多色调光掩模的制造方法，其特征在于，

所述表面改质处理包括对所述转印图案中的半透光部中被选择的部分实施加热的处理。

8.根据权利要求4所述的液晶显示装置制造用多色调光掩模的制造方法，其特征在于，

该制造方法在所述图案形成工序后，具有测定所述多个半透光部的透过率的工序，在所述表面改质工序中，根据所述测定结果进行所述表面改质处理。

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置制造用多色调光掩模的制造方法，其特征在于，

所述表面改质工序使所述半透光部的透过率的面内分布为2％以下。

10.一种图案转印方法，其特征在于，

使用权利要求1～3中任一项所述的多色调光掩模、并照射曝光机的曝光光，来将所述多色调光掩模的转印图案转印到被加工层上。

11.一种图案转印方法，该图案转印方法的特征在于，

使用通过权利要求4～权利要求9中任一项所述的制造方法制成的多色调光掩模、并照射曝光机的曝光光，来将所述多色调光掩模的转印图案转印到被加工层上。

12.根据权利要求11所述的图案转印方法，其特征在于，

使用包含i线～g线的波段的曝光光来作为所述曝光光。

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