JP2007059806A - ドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】パターンの寸法ばらつきを改善するドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】真空中に多層膜を有するエッチング対象物を配置し、前記真空中に反応ガスを導入し、前記反応ガスのプラズマを発生させ、前記多層膜を順次エッチングするドライエッチング方法であって、上層膜側から数えて第n層(nは2以上の自然数)の膜(3)のエッチングと第n+1層の膜(2)のエッチングとの間に、第n−1層の膜(4)のパターン寸法をほとんど変化させずに前記第n層の膜のテーパ部分を選択的に除去する。
【選択図】 図1
【解決手段】真空中に多層膜を有するエッチング対象物を配置し、前記真空中に反応ガスを導入し、前記反応ガスのプラズマを発生させ、前記多層膜を順次エッチングするドライエッチング方法であって、上層膜側から数えて第n層(nは2以上の自然数)の膜(3)のエッチングと第n+1層の膜(2)のエッチングとの間に、第n−1層の膜(4)のパターン寸法をほとんど変化させずに前記第n層の膜のテーパ部分を選択的に除去する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法に関する。
従来例に係るパターン形成前のフォトマスク基板(フォトマスクブランクス)の基本構成を説明する。
図12及び図13は、フォトマスク基板の構成を示す断面図である。フォトマスク基板は、石英からなる透明基板上にパターン形成用の薄膜をスパッタ法などにより堆積させ、さらにレジストなどのエッチングマスク材をスピンコータなどにより塗布することにより形成される。
図12に示すような透明基板1上にMoSiON(MoSi)膜などの半透明膜2とCr遮光膜(Cr堆積膜)3を順次成膜したものが、ハーフトーン型位相シフトマスクの作製に用いられる。図13に示すような透明基板1上に直接Cr遮光膜3を成膜したものは、Crマスクや石英掘り込み型位相シフトマスクの作製に用いられる。ここでは、特にハーフトーン型位相シフトマスクの作製について述べるが、Crマスクや石英掘り込みマスクでも同様に作製できる。
図14は、レジスト被覆率変化が大きなマスクの例を示す上面図であり、図15はその断面図である。図14、図15では、左側のパターン51周辺のレジスト4の被覆率が大きく、右側のパターン52周辺のレジスト4の被覆率が小さくなっている。従来のフォトマスク基板では、特にCr堆積膜3のドライエッチングにおいて、塩素、酸素の混合ガスを用い、塩素、酸素比を5:1〜3:1程度に設定して所望のパターンを形成していた。図14、図15に示すようにパターン周辺のレジスト被覆率が大きく変わる場合に、レジストパターンの被覆率に依存したパターン寸法のばらつきが生じてしまっていた。
図16〜18、図19〜21は、従来のエッチングの問題点を示すマスクの断面図である。エッチングによりCr堆積膜3の側壁形状を垂直化するには、反応ガスの酸素比率を高めることが有効である。しかしこの場合、レジストの寸法細りが大きくなるため、エッチング変換差が大きくなるといった問題や、レジスト寸法細りの大きさがレジストの被覆率に依存して異なってしまうといった問題があった。
例えばレジスト被覆率の大きな領域では、レジスト寸法細りは小さいが、レジスト被覆率の小さな領域では、レジスト寸法細りは大きくなるため、図16に示すようにレジスト4の寸法ばらつきは、そのままCr堆積膜3の寸法ばらつきとして転写される。さらに図17、18に示すようにCr堆積膜3の寸法ばらつきは、Crパターンをマスクとしてエッチングする半透明膜2の寸法ばらつきとして転写される。
一方、レジストパターンの寸法細りを低減するために酸素比率を低く設定すると、レジストパターンの被覆率に依存してCr堆積膜3の側壁角度が変化し、マスクパターンの寸法のばらつきを増大させてしまうという問題があった。例えば、図19に示すように、レジスト被覆率の小さな領域(右側)ではCr堆積膜3の側壁は垂直化しやすいが、レジスト被覆率の大きな領域(左側)ではテーパ形状になりやすいという問題があった。
そして図20に示すように、Cr堆積膜3の形状ばらつきに起因する寸法のばらつきは、そのまま半透明膜2の寸法ばらつきとして転写され、図21に示すように、半透明膜2に寸法ばらつきを生じさせる(a>b)。
以上のように従来のエッチング方法では、レジスト寸法細りとCr堆積膜の側壁形状とを同時に制御することは困難であり、これらはマスクパターンの寸法ばらつきの原因になっていた。
なお、特許文献1には、Crマスクの製造において、酸素を含む塩素等のハロゲン系のガスに少なくとも水素を含むガスを添加した混合ガスを用いてエッチングすることが開示されている。
特許文献2には、Cr系ハーフトーン位相シフトマスクの金属薄膜のドライエッチングについて開示されている。
特開2000−114246号公報
特開2000−138201号公報
本発明の目的は、パターンの寸法ばらつきを改善するドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法を提供することにある。
本発明の一形態のドライエッチング方法は、真空中に多層膜を有するエッチング対象物を配置し、前記真空中に反応ガスを導入し、前記反応ガスのプラズマを発生させ、前記多層膜を順次エッチングするドライエッチング方法であって、上層膜側から数えて第n層(nは2以上の自然数)の膜のエッチングと第n+1層の膜のエッチングとの間に、第n−1層の膜のパターン寸法をほとんど変化させずに前記第n層の膜のテーパ部分を選択的に除去する。
本発明の他の形態のフォトマスクの製造方法は、透明基板上に位相シフタ膜と遮光膜を含む多層膜を有するフォトマスク基板の前記遮光膜上のレジストを露光させ、前記レジストを露光部分と未露光部分の溶解速度に差異をつけて現像し、前記フォトマスク基板を真空中に配置し、前記真空中に反応ガスを導入し、前記反応ガスのプラズマを発生させ、前記多層膜を順次エッチングし、前記遮光膜のエッチングと前記位相シフタ膜のエッチングとの間に、前記レジストのパターン寸法をほとんど変化させずに前記遮光膜のテーパ部分を選択的に除去する。
本発明によれば、パターンの寸法ばらつきを改善するドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法を提供できる。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態のフォトマスク基板のドライエッチング方法を説明する。
本発明の第1の実施の形態のフォトマスク基板のドライエッチング方法を説明する。
本第1の実施の形態では、ハーフトーン型位相シフトマスクを作製する際のCr膜のエッチング工程において、Cr膜のエッチングを下地が露出するまでの第1工程と下地が露出してからの第2工程に分け、特に第2工程のエッチング中の酸素比率に制限を加える。
以下、ハーフトーン型位相シフトマスクの作製手順について述べる。
図12に示したようなフォトマスク基板を準備して、そのレジスト膜4(上層膜側から数えて第n−1層の膜:nは2以上の自然数)に電子ビーム描画装置(またはレーザー描画装置)などによりパターンデータを露光させ、ベーク工程、現像工程を経てフォトマスク基板上にレジストパターンを形成した。なお現像工程では、レジスト膜4を露光部分と未露光部分の溶解速度に差異をつけて現像する。
次に、誘導結合型(Inductive Coupled Plasma;ICP)のドライエッチング装置により、レジストパターンをマスクにしてCr膜3(遮光膜:第n層の膜)のエッチングを行った。ドライエッチング装置では、真空中に多層膜を有するエッチング対象物(フォトマスク基板)を配置し、真空雰囲気中に反応ガスを導入し、反応ガスのプラズマを発生させ、多層膜を順次エッチングする。
このときCr膜3のエッチングの第1工程は、バイアスパワー35W、ICPパワー700W、エッチング圧力0.67Pa、塩素ガス流量50sccm、酸素ガス流量10sccm、ヘリウムガス流量20sccmで、下地膜(半透明膜2:位相シフタ膜:第n+1層の膜)が露出するまで行った。
下地膜が露出したことの判定は、反射型のプロセスエンドポイントモニタで行ったが、被エッチング膜(Cr膜3)の反射強度とエッチング量の関係をあらかじめ調べ、エッチング時間を決定しておけば、必ずしもプロセスエンドポイントモニタは必要ではない。プロセスエンドポイントモニタには、基板表面の被エッチング膜に対してほぼ垂直に可視光を照射し、その反射強度の変化からエッチングエンドを判定するものを使用した。
図1〜4は、本第1の実施の形態のエッチング手順を示すマスクの断面図である。まず、図1に示す第1工程のエッチングを行った。第1工程では、プロセス条件は上記条件に限定されることはないが、レジストの後退が小さいこと、特にレジストパターンの疎密による後退量の差が小さいこと、Cr膜3のエッチング断面が順テーパ形状であることが必要とされるため、ICPパワーとバイアスパワーの比を40以下、エッチング圧力を0.4〜1Paの範囲に設定して、下地膜(半透明膜2)が露出するまでエッチングすることが望ましい。
ひきつづき図2に示す第2工程のエッチングを、バイアスパワー35W、ICPパワー700W、エッチング圧力0.67Pa、塩素ガス流量60sccm、酸素ガス流量0sccm、ヘリウムガス流量20sccmで行った。このとき、レジストパターンの横方向の寸法縮小速度は0.6nm/min程度に過ぎないため、第2工程のエッチング時間が数分間ならば、レジストの縮小による寸法変動は無視できる。これに対して、Cr膜3のテーパ部は、酸素ガス流量が0sccmでもエッチングされる。これらの現象を利用することにより、図2のようにレジストのパターン寸法をほとんど変化させること無く、Cr膜3のテーパ部を選択的に除去できるようになった。
なお、第1工程の後にプラズマ処理を停止し、反応ガスの真空引きを行ってから第2工程に移行してもよい。また、プラズマ処理を停止することなく、そのまま第2工程に移行してもよい。
以上のように、本第1の実施の形態のドライエッチング方法をCrエッチング工程に適用することにより、パターン面内の疎密に依存するCr寸法ばらつきの小さいマスクの作製が可能になった。
ひきつづき図3に示すように、Cr膜3パターンをマスクとしてMoSi膜(半透明膜2)をエッチングすることにより、図4に示すような寸法ばらつきの小さなハーフトーン型位相シフトマスクが作製された。
図5は、酸素/塩素流量比率とレジスト寸法縮小速度の関係を示す図である。本第1の実施の形態では第2工程の酸素ガス流量を0sccmとしたが、この条件に限定されるわけではなく、図5に示すように酸素流量が塩素流量の10%以下であれば、レジストパターンの寸法縮小速度は1nm/min程度に抑えられるため、同様の効果が得られる。
なお、本第1の実施の形態ではハーフトーン型位相シフトマスクの作製について述べたが、Crエッチングの第1、第2工程を行うことにより、Crマスクや石英掘り込みマスクの作製でも同様の効果が得られる。すなわち本第1の実施の形態は、Cr膜のエッチングに特徴を有し、その後のエッチング工程の方法によってその効果が左右されるものではない。
(第2の実施の形態)
第2の実施の形態では、実際のマスク上のパターン寸法の評価結果について説明する。
第2の実施の形態では、実際のマスク上のパターン寸法の評価結果について説明する。
図12に示したようなフォトマスク基板を準備して、そのレジスト膜4に電子ビーム描画装置などによりパターンデータを露光させ、ベーク工程、現像工程を経てフォトマスク基板上にレジストパターンを形成した。このとき、図14、図15に示したように1枚のフォトマスク基板上の領域をレジスト被覆率100%(図14、図15の左側)と0%(図14、図15の右側)の2領域に分割し、それぞれの領域の中心に同一の寸法測定チップ(through pitchパターン)を配置した評価パターンを用いた。
まず、従来の方法について説明する。レジストパターン形成後、誘導結合型(Inductive Coupled Plasma;ICP)のドライエッチング装置により、レジストパターンをマスクにしてCr膜3を塩素ガス流量50sccm、酸素ガス流量10sccm、ヘリウムガス流量20sccm、エッチング圧力0.67Pa、誘導結合に用いるコイルの印加電力700W、エッチング対象の基板を載置する電極の印加電力35Wの条件で、エッチングを220sec行った。その後のCr膜3の断面SEM観察像から求めた寸法測定結果を図6の(a)(b)に示す。
図6の(a)(b)において、Cr topは、Cr膜の表面側の断面寸法、Cr bottomはCr膜と下地膜(MoSi膜)との界面付近の断面寸法を意味する。topとbottomの寸法差が小さいほど、Cr膜の側壁形状が垂直に近いことを示す。
このとき従来方法では、図6の(b)に示すように、周辺のレジスト被覆率が小さな領域ではCr膜の側壁はほぼ垂直の形状が得られているが、図6の(a)に示すように、周辺のレジスト被覆率が大きな領域ではCr膜の側壁形状は順テーパ形状になっていた。図6の(a)では、レジスト被覆率に依存したbottom寸法の差は25nmにもなっており、図7に示すように、下地膜2のエッチング時にはCr膜3のbottomがエッチングマスクになるため、このレジスト被覆率の大小による寸法ばらつきは、そのまま下地膜の断面寸法のばらつきとして転写されてしまっていた。
次に、本実施の形態の方法について説明する。レジストパターン形成後、誘導結合型(Inductive Coupled Plasma;ICP)のドライエッチング装置により、レジストパターンをマスクにしてCr膜3を塩素ガス流量50sccm、酸素ガス流量10sccm、ヘリウムガス流量20sccm、エッチング圧力0.67Pa、誘導結合に用いるコイルの印加電力700W、エッチング対象の基板を載置する電極の印加電力35Wの条件で、エッチングを160sec行った。
その後、一旦、真空チャンバー内の反応ガスを排気し、高真空状態にした後、再び真空チャンバー内に塩素ガスを60sccm、酸素ガスを0sccm、ヘリウムガスを20sccm導入し、エッチング圧力0.67Pa、誘導結合に用いるコイルの印加電力700W、エッチング対象の基板を載置する電極の印加電力35Wの条件で、エッチングを180sec行った。その後のCr膜3の断面SEM観察像から求めた寸法測定結果を図8の(a)(b)に示す。
図8の(a)(b)において、Cr topは、Cr膜の表面側の断面寸法、Cr bottomはCr膜と下地膜(MoSi膜)との界面付近の断面寸法を意味する。図8の(a)に示す周辺のレジスト被覆率が大きな場合と図8の(b)に示す周辺のレジスト被覆率が小さな場合とを比べると、周辺のレジスト被覆率の大小に関わらずCr膜の側壁はほぼ垂直な形状が得られており、レジスト被覆率が大きな領域とレジスト被覆率が小さな領域との間のCr膜のbottom寸法の差は、10nm程度に抑えられていた。
また、隣接するパターン同士の距離と寸法の関係を調べるスルーピッチ(through pitch)パターン比較において、レジスト被覆率が大きな領域と小さな領域の両方で、図9に示す隣接するパターンとの距離S(スペース:space)の依存性が改善されていた。
その後、Cr膜パターンをマスクにして下地膜(MoSi膜)をエッチングし、レジストとCr膜を剥離した後、下地膜パターンの寸法測定を行った結果を図10、11に示す。
図10に示すように従来方法では、レジスト被覆率が100%の領域と0%の領域との寸法差が最大20nmあり、またスペースの大小に起因する寸法差は7nm弱ある。これ対して、図11に示すように本実施の形態の方法では、レジスト被覆率が100%の領域と0%の領域との寸法差は最大9nmであり、またスペースの大小に起因する寸法差は2nm程度にまでばらつきが低減された。
この結果、レジストパターンの被覆率の影響を受けにくい下地膜(MoSi膜)パターンの形成が可能になり、マスクパターンの疎密に依存しない高い寸法精度を有するフォトマスクの作製が可能になった。
なお、第2工程のエッチング時間は、第1工程後のCr膜のテーパ形状と第2工程の酸素/塩素流量比率に依存する。Cr膜の側壁の順テーパの角度が大きいと必要なエッチング時間は長くなり、Cr膜の側壁が垂直に近いほど短くてよい。またエッチング時間は、酸素流量が小さいと長くなり、酸素流量が大きいと短くてよい。このように、エッチング時間は一意に決めることができないが、本実施の形態に示した評価パターンを用いることで最適条件を求めることが可能になる。
なお、多層膜を構成する要素は、Cr、MoSiON、石英に限られるものではなく、例えば、Ta化合物やSi、SiO2、Ruなどでもよく、積層膜の組成に応じて、使用する反応ガスも塩素、酸素、ヘリウムに限ることはない。
また、第1層目のCr膜のエッチング後、可能であればプラズマを止めることなく酸素流量を所望の流量に減らしてエッチングを行ってもよい。本実施の形態では、酸素を添加しない工程を付加する場合について説明したが、酸素添加量をレジストパターンの寸法縮小速度に影響しない少量にすることもできる。その場合の酸素添加量の目安として、酸素流量5sccm以下、塩素/酸素ガス比10%以下、レジストパターンの寸法縮小速度1nm/min以下のいずれかの条件を満たしていることが望ましい。
以上のように本実施の形態によれば、従来ではマスクパターンの疎密によって生じていたCr遮光膜のテーパ形状差に起因するマスクパターンの寸法ばらつきが改善される。Cr遮光膜をマスクとして形成される位相シフタ膜のパターン寸法のばらつきが改善されるため、パターン寸法精度の高いフォトマスクの製造が可能になる。本実施の形態のドライエッチング方法により、所望の回路パターンに忠実な多層膜基板のエッチングが可能になる。
なお、本発明は上記各実施の形態のみに限定されず、要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施できる。
1…透明基板 2…半透明膜 3…Cr遮光膜 4…レジスト 51,52…パターン
Claims (5)
- 真空中に多層膜を有するエッチング対象物を配置し、前記真空中に反応ガスを導入し、前記反応ガスのプラズマを発生させ、前記多層膜を順次エッチングするドライエッチング方法であって、
上層膜側から数えて第n層(nは2以上の自然数)の膜のエッチングと第n+1層の膜のエッチングとの間に、第n−1層の膜のパターン寸法をほとんど変化させずに前記第n層の膜のテーパ部分を選択的に除去することを特徴とするドライエッチング方法。 - 前記第n層の膜のエッチングを前記第n+1層の膜が露出するまで行った後、前記第n層の膜のテーパ部分を選択的に除去することを特徴とする請求項1に記載のドライエッチング方法。
- 前記第n層の膜のテーパ部分を選択的に除去する際に用いる前記反応ガス中の塩素に対する酸素の比率を10%以下にすることを特徴とする請求項1または2に記載のドライエッチング方法。
- 前記多層膜は、遮光膜層を有し、フォトマスク基板を構成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のドライエッチング方法。
- 透明基板上に位相シフタ膜と遮光膜を含む多層膜を有するフォトマスク基板の前記遮光膜上のレジストを露光させ、
前記レジストを露光部分と未露光部分の溶解速度に差異をつけて現像し、
前記フォトマスク基板を真空中に配置し、前記真空中に反応ガスを導入し、前記反応ガスのプラズマを発生させ、前記多層膜を順次エッチングし、
前記遮光膜のエッチングと前記位相シフタ膜のエッチングとの間に、前記レジストのパターン寸法をほとんど変化させずに前記遮光膜のテーパ部分を選択的に除去することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
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JP2005246212A JP2007059806A (ja) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | ドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法 |
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Cited By (1)
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JP2020155616A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
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2005
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